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        減成法工藝下非電鍍線路的精準(zhǔn)加工方法

        2022-11-30 03:40:50王星星
        印制電路信息 2022年11期
        關(guān)鍵詞:線寬補(bǔ)償精度

        王星星

        (深南電路股份有限公司,廣東 深圳 518117)

        0 引言

        高頻與高速信號傳輸質(zhì)量與印制電路板(PCB)的阻抗精度能力有著密不可分的聯(lián)系,在第5代移動通信技術(shù)(5G)大規(guī)模商用的背景下,信息傳輸日益趨向高頻化與高速化,因此對PCB的阻抗精度能力提出了更嚴(yán)格的要求[1]。

        對于非電鍍的內(nèi)層線路而言,影響阻抗精度的關(guān)鍵因素線路寬度(以下簡稱線寬)[2]。在理想的情況下,只要把線寬做到與客戶所設(shè)計的一致,就能達(dá)到阻抗的精準(zhǔn)控制,但是在實(shí)際生產(chǎn)的情況下,線寬受非常多的因素影響,所以要把線寬做到與客戶所設(shè)計的完全一致是一件非常具有挑戰(zhàn)性的事情。因此,本文以公司內(nèi)部的實(shí)際情況為例,探討了非電鍍層18 μm(0.5 oz)高精準(zhǔn)度線路的加工方法。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理說明

        本文中的線寬精準(zhǔn)度用過程能力指數(shù)(Process capability index,Cpk)表示,其計算方式如式(1)所示。

        其中,CP為精度,CA為準(zhǔn)度,計算公式如如式(2)所示。

        其中,T為線寬公差,本文統(tǒng)一為10 μm,為線寬標(biāo)準(zhǔn)偏差,為線寬平均值。除特殊說明外,本文將處理后的線寬值用于Cpk、CP、CA的計算,其計算方式為式(3)所示。

        1.2 不同曝光設(shè)備線寬精度的測量

        設(shè)計線路寬度相同的光繪文件,用相同的光繪文件、不同的曝光設(shè)備對貼好干膜的覆銅板進(jìn)行曝光,曝光后的板件用同一設(shè)備進(jìn)行顯影,顯影后用金相顯微鏡測量干膜的寬度(下文簡稱膜寬),每塊板測量50個數(shù)據(jù),然后統(tǒng)計每臺曝光設(shè)備對應(yīng)的膜寬CP值。

        1.3 不同蝕刻設(shè)備的線寬精度測量

        用包含若干種線距不同、線寬相同的線路光繪文件、相同的貼膜、曝光、顯影后用不同的蝕刻設(shè)備進(jìn)行蝕刻,蝕刻時板件的線路面朝下,最后用相同的設(shè)備退膜。退膜后的板件用線寬測量儀測量線路寬度,每塊板測量50個數(shù)據(jù),然后統(tǒng)計每臺蝕刻設(shè)備對應(yīng)的線寬CP值。

        1.4 不同線距對線寬精度的影響實(shí)驗(yàn)

        包含多組線距不同但線寬相同的線路光繪文件,取若干塊覆銅板貼膜、曝光、顯影后的板件采用精度最優(yōu)的蝕刻設(shè)備進(jìn)行蝕刻,蝕刻時板件的線路面朝下,最后進(jìn)行退膜。退膜后的板件用線寬測量儀測量線路寬度,每種線距測量30個線寬數(shù)據(jù),統(tǒng)計線寬平均值與目標(biāo)值的差值。

        1.5 不同蝕刻線速對線寬準(zhǔn)度的影響實(shí)驗(yàn)

        設(shè)計線路寬度相同光繪文件,板件貼膜、曝光、顯影后采用精度最優(yōu)的蝕刻設(shè)備以不同的蝕刻線速進(jìn)行蝕刻,蝕刻時板件的線路面朝下,最后進(jìn)行退膜。退膜后的板件用線寬測量儀測量線路的寬度,每塊板測量50個數(shù)據(jù),然后統(tǒng)計不同蝕刻線速下對應(yīng)的線寬均值與值。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 不同曝光設(shè)備對線寬精度的影響

        衡量不同曝光機(jī)線寬精度的差異通過顯影后測量干膜的膜寬精度(指曝光、顯影后的抗蝕層寬度精度)。不同品牌的曝光機(jī),由于設(shè)計原理的不同,所以其膜寬精度可能存在一定的差異。目前公司內(nèi)所使用的曝光機(jī)有A、B、C三種品牌,A品牌采用單激光束轉(zhuǎn)鏡掃描成像,激光波長355 nm,光斑為橢圓形,單個光斑大小2.5×3.175,通過光斑重疊形成圖像,光斑與光斑的中心間隔約1.5 μm,理論上膜寬極差≤3 μm如圖1(a)所示。B、C采用DMD投影芯片多光束掃描成像,激光波長405 nm,光斑為正方形,光斑與光斑的中心間隔5 μm,理論上膜寬極差≤10 μm,如圖1(b)所示。。綜上,曝光機(jī)的線寬精度高低理論上應(yīng)為:A>B≈C。實(shí)際的膜寬測量結(jié)果如表1所示,C曝光機(jī)的CP均值為0.858,B曝光機(jī)CP均值為0.86,A曝光機(jī)CP值為1.72,B和C曝光機(jī)精度能力相差不大,A曝光機(jī)的精度能力顯著優(yōu)于B和C,這是由于光源系統(tǒng)的設(shè)計原理的差異導(dǎo)致的。同品牌之間的精度差異較小,其誤差主要是由測量誤差和設(shè)備的老化程度不同等引起的。根據(jù)Cpk計算公式,要將線寬Cpk做到1.0及以上,則膜寬精度必須滿足CP>1,因此只有A曝光機(jī)滿足要求。由于不同曝光機(jī)的精度能力存在差異,因此在實(shí)際生產(chǎn)過程中應(yīng)當(dāng)避免同一個料號用不同的曝光機(jī)生產(chǎn),除非客戶對線寬精度沒有嚴(yán)格要求。

        表1 不同曝光機(jī)的膜寬精度能力表

        圖1 (a)曝光機(jī)A與(b)曝光機(jī)B、C圖形轉(zhuǎn)移誤差原理圖

        2.2 不同蝕刻設(shè)備對線寬精度的影響

        蝕刻均勻性是影響線寬精度的重要因素[3],不同品牌的蝕刻機(jī)其蝕刻均勻性本身就存在一定的差異。圖2測試了4種不同品牌蝕刻設(shè)備的蝕刻均勻性能力,下噴的蝕刻均勻性大小順序?yàn)槲g刻機(jī)1>蝕刻機(jī)2>蝕刻機(jī)4>蝕刻機(jī)3,其中蝕刻機(jī)1和蝕刻機(jī)2蝕刻均勻性接近95%,均勻性較好,這是由于蝕刻機(jī)1、2設(shè)備較新,在技術(shù)和設(shè)計上都比3、4更先進(jìn)。4種設(shè)備對應(yīng)的線寬精度測試結(jié)果如表2所示。從表2中可以看出,CP由大到小的順序?yàn)槲g刻機(jī)1>蝕刻機(jī)2>蝕刻機(jī)4>蝕刻機(jī)3,與蝕刻均勻性大小順序一一對應(yīng),說明蝕刻均勻性越好則精度越高。蝕刻機(jī)1的設(shè)計長度比蝕刻機(jī)2長,這可能是蝕刻機(jī)1的精度能力優(yōu)于2的主要原因。同為曝光機(jī)A曝光的前提下,蝕刻機(jī)2、3、4的標(biāo)準(zhǔn)偏差已經(jīng)明顯大于曝光,說明蝕刻制程對線寬精度的影響大于曝光制程。

        圖2 不同蝕刻機(jī)的蝕刻均勻性圖

        表2 不同蝕刻設(shè)備的線寬精度對比表

        2.3 不同線距對線寬精度的影響

        在一張PCB上通常會設(shè)計出多種線距不同的線路,而不同的線距設(shè)計會對線路之間蝕刻藥水的交換產(chǎn)生較大的影響,圖3展示了線路密集區(qū)(小間距)與線路空曠區(qū)(大間距)在蝕刻之后線寬出現(xiàn)差異原理圖。在線路密集區(qū),蝕刻藥水與銅面的交換速率慢,新鮮的蝕刻液無法及時與銅面反應(yīng),導(dǎo)致線路偏粗;而在線路空曠區(qū),蝕刻藥水與銅面的交換速率過快,導(dǎo)致線路偏細(xì),這將會對線寬精度產(chǎn)生較大影響,因此需根據(jù)不同間距對設(shè)計好的線路進(jìn)行補(bǔ)償。根據(jù)第1.3節(jié)中的線寬測量結(jié)果,得到線距與補(bǔ)償量的關(guān)系如圖4所示,以線距為自變量x,補(bǔ)償量為因變量y進(jìn)行擬合,得到函數(shù)關(guān)系式如圖5所示。

        圖3 不同線距對線寬的影響示意圖

        圖4 線距與補(bǔ)償量的關(guān)系圖

        圖5 函數(shù)關(guān)系式圖

        函數(shù)的擬合度達(dá)到了90%以上,說明模型的理論準(zhǔn)確度較高。為了驗(yàn)證該模型對于線寬精度的影響,設(shè)計了不同線距(如表3所示)相同線寬的線路進(jìn)行了驗(yàn)證,實(shí)驗(yàn)組采用函數(shù)模型進(jìn)行補(bǔ)償(以下稱動態(tài)補(bǔ)償),對照組采用固定補(bǔ)償(15 μm),兩種補(bǔ)償方式補(bǔ)償后限定最小線距≥50 μm,其他所有條件保持一致,蝕刻后分別測量線寬(每種線距對應(yīng)6組數(shù)據(jù))并統(tǒng)計總體CP值。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如表4所示,動態(tài)補(bǔ)償?shù)木€寬CP比固定補(bǔ)償提升了約1倍,說明動態(tài)補(bǔ)償顯著優(yōu)于固定補(bǔ)償。

        表3 不同線距設(shè)計表

        表4 動態(tài)補(bǔ)償與固定補(bǔ)償?shù)木€寬精度對比表

        2.4 不同蝕刻線速對線寬準(zhǔn)度的影響

        線寬的準(zhǔn)度由線寬均值決定,其本質(zhì)上由PCB在制板在蝕刻設(shè)備中與藥水的反應(yīng)時間、噴淋的壓力及蝕刻設(shè)備有效長度共同決定。一般情況下,噴淋壓力與蝕刻設(shè)備有效長度是不變的,因此反應(yīng)時間與蝕刻線速成反比,所以可以通過調(diào)整蝕刻線速來調(diào)整線寬的準(zhǔn)度。從表5中可以看出,線寬準(zhǔn)度隨著蝕刻線速的變化而變化。以反應(yīng)時間56.4 s為參考原點(diǎn),時間變化量△t為自變量,線寬變化量△S為因變量,經(jīng)擬合后可得到的函數(shù)關(guān)系式為式(4)所示。

        表5 蝕刻線速與線寬準(zhǔn)度的關(guān)系表

        對式子(4)進(jìn)行求導(dǎo),得到式(5):

        κ代表反應(yīng)時間每增加1 s,線寬約變細(xì)1.31 μm。雖然在實(shí)際的蝕刻加工過程中,雖然蝕刻量、覆銅板的種類不為常量會導(dǎo)致κ產(chǎn)生偏差,但是,蝕刻加工時通常會做首件以確定實(shí)際線寬是否在目標(biāo)線寬的公差之內(nèi),若在目標(biāo)線寬的公差之內(nèi)再通過調(diào)整蝕刻線速就可以使批量件的實(shí)際線寬更加接近目標(biāo)線寬,即線寬的準(zhǔn)度更高。設(shè)首件的蝕刻線速為V初,反應(yīng)時間為t初,蝕刻設(shè)備的有效長度為L,則有式(6):

        設(shè)批量件的蝕刻線速為V終,反應(yīng)時間為t終,則有式(7):

        設(shè)批量件實(shí)測線寬均值為S終,目標(biāo)線寬為S目,在理想情況下有式(8):

        設(shè)首件實(shí)測線寬均值為S初,設(shè)其與目標(biāo)線寬的差值為△S’,則有式(9):

        聯(lián)立式(5)~式(9)可得式(10):

        式(10)在本文中稱為蝕刻模型,其中,S目在光繪設(shè)計完成時就已經(jīng)確定,所以是已知量,L、V初、S初在首件完成后就已經(jīng)確定,也是已知量,κ通過實(shí)驗(yàn)測得為-1.31 μm/s??傻肰終是模型預(yù)測的蝕刻線速,即批量件的蝕刻線速。

        為了驗(yàn)證模型是否適用于實(shí)際生產(chǎn),進(jìn)行蝕刻模型的有效性驗(yàn)證。在不同的時間段抽取了6個料號進(jìn)行測試,測試結(jié)果如表6所示。表6中批量件的線速即通過式子(7)預(yù)測的蝕刻線速(首件|CA|>0.25調(diào)整,|CA|≤0.25不調(diào)整),從線寬準(zhǔn)確度指數(shù)CA來看,通過模型預(yù)測的蝕刻線速加工出來的板件其線寬CA明顯優(yōu)于首件的線寬CA,說明模型能顯著改善線寬的準(zhǔn)確度。當(dāng)然,本模型所得的κ(線寬變化速率)只是一個近似值,噴淋壓力、藥水濃度、溫度、銅厚、銅箔類型、材料類型等在實(shí)際生產(chǎn)過程中都會發(fā)生變化,從而影響κ的準(zhǔn)確性,但在首件線寬與目標(biāo)線寬相差不大的情況下(△S<10 μm),由于κ值不準(zhǔn)確性所產(chǎn)生的誤差在本模型中仍是可以接受的。

        表6 蝕刻模型驗(yàn)證結(jié)果

        2.5 動態(tài)補(bǔ)償與蝕刻模型在樣品中的應(yīng)用效果

        為了研究最優(yōu)條件下的線寬過程能力,設(shè)計了表3中不同間距的線路,然后運(yùn)用動態(tài)補(bǔ)償對線路進(jìn)行補(bǔ)償,曝光制程采用A曝光設(shè)備進(jìn)行曝光,蝕刻制程采用蝕刻機(jī)1進(jìn)行蝕刻,首件利用蝕刻模型對線寬精細(xì)控制,蝕刻完后測量線寬,并統(tǒng)計Cpk。測試結(jié)果如圖6所示,線寬Cpk(圖中為Ppk)值達(dá)到了1.06,潛在的合格率為99.9%。

        圖6 最優(yōu)工藝下的線寬過程能力圖

        3 結(jié)論

        本工作重點(diǎn)研究了如何提高板內(nèi)線寬的精度和準(zhǔn)度,分析了內(nèi)層各制程對線寬精度及準(zhǔn)度的影響,摸清了曝光設(shè)備與蝕刻設(shè)備的能力邊界。在最優(yōu)工藝下,即在線路設(shè)計上采用動態(tài)補(bǔ)償規(guī)則,減少由于線距的不同對線寬精度造成的影響,在生產(chǎn)設(shè)備上采用精度最好的曝光機(jī)與蝕刻機(jī),減少由于設(shè)備原因?qū)€寬精度造成的影響,在蝕刻首件控制方面采用蝕刻模型,降低由于線寬不居中對線寬準(zhǔn)度造成的偏差,最終的線寬過程能力達(dá)到了1.06。

        目前,基于傳統(tǒng)的減成法工藝優(yōu)化能夠勉強(qiáng)達(dá)到±5 μm線路精度。如果未來要做線寬精度更高的產(chǎn)品(如±3 μm),則曝光制程加顯影制程的精度要控制在CP(±3 μm)≥1.6(標(biāo)準(zhǔn)偏差0.63以下),蝕刻制程需要將精度控制在CP(±3 μm)≥1.3(標(biāo)準(zhǔn)偏差0.77以下),準(zhǔn)度控制在|CA|≤0.25。有關(guān)要求如表7所示。傳統(tǒng)的減成法工藝可能已經(jīng)無法滿足要求,需要采用改進(jìn)型半加成法工藝(mSAP)

        表7 不同精度線路對應(yīng)的設(shè)備和工藝要求表

        本工作有效的提升了線寬的精確度和準(zhǔn)確度,為更高精度地線寬需求提供了技術(shù)支撐。

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