周中昊, 王 凱, 王 鵬, 戴澤璟, 韓守保, 張業(yè)斌, 段宗明
(中國電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所, 安徽合肥230088)
相控陣波束形成技術(shù)由于具有同時多波束、靈活掃描、波束切換迅速等優(yōu)勢,已經(jīng)在雷達(dá)探測等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用和研究?;陔娤嘁破鞯膫鹘y(tǒng)相控陣技術(shù),由于不同頻率波束的色散傾斜效應(yīng)而限制了其工作帶寬,從而極大限制了傳統(tǒng)雷達(dá)系統(tǒng)的性能,如雷達(dá)分辨率、抗干擾、寬帶收發(fā)等。而無波束傾斜效應(yīng)的基于真延時體制的相控陣技術(shù)能夠有效克服上述難題,但是傳統(tǒng)的基于電子學(xué)體制的真延時技術(shù)存在損耗大、幅度不均衡、系統(tǒng)復(fù)雜度高等劣勢。
微波光子學(xué)技術(shù)是利用電光轉(zhuǎn)換技術(shù)將微波信號變換到光域,在光域?qū)ξ⒉ㄐ盘栠M(jìn)行處理,可以充分發(fā)揮光子學(xué)技術(shù)的優(yōu)勢。典型的微波光子技術(shù)主要包括光控真延時、光載射頻傳輸、微波光子濾波器、微波光子信道化接收、光子輔助任意波形產(chǎn)生等。其中光控真延時技術(shù),能夠有效實現(xiàn)微波信號的真延時,能夠?qū)崿F(xiàn)無波束傾斜效應(yīng)的二維寬帶同時多波束掃描。
隨著微納加工技術(shù)的不斷發(fā)展,基于二氧化硅、氮化硅、絕緣體上硅、鈮酸鋰薄膜等各種材料的硅基微納加工工藝日趨成熟,現(xiàn)今集成度更高的集成微波光子技術(shù)也得到迅猛發(fā)展。利用集成微波光子技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)集成度更高、體積更小、功耗更低、性能更穩(wěn)定的微波光子系統(tǒng),有效解決基于分立器件的微波光子技術(shù)系統(tǒng)體積大和復(fù)雜度高等問題。
二維相控陣波束形成技術(shù)由于其靈活機(jī)動等優(yōu)勢在雷達(dá)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,而基于微波光子學(xué)技術(shù)的二維多波束形成系統(tǒng)也得到了廣泛的研究?,F(xiàn)今國內(nèi)外關(guān)于二維光控波束形成的研究主要基于傳統(tǒng)分立器件的系統(tǒng),2021年文獻(xiàn)[8]報道了利用模分復(fù)用機(jī)制的二維光控波束形成系統(tǒng),系統(tǒng)基于單模和多模光纖等分立器件的搭建,且存在體積重量大及系統(tǒng)穩(wěn)定性差等劣勢。而硅基片上集成的二維光控系統(tǒng)則鮮有報道。2021年文獻(xiàn)[9]介紹了一種基于集成光真延時線網(wǎng)絡(luò)的二維光控波束形成系統(tǒng)架構(gòu),主要研究了4種延時參數(shù)的7比特集成光開關(guān)延時線,文章利用各延時線測試結(jié)果用于二維光控系統(tǒng)架構(gòu)的模擬驗證。同年,文獻(xiàn)[10]報道了1×4通道的光波束形成網(wǎng)絡(luò),系統(tǒng)結(jié)合磷化銦和氮化硅材料各自優(yōu)勢,實現(xiàn)了全集成的寬帶連續(xù)可調(diào)的光波束形成系統(tǒng),限于系統(tǒng)復(fù)雜度等原因文章報道的為一維波束形成。
硅基片上集成主要包括二氧化硅、絕緣體上硅、鈮酸鋰薄膜、III-V族化合物和氮化硅等材料系統(tǒng),其中二氧化硅材料相對于其他材料體系具有損耗小、易于耦合、工藝成熟等多種優(yōu)勢。本文提出的片上集成二維可擴(kuò)展光控波束形成系統(tǒng),是基于二氧化硅材料的微納加工工藝的集成微波光子真延時技術(shù),通過片上集成芯片加工技術(shù)實現(xiàn)了各分立器件的片上集成封裝和小型化。利用俯仰延時模塊實現(xiàn)俯仰向延時控制,再通過基于光開關(guān)延時線實現(xiàn)方位向延時掃描控制,從而實現(xiàn)俯仰同時多波束,方位向多波束多波位獨立掃描。最后對片上光控波束形成樣機(jī)進(jìn)行了測試和實驗結(jié)果分析。
本節(jié)主要在雷達(dá)坐標(biāo)系下對二維光控波束形成基本原理進(jìn)行介紹和理論計算,并結(jié)合理論計算分析片上集成光控真延時模塊設(shè)計。
在雷達(dá)坐標(biāo)系下,天線陣面在0平面,方位角和俯仰角指向?qū)?yīng)示意圖1中所示: 圖1中,目標(biāo)到各天線單元的距離差決定了天線陣元接收到的目標(biāo)方向信號的相位差,可以將各相鄰天線單元之間的相位差分別表示為
(1)
(2)
(a) 天線陣面示意圖
(b) 目標(biāo)指向示意圖圖1 雷達(dá)坐標(biāo)系天線陣和目標(biāo)方向角示意圖
式中:方位向方向相鄰天線陣元間距為,相位差為;俯仰向方向相鄰天線單元間距為,相位差為;俯仰角,方位角分別對應(yīng)天線陣面形成設(shè)定的波束指向角。
按照式(1)和式(2)配置各天線單元對應(yīng)的相位差,約定原點處的天線單元為參考單元(0, 0),對應(yīng)的第(,)個天線單元其幅度加權(quán)系數(shù)為,可以得出天線陣面的二維方向圖函數(shù)為
(sin-)]}
(3)
式中方向天線單元數(shù)為,方向單元數(shù)為。由式(3)可知,通過改變相鄰陣元間的相位差和可以實現(xiàn)相控陣二維掃描,即實現(xiàn)不同方位角和俯仰角指向的目標(biāo)信號的接收探測。
片上集成真延時技術(shù),通過光信號在不同長度的平面光波導(dǎo)中的傳播延時不同,從而實現(xiàn)不同通道的延時控制。不同通道真延時差Δ與平面光波導(dǎo)相對長度差Δ之間關(guān)系可以表示如下:
(4)
式中:為平面光波導(dǎo)折射率,與波導(dǎo)材料有關(guān);為真空中光速。
由式(3)可知,為實現(xiàn)天線陣方向圖最大值指向?qū)?yīng)方位角和俯仰角,需要通過相位控制,實現(xiàn)和軸方向各相鄰天線單元間的相位差分別滿足式(1)和式(2)。由此可知,需要對各天線陣元進(jìn)行延時配置以使相鄰天線單元間延時差滿足以下關(guān)系式:
(5)
(6)
式中,Δ與Δ均由式(4)確定,分別對應(yīng)方向和方向相鄰陣元間的相對延時差。
要利用光波導(dǎo)實現(xiàn)微波信號如式(5)、式(6)所示的可調(diào)真延時控制,可采用如圖2所示的可調(diào)延時結(jié)構(gòu)。各級的平面光波導(dǎo)延時線長度對應(yīng)不同的指向角由上述計算得出,通過光開關(guān)控制光載微波信號經(jīng)過各級延時線,實現(xiàn)所需的真延時控制。由圖2中開關(guān)橫截面圖所示,光波導(dǎo)由芯層、包層以及硅基襯底組成,由于芯層折射率大于包層,特定光學(xué)模式的光模場主要局限在芯層波導(dǎo)中,典型的二氧化硅平面光波導(dǎo)基模光模場示意圖如圖中所示。
圖2 可調(diào)延時結(jié)構(gòu)及其光開關(guān)橫截面和模場分布圖
因此,通過結(jié)合圖2中的可調(diào)真延時結(jié)構(gòu),利用式(5)、式(6)可在平面光波導(dǎo)芯片上設(shè)計如圖3所示的二級級聯(lián)的波導(dǎo)延時結(jié)構(gòu),實現(xiàn)方位向和俯仰向相結(jié)合的二維掃描。如圖3所示,天線陣面和電光轉(zhuǎn)換模塊實現(xiàn)將接收到的目標(biāo)方向的電磁信號轉(zhuǎn)換為光載微波信號,各天線陣列通過對應(yīng)的俯仰向延時和方位向延時兩級延時陣面模塊,實現(xiàn)光載微波信號的二維延時控制,最后通過光電轉(zhuǎn)換與合成模塊實現(xiàn)多波束合成和電信號輸出。不同目標(biāo)空間位置對應(yīng)的波束指向不同,其對應(yīng)的天線陣元俯仰向延時差通過俯仰向延時波導(dǎo)補(bǔ)償,以滿足式(5);不同波束對應(yīng)的方位向延時差通過圖示中的不同子陣間方位向延時差實現(xiàn),滿足式(6),從而實現(xiàn)俯仰方位向二維波束形成。
基于上述分析,為實現(xiàn)硅基片上集成二維同時多波束獨立掃描系統(tǒng),本實驗組采用的是如圖3所示的系統(tǒng)架構(gòu)?;诠杌趸杵矫婀獠▽?dǎo)加工平臺,完成關(guān)鍵硅基光芯片器件設(shè)計加工。
如圖3所示,天線接收的微波信號調(diào)制為光載射頻信號,通過光纖耦合進(jìn)入到片上集成光網(wǎng)絡(luò)芯片中。利用平面光波導(dǎo)分束器實現(xiàn)光載射頻信號的分束,再通過俯仰延時模塊實現(xiàn)俯仰向不同通道相對延時控制。隨后光載信號輸入到片上集成開關(guān)延時芯片中,通過開關(guān)延時線實現(xiàn)方位向的延時控制,實現(xiàn)方位向波束掃描。最后通過光電探測器實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換,結(jié)合功分器實現(xiàn)不同子陣間的波束的合束,最終完成俯仰同時多波束,各波束在方位向多波位獨立掃描的二維波束形成系統(tǒng)。
為驗證上述硅基集成二維多波束光控波束形成系統(tǒng)性能,完成了如圖4所示基于硅基片上平面光波導(dǎo)的波束形成樣機(jī)研制。在圖4(a)所示硅基集成平面光波導(dǎo)光網(wǎng)絡(luò)芯片模塊中,實現(xiàn)片上集成同時多波束形成網(wǎng)絡(luò)。圖4(b)展示了模塊中開關(guān)延時線光芯片實物圖。
利用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,結(jié)合電光調(diào)制合成放大模塊和光電轉(zhuǎn)換模塊,完成如圖4(a)所示的系統(tǒng)模塊性能的測量。將矢網(wǎng)輸出端口分別連接電光調(diào)制合成放大模塊各通道對應(yīng)的電光調(diào)制器,然后將對應(yīng)的波束合成射頻信號連接到矢網(wǎng)的輸入端口。通過矢網(wǎng)完成系統(tǒng)各波束對應(yīng)的通道的S21測量,獲取各通道的幅度和相對相位的實驗數(shù)據(jù),通過對各實驗結(jié)果分析完成系統(tǒng)方向圖仿真。
圖3 典型的片上集成二維光控相控陣原理示意圖
(a) 光網(wǎng)絡(luò)芯片模塊 (b) 開關(guān)延時線光芯片圖4 硅基片上集成模塊實物圖
結(jié)合矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀等實驗裝置開展對各波束對應(yīng)通道的測量,完成實驗結(jié)果分析。首先是各個波束對應(yīng)通道的相對相位如圖5所示。單個子陣陣面俯仰向各通道間的相對相位與頻率關(guān)系如圖5(a)所示,各通道相位均以通道CH1作為參考??梢钥闯龈魍ǖ老鄬ο辔幌鄬τ陬l率具有良好的線性度。方位向各通道延時通過可調(diào)延時線實現(xiàn)。對于單個通道,開關(guān)延時線各種狀態(tài)的延時量對應(yīng)的相對相位與頻率關(guān)系如圖5(b)所示,其中取波束指向為0°時對應(yīng)的相位為參考相位,S1到S16分別對應(yīng)開關(guān)延時線的16種狀態(tài)。同樣可以看出,通過真延時實現(xiàn)的各狀態(tài)的相對相位具有良好的線性度。
(a) 俯仰向不同通道相對相位
(b) 方位向不同延時狀態(tài)相對相位圖5 相對相位譜實測數(shù)據(jù)
結(jié)合對各波束對應(yīng)通道測量得到的S21曲線,利用實測的相對相位和幅頻響應(yīng)等實驗數(shù)據(jù),通過公式(3)對各波束進(jìn)行理論計算,可以得出典型的波束方向圖。
基于實測數(shù)據(jù)分別對各波束進(jìn)行方向圖計算,得到18 GHz頻點處,對應(yīng)開關(guān)延時線狀態(tài)S8,即方位向為垂直天線陣面處附近對應(yīng)的各波束方位向方向圖如圖6所示。同樣,針對典型方位向指向為0°的單波束,對應(yīng)的開關(guān)延時線控制的各開關(guān)延時狀態(tài)對應(yīng)的方向圖的俯仰向方向圖如圖7所示,對應(yīng)頻點為18 GHz,由于俯仰向天線陣元較少,因此對應(yīng)的俯仰向波束較寬,副瓣幅度較大。結(jié)合上述實驗仿真結(jié)果,可以驗證各波束能夠有效覆蓋空域俯仰向±60°范圍,方位向±45°范圍,同時5波束16波位獨立掃描。
圖6 18 GHz處各波束對應(yīng)俯仰延時狀態(tài)8計算的方位向方向圖
圖7 18 GHz處方位向波束3對應(yīng)各開關(guān)延時線狀態(tài)計算的俯仰向方向圖
圖8 各頻點對應(yīng)方位向-30°波束的方向圖
圖9 各頻點對應(yīng)俯仰向30°波束的方向圖
為了分析本系統(tǒng)基于真延時的大帶寬波束無傾斜優(yōu)勢,通過對單個波束對應(yīng)的各頻點測得的實驗數(shù)據(jù)分別進(jìn)行分析,得到6~20 GHz各頻點對應(yīng)的俯仰向剖面圖如圖8所示,方位向剖面圖如圖9所示,其中對應(yīng)的波束為方位向指向-30°,俯仰向指向30°,可以看出基于真延時的光控波束形成沒有孔徑效應(yīng)引起的波束傾斜效應(yīng)。
通過上述對于實驗數(shù)據(jù)的分析仿真計算可知,對于基于平面光波導(dǎo)的真延時光控波束形成系統(tǒng),能夠有效實現(xiàn)二維波束接收,并且無波束傾斜效應(yīng),具有大的瞬時帶寬和大的掃描范圍,能夠?qū)崿F(xiàn)同時多波束接收和各波束多波位獨立掃描的功能。
本文提出了一種基于片上集成的大瞬時帶寬、方位向同時多波束、俯仰向各波束獨立掃描的光控波束形成系統(tǒng)。通過子陣模塊化積木式擴(kuò)展即可實現(xiàn)二維大陣列系統(tǒng)。實驗中對上述子陣性能進(jìn)行測試,各通道波束指向與設(shè)計值吻合,通過實驗測試得到的方向圖顯示系統(tǒng)的無孔徑效應(yīng)的帶寬達(dá)到14 GHz,波束能夠有效覆蓋空域俯仰向±60°范圍,方位向±45°范圍,同時5波束16波位獨立掃描?;谀K化子陣可實現(xiàn)大陣列擴(kuò)展,只需要在各架構(gòu)完全相同的子陣間加入陣間相對延時,即可實現(xiàn)大陣列擴(kuò)展系統(tǒng)。這項技術(shù)能夠極大減小現(xiàn)有光控相控陣系統(tǒng)的體積重量,為將來大陣列無波束傾斜、大帶寬、二維同時多波束系統(tǒng)提供技術(shù)支撐。