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        紅外成像技術(shù)在電力設(shè)備氣體泄漏中的應(yīng)用

        2022-10-25 05:27:50陳立宇馨
        水電站機(jī)電技術(shù) 2022年10期
        關(guān)鍵詞:氣室漏氣紅外

        王 航,陳立宇馨

        (1.湖南五凌電力工程有限公司,湖南 長(zhǎng)沙 410000;2.湖南省水電智慧化工程技術(shù)研究中心,湖南 長(zhǎng)沙 410004)

        1 引言

        SF6是一種無色、無味的氣體,常溫下無腐蝕性,具備良好的絕緣、滅弧性能,廣泛應(yīng)用于斷路器、變壓器、互感器、電容器等高壓電力設(shè)備中。

        高壓電力設(shè)備中的SF6氣體泄漏,會(huì)造成開關(guān)閉鎖、絕緣擊穿等事故,還會(huì)對(duì)空氣造成污染,且頻繁補(bǔ)氣,會(huì)導(dǎo)致設(shè)備維護(hù)成本上升。因此,及時(shí)檢測(cè)電力設(shè)備的SF6氣體泄漏點(diǎn)并進(jìn)行處理極為必要。

        近年來,紅外成像檢漏技術(shù)因其非接觸、遠(yuǎn)距離的優(yōu)點(diǎn),在電力設(shè)備氣體泄漏帶電檢測(cè)中應(yīng)用較多,能以動(dòng)態(tài)煙霧的形式直觀呈現(xiàn)出來泄漏中的SF6氣體。與常規(guī)氣體檢漏方法相比,紅外成像檢漏技術(shù)更具有效性。

        2 SF6氣體泄漏檢測(cè)

        2.1 SF6氣體泄漏的原因

        在SF6氣體絕緣的電力設(shè)備中,氣體泄漏的原因主要有以下幾點(diǎn):密封件質(zhì)量問題、絕緣子出現(xiàn)裂紋導(dǎo)致泄漏、設(shè)備安裝施工質(zhì)量問題、密封槽和密封圈不匹配、設(shè)備本身質(zhì)量問題、設(shè)備運(yùn)輸過程中引起的密封損壞等。

        2.2 SF6氣體泄漏的部位

        據(jù)統(tǒng)計(jì),每年SF6泄漏設(shè)備比例占設(shè)備量的2%~4%左右。同時(shí),隨著設(shè)備的老化,泄漏的情況會(huì)不斷增加。在進(jìn)行泄漏點(diǎn)定位工作前,應(yīng)主要對(duì)以下泄漏部位進(jìn)行預(yù)判斷。

        (1)絕緣盆子等法蘭密封面。法蘭密封面是發(fā)生泄漏較高的部位,一般是由密封圈的老化造成的,也有少量剛投運(yùn)設(shè)備是由于安裝工藝問題導(dǎo)致的泄漏。查找這類泄漏部位時(shí)應(yīng)該圍繞法蘭一圈,從各個(gè)方位進(jìn)行檢測(cè)。

        (2)壓力表座密封處。由于工藝或密封老化引起的,應(yīng)檢查表座密封部位。

        (3)罐體預(yù)留孔封堵部位。預(yù)留孔的封堵也是SF6泄漏率較高的部位,一般由于安裝工藝導(dǎo)致。

        (4)氣室的充氣口處。由于多次充氣造成的密封損壞,發(fā)生氣體泄漏的情況也經(jīng)常發(fā)生。

        (5)SF6氣體小管道。應(yīng)重點(diǎn)排查管道的焊接處、密封處、管道與開關(guān)本體的連接部位。有些三通連接的開關(guān)SF6管道可能會(huì)有蓋板遮擋,這些部位需要打開蓋板進(jìn)行檢測(cè)。機(jī)構(gòu)箱內(nèi)的SF6管道需要打開柜門對(duì)其內(nèi)部進(jìn)行檢測(cè)。

        (6)設(shè)備本體焊縫。設(shè)備焊縫焊接質(zhì)量不良形成的砂眼,也容易導(dǎo)致氣體泄漏。

        2.3 SF6氣體檢漏的方法

        目前使用較多的技術(shù)成熟檢漏方法主要包括:泡沫法、定性檢漏儀報(bào)警檢漏法、包扎加定量檢漏儀檢漏法等。這些傳統(tǒng)檢漏法雖然使用方便,但在實(shí)際使用中仍存在較多的局限性,如對(duì)安全距離不滿足要求的設(shè)備需停電檢測(cè)、誤差受環(huán)境因素影響較大、精確定位泄漏點(diǎn)困難等。

        近幾年,利用SF6氣體的紅外特性發(fā)展的激光成像檢漏法及紅外成像檢漏法,在檢測(cè)SF6氣體泄漏方面實(shí)現(xiàn)了重大突破,在相對(duì)較遠(yuǎn)距離就能發(fā)現(xiàn)泄漏的具體部位,且檢測(cè)精度較高,檢測(cè)結(jié)果直觀,在保證作業(yè)人員安全的同時(shí)也提高了檢測(cè)效率。

        其中,紅外熱成像檢漏法利用SF6氣體和空氣對(duì)特定波長(zhǎng)的光吸收特性差異,致使兩者反映的紅外影像不同,將人眼在可見光下看不到的泄漏中的SF6氣體,以紅外圖像的形式直觀反映出來,以定位泄漏點(diǎn)。

        3 紅外成像檢漏技術(shù)

        3.1 紅外成像檢漏技術(shù)的原理

        紅外成像檢漏技術(shù)主要是利用SF6氣體對(duì)紅外線較為敏感的特性進(jìn)行成像,是基于紅外光譜成像分析技術(shù)發(fā)展而成的新興技術(shù)。紅外光譜成像分析技術(shù)是指以分子光譜學(xué)作為理論基礎(chǔ),以紅外熱成像技術(shù)作為工具,分析、鑒別及檢測(cè)特定的(如有害、特殊)氣體,并能以直接觀察可視圖像的方式,確定其位置的技術(shù)。它是紅外光譜分析理論與紅外成像技術(shù)結(jié)合的產(chǎn)物。紅外成像檢漏儀主要由光學(xué)系統(tǒng)、焦平面探測(cè)器、信號(hào)處理及顯示器部分組成。

        對(duì)于SF6氣體而言,在10.56 μm頻率帶的紅外光中,具有較強(qiáng)的吸收能力與輻射能力。在這一頻率下,SF6氣體和其他氣體在紅外圖像中呈現(xiàn)的亮度有所不同。SF6紅外檢漏成像儀就是根據(jù)這一原理,通過高靈敏度的量子阱探測(cè)器、圖像處理技術(shù)和電子技術(shù),進(jìn)行10~11 μm波段紅外線的被動(dòng)感應(yīng),實(shí)時(shí)形成直觀且具有層次感的紅外圖像,使技術(shù)人員可以直觀地看到SF6氣體的泄漏位置。

        3.2 紅外成像檢漏技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)

        紅外成像檢漏技術(shù)在電力設(shè)備氣體檢漏中應(yīng)用,主要有下列優(yōu)點(diǎn)。

        (1)檢測(cè)的非接觸性。技術(shù)檢漏儀可在距離運(yùn)行設(shè)備約30 m以內(nèi)準(zhǔn)確成像,不用接觸被檢設(shè)備。

        (2)檢測(cè)的靈敏度高。熱靈敏度高可達(dá)到0.035℃,使采集圖像更清晰細(xì)膩;探測(cè)靈敏度可達(dá)到1 μL/s,更容易分辨微小溫差的SF6氣體氣流。

        (3)反射背景要求低??蓹z測(cè)以天空為背景的高空設(shè)備,也可檢測(cè)開關(guān)柜、GIS等空間較小的設(shè)備。

        (4)支持設(shè)備帶電檢測(cè)??稍诓挥绊懺O(shè)備運(yùn)行的情況下作業(yè)。

        (5)檢測(cè)作業(yè)便捷。檢測(cè)方便,排查工作量小,非常適用于大氣室的檢漏。

        4 SF6氣體檢漏技術(shù)的應(yīng)用實(shí)踐

        湖南五強(qiáng)溪水電廠500 kV開關(guān)站SF6絕緣全封閉組合電器(GIS)由西安高壓開關(guān)廠和日本三菱公司聯(lián)合生產(chǎn)制造,于1994年正式投運(yùn),采用雙母線設(shè)計(jì),共8個(gè)間隔、73個(gè)氣室(SF6氣體額定壓力為0.40 MPa(20℃))。該GIS設(shè)備氣室數(shù)量多、單個(gè)氣室體積大、設(shè)備停電機(jī)會(huì)少,需采用帶電檢測(cè)方式檢查設(shè)備健康水平。

        五強(qiáng)溪電廠500 kV GIS設(shè)備在運(yùn)行中,存在SF6氣體壓力非正常下降現(xiàn)象。因氣體年泄漏量較小,電廠多次組織設(shè)備檢漏,均未能檢測(cè)出泄漏點(diǎn)。本次采用以紅外成像檢漏技術(shù)為主的帶電檢測(cè)方式開展泄漏點(diǎn)定位工作。

        4.1 泄漏點(diǎn)定位實(shí)施理念

        4.1.1 氣體檢漏整體思路

        (1)因五強(qiáng)溪GIS設(shè)備氣體泄漏量較小,要精確定位泄漏點(diǎn),需采用高精度的檢測(cè)技術(shù)。

        (2)因GIS設(shè)備是發(fā)電廠電能輸出核心設(shè)備,泄漏檢測(cè)工作必須帶電進(jìn)行。

        (3)采用紅外成像檢漏技術(shù),可以將SF6氣體泄漏情況轉(zhuǎn)換成圖像呈現(xiàn),直觀易識(shí)別,可精確判定漏氣量及漏氣點(diǎn)。

        4.1.2 泄漏點(diǎn)定位實(shí)施方案

        (1)調(diào)取每個(gè)GIS氣室的歷年巡視記錄,根據(jù)溫度、壓力情況繪制壓力/溫度-時(shí)間曲線圖,分析、計(jì)算每個(gè)氣室的年漏氣量,找到漏氣量大的氣室重點(diǎn)檢查。

        (2)分析可能漏氣的部位。根據(jù)經(jīng)驗(yàn),漏氣的位置主要在焊縫砂眼、螺栓連接處、絕緣盆子、壓力表及連接部分等部位。

        (3)針對(duì)可能漏氣的部位用紅外成像檢漏儀逐個(gè)排查,找到漏氣點(diǎn)。

        (4)由于背景環(huán)境溫度對(duì)紅外成像干擾較大,盡量選擇環(huán)境溫度較低的時(shí)間段實(shí)施檢漏工作,使檢測(cè)更精準(zhǔn)。

        4.2 氣體泄漏情況分析

        4.2.1 Ⅱ母GMB3氣室氣體泄漏情況分析

        自2016年3月開始,Ⅱ母GMB3氣室出現(xiàn)氣體壓力非正常降低的現(xiàn)象。氣室壓力趨勢(shì)詳見圖1。

        圖1 Ⅱ母GMB3氣室壓力趨勢(shì)

        根據(jù)GB 11023《高壓開關(guān)設(shè)備六氟化硫氣體密封試驗(yàn)方法》中泄漏率測(cè)定方法,采用壓力降法(式1)對(duì)該氣室進(jìn)行年泄漏率測(cè)定。選取時(shí)間段Δt(2016年3月至2019年5月)計(jì)算Ⅱ母GMB3氣室年的泄漏率Fy≈1.8%,超過標(biāo)準(zhǔn)要求(年泄漏率不大于1.0%)。

        式中:Δp=p1-p;Fy——年泄漏率;p1——壓降前的壓力(標(biāo)準(zhǔn)大氣壓),MPa;

        p——壓降后的壓力(標(biāo)準(zhǔn)大氣壓),MPa;

        根據(jù)Ⅱ母GMB3氣室壓力趨勢(shì)分析,該氣室氣體壓力存在間歇性降低的情況。與GIS室環(huán)境溫度趨勢(shì)(圖2)對(duì)比分析可以看出,該氣室在環(huán)境溫度超過20℃時(shí)氣體壓力下降較快,在氣室溫度低于15℃時(shí)氣體泄漏則不明顯。

        圖2 GIS室環(huán)境溫度趨勢(shì)

        4.2.2 50532氣隔GM42氣室氣體泄漏情況分析

        50532氣隔GM42氣室長(zhǎng)期存在氣體泄漏情況,需經(jīng)常對(duì)氣室進(jìn)行補(bǔ)氣以保證氣室的正常壓力,且補(bǔ)氣間隔存在逐次縮短的跡象。氣室壓力趨勢(shì)詳見圖3。

        圖3 改進(jìn)的大軸中心調(diào)整方法示意圖

        圖3 50532氣隔GM42氣室壓力趨勢(shì)

        針對(duì)50532氣隔GM42氣室氣體泄漏情況,分別選取時(shí)間段Δt1(2015年3月至2017年7月)與Δt2(2017年9月 至2019年7),采 用 壓 力 降 法(式1)計(jì)算氣室年泄漏率。該氣室年泄漏率分別為Fy1≈3.3%、Fy2≈4.8%,設(shè)備劣化趨勢(shì)較明顯。

        4.3 氣體泄漏點(diǎn)定位

        4.3.1 Ⅱ母GMB3氣室泄漏點(diǎn)定位

        鑒于該氣室容量大、泄漏率較低、間歇性漏氣的特點(diǎn),泄漏點(diǎn)定位工作選在環(huán)境溫度大于30℃的時(shí)間段。分別采用扣罩法、檢漏儀檢漏法定位漏氣點(diǎn)大概位置。采用紅外成像法(FLIR GF306型紅外氣體檢漏成像儀)精確定位泄漏點(diǎn)。

        4.3.2 50532氣隔GM42氣室泄漏點(diǎn)定位

        該氣室容量較小,雖然泄漏率不高但相對(duì)泄漏量較大,泄漏點(diǎn)定位工作選在環(huán)境溫度20℃左右的時(shí)間段,直接采用紅外成像法(FLIR GF306型紅外氣體檢漏成像儀)精確定位泄漏點(diǎn)。

        其實(shí),也只有從馬克思?xì)v史哲學(xué)變革高度去理解和把握馬克思的“世界歷史”理論,才可作出如下斷言,“‘全球化’是20世紀(jì)末每一個(gè)人都在談?wù)摰臅r(shí)髦詞語,但150年前馬克思就預(yù)見到它的許多后果”⑨。因?yàn)?,正是在馬克思?xì)v史哲學(xué)關(guān)于社會(huì)形態(tài)發(fā)展更迭、尤其是現(xiàn)代社會(huì)運(yùn)動(dòng)特殊規(guī)律的闡發(fā)語境中,馬克思的“世界歷史”概念才能被賦予時(shí)下“全球化”概念所具有的豐富內(nèi)涵,進(jìn)而推出以下結(jié)論:馬克思沒有使用過“全球化”概念,但卻以獨(dú)特的“世界歷史”理論形式闡發(fā)了有關(guān)全球化的豐富思想;馬克思有關(guān)“世界歷史”的本質(zhì)、特征、發(fā)展規(guī)律等一般性的理解和說明,實(shí)際上就是關(guān)于全球化的基本闡釋⑩。

        4.3.3 泄漏點(diǎn)定位情況

        通過應(yīng)用紅外成像檢漏技術(shù)等SF6氣體檢漏技術(shù),在五強(qiáng)溪電廠500 kV GIS設(shè)備中共定位了4處泄漏點(diǎn)。其中2處位于50532氣隔GM42氣室,2處配管法蘭處;另2處位于Ⅱ母GMB3氣室B相,1個(gè)氣隔盆子及1個(gè)手孔蓋板。

        4.4 泄漏點(diǎn)處理方式

        4.4.1 Ⅱ母GMB3氣室泄漏點(diǎn)處理

        處理前應(yīng)對(duì)Ⅱ母進(jìn)行回路電阻測(cè)量。其數(shù)據(jù)作為檢修后的試驗(yàn)參考。

        (1)Ⅱ母B相氣室壓力降為0 MPa,相鄰氣室降至額定壓力的一半(需抽真空氣室:GMB3,需降半壓氣室共10個(gè):GM12、GM11、GM21、GM22、GM24、GM32、GM31、GM42、GM41、GMB4)。

        (2)從Ⅱ母B相端頭開始拆解,母線筒及導(dǎo)體,直至漏氣盆子處,拆掉舊盆子,安裝新的盆子,測(cè)量拆解區(qū)間主回路電阻,并與拆解之前電阻值做比較。

        (3)漏氣手孔蓋板和開蓋氣室的吸附劑蓋板更換新密封圈及吸附劑,封蓋板。

        (4)抽真空,充入檢測(cè)合格的SF6氣體。

        (5)檢漏試驗(yàn),微水測(cè)量,耐壓試驗(yàn),試驗(yàn)合格后投入使用。

        4.4.2 50532氣隔GM42氣室泄漏點(diǎn)處理

        (1)50532氣隔GM42氣室壓力降為0 MPa,相鄰氣室降至額定壓力的一半(需抽真空氣室:GM22,需降半壓氣室共2個(gè):GMB3、GM21)。

        (2)拆解漏氣位置螺栓,更換新密封圈。

        (3)抽真空,充入檢測(cè)合格的SF6氣體。

        (4)檢漏試驗(yàn),微水測(cè)量,耐壓試驗(yàn),試驗(yàn)合格后投入使用。

        5 結(jié)論

        應(yīng)用表明,紅外成像檢漏技術(shù)能夠在設(shè)備安全距離以外,快速、準(zhǔn)確地定位泄漏點(diǎn),為設(shè)備健康水平提供了有力的支撐。該項(xiàng)技術(shù)可廣泛應(yīng)用于多種SF6電力設(shè)備氣體泄漏帶電檢測(cè)中,具有較高的推廣意義和參考價(jià)值。

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