孫自鵬,汪永紅,張歡歡
(西南鋁業(yè)(集團(tuán))有限責(zé)任公司,重慶 401326)
鋁合金圓鑄錠常用于具有高質(zhì)量要求的鍛件和擠壓材坯料。在傳統(tǒng)的同水平熱頂鑄造中,隨著鑄錠直徑增加,鑄錠橫截面上化學(xué)成分偏析增大,甚至出現(xiàn)嚴(yán)重的宏觀偏析帶。另外隨著規(guī)格增加,鑄錠中心冷卻強(qiáng)度減小,鑄錠顯微疏松尺寸增加,微觀組織不均勻性增加,嚴(yán)重降低鑄錠冶金質(zhì)量。因此,選擇新的半連續(xù)鑄造技術(shù),提高大規(guī)格鑄錠冶金質(zhì)量勢在必行。
目前,電磁場應(yīng)用于鋁合金鑄造的常見方式有三種[1-2],分別為電磁鑄造、電磁軟接觸細(xì)晶鑄造(CREM)和低頻電磁鑄造(LFEC)。低頻電磁鑄造是在結(jié)晶器外設(shè)置一個能激發(fā)磁場的感應(yīng)器,感應(yīng)器產(chǎn)生的磁場作用于結(jié)晶器內(nèi)熔融的金屬液,并與金屬液有相對運(yùn)動,而金屬液又是導(dǎo)電體,因此,就在其中產(chǎn)生感應(yīng)電流。該電流與感應(yīng)器產(chǎn)生的磁場相互作用而產(chǎn)生電磁力,推動金屬液流動,再通過控制磁場方向、輸出電流等參數(shù),使結(jié)晶的流態(tài)金屬按一定的方向、連續(xù)有規(guī)律地運(yùn)動,形成攪拌[3-4]。簡單來說,低頻電磁攪拌鑄造就是通過低頻電磁干預(yù),攪拌結(jié)晶器內(nèi)的熔融金屬,從而改變結(jié)晶過程的溫度場和成分偏聚現(xiàn)象[5],使鑄錠表面及內(nèi)部質(zhì)量得到改善。
實(shí)驗(yàn)采用2A12、2219、7075、4032四種鋁合金作為研究對象,化學(xué)成分均采用國標(biāo)范圍中限控制。在規(guī)格為?630 mm的同水平熱頂工具上,選擇兩個工位加裝低頻電磁感應(yīng)器,該感應(yīng)器及控制系統(tǒng)由愛迪爾電氣有限公司提供(如圖1所示)。影響攪拌流場強(qiáng)度的因素主要有兩個,一個是行波磁場的磁場強(qiáng)度(即電磁力的大小、頻率),另一個是熔體的黏度(即黏滯力的大?。6-8]。因此本次實(shí)驗(yàn)采用相同的鑄造速度、冷卻水量和細(xì)化參數(shù)進(jìn)行鑄造,以對比不同電磁攪拌參數(shù)下的鑄造組織變化情況。
圖1 電磁攪拌鑄造實(shí)驗(yàn)工裝
左玉波等人對直徑200 mm以下小規(guī)格電磁攪拌鑄造進(jìn)行了多輪研究[9-11]。研究表明低頻電磁場對7×××系鋁合金鑄態(tài)晶粒尺寸和組織形貌的影響顯著:施加磁場后鑄錠組織變得非常均勻、細(xì)小,平均晶粒尺寸明顯降低。但本次實(shí)驗(yàn)鑄錠直徑為630 mm,電磁場強(qiáng)度和穿透距離存在不確定性,因此實(shí)驗(yàn)方案采用不同頻率相同電壓、相同頻率不同電壓以及過程中間隔性改變磁場方向的方案進(jìn)行驗(yàn)證,具體方案如表1所示。
表1 電磁攪拌鑄造實(shí)驗(yàn)參數(shù)
按實(shí)驗(yàn)方案鑄造結(jié)束后,在各鑄錠對應(yīng)參數(shù)區(qū)域取1/4試片做低倍晶粒度和表層缺陷分析;在樣品沿直徑方向距表層1/4直徑、1/2直徑部位取高倍試樣進(jìn)行顯微疏松尺寸分析;同時在鑄錠橫截面中心到邊部等間距取6處成分試樣進(jìn)行成分偏析檢測。
在生產(chǎn)2A12、7075鑄錠時,通過對實(shí)驗(yàn)鑄錠外觀的觀察發(fā)現(xiàn),采用電磁攪拌技術(shù)鑄造的鑄錠,其澆口部最后凝固的區(qū)域沒有微裂紋產(chǎn)生;而用傳統(tǒng)DC熱頂鑄造法生產(chǎn)的鑄錠,其澆口部均有微裂紋產(chǎn)生。這說明在傳統(tǒng)熱頂鑄造過程中,澆口部屬于最后凝固區(qū)域,熔體從外到內(nèi)逐層凝固,容易表現(xiàn)出微裂紋;而采用電磁攪拌技術(shù)時,其產(chǎn)生的電磁力強(qiáng)制驅(qū)動澆口部熔體流動,使得澆口部最后剩余熔體的溫差很小,剩余熔體的溫度場比傳統(tǒng)熱頂鑄造方式更加均勻,故鑄錠的致密程度好、強(qiáng)度高,氧化膜不易破裂,表層不易產(chǎn)生微裂紋。
通過對實(shí)驗(yàn)鑄錠低倍宏觀組織的分析,可以得出以下結(jié)論:(1)在電壓穩(wěn)定不變的情況下,降低頻率可以提升輸出電流,提高攪拌力和穿透力,而提高頻率會使鑄錠中心區(qū)域的攪拌大幅減弱;(2)隨著輸出電流的增加,鑄錠宏觀晶粒度有明顯的細(xì)化趨勢,2A12可以降低0.5級,2219可以控制在1級,4032可以控制在3級;(3)采用電磁攪拌鑄造的鑄錠表面殼層厚度比正常DC鑄造高2~4 mm;在電流換向工藝中,換向時間間隔10 s、15 s對鑄錠低倍晶粒度基本無影響,即鑄造過程中打斷攪拌方向并不能進(jìn)一步改善晶粒大小。以2219為例典型低倍宏觀組織如圖2所示。
圖2 2219合金宏觀晶粒度對比照片
造成傳統(tǒng)熱頂與電磁攪拌鑄造技術(shù)這兩種鑄造方式晶粒度差異的主要原因在于:對于?630 mm大規(guī)格鑄錠而言,傳統(tǒng)熱頂鑄造方式使得鑄錠同一橫截面不同位置(外層→內(nèi)層)的冷卻強(qiáng)度差異大、溫差大、溫度場極不均勻,從而表現(xiàn)出從鑄錠邊部到心部的晶粒尺寸逐漸變大,且同一截面上的宏觀晶粒度相差(邊部與心部相比)0.5級;另外液穴熔體未受到強(qiáng)制流動,大部分熱量集中在心部,致使心部晶粒度更高。而在電磁攪拌技術(shù)中,由于電磁攪拌強(qiáng)迫熔體流動,熔體內(nèi)的枝晶在生長過程中產(chǎn)生熔斷、頸縮和游離現(xiàn)象,最終增加了熔體形核核心,使得晶粒組織細(xì)小、均勻。
在對高倍顯微組織分析時發(fā)現(xiàn),無論傳統(tǒng)熱頂鑄造,還是電磁攪拌鑄造,2A12、7075合金各樣品疏松尺寸均細(xì)小,改善并不明顯。電磁攪拌技術(shù)與傳統(tǒng)熱頂技術(shù)生產(chǎn)的鑄錠相比:前者晶界殘留化合物偏少且在截面上分布較均勻;而后者殘留化合物更多地容易聚集在鑄錠心部且分布不均勻;前者組織更均勻是由于熔體的快速流動旋轉(zhuǎn),將飽和的溶質(zhì)及時帶走,固液界面前沿不會產(chǎn)生溶質(zhì)富余,使得熔體中溶質(zhì)場相對均勻。從不同攪拌方式看,隨著輸出電流的增強(qiáng),晶粒細(xì)化效果越好,殘留化合物偏聚程度越弱(2A12合金典型組織見圖3)。對7075合金高倍分析時發(fā)現(xiàn),晶粒尺寸和顯微組織改變并不明顯,這可能是由于合金鑄造過程中液穴太淺、設(shè)備受限,電磁場無法充分作用于熔融金屬而造成的。另外,個別實(shí)驗(yàn)鑄次發(fā)現(xiàn)當(dāng)輸出電流增大到一定程度后,會在鑄錠中出現(xiàn)單點(diǎn)大晶粒的現(xiàn)象,這可能是由于熔體攪動過大,將固液區(qū)已形核生長的晶粒再次攪到液相區(qū)造成的。
圖3 2A12合金高倍組織對比照片
在對成分試樣做偏析分析時發(fā)現(xiàn),由于鑄錠直徑過大,為形成攪拌效果,需要在鑄錠截面方向形成兩個電磁場,兩個電磁場在作用時存在一定不對稱性,會影響成分均勻性。就分析結(jié)果而言,傳統(tǒng)熱頂鑄造工藝下的2A12合金中Cu含量的分布表現(xiàn)為中心高,依次向邊部逐漸降低,偏析在11.7%左右;而電磁攪拌鑄造的鑄錠成分并未呈現(xiàn)從中心到邊部依次遞減的現(xiàn)象,且宏觀上成分更加均勻,偏析在7%以下。7075合金的成分偏析最大值出現(xiàn)在距邊部50~100 mm范圍,最小值靠近中心。在輸出電流為460 A時偏析最大,輸出電流為280 A時偏析最小,且其余各位置分布較為均勻,較正常鑄造也都有改善(如圖4所示);4032合金成分偏析得到了明顯改善,Si偏析在合適的電磁攪拌參數(shù)下相對偏析值可以控制在1.5%以下,但隨著輸出電流的增加成分偏析反而更加嚴(yán)重。
圖4 不同工藝下7075合金鑄錠Cu、Mg、Zn元素偏析度曲線
(1)電磁攪拌鑄造技術(shù)可以在大規(guī)格圓錠上開展應(yīng)用,并能有效降低晶粒尺寸,改善成分偏析現(xiàn)象,但會輕微增加表面殼層厚度,對組織疏松的改善也并不明顯。
(2)電磁攪拌鑄造技術(shù)在大圓錠上應(yīng)用時,頻率在30~40 Hz為宜,輸出電流應(yīng)根據(jù)合金特性及鑄造參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
(3)電磁攪拌鑄造時,隨著輸出電流增大,攪拌力增強(qiáng),細(xì)化效果更明顯,但過大的輸出電流會增加成分偏析,還可能產(chǎn)生單質(zhì)點(diǎn)的粗大晶粒。
(4)電磁攪拌鑄造感應(yīng)器的作用位置非常關(guān)鍵,液穴較深的2219合金與液穴較淺的7075合金應(yīng)區(qū)別對待。