專利名稱: 一種生長可控的稀土釹摻雜二硒化鉬薄膜材料制備方法
2023-01-04 12:43:14
中國鉬業(yè) 2022年1期
專利申請?zhí)? CN201811121638
公開號: CN109182979A
申請日:2018.09.26
公開日:2019.01.11
申請人: 中國計量大學
本發(fā)明涉及一種釹摻雜二維層狀二硒化鉬薄膜材料的制備方法，包括以下步驟：首先通過高純原料鉬、硒、釹的化學氣相輸運反應，制得釹摻雜二硒化鉬的多晶體；接著通過壓制及燒結(jié)，制得釹摻雜二硒化鉬的陶瓷靶；將陶瓷靶和清洗過的襯底置入真空腔，通過脈沖激光轟擊所制備的陶瓷靶，控制頻率、時間、功率等因素，獲得不同層數(shù)、形貌均勻、面積連續(xù)的超薄釹摻雜二硒化鉬薄膜光電材料。所制備的材料在近紅外區(qū)域具有發(fā)射光譜，可被用于構(gòu)筑原子級超薄的光電子器件，如電致發(fā)光器件、平板波導、探測器等。
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