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        基于內(nèi)置SiC-MOSFET的AC/DC準諧振變換器研制

        2023-04-29 00:00:00王貴剛王恒李雪張希玉
        科技資訊 2023年10期

        摘要:"該文首先闡述了BM2SC12xFP2-LBZ的軟開關(guān)、過流保護等基本功能,然后基于此芯片設(shè)計了一款反激變換器,該文簡單介紹了變壓器、過流檢測和過流保護點等關(guān)鍵參數(shù)的設(shè)計過程。最后通過實驗測試論證變換器工作于準諧振狀態(tài),變換器的效率可達到90%以上。相比于其他軟開關(guān)的控制策略,該變換器控制策略相對簡單,使用元器件數(shù)量少,易于設(shè)計實現(xiàn)。

        關(guān)鍵詞:"BM2SC12xFP2-LBZ"反激變換器"準諧振"高效率

        中圖分類號:TN45""文獻標識碼:A

        Development"of"the"AC"/"DC"Quasi-Resonant"Converter"Based"on"Built-in"SiC-MOSFET

        WANG"Guigang""WANG"Heng""LI"Xue""ZHANG"Xiyu

        (Aerospace"Shentuo"(Beijing)"Technology"Co.,"Ltd.,"Beijing,"100176"China)

        Abstract:"This"paper"first"expands"the"basic"functions"of"BM2SC12xFP2-LBZ,"such"as"soft"switching"and"overcurrent"protection."Then"it"designs"a"flyback"converter"based"on"this"chip,"and"briefly"introduces"the"design"process"of"key"parameters"such"as"transformers,"overcurrent"detection"and"overcurrent"protection"points."At"last,"it"proves"that"the"converter"works"in"the"quasi-resonant"state"by"experimental"measurement,"and"that"the"efficiency"of"the"converter"can"reach"more"than"90%."Compared"with"the"control"strategies"for"other"soft"switches,"the"control"strategy"for"this"converter"is"relatively"simple,"uses"a"small"number"of"components,"and"is"easy"to"design"and"implement.

        Key"Words:"BM2SC12xFP2-LBZ;"Flyback"converter;"Quasi-resonance;"High"efficiency

        BM2SC12xFP2-LBZ"系列芯片是一款內(nèi)置MOSFET的集成電路[1],該電路將開關(guān)管及其控制電路集成于芯片中,功率變換器設(shè)計相對簡單,元器件數(shù)量少;芯片功能豐富,可實現(xiàn)準諧振、過溫控制,特別適合于AC/DC變換器的應(yīng)用。

        1"內(nèi)置SiC-MOSFET控制芯片簡介

        BM2SC12xFP2-LBZ"系列芯片是由ROHM半導(dǎo)體公司研發(fā)的內(nèi)置SiC-MOSFET"AC/DC準諧振集成電路。電路的準諧振功能可實現(xiàn)軟開關(guān),并有助于保持EMI較低[2];芯片內(nèi)置了1700V"SiC-MOSFET,采用這種集成電路可以很容易地實現(xiàn)功率變換器設(shè)計[3]。利用電路電流檢測電阻器作為外部器件,可靈活實現(xiàn)負載突變的控制。

        BM2SC12xFP2"LBZ系列包括各種保護功能,如軟啟動功能、突發(fā)操作功能、每周期過流限制器、過壓保護、過載保護。電路原理如圖1所示[1]。

        芯片的第2腳為供電電源端VCC,電壓范圍15~27.5"V之間。第4腳FB為電壓反饋輸入端,電壓上升時范圍為2.5~3.1"V,電壓下降范圍為2.3~2.9"V,在設(shè)計時可取中間值2.7"V選擇反饋電阻。第5腳為輸入交流電壓檢測端,第1腳為零電流檢測端,為實現(xiàn)功率變換器準諧振采集輸入端。第6、7腳為內(nèi)置SiC-MOSFET的源極,通過電流采樣電阻接地,EXP-PAD為內(nèi)置SiC-MOSFET開關(guān)管漏極,為高壓輸入端。

        2"電源技術(shù)指標

        該電源設(shè)計主要給石油鉆井旋轉(zhuǎn)導(dǎo)向系統(tǒng)控制電路供電。旋轉(zhuǎn)導(dǎo)向系統(tǒng)工作環(huán)境溫度高,控制電路易受干擾[4]。故電源模塊紋波電壓要求少,電磁干擾小。該電源的輸入為三相交流電源210~480"V"AC,經(jīng)整流之后的電壓范圍為300~900"V"DC,具體指標如表1所示。

        3"電源參數(shù)設(shè)計

        3.1"原理圖設(shè)計

        基于BM2SCQ123T設(shè)計的反激變換器如圖2所示。變壓器有三個繞組,分別為原邊繞組NP、副邊兩繞組NS以及輔助繞組ND,整流橋、變壓器和副邊肖特基二極管、濾波電容、吸收電路的設(shè)計與傳統(tǒng)反激電路的設(shè)計方法相同,參數(shù)計算結(jié)果如表2所示,該文僅介紹利用芯片BM2SCQ123T的新功能來設(shè)計過流保護點。

        3.2.2過流檢測電阻R14

        BM2SC12xFP2-LBZ系列芯片通過限制流向一次側(cè)的電流來設(shè)置輸出的過載保護點。輸入電壓越高,接通時間越短,開關(guān)頻率越高。因此,某些過電流限制器的最大允許功率增加是通過切換IC內(nèi)部的過電流保護功能來采取對策。對于高電壓,確定接通時間或?qū)㈦娏鞅容^器設(shè)置為正常值的0.7倍,如圖3所示。通過監(jiān)測芯片ZT引腳的流入電流來檢測輸入電壓并執(zhí)行切換。當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時,ZT引腳夾在IC內(nèi)部接近0V。流入電流IZT由式(1)[6]"表示:

        過流限制器的切換在IZT=1"mA時切換,切換輸入電壓設(shè)定為VIN=537"V。由于過載保護點在切換電壓下處于最小值,因此在最小輸入電壓下計算電流檢測電阻。過載保護點是最大負載電流IOUT(max)=2.0"A+20%=2.4A。此時開關(guān)頻率為35.2"kHz,一次側(cè)的峰值電流:IPPK為1.46"A。過電流檢測電壓:VLIM1=1.0"V。

        考慮到脈沖電阻,允許功率應(yīng)為1"W或更大。關(guān)于脈沖電阻,相同功率額定值可能根據(jù)電阻器的結(jié)構(gòu)而變化。該文選用0.47"、2"W的銅絲來代替電阻。

        3.2.3"過流保護點設(shè)置R16"R17

        BM2SC12xFP2-LBZ"系列芯片具有輸入電壓的過載保護補償功能。在IC檢測到過載之后,在開關(guān)操作停止之前存在延遲時間。該延遲隨著輸入電壓升高而增加過載保護點。當(dāng)輸入電壓超過某一值時,校正功能降低電流檢測電平,此功能補償過載。IZT是開關(guān)接通時從IC流向變壓器ND繞組的電流。通過在IZT高于1"mA時降低電流檢測電平,可以降低過載保護點。

        取R16=100"。重新檢查過載保護點切換后是否可以承受額定負載。當(dāng)過載保護點切換時,Vcs從1.0"V變?yōu)?.7"V,核算電源的輸出功率如式(6)~式(12)所示[7]。

        電源模塊過載點輸出功率按式(13)所示[4]:

        BM2SC12xFP2-LBZ"系列芯片ZT引腳的底部檢測電壓為VZT1=100mV(典型值)(當(dāng)ZT引腳電壓下降時),VZT2=200"mV(一般值)(當(dāng)ZT引腳電壓上升時),從ZT"OVP(最小值)=3.3"V開始,將VZT=1~3"V。計算R17時,VZT設(shè)置為2.5"V[8]。

        4"電路測試

        該文設(shè)計的反激變換器在輸入電壓VIN=300"V、VIN=900"V和半載IOUT=1.0"A、全載IOUT=2.0"A的情況下,輸出電壓紋波如圖4~圖7所示,電壓紋波均在200"mV以內(nèi),滿足設(shè)計要求。

        BM2SC12xFP2-LBZ系列芯片具有準諧振功能,輸入電壓分別在VIN=300"V和VIN=900"V,IOUT"=2.0"A時,開關(guān)管漏源之間的電壓波形VDS和流過開關(guān)管的電流IDS以及整流肖特基二極管兩端的電壓波形VF以及流過二極管的電流IF波形如圖8~圖11所示。電壓和電流的尖峰不大,振蕩的時間相對比較短。該電源為了使EMI小,已在變壓器原邊和副邊地信號加Y-電容、開關(guān)管MOSFET、肖特基二極管增加吸收電路,如圖2所示。

        5結(jié)語

        經(jīng)石油鉆井系統(tǒng)應(yīng)用證明,應(yīng)用BM2SC12xFP2-LBZ系列芯片來設(shè)計反激變換器工作可靠,平均無故障時間長。開關(guān)電源占用體積更小,元器件數(shù)量更少,具有很強的推廣應(yīng)用價值。

        參考文獻

        [1]"ROHM"SEMICONDUCTOR.BM2SC12XFP2-LBZ"Series"Quasi-resonant"AC/DC"Converter"Built-in"1700V"SiC-MOSFET"datasheet[Z/OL].(2021-04-09)[2022-10-10]."https://fscdn.rohm.com/en/products/

        databook/datasheet/ic/power/isolated_converter/bm2sc12xfp2-lbz-e.pdf.

        [2]"張文明.一種寬輸入低功耗開關(guān)電源設(shè)計[D].成都:電子科技大學(xué),2022.

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        [6]"彭麗莎.超低紋波開關(guān)電源設(shè)計及IGBT熱可靠性研究[D].北京:中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院近代物理研究所),2021.

        [7] 梁曉峰,柴智淵,郭淳.基于UC3842的單端反激開關(guān)電源設(shè)計[J].科技創(chuàng)新導(dǎo)報,2007(34):"9-10.

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