李興然

在底部運(yùn)行一段時(shí)間后，目前有市場(chǎng)消息稱，三星近期與客戶（包括小米、OPPO及谷歌）簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格較現(xiàn)有合同價(jià)格上調(diào)幅度達(dá)到10%-20%。另外據(jù)悉，鎧俠、SK 海力士等上游NANDFlash原廠已開始拉高晶圓合約價(jià)。

價(jià)格接近全面回升

根據(jù)中信證券存儲(chǔ)行業(yè)深度追蹤研報(bào)的價(jià)格統(tǒng)計(jì)，8月DRAM個(gè)別產(chǎn)品已經(jīng)還是上漲，而NAND價(jià)格則持續(xù)回升。

DRAM方面：8月個(gè)別產(chǎn)品價(jià)格出現(xiàn)上漲，環(huán)比-6.12%至+6.45%，本輪高點(diǎn)21年6月至23年8月累計(jì)跌幅為69%至83%。高端DRAM（服務(wù)器DDR5）合約價(jià)格穩(wěn)定，主流DRAM（DDR4）價(jià)格跌幅收窄，個(gè)別產(chǎn)品價(jià)格出現(xiàn)上漲，8月漲跌幅-6.12%至+6.45%（7月漲跌幅-7.92%至-1.02%），利基DRAM（DDR3）價(jià)格跌幅在2.06%至4.55%（7月跌幅3.96%至8.33%），目前價(jià)格處于周期底部。TrendForce 預(yù)計(jì)，受DRAM廠商陸續(xù)減產(chǎn)影響，供給逐季減少，加上季節(jié)性需求支撐減輕供應(yīng)商庫(kù)存壓力，23Q3跌幅將進(jìn)一步收縮至0%至5%，同時(shí)LPDDR5產(chǎn)品價(jià)格有望上漲0至5%。

NAND Flash 方面：8月價(jià)格持續(xù)回升，環(huán)比0.00% 至+7.09%（512GB大容量連續(xù)兩月環(huán)比上漲，128/256GB價(jià)格保持穩(wěn)定），本輪高點(diǎn)21年8月至23年6月累計(jì)跌幅為47%至69%。23H2旺季備貨周期將至，盡管今年需求低迷，如Cli?ent SSD與Enterprise SSD在下游出貨量下滑預(yù)期下采購(gòu)量下降，導(dǎo)致終端出貨預(yù)測(cè)持續(xù)下修，但在原廠持續(xù)減產(chǎn)及下游需求復(fù)蘇預(yù)期下，市場(chǎng)仍認(rèn)為23H2終端出貨量會(huì)優(yōu)于23H1，采購(gòu)量有機(jī)會(huì)逐季增加。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)，7月初至9月14日，512Gb Wafer價(jià)格從1.41美元上漲至1.68美元，漲幅達(dá)20%；展望23H2，TrendForce預(yù)計(jì)23Q3 NAND Flash Wafer整體均價(jià)環(huán)比漲幅0%至5%，Q4漲幅將進(jìn)一步擴(kuò)大至8%至13%。

存儲(chǔ)模組方面：今年2月開始價(jià)格下跌幅度收窄，8月SSD價(jià)格出現(xiàn)上漲，DDR4價(jià)格基本持平（9月1-2周小幅上漲），本輪高點(diǎn)22年3月至23年8月累計(jì)跌幅為44.76%至60.63%。據(jù)CFM閃存市場(chǎng)，截至9月12日，近半年DDR4 SO?DIMM（8GB 3200）由約16.5美元下降至不足14美元，降幅約15%，OEMSSD（512GBSATA）由約25美元下降至19美元，降幅約24%。我們認(rèn)為模組廠商產(chǎn)品單價(jià)有望于23Q4開始回暖，隨下游需求復(fù)蘇而獲得銷量彈性，同時(shí)上游晶圓成本處于底部，有利于模組環(huán)節(jié)盈利水平修復(fù)。

價(jià)格傳導(dǎo)分析：NAND Wafer漲價(jià)行情已由合約價(jià)傳導(dǎo)至現(xiàn)貨價(jià)，8月末已自上而下由晶圓端傳導(dǎo)至模組端。5月起，美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，部分供應(yīng)商已經(jīng)開始調(diào)高wafer報(bào)價(jià)；由于多數(shù)供應(yīng)商已開始減產(chǎn)，庫(kù)存壓力在Q3下降，三星等原廠報(bào)價(jià)態(tài)度強(qiáng)勢(shì)，Q3合約價(jià)已出現(xiàn)較大幅度反彈，并刺激買方采購(gòu)意愿，加速供需平衡。8月末起，晶圓端漲價(jià)已開始傳導(dǎo)至模組端，根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)，SSD、EMMC、UFS等模組產(chǎn)品中多數(shù)已出現(xiàn)不同幅度的上漲（單周價(jià)格漲幅約0至5%）。TrendForce預(yù)計(jì)23Q3 NAND Flash整體均價(jià)跌幅將收縮至5至10%，Q4有望止跌回升，預(yù)估漲幅為0至5%。

展望后續(xù)，中信預(yù)計(jì)23Q3 NAND 各環(huán)節(jié)漲價(jià)將延續(xù)至23Q4；隨DRAM 持續(xù)減產(chǎn)以及下游服務(wù)器市場(chǎng)復(fù)蘇，預(yù)計(jì)23Q4 DRAM價(jià)格有望開始回升。

供需改善

供給端，為應(yīng)對(duì)下游需求持續(xù)疲軟、行業(yè)供過于求，部分廠商調(diào)降投片量，同時(shí)下調(diào)2023年資本開支及產(chǎn)能提升預(yù)期。

據(jù)了解，三星近日為應(yīng)對(duì)需求持續(xù)減弱，宣布9月起擴(kuò)大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，三星平澤與西安工廠都將擴(kuò)大減產(chǎn)幅度。另據(jù)Omdia預(yù)計(jì)，2024年下半年三星DRAM月產(chǎn)量將保持在60萬片，較目前水平進(jìn)一步減少。

據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，其他供應(yīng)商預(yù)計(jì)也將跟進(jìn)擴(kuò)大第四季減產(chǎn)幅度，目的是加速庫(kù)存去化速度。

據(jù)各公司業(yè)績(jī)交流會(huì)，美光預(yù)計(jì)2023資本支出降至70億美元，同比-40%以上，并將對(duì)DRAM和NAND進(jìn)一步減產(chǎn)30%至2024年；SK海力士預(yù)計(jì)2023資本開支將同比削減超50%，并決定對(duì)NAND 進(jìn)一步減產(chǎn)5-10%；西部數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)2024資本支出將大幅下降；鎧俠此前也將產(chǎn)能從去年四季度開始30%減產(chǎn)擴(kuò)大至2023年的50%，該廠已將日本巖手縣北上市建設(shè)的生產(chǎn)廠房的投產(chǎn)時(shí)間，從原定的2023年內(nèi)延期至2024年以后，廠房設(shè)備交付也被推遲。

中信證券稱，預(yù)計(jì)23H2大廠庫(kù)存消耗速度將加快，促使半導(dǎo)體整體產(chǎn)業(yè)狀況改善。量產(chǎn)、擴(kuò)產(chǎn)方面，SK 海力士24GBLPDDR5XDRAM已量產(chǎn)并供貨OPPO；此外，SK海力士展示全球最高層321層NAND閃存樣品，計(jì)劃2025H1量產(chǎn)。

從歷史周期看，資本開支增速與市場(chǎng)規(guī)模增速?gòu)?qiáng)相關(guān)性，隨著各大存儲(chǔ)廠商陸續(xù)下調(diào)2023年資本開支計(jì)劃并降低稼動(dòng)率，中信證券預(yù)計(jì)23年行業(yè)供給增速將低于需求增速，供需將逐步達(dá)到平衡，有助于庫(kù)存修復(fù)，看好存儲(chǔ)板塊周期2023年下半年見底。

圖：NAND 減產(chǎn)表述

來源：方正證券研究所

需求端，下游廠商“降成本、去庫(kù)存”趨勢(shì)持續(xù)，需求逐步復(fù)蘇。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)下游廠商江波龍近期也在機(jī)構(gòu)調(diào)研中稱，在經(jīng)歷艱難的磨底階段后，終端庫(kù)存水位逐漸恢復(fù)正常，價(jià)格回升趨勢(shì)將在行業(yè)供需博弈關(guān)系中逐步建立。該公司表示，從整體趨勢(shì)來看，三季度整體需求會(huì)進(jìn)一步好轉(zhuǎn)。從下游需求來看，目前部分客戶采購(gòu)有所恢復(fù)。

從下游應(yīng)用來看，手機(jī)和服務(wù)器是DRAM和NAND市場(chǎng)中占比最大的應(yīng)用領(lǐng)域。

手機(jī)端，根據(jù)Canalys數(shù)據(jù)，2023Q2全球智能手機(jī)出貨量達(dá)2.58億部，同比下降10%。但同比跌幅環(huán)比略有收窄，市場(chǎng)衰退有所放緩。隨著經(jīng)濟(jì)逐漸復(fù)蘇，手機(jī)需求將會(huì)逐步好轉(zhuǎn)。此外因?yàn)镸ate 60 系列手機(jī)的發(fā)布，在一定程度上能夠沖抵手機(jī)的疲軟需求。

服務(wù)器端，根據(jù)TrendForce調(diào)查數(shù)據(jù)，現(xiàn)階段普通服務(wù)器DRAM（不含HBM）平均容量約為500至600GB。但AI服務(wù)器所需DRAM容量遠(yuǎn)高于普通服務(wù)器，且目前AI服務(wù)器成長(zhǎng)需求較為強(qiáng)勁。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，AI服務(wù)器年增率近38%，AI服務(wù)器的大幅增長(zhǎng)有望帶來價(jià)值增量。

投資建議

從存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)品布局來看，海外巨頭多聚焦于DRAM、NAND主要領(lǐng)域等高端市場(chǎng)，業(yè)務(wù)重心在大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品。而中國(guó)存儲(chǔ)廠商則主要布局于利基型存儲(chǔ)，包括利基DRAM、SLC NAND、NOR Flash等中小容量產(chǎn)品，代表廠商有：華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份等。

中信證券表示，國(guó)內(nèi)廠商已發(fā)布2023年中報(bào)業(yè)績(jī)，整體來看，Q2大部分存儲(chǔ)廠商毛利率已至近年低位，庫(kù)存見頂，營(yíng)收/出貨量出現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)，部分廠商Q2利潤(rùn)端環(huán)比改善。預(yù)計(jì)23H2隨庫(kù)存去化，需求逐步回歸，行業(yè)細(xì)分龍頭有望迎來業(yè)績(jī)修復(fù)機(jī)會(huì)，看好國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈周期復(fù)蘇疊加國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)下的投資機(jī)遇。

中信建議關(guān)注：1）存儲(chǔ)模組：深科技、江波龍、佰維存儲(chǔ)、德明利、協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)、朗科科技等；2）存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)：東芯股份、兆易創(chuàng)新、北京君正、普冉股份、恒爍股份等；3）存儲(chǔ)配套芯片：瀾起科技、聚辰股份等。