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        基于HTCC 的200 Gbit/s 光調(diào)制器外殼的研制

        2023-08-03 07:26:04胡進(jìn)顏匯锃陳寰貝
        電子與封裝 2023年7期
        關(guān)鍵詞:信號(hào)結(jié)構(gòu)

        胡進(jìn),顏匯锃,陳寰貝

        (南京電子器件研究所,南京 210016)

        1 引言

        隨著5G 通信的快速發(fā)展,在大數(shù)據(jù)、高性能計(jì)算機(jī)和信息安全等新興領(lǐng)域的推動(dòng)下,大規(guī)模集成電路迅速地向高速化和大型化方向發(fā)展,數(shù)據(jù)處理的速度和容量成倍提升。光模塊作為5G 網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)構(gòu)成單元,隨著光通信行業(yè)的發(fā)展其發(fā)展速度進(jìn)一步加快,作為其核心元件的高速光調(diào)制器,其傳輸端子的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)是封裝中尤為重要的環(huán)節(jié)。

        當(dāng)信號(hào)傳輸速率達(dá)到10 Gbit/s 以上時(shí),信號(hào)傳輸會(huì)變得十分敏感,所以要對(duì)高速信號(hào)傳輸端口進(jìn)行設(shè)計(jì)和優(yōu)化,保證信號(hào)完整性。在端口設(shè)計(jì)上多采用過(guò)孔結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的異面?zhèn)鬏?,近年?lái),國(guó)內(nèi)外眾多科研人員對(duì)過(guò)孔結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入研究[1-4]。SHIUE 等人研究了差分過(guò)孔短柱(stub)對(duì)高速信號(hào)完整性的影響,并提出了減小其影響的方案[1];紀(jì)成光等人研究了差分過(guò)孔的焊盤(pán)及反焊盤(pán)對(duì)高速信號(hào)完整性的影響[2];YAN 等人提出了呈容性負(fù)載的面通孔結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)異面?zhèn)鬏數(shù)母咚俣丝赱3];SHEN 等人研究了差分過(guò)孔孔間距、地孔的分布、過(guò)孔孔徑等傳輸線(xiàn)結(jié)構(gòu)對(duì)高速信號(hào)完整性的影響[4]。

        然而當(dāng)過(guò)孔高度過(guò)高或信號(hào)速率較大時(shí),由于寄生效應(yīng)的影響,信號(hào)完整性得不到保證。本文通過(guò)將過(guò)孔結(jié)構(gòu)與地孔結(jié)合成類(lèi)同軸結(jié)構(gòu),基于陶瓷工藝,設(shè)計(jì)出一款高速光調(diào)制器傳輸端子,在高度為1.9 mm的異面?zhèn)鬏敆l件下支持單通道28 Gbit/s 的高速信號(hào)傳輸。相較于傳統(tǒng)的過(guò)孔結(jié)構(gòu),類(lèi)同軸結(jié)構(gòu)可以有效地減小寄生效應(yīng)和阻抗突變,進(jìn)一步保證端口的信號(hào)完整性。

        2 高速信號(hào)傳輸端口的設(shè)計(jì)

        信號(hào)傳輸端口可以實(shí)現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路的電氣互連,在端口設(shè)計(jì)中需通過(guò)優(yōu)化端口傳輸結(jié)構(gòu)以減小高速光調(diào)制器傳輸端子對(duì)電氣互連的影響,保證高速傳輸?shù)男盘?hào)完整性和信號(hào)傳輸能量的損耗最小,因此信號(hào)傳輸端口的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)尤為重要。

        2.1 高速端口傳輸結(jié)構(gòu)

        差分對(duì)(指一對(duì)存在耦合的傳輸線(xiàn))進(jìn)行差分信令的傳輸,其中一條傳輸線(xiàn)傳輸信號(hào),另一條傳輸線(xiàn)傳輸與之互補(bǔ)的信號(hào)。相較于單端信令傳輸,差分傳輸結(jié)構(gòu)具有抗干擾能力強(qiáng)、對(duì)其他傳輸線(xiàn)串?dāng)_小以及時(shí)序定位精確的優(yōu)勢(shì),故本文提出的高速光調(diào)制器傳輸端子采用差分傳輸結(jié)構(gòu),以更好地保證高速信號(hào)傳輸?shù)男盘?hào)完整性。

        端口中的傳輸結(jié)構(gòu)由水平傳輸結(jié)構(gòu)和垂直傳輸結(jié)構(gòu)組成,以實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)的異面?zhèn)鬏敚F(xiàn)有的差分異面?zhèn)鬏敹酁槲ЫM合差分過(guò)孔。為了實(shí)現(xiàn)更高速率的信號(hào)傳輸,本文設(shè)計(jì)的單通道高速端口模型如圖1所示,在水平傳輸上通過(guò)共面波導(dǎo)轉(zhuǎn)帶狀線(xiàn)結(jié)構(gòu)可以更好地保證信號(hào)在高頻下的傳輸;在垂直傳輸上設(shè)計(jì)了類(lèi)同軸結(jié)構(gòu),可以有效地減小過(guò)孔傳輸帶來(lái)的寄生效應(yīng),并且能夠?yàn)椴罘中盘?hào)的傳輸提供返回路徑,同時(shí)實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽,進(jìn)一步保證信號(hào)完整性。

        圖1 本文設(shè)計(jì)的單通道高速端口模型

        端口結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示,信號(hào)通過(guò)水平-垂直-水平的結(jié)構(gòu)進(jìn)行傳輸,存在較多的阻抗不連續(xù)點(diǎn),為了減小能量反射對(duì)信號(hào)完整性的影響,要使傳輸結(jié)構(gòu)的各個(gè)部分盡可能接近100 Ω 的理想阻抗。類(lèi)同軸結(jié)構(gòu)如圖1(b)所示,在異面?zhèn)鬏數(shù)倪^(guò)孔周?chē)ㄟ^(guò)地孔的致密分布,與過(guò)孔組成類(lèi)似同軸波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)。根據(jù)傳輸線(xiàn)理論,傳輸線(xiàn)的尺寸變化會(huì)導(dǎo)致傳輸線(xiàn)的阻抗發(fā)生變化,所以需要對(duì)上端口中的差分對(duì)線(xiàn)寬W1、差分對(duì)線(xiàn)間距S1、差分對(duì)距參考地高度H1,下端口中的差分對(duì)線(xiàn)寬W2、差分對(duì)線(xiàn)間距S2、差分對(duì)距參考地高度H2,反焊盤(pán)直徑D1、類(lèi)同軸直徑D2等關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行阻抗計(jì)算和仿真迭代,只有匹配阻抗才能保證信號(hào)的完整性。

        2.2 差分過(guò)孔等效電路模型

        差分信號(hào)會(huì)通過(guò)耦合使差分對(duì)處于奇模狀態(tài),此時(shí)差分阻抗Zdiff是奇模狀態(tài)下傳輸線(xiàn)特性阻抗的2 倍[5]:

        其中,Zodd表示當(dāng)差分對(duì)處于奇模狀態(tài)時(shí)每條線(xiàn)的特性阻抗。單端傳輸線(xiàn)的通用阻抗為50 Ω,所以在設(shè)計(jì)差分傳輸結(jié)構(gòu)時(shí)以100 Ω 為理想阻抗。

        差分過(guò)孔的等效電路模型如圖2 所示,Zodd可以通過(guò)奇模電感Lodd和奇模電容Codd計(jì)算出來(lái)[6-7]。奇模電感由差分過(guò)孔間的自感L11、L22和互感L12得到,奇模電容由差分過(guò)孔間的自容C11、C22和互容C12得到,其中由于差分對(duì)的對(duì)稱(chēng)性,L11=L22,C11=C22。

        圖2 差分過(guò)孔等效電路模型

        因此可以得到差分過(guò)孔的阻抗

        2.3 仿真設(shè)計(jì)

        本文所設(shè)計(jì)的高速端口采用的介質(zhì)是介電常數(shù)為9.4 的陶瓷,介質(zhì)損耗角正切值小于0.005 5,傳輸線(xiàn)為金且厚度均為0.01 mm。先通過(guò)傳輸線(xiàn)的阻抗計(jì)算公式得到傳輸結(jié)構(gòu)各個(gè)參數(shù)的初步尺寸,再采用電磁場(chǎng)仿真軟件HFSS 對(duì)設(shè)計(jì)出的傳輸結(jié)構(gòu)進(jìn)行自適應(yīng)網(wǎng)格劃分計(jì)算,通過(guò)端口在頻域下的差模S 參數(shù)仿真結(jié)果判斷傳輸特性的優(yōu)劣。將傳輸結(jié)構(gòu)的各個(gè)參數(shù)以初步尺寸為基準(zhǔn),在適當(dāng)?shù)牟介L(zhǎng)中進(jìn)行迭代,使傳輸結(jié)構(gòu)得到最佳的傳輸性能,從而確定各參數(shù)的最優(yōu)解。圖3為仿真過(guò)程中部分關(guān)鍵參數(shù)的掃描結(jié)果。

        圖3 仿真過(guò)程部分關(guān)鍵參數(shù)掃描結(jié)果

        根據(jù)仿真結(jié)果可以得到,當(dāng)D2為1.2 mm、W1為0.1 mm、W2為0.34 mm 時(shí),高速端口具有最佳的傳輸性能,其余尺寸也均以該方法求最優(yōu)解。此方法可以保證傳輸結(jié)構(gòu)中各部分特征阻抗接近100 Ω,以減小信號(hào)傳輸過(guò)程中的阻抗突變對(duì)信號(hào)完整性的影響。

        3 高速端口的性能分析

        本文從頻域和時(shí)域2 個(gè)角度對(duì)優(yōu)化后的高速端口進(jìn)行仿真分析,驗(yàn)證所設(shè)計(jì)的類(lèi)同軸結(jié)構(gòu)在傳輸特性上優(yōu)于傳統(tǒng)的差分過(guò)孔結(jié)構(gòu)。

        3.1 頻域特性

        使異面?zhèn)鬏斂缍韧瑸?.9 mm 的類(lèi)同軸結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的差分過(guò)孔結(jié)構(gòu)的金屬與介質(zhì)材料保持一致,并對(duì)兩者的S 參數(shù)仿真結(jié)果展開(kāi)分析,兩種結(jié)構(gòu)的S 參數(shù)仿真結(jié)果如圖4 所示。

        圖4 類(lèi)同軸和差分過(guò)孔的仿真結(jié)果對(duì)比

        從仿真結(jié)果可以看出,在20 GHz 的帶寬下,類(lèi)同軸結(jié)構(gòu)的回波損耗和插入損耗都要明顯優(yōu)于傳統(tǒng)的差分過(guò)孔結(jié)構(gòu)。主要原因在于,當(dāng)傳輸信號(hào)的頻率增大時(shí)差分過(guò)孔結(jié)構(gòu)自身的寄生效應(yīng)對(duì)傳輸結(jié)構(gòu)的影響也隨之增大,串聯(lián)寄生電感L 為其中,h 為過(guò)孔高度,d 為過(guò)孔直徑??梢哉{(diào)整反焊盤(pán)、焊盤(pán)以減小差分過(guò)孔的寄生電容,但寄生電感與差分過(guò)孔的高度呈正相關(guān)。當(dāng)異面?zhèn)鬏斶_(dá)1.9 mm 時(shí),很難通過(guò)調(diào)整結(jié)構(gòu)尺寸減小寄生電感。

        本文所提出的類(lèi)同軸結(jié)構(gòu)通過(guò)差分過(guò)孔周?chē)旅艿牡乜追植冀M成返回路徑,實(shí)現(xiàn)電流回流,有效地減小了差分過(guò)孔帶來(lái)的寄生效應(yīng)。且當(dāng)?shù)乜椎目组g距s、介質(zhì)波長(zhǎng)λ 和半徑r 分別滿(mǎn)足s<λ/4、s<8r 時(shí),可以有效地防止電磁場(chǎng)從地孔間隙中泄露出去[8],所以類(lèi)同軸結(jié)構(gòu)還可以有效地減小傳輸過(guò)程中產(chǎn)生的電磁泄漏。類(lèi)同軸結(jié)構(gòu)在頻域下具有更好的傳輸特性,且異面?zhèn)鬏敻叨仍酱螅?lèi)同軸結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)就越明顯。

        3.2 時(shí)域特性

        眼圖是累計(jì)疊加顯示采集到的數(shù)字信號(hào)比特位的結(jié)果,為信號(hào)傳輸完整性的幅度噪聲和時(shí)序抖動(dòng)評(píng)估提供統(tǒng)計(jì)描述。對(duì)本設(shè)計(jì)的高速端口進(jìn)行激勵(lì)源為28 Gbit/s 的偽隨機(jī)編碼的眼圖分析,觀(guān)察其眼高、眼寬等眼圖特征。眼圖仿真結(jié)果如圖5 所示。

        圖5 眼圖仿真結(jié)果

        根據(jù)眼圖仿真結(jié)果,眼高為1.5 V,眼寬為46.33 ps,雖然存在著一定的過(guò)孔和時(shí)序抖動(dòng),但都在可接受的范圍內(nèi),從眼圖的綜合分析可知高速端口具有良好的信號(hào)完整性。

        時(shí)域反射技術(shù)(TDR)是測(cè)量高速信號(hào)在傳輸線(xiàn)上的時(shí)域反射狀況、從而判斷傳輸線(xiàn)阻抗特性的一種技術(shù)。將異面?zhèn)鬏斂缍葹?.9 mm 的類(lèi)同軸結(jié)構(gòu)和過(guò)孔結(jié)構(gòu)進(jìn)行TDR 仿真以研究其瞬時(shí)阻抗。入射信號(hào)選擇上升沿為90 ps 的階躍信號(hào),可以有效地保證28 Gbit/s 的高速信號(hào)TDR 仿真的精確性,類(lèi)同軸結(jié)構(gòu)和過(guò)孔結(jié)構(gòu)的TDR 仿真結(jié)果如圖6 所示。

        圖6 類(lèi)同軸結(jié)構(gòu)和過(guò)孔結(jié)構(gòu)的TDR 仿真結(jié)果

        從TDR 仿真結(jié)果中可以看出,差分過(guò)孔的阻抗突變值可以達(dá)到類(lèi)同軸結(jié)構(gòu)的2 倍,阻抗突變?cè)叫≌f(shuō)明反射的能量越少,越能保證信號(hào)完整性。當(dāng)傳輸信號(hào)進(jìn)行水平傳輸時(shí),阻抗可以維持在100 Ω 左右,當(dāng)信號(hào)進(jìn)行垂直傳輸時(shí),瞬時(shí)阻抗均出現(xiàn)一定程度的減小,說(shuō)明可以通過(guò)調(diào)節(jié)水平傳輸結(jié)構(gòu)的尺寸來(lái)接近理想阻抗,但受寄生效應(yīng)的影響,很難將垂直傳輸結(jié)構(gòu)調(diào)整至理想阻抗,且差分過(guò)孔和類(lèi)同軸均呈感性負(fù)載。

        經(jīng)過(guò)頻域和時(shí)域的分析,本文所設(shè)計(jì)的單通道高速端口可以實(shí)現(xiàn)28 Gbit/s 的信號(hào)傳輸速率。且相較于傳統(tǒng)的差分過(guò)孔結(jié)構(gòu),類(lèi)同軸結(jié)構(gòu)具有更優(yōu)異的信號(hào)完整性,更適合高速信號(hào)的異面?zhèn)鬏敗?/p>

        4 外殼制備

        基于本文設(shè)計(jì)的單通道28 Gbit/s 的高速端口,本文進(jìn)一步依據(jù)實(shí)用需求,設(shè)計(jì)出如圖7 所示的4 通道高速信號(hào)傳輸端子,端子由4 個(gè)單通道差分傳輸結(jié)構(gòu)和7 個(gè)單端傳輸結(jié)構(gòu)組成。其中,差分傳輸結(jié)構(gòu)用于28 Gbit/s 高速信號(hào)的傳輸,單端傳輸結(jié)構(gòu)用于控制信號(hào)的傳輸。在相鄰差分傳輸通道間分布地孔,結(jié)合差分傳輸結(jié)構(gòu)自身強(qiáng)大的抗干擾能力,進(jìn)一步減小高速信號(hào)在相鄰?fù)ǖ篱g的串?dāng)_,可以有效地保證各個(gè)通道間高速信號(hào)的信號(hào)完整性。

        圖7 4 通道高速信號(hào)傳輸端子

        本文基于高溫共燒陶瓷(HTCC)工藝,可以實(shí)現(xiàn)多層陶瓷高精度布線(xiàn)、小間距密集填孔等關(guān)鍵技術(shù),將2 個(gè)陶瓷端子和1 個(gè)控制端子與熱沉、導(dǎo)管等金屬零件通過(guò)釬焊工藝組裝在一起,制備出的光調(diào)制器高速外殼及陶瓷端子實(shí)物如圖8 所示?;贖TCC 工藝制備的外殼具有良好的導(dǎo)熱性、可靠性以及信號(hào)完整性。

        圖8 光調(diào)制器高速外殼及陶瓷端子實(shí)物照片

        本文所研制的光調(diào)制器外殼通過(guò)在導(dǎo)管上安裝透鏡后連接光纖傳輸光信號(hào),電信號(hào)則通過(guò)陶瓷端子進(jìn)行傳輸,通過(guò)外殼內(nèi)部封裝的光模塊實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)化,此款8 通道外殼可以支持200 Gbit/s 以上的高速信號(hào)傳輸。

        5 測(cè)試結(jié)果

        傳統(tǒng)的異面?zhèn)鬏斀Y(jié)構(gòu)測(cè)試方法是通過(guò)設(shè)計(jì)配套的測(cè)試板并焊接在樣品底部使得輸入和輸出平面處于同一個(gè)方向,結(jié)合探針測(cè)試法實(shí)現(xiàn)樣品傳輸性能的測(cè)試。然而焊接測(cè)試板會(huì)存在較為明顯的信號(hào)不連續(xù)點(diǎn),增加額外的反射損耗。為了保證高頻下的測(cè)試精度,本文根據(jù)原有端口設(shè)計(jì)了一款如圖9 所示的背靠背測(cè)試樣模型,避免了焊接測(cè)試板帶來(lái)的阻抗不連續(xù)點(diǎn)。

        圖9 背靠背測(cè)試樣模型

        將2 個(gè)相同端口結(jié)構(gòu)的下端口通過(guò)級(jí)聯(lián)形成背靠背結(jié)構(gòu),可以理解成微波網(wǎng)絡(luò)中3 個(gè)4 端口網(wǎng)絡(luò)的級(jí)聯(lián),包括2 個(gè)高速信號(hào)傳輸端口和一段微帶。4 端口由一對(duì)差分對(duì)結(jié)構(gòu)組成,差分對(duì)的S 參數(shù)為

        其中,SDD11為差分信號(hào)的回波損耗,SDD21為差分信號(hào)的插入損耗。本文只探究傳輸結(jié)構(gòu)中的差分信號(hào),所以可以把4 端口網(wǎng)絡(luò)的級(jí)聯(lián)簡(jiǎn)化為2 端口網(wǎng)絡(luò)級(jí)聯(lián)。圖10 為背靠背結(jié)構(gòu)原理圖,其中DUT1 指一個(gè)高速端口結(jié)構(gòu),MSL 為阻抗匹配的差分微帶線(xiàn),DUT2 為與DUT1 對(duì)稱(chēng)的高速端口結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)一致,方向相反。

        圖10 背靠背結(jié)構(gòu)原理

        根據(jù)微波網(wǎng)絡(luò)理論,3 個(gè)網(wǎng)絡(luò)中的S 參數(shù)表達(dá)式分別為

        其中,β 為相位常數(shù),l 為差分微帶的長(zhǎng)度,j 為虛數(shù)單位。在理想情況下,3 個(gè)網(wǎng)絡(luò)間的級(jí)聯(lián)均實(shí)現(xiàn)阻抗匹配,不存在反射。背靠背整體結(jié)構(gòu)的S 參數(shù)(SDD11-All、SDD21-All)與單個(gè)高速端口S 參數(shù)(SDD11,SDD21)的關(guān)系為

        可以通過(guò)背靠背結(jié)構(gòu)的測(cè)試結(jié)果得到單個(gè)高速端口的差模S 參數(shù)。

        采用Agilent 公司的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(型號(hào)為N5224A) 搭配Cascade 公司的差分探針(型號(hào)為I50-AD-GSSG-200)進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)如圖11 所示。

        圖11 GSSG 探針測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)

        結(jié)合Wincal 軟件對(duì)差分探針采用SOLT 法校準(zhǔn)[9],將探針與線(xiàn)纜自身的寄生效應(yīng)去嵌處理,保證探針測(cè)試的精確性。將測(cè)試后的16 個(gè)單端S 參數(shù)通過(guò)式(7)(8)計(jì)算,可以得到測(cè)試樣差模S 參數(shù)。進(jìn)一步地,通過(guò)式(12)(13)從背靠背測(cè)試樣得到單個(gè)高速端口的差模S 參數(shù)。單端口的差模S 參數(shù)曲線(xiàn)如圖12 所示。

        圖12 單端口的差模S 參數(shù)曲線(xiàn)

        當(dāng)前國(guó)內(nèi)對(duì)于差分過(guò)孔的研究均在15 GHz 內(nèi)[10-12],僅能支持20 Gbit/s 以下的高速信號(hào)傳輸。根據(jù)測(cè)試結(jié)果,本文所設(shè)計(jì)的高速信號(hào)傳輸端口在20 GHz 的帶寬下,SDD11≤-15 dB,SDD21≥-0.6 dB,具有較好的傳輸特性。根據(jù)傅里葉變換可以得到傳輸結(jié)構(gòu)時(shí)域和頻域的轉(zhuǎn)換關(guān)系,高速端口可以在保證信號(hào)完整性的前提下實(shí)現(xiàn)單通道28 Gbit/s 的信號(hào)傳輸速率,顯著提升了高速信號(hào)在異面?zhèn)鬏斨械膫鬏斔俾省?/p>

        6 結(jié)論

        本文所設(shè)計(jì)的光調(diào)制器外殼的高速信號(hào)傳輸端口在頻域特性上滿(mǎn)足20 GHz 帶寬下SDD11≤-15 dB、SDD21≥-0.6 dB 的傳輸性能;在時(shí)域特性上具有良好的TDR 曲線(xiàn)和眼圖,可以實(shí)現(xiàn)單通道28 Gbit/s 的信號(hào)傳輸速率,驗(yàn)證了該信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)可以在大跨度、高速率的高速信號(hào)異面?zhèn)鬏斨休^好地保證信號(hào)完整性,相較于傳統(tǒng)的過(guò)孔結(jié)構(gòu)在傳輸速率上具有較大提升。將該高速端口應(yīng)用在光調(diào)制器封裝中,此款8 通道高速外殼可以實(shí)現(xiàn)200 Gbit/s 以上的高速信號(hào)傳輸,對(duì)高速封裝產(chǎn)品的研制及光通信的發(fā)展具有借鑒意義。

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