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        基于微波光子學(xué)的光電式高功率微波測試技術(shù)研究

        2023-04-06 09:18:42胡天濤
        宇航計測技術(shù) 2023年1期
        關(guān)鍵詞:高功率場強頻域

        楊 耀,孫 豹,胡天濤

        (1.貴州航天計量測試技術(shù)研究所,貴陽550009;2.電子科技大學(xué),成都611731)

        1 引言

        隨著高功率微波技術(shù)的發(fā)展,高功率微波發(fā)射源的功率不斷提升,而相應(yīng)的高功率微波測試技術(shù)卻進步緩慢,現(xiàn)國內(nèi)高功率微波脈沖場強測試技術(shù)仍以傳統(tǒng)的“天線接收+晶體管檢波”方法也即總衰減量法[1]為主流。研究人員根據(jù)特定的應(yīng)用需求,從傳感器技術(shù)指標優(yōu)化、接收天線設(shè)計優(yōu)化、測試系統(tǒng)整體優(yōu)化、檢波器指標優(yōu)化等方面開展了研究,解決了部分高功率微波測試需求,但由于沒有脫離傳統(tǒng)基本原理,始終無法解決接收天線體積大、對被測場擾動強和測試系統(tǒng)動態(tài)范圍小、抗干擾能力有限等固有缺陷,而這些缺陷已難以滿足高功率微波電磁環(huán)境測試需要。

        在高功率微波電磁環(huán)境測試中,由于微波效應(yīng)危害程度受功率、頻率、脈寬、重復(fù)頻率和占空比等因素的共同影響,需要完成對高功率微波電磁脈沖的時/頻域信號特征進行采集和分析。國內(nèi)外高功率微波測試技術(shù)經(jīng)歷了長期積累,形成了基于微波光子技術(shù)的新一代高功率微波場強測試系統(tǒng)[2-4],例如,日本精工公司研制的SH-10EL 型號電場儀,可實現(xiàn)頻率范圍100 kHz~10 GHz,量程25 kV/m的電場測量;美國Srico 公司研發(fā)了兩款光電式高功率微波場強測試產(chǎn)品,對中國公開發(fā)售的Model 200-04型號光電電場測量儀,頻率范圍為10 Hz~1 GHz,場強測量范圍為10 V/m~10 kV/m。這些基于微波光子學(xué)的光電式電場測量儀雖然能測得場強,但往往不具備同時采集高功率微波時/頻域信號特征的能力。因此,急需研究具備低擾動、瞬時動態(tài)范圍大、抗干擾能力強且能同時采集高功率微波時/頻域信號等功能的高功率微波電磁環(huán)境測試系統(tǒng)。

        2 高功率微波測試方法

        2.1 傳統(tǒng)的高功率微波測試方法

        傳統(tǒng)的高功率微波測試方法是使用接收天線接收高功率微波脈沖信號,經(jīng)過衰減環(huán)節(jié)之后通過晶體管檢波器檢波,最后在示波器上讀取測得信號的特征[5],測試原理框圖如圖1所示。

        圖1 傳統(tǒng)高功率微波場強測試原理框圖Fig.1 Principle block diagram of traditional high power microwave field strength test

        所測場強計算公式如式(1):

        式中:E——所測場強值;P——接收天線處接收到的功率大??;G——接收天線的增益;λ——所測微波頻率對應(yīng)的波長。

        由式(1)可知,場強值E與接收功率P成正比,與接收天線增益G成反比。且計算場強值E需要對接收天線增益、接收鏈路即衰減環(huán)節(jié)的衰減值進行測量,還需要對檢波器進行電壓-功率標定。之后,才能通過所測得電壓值,計算出總的接收功率P,然后將P和G帶入式(1)計算出電場值E。

        2.2 基于微波光子學(xué)的高功率微波測試方法

        基于微波光子學(xué)的高功率微波測試原理框圖[6]如圖2所示,激光器是光源,光傳感器是PIN傳感器,電場傳感器由錐形天線、調(diào)制電極和M-Z干涉儀共同構(gòu)成,作為高功率微波接收前端。電場傳感器中只有錐形天線和調(diào)制電極為金屬材料,其余皆為非金屬材料,由于所使用的錐形天線和調(diào)制電極體積很小,與以天線作為接收前端的傳統(tǒng)測試方法相比極大的降低了接收端對被測場的擾動。

        此種高功率微波測試方法的主要原理是,利用空間電場在電極上產(chǎn)生的感應(yīng)電壓,對M-Z 干涉儀中的光波進行調(diào)制,通過對輸出光進行光電轉(zhuǎn)換,就可以得到空間電場的信息。具體過程為激光器發(fā)出的激光經(jīng)過保偏光纖進入電場傳感器,此激光在M-Z 干涉儀被分至兩路波導(dǎo)臂中。當有外電場存在時,通過錐形天線[7]在電極之間產(chǎn)生感應(yīng)電壓。此感應(yīng)電壓引起一路波導(dǎo)臂中傳輸光的相位變化,而另一路波導(dǎo)臂不受此電壓影響。兩束光在干涉儀輸出端進行干涉。輸出光強為:

        式中:α——電場傳感器的插入損耗;Pin——進入電場傳感器的激光強度;Vc——外電場在電極上引起的感應(yīng)電壓;Vπ——電場傳感器的半電壓;φ——光學(xué)偏置。

        由于Vc正比于外電場強度,因此,可以通過探測Pout來探測外電場強度。

        2.3 光電式高功率微波測試系統(tǒng)

        針對當前傳統(tǒng)高功率微波場強測試方法的固有缺陷,基于微波光子學(xué)的高功率微波場強探測技術(shù)和集成光學(xué)電場傳感器[8]的研究,提出一種光電式高功率微波測試系統(tǒng)。它的基本工作原理為:激光器產(chǎn)生激光源注入到光學(xué)場強傳感器中,光學(xué)場強傳感器接收高功率微波脈沖并調(diào)制激光信號形成激光調(diào)制信號。已調(diào)激光信號中包含了完整的微波脈沖信息,通過光纖將光信號傳輸至終端系統(tǒng),進行信號處理。光信號傳輸?shù)綔y試終端后由分光器分為兩路,其中一路經(jīng)光電轉(zhuǎn)換后進行信號調(diào)理,由A/D 采樣進入FPGA,通過工作穩(wěn)定點控制算法調(diào)整激光器波長,形成工作穩(wěn)定點控制環(huán)路,使光學(xué)場強傳感器能夠在寬溫范圍內(nèi)正常工作。另一路經(jīng)光電傳感器轉(zhuǎn)換為微波脈沖信號,微波脈沖信號經(jīng)下變頻后輸出中頻信號,經(jīng)AD 高速采集后在數(shù)字域進行信號處理,實現(xiàn)波形數(shù)據(jù)和頻譜數(shù)據(jù)分析,輸出測試結(jié)果,其原理如圖3所示。

        圖3 光電式高功率微波測試系統(tǒng)原理框圖Fig.3 Principle block diagram of photoelectric high power microwave test system

        由于這種光電式高功率微波測試系統(tǒng)采用集成光學(xué)電場傳感器將強電磁脈沖信號直接調(diào)制到光波信號上,之后通過光纖等媒質(zhì)輸出到后級處理設(shè)備,且采用無源傳感器以及光載微波傳輸方式,具有低擾動、瞬時動態(tài)范圍大、抗干擾能力強且能同時采集高功率微波時/頻域信號特征等優(yōu)點,具體表現(xiàn)為:

        1)傳感器尺寸小,對被測場幾乎無干擾;

        由于電場傳感器由非金屬介質(zhì)構(gòu)成,內(nèi)部只有微米量級寬度的金屬,相對于傳統(tǒng)電場傳感器,可以認為對被測場幾乎無干擾。采用集成光學(xué)技術(shù),可將電場感應(yīng)傳感器尺寸大幅縮小,提升了測量電場位置分辨能力,可以準確獲得特定位置的電場信息以及特定區(qū)域的電場分布,更重要的是可以解決狹小空間電場的測量。

        2)瞬時動態(tài)范圍大;

        基于集成光學(xué)的高功率微波測試技術(shù),采用電光調(diào)制器將電信號轉(zhuǎn)換為光信號,光信號傳輸至測試終端后,再經(jīng)光電調(diào)制器轉(zhuǎn)換為微波脈沖,最終通過電域信號處理,獲得信號參數(shù)。該測試技術(shù)具有寬帶響應(yīng)和瞬時動態(tài)范圍大等優(yōu)點,可同時滿足小場強和大場強測試的場景。

        3)電場傳感器無源工作,光纖傳輸,抗干擾能力強;

        基于集成光學(xué)的高功率微波測試技術(shù),其電場傳感器無源工作,安裝時無需考慮供電,可以長時間無間斷連續(xù)工作,同時消除了附加電纜影響。光纖作為傳感器與測量主機之間的傳輸通道,被測電場也不會干擾光纖中傳輸?shù)墓庑盘栐鰪娏丝垢蓴_能力,非常適于電磁環(huán)境測試等需遠程測試的場景。

        4)可完成頻域、時域參數(shù)測試。

        基于集成光學(xué)的高功率微波測試技術(shù),可實現(xiàn)高功率微波參數(shù)的時域、頻域信息測量,多維度表征被測場的特性。

        2.4 試驗驗證

        基于上述原理及相關(guān)技術(shù)研究,對光電式電場傳感器進行了加工制作如圖4所示,并使用此套光電式高功率微波測試系統(tǒng)對高功率微波脈沖信號進行測試。

        圖4 光電式電場傳感器實物圖Fig.4 Picture of photoelectric electric field sensor

        試驗驗證現(xiàn)場布置示意圖及實測布置圖如圖5和圖6所示,將光電式電場探頭通過探頭支架放置在高功率微波發(fā)射天線前端,使其位于發(fā)射天線主波束范圍內(nèi)。調(diào)整探頭的接收方向后,打開高功率微波發(fā)射源對其進行輻照。

        圖5 光電式高功率微波測試系統(tǒng)現(xiàn)場驗證布置示意圖Fig.5 Schematic diagram of on-site verification layout of photoelectric high power microwave test system

        圖6 光電式高功率微波測試系統(tǒng)驗證實測布置圖Fig.6 Layout of Photoelectric High Power Microwave Test System Verification and Measurement

        其測得的高功率微波脈沖波形圖如圖7所示,從圖中可以得出所測脈沖信號的幅值、脈寬及其調(diào)制波等信息,能較完整的提取出其時域和頻域的信號特征,證明了這套測試系統(tǒng)和方法的可行性和有效性。通過對測量結(jié)果進行分析,光電式電場探頭在同一位置不同擺放方向所測得的結(jié)果存在較大差異,其原因是錐形天線與高功率微波輻照天線之間極化失配所導(dǎo)致。因此,還需進一步對探頭的架設(shè)工裝進行設(shè)計,確保測量結(jié)果的穩(wěn)定性和可靠性。

        圖7 光電式高功率微波測試系統(tǒng)測試結(jié)果圖Fig.7 Test results of photoelectric high power microwave test system

        3 結(jié)束語

        介紹了一種基于微波光子學(xué)的高功率微波場強測試方法,并基于此方法提出了一套光電式高功率微波測試系統(tǒng),相比于傳統(tǒng)的高功率微波測試系統(tǒng),它具有低擾動、瞬時動態(tài)范圍大、抗干擾能力強且能同時采集高功率微波時/頻域信號等優(yōu)點。對這套光電式高功率微波測試系統(tǒng)進行加工后,在高功率微波環(huán)境下對其進行了試驗驗證,其測得結(jié)果能完整表征高功率微波脈沖在時域和頻域上的信號特征,證明了此種光電式電場探測方法的有效性,在一定程度上解決了當前高功率微波測試的難題,為后續(xù)高功率微波測試技術(shù)的研究做了鋪墊。

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