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        CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)室溫氣體傳感機制研究

        2023-02-22 08:10:02馮玉明楊雪玲徐佳元井宇杰張肖雨張立齋
        當代化工研究 2023年23期
        關(guān)鍵詞:禁帶異質(zhì)室溫

        *馮玉明 楊雪玲 徐佳元 井宇杰 張肖雨 張立齋*

        (1.陜西理工大學材料科學與工程學院 陜西 723001 2.陜西理工大學體育學院 陜西 723001)

        經(jīng)濟和工業(yè)的快速發(fā)展,環(huán)境污染越來越嚴重。特別是大氣污染嚴重危害人體的健康。例如,空氣中含有大量的NO2會造成慢性支氣管炎等呼吸道疾病[1-2]。因此,實時監(jiān)測空氣中有害氣體的成分與濃度對人體健康和生命安全至關(guān)重要。氧化鈰(CeO2)因含量豐富,多價態(tài),表面氧空位形成能較低等優(yōu)點,目前被廣泛的應用于氣體傳感材料。然而,工作溫度高、壽命短和選擇性差等問題限制了CeO2氣體傳感材料的應用[3-6]。因此,開發(fā)和設(shè)計室溫下具有高靈敏度、高選擇性和低功耗的氣體傳感材料十分重要。

        近年來,國內(nèi)外學者研究發(fā)現(xiàn)室溫下幾乎對氣體沒有響應的CeO2可以通過與其它高導電性材料復合,實現(xiàn)對氣體的響應。二維過渡金屬族硫化物(TMDs)由于其較大的比表面積、高的載流子遷移率和低的功耗,被認為是理想的高導電性材料[7-8]。構(gòu)建CeO2與TMDs復合材料,一方面可以增大比表面積,提高CeO2的導電性。另一方面,CeO2與TMDs復合在界面會形成異質(zhì)結(jié),可以抑制電子和空穴的復合,促進氣體分子與敏感材料發(fā)生電子交換,提高室溫NO2氣體傳感特性[7-8]。在眾多的TMDs材料中,MoTe2具有較大的比表面積,校高的載流子遷移率和較低的禁帶寬度[9]。然而,到目前為止,CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)對NO2氣體分子吸附特性的研究相對較少,有待進一步深入探究。

        本文構(gòu)建了CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)構(gòu),通過第一性原理計算,首先計算了CeO2與MoTe2的功函數(shù),探究了CeO2與MoTe2異質(zhì)界面之間的電荷轉(zhuǎn)移機制。其次,計算了CeO2、MoTe2及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的態(tài)密度圖,探究了界面能帶結(jié)構(gòu)的變化。最后,計算了CeO2、MoTe2及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)對氣體分子的吸附能,揭示CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)增強室溫氣敏傳感特性的物理機制,為高性能室溫氣體傳感材料的設(shè)計提供理論指導。

        1.第一性原理計算參數(shù)設(shè)置與模型構(gòu)建

        本文采用密度泛函理論進行計算。交換-關(guān)聯(lián)梯度函數(shù)選用Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)的廣義梯度近似對CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)進行幾何優(yōu)化和電子結(jié)構(gòu)的計算,計算軟件選用VASP[10-12]。平面波截斷能設(shè)置為500eV,能量收斂精度設(shè)置為10-4eV·atom-1,每個原子所受到的力收斂小于0.05eV·?-1。計算結(jié)構(gòu)優(yōu)化和態(tài)密度圖時,布里淵區(qū)K點網(wǎng)格設(shè)置分別為5×5×1和11×11×1。氣體分子在CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)表面的吸附能(Eads)公式如(1)所示:

        式中:E(gas+CeO2/MoTe2)—氣體分子與CeO2/MoTe2復合結(jié)構(gòu)的能量,eV;Egas—孤立氣體分子的能量,eV;ECeO2/MoTe2—孤立CeO2/MoTe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能量,eV。吸附能越負,傳感材料對氣體的吸附作用越強烈。對于CeO2{111}晶面是最穩(wěn)定的晶面。為構(gòu)建CeO2{111}/MoTe2異質(zhì)界面,CeO2{111}表面包含21個Ce原子和42個O原子與MoTe2層包含9個Mo原子和18個Te原子相匹配(如圖1所示)。

        圖1 CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)原子結(jié)構(gòu)示意圖

        2.結(jié)果與討論

        (1)CeO2與MoTe2異質(zhì)界面電荷轉(zhuǎn)移研究

        為了探究CeO2與MoTe2異質(zhì)界面之間電荷的轉(zhuǎn)移,運用第一性原理計算得到了CeO2與MoTe2的功函數(shù)。如圖2所示,CeO2的功函數(shù)為6.29eV,MoTe2的功函數(shù)為4.2eV。CeO2的費米能級低于MoTe2。因此,CeO2與MoTe2在形成異質(zhì)結(jié)時,MoTe2表面的電子轉(zhuǎn)移到CeO2表面,直到費米能級相等。在CeO2表面主要形成電子的累積層,MoTe2表面主要形成電子的耗盡層。因此,在氣體傳感過程中,氣體分子吸附在CeO2表面,有利于氣體分子與敏感材料發(fā)生電子交換。

        圖2 (a)CeO2與(b)MoTe2功函數(shù)示意圖

        圖3 (a,b)CeO2{111}、(c,d)MoTe2和(e,f)CeO2{111}/MoTe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)的態(tài)密度(DOS)和分波態(tài)密度(PDOS)示意圖

        (2)CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)電子結(jié)構(gòu)

        為了進一步研究CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)界面電子結(jié)構(gòu),運用第一性原理計算得到了CeO2、MoTe2及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的態(tài)密度圖(DOS)和分波態(tài)密度圖(PDOS)。如圖3所示,CeO2{111}晶面的禁帶寬度約為2.0eV。導帶底和價帶頂分別由O 2p和Ce 4f軌道電子貢獻。由于禁帶寬度較大,在室溫價帶電子很難由O 2p軌道躍遷到Ce 4f軌道。MoTe2禁帶寬度約為1.18eV,導帶底和價帶頂分別由Mo 3d和Te 2p軌道電子貢獻。對于CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)構(gòu),導帶底和價帶頂分別由O 2p和Te 2p軌道電子貢獻,禁帶寬度約為0.12eV。在室溫,價帶電子很容易躍遷到導帶,成為自由電子。因此,構(gòu)建CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以降低電阻,提高導電性。

        (3)CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)對氣體分子的吸附特性研究

        首先,利用Materials studio軟件構(gòu)建了CeO2{111}晶面對NO2、H2S、SO2、NH3、CH3CHO和C2H5OH的吸附結(jié)構(gòu)模型。然后運用第一性原理計算了CeO2{111}晶面、NO2、H2S、SO2、NH3、CH3CHO、C2H5OH及其吸附結(jié)構(gòu)處于穩(wěn)定狀態(tài)的能量。最后根據(jù)吸附能公式(1)計算CeO2{111}晶面對NO2、H2S、SO2、NH3、CH3CHO和C2H5OH的吸附能。如圖4(a)所示,CeO2{111}晶面對NO2、H2S、SO2、NH3、CH3CHO和C2H5OH的吸附能分別為-0.078eV、0.151eV、0.002eV、-0.062eV、0.221eV和-0.012eV。吸附能越負,氣體分子與敏感材料之間的相互作用越強。因此,CeO2與NO2氣體分子之間的相互作用更強,有利于對NO2氣體分子的吸附。圖4(b)為CeO2、MoTe2和CeO2/MoTe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)對NO2氣體分子的吸附能。

        首先,CeO2對NO2氣體分子的吸附能絕對值遠遠大于MoTe2。因此,在CeO2與MoTe2復合結(jié)構(gòu)中,CeO2主要作為NO2氣體分子的吸附中心,MoTe2主要作為導電通道。其次,CeO2/MoTe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)對NO2分子的吸附能絕對值遠遠大于CeO2和MoTe2對NO2分子的吸附能絕對值。因此,構(gòu)建CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以有效增強室溫下敏感材料對NO2氣體分子的傳感特性。

        圖4 (a)CeO2{111}晶面對NH3、H2S、SO2、CH3CHO、C2H5OH和NO2氣體分子的吸附能示意圖;(b)CeO2{111}晶面、MoTe2及其異質(zhì)結(jié)對NO2分子的吸附能示意圖

        3.總結(jié)

        本文基于第一性原理計算,研究了CeO2與MoTe2異質(zhì)界面電子轉(zhuǎn)移特性,電子結(jié)構(gòu)及其異質(zhì)結(jié)對NO2、H2S、SO2、NH3、CH3CHO和C2H5OH氣體的吸附能。

        首先,CeO2的功函數(shù)大于MoTe2的功函數(shù)。因此,CeO2的費米能級低于MoTe2的費米能級。在形成異質(zhì)結(jié)的過程中,MoTe2表面的電子轉(zhuǎn)移到CeO2表面,在CeO2表面形成電子的累積層。

        其次,CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)禁帶寬度僅為0.08eV。因此,構(gòu)建CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)可以有效減小禁帶寬度,提高導電性。

        1.3.1 儀器 LC-20AB高效液相色譜儀 (日本島津);渦旋儀 (WH-2,上海滬西分析儀器廠有限公司);十萬分之一分析天平(Sartorius-Cubics系列,德國);高速離心機(TG1650-WS,上海盧湘儀器廠);微量移液器(Eppendorf,德國);熒光檢測儀(TL998A)。

        最后,CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)對NO2氣體分子的吸附能絕對值大于CeO2和MoTe2對NO2氣體分子的吸附能。因此,構(gòu)建CeO2與MoTe2異質(zhì)結(jié)可以有效地提高室溫NO2氣體傳感特性。

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