日本大阪大學(xué)、三重大學(xué)、美國(guó)康奈爾大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出了用于“6G”的半導(dǎo)體成膜技術(shù)。研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出了去除成膜過(guò)程中產(chǎn)生的雜質(zhì)的方法，把晶體管材料的導(dǎo)電性提高到原來(lái)的約4倍。計(jì)劃應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)用途，例如在高速無(wú)線通信基站上增幅電力等。

研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出了用氮化鋁代替氮化鋁鎵的高電子遷移率晶體管（HEMT）制造技術(shù)。原來(lái)在成膜過(guò)程中氮化鋁表面發(fā)生氧化，由此產(chǎn)生的氧雜質(zhì)改變氮化鋁的結(jié)晶，難以獲得高導(dǎo)電性。通過(guò)形成非常薄的鋁膜，還原表面的氧化膜，并使其揮發(fā)，解決了這一問(wèn)題后，導(dǎo)電性將提高到原來(lái)的3～4倍。