朱婕,禹庭,盛昊陽,陳葉青,饒朋朋,倪宗銘,吳曉儀,全志鵬
(五邑大學(xué)應(yīng)用物理與材料學(xué)院, 廣東江門 529020)
碳點(Carbon dots,CDs)作為一種最有前途的碳基納米材料,其具有優(yōu)異的發(fā)光性能[1]、可調(diào)諧發(fā)射[2]、低毒性[3-4]、易制備[5-7]等特點,近年來在生物成像、光催化、傳感器和光電器件等領(lǐng)域引起了廣泛的關(guān)注。與傳統(tǒng)的光致發(fā)光材料相比,該材料的制備更加環(huán)保。然而,大多數(shù)情況下CDs 只有在溶液狀態(tài)下才表現(xiàn)出明顯的熒光性質(zhì),在聚集態(tài)或固態(tài)中熒光會發(fā)生猝滅,熒光猝滅歸因于聚集狀態(tài)下粒子間相互作用引起的非輻射躍遷。此外,由于CDs 表面含有豐富的親水性官能團,導(dǎo)致固體CDs 通常難以獲得,導(dǎo)致其在固態(tài)發(fā)光領(lǐng)域中的應(yīng)用受到限制??朔晒忖绲耐ǔ7椒ㄊ窃诠腆w基質(zhì)(如聚合物、無機鹽、二氧化硅、層狀材料和介孔材料[8-14])中摻雜CDs。Qu 等[15]以聚乙烯醇(PVA)為基體的固態(tài)發(fā)射CDs 的量子效率(PLQY)為84%,而負(fù)載濃度僅為0.6%,表明較高的負(fù)載濃度會導(dǎo)致PLQY 的大幅下降,這主要是由于制備過程中固體局部聚集所致。此外,這些常見的方法伴隨著多步驟的過程,不僅耗時而且伴隨有不穩(wěn)定的現(xiàn)象。此外,Qu 團隊[16]還在泡沫結(jié)構(gòu)中制備了尺寸均勻的CDs,其均勻結(jié)構(gòu)帶來了均勻的能帶隙,顯著抑制了聚集體中CDs之間的能量傳遞,從而克服了聚集體引起的猝滅,性能得到了很大的提高,但這種合成方法需要抽真空且反應(yīng)時間相對較長和反應(yīng)溫度較高,這將不必要地增加合成成本。目前,大多數(shù)研究是先制備出長波長發(fā)射的CDs 溶液,然后再選擇合適的基質(zhì),從而實現(xiàn)固態(tài)發(fā)光,這樣的研究方法比較依賴于CDs本身的發(fā)光,嚴(yán)重影響CDs 在發(fā)光領(lǐng)域的應(yīng)用發(fā)展。所以,迫切需要研發(fā)一種新途徑來減弱對CDs發(fā)光依賴的同時而實現(xiàn)長波長固態(tài)發(fā)光。通過研究[17-18]發(fā)現(xiàn),K0.3Bi0.7F2.4是一種合適的基質(zhì)材料,它不僅成本低,而且在高溫下熱力學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。到目前為止,K0.3Bi0.7F2.4納米顆粒作為鉍基宿主體實現(xiàn)Ln3+摻雜的報道很少,大部分研究集中在上轉(zhuǎn)換性能方面,而對其光致發(fā)光特性及其在白光發(fā)光二極管應(yīng)用中的可行性研究不多?;诖耍岢隽艘环N通過室溫共沉淀法制備CDs 基熒光粉的方法。選擇檸檬酸(CA)為碳源、乙醇胺(EA)為氮源,采用水熱法合成青光碳點溶液(C-CDs),然后其與K0.3Bi0.7F2.4基質(zhì)合成C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料,該方法簡單高效、無需高溫高壓環(huán)境,可在室溫下快速合成。
檸檬酸(CA,99.5%)購買于阿拉丁公司(中國上海),乙醇胺(EA,99%)購買于麥克林公司(中國上 海)。分 析 級 的 五 水 硝 酸 鉍Bi(NO3)3·5H2O(99%)和氟化鉀(KF)試劑購自阿拉丁公司(中國上海),乙二醇(EG)是從北京化學(xué)試劑公司獲得,氟化銨(NH4F,98%)產(chǎn)自國藥化學(xué)試劑有限公司。所有的化學(xué)品都是直接使用的,沒有進(jìn)一步的純化。
將0.630 4 g 的檸檬酸溶于30 mL 的去離子水中,然后加入3.621 mL 的乙醇胺,密封,在50 mL 的特氟龍內(nèi)襯不銹鋼高壓釜中經(jīng)8 h 加熱至160 ℃,待反應(yīng)結(jié)束后冷卻至室溫。將所得產(chǎn)物轉(zhuǎn)移到離心管中,以10 000 r·min?1的轉(zhuǎn)速離心10 min,除去未反應(yīng)的顆粒。最后通過重新溶解在水中得到C-CDs溶液,以供進(jìn)一步測量或使用。
首 先 將1 mmol 的Bi(NO3)3·5H2O、1 mmol 的KF 與10 mL 的EG 混合,待完 全溶解后加入1 mL 濃度為0.09 g·L?1的青色碳點溶液(C-CDs)。然后將6 mmol 的NH4F 溶解于20 mL 的EG 中。最后將兩種溶液在室溫下劇烈攪拌,再以1000 r·min?1速率離心,用無水乙醇超聲洗滌2 次,在80 ℃/12 h 干燥,最終得到C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料。圖1 為C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4合成示意圖。
圖1 C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料的合成示意圖Figure 1 Schematic diagram of the synthesis of C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4 composites
所有樣品的XRD 測量在粉末衍射儀(X"Pert PRO,Cu Kα,λ=1.5418 ?)上進(jìn)行,用掃描電子顯微鏡(SEM,JSM-6700F)對樣品的形貌進(jìn)行表征。使用JEOL JEM 2100 記錄透射電鏡(TEM)和高分辨率透射電鏡(HRTEM)對樣品的漫反射(DR)進(jìn)行測量,用紫外-可見-近紅外分光光度計(Lambda 950,Perkin Elmer)測量樣品的吸收光譜,以BaSO4為標(biāo)準(zhǔn)參比。利用Aicolex Nexus 470 型紅外光譜儀,通過混合樣品與片劑KBr 獲得紅外光譜。以450 W 氙燈為光源,在愛丁堡儀器公司生產(chǎn)的FLS980 熒光光譜儀上對樣品進(jìn)行穩(wěn)態(tài)和動態(tài)光譜分析。對于溫度相關(guān)的樣品的發(fā)射測量,在Linkam THMS600 冷熱臺上進(jìn)行溫度控制加熱。X 射線光電子能譜(XPS)在Thermo Scientific K-Alpha 上進(jìn)行分析。
圖2 為C-CDs 和C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4的光 學(xué) 性能圖。從C-CDs 的紫外-可見吸收光譜圖可見,分別位于265 和355 nm 處有兩個明顯的吸收波段,前者的吸收帶是由C═C 鍵的π—π*躍遷引起的,后者的吸收帶是由C═O 鍵的n—π*躍遷引起的[19-20]。從C-CDs 激發(fā)-發(fā)射光譜可見,隨著激發(fā)波長從400 nm增加到460 nm 時,C-CDs 的發(fā)射峰從477 nm(藍(lán)色發(fā)射)紅移到525 nm(綠色發(fā)射),并且發(fā)射強度逐漸減弱,在λex=420 nm 時達(dá)到最大值。值得注意的是,C-CDs 隨著激發(fā)波長從400—460 nm 的變化,其發(fā)射強度和發(fā)射峰位都發(fā)生了變化,這與顆粒大小的變化及表面發(fā)射陷阱位置的分布有關(guān)。從C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4漫反射光譜圖可見,在深紫外區(qū)(200—320 nm)、近紫外區(qū)(320—420 nm)和藍(lán)綠色區(qū)(450—580 nm)有三條寬吸收帶,與C-CDs 不同的是,C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料在420—580 nm 范圍內(nèi)出現(xiàn)了明顯的寬吸收帶。 從C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4的 熒 光 光 譜 圖 可 見 :C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4在450 nm 藍(lán) 光 激 發(fā) 下,在555 nm 處呈現(xiàn)出寬帶黃色發(fā)射峰;此外,在激光波長為400—450 nm 之間時,隨著激發(fā)波長的增加,其發(fā)射強度逐漸增大且發(fā)射波長的峰位基本保持不變;在激發(fā)波長為450 nm 時,發(fā)射強度最大;當(dāng)激發(fā)波長為450—490 nm 之間時,發(fā)射強度逐漸降低且發(fā)射波長的峰位發(fā)生輕微紅移,這是具有激發(fā)依賴性CDs 普 遍 存 在 的 現(xiàn) 象。 與C-CDs 相 比,CCDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料的發(fā)射峰發(fā)生了紅移,這是因為CDs 與Bi3+離子之間形成共價鍵導(dǎo)致的。
圖2 C-CDs 和C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4的光學(xué)性能圖Figure 2 Optical properties of C-CDs and C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4
圖3 為K0.3Bi0.7F2.4和C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納 米復(fù)合材料的XRD 圖譜[22]。從圖3 可見,K0.3Bi0.7F2.4和C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4的XRD 圖譜基本保持一致,都可以很好地與六方相 K0.3Bi0.7F2.4的標(biāo)準(zhǔn)卡JCPDS#84-0534 相 對 應(yīng) , K0.3Bi0.7F2.4和C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4均 在26.2、30.3、43.4、51.4、53.9、63.1 和69.5 °處 存 在 衍 射 峰,分 別 對 應(yīng)K0.3Bi0.7F2.4的(111)、(200)、(220)、(311)、(222)、(400)和(331)晶 面 。 與 K0.3Bi0.7F2.4相 比 ,C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料的XRD 譜圖沒有明顯的變化,說明CDs 的引入對C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4的晶體結(jié)構(gòu)沒有影響。此外,從C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料中沒有觀察到C-CDs的特征衍射峰,可能是因C-CDs 的含量較少而導(dǎo)致峰較弱,并且與K0.3Bi0.7F2.4基質(zhì)衍射峰重疊在一起[22]。
圖3 K0.3Bi0.7F2.4和C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4的XRD 圖Figure 3 XRD patterns of K0.3Bi0.7F2.4 andC-CDs@K0.3Bi0.7F2.4
為了進(jìn)一步研究C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料的微觀形貌,首先對合成的C-CDs 進(jìn)行了形貌結(jié)構(gòu)表征,圖4 為C-CDs 納米顆粒的TEM 圖和HRTEM 圖。從 圖4 可 見:C-CDs 呈 球 形 顆 粒 且 分散均勻,沒有發(fā)生團聚現(xiàn)象;C-CDs 的晶格間距為0.21 nm,對應(yīng)于石墨烯的(100)晶面,表明成功合成了結(jié)晶性良好的C-CDs。
圖4 C-CDs 的TEM 和HRTEM 圖Figure 4 TEM and HRTEM of C-CDs
其次,對K0.3Bi0.7F2.4和C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料的形貌進(jìn)行了表征,圖5 為K0.3Bi0.7F2.4和C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4的SEM 和HRTEM 圖。 從SEM 圖可見:K0.3Bi0.7F2.4具有良好的分散性且形貌呈類球形顆粒,粒徑大小均勻;而C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料的貌呈類球形并且團聚堆積在一起,粒徑大小不均勻,表明C-CDs 可能附著在K0.3Bi0.7F2.4上,導(dǎo)致粒徑發(fā)生變化。從HRTEM 圖可見:K0.3Bi0.7F2.4的(111)晶面晶格間距為0.33 nm,與立方相K0.3Bi0.7F2.4很好地吻合;而C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4的(111)晶面的晶格間距為0.33 nm,(100)晶面的晶格間距為0.21 nm。SEM 和TEM 分析證實了CCDs 在K0.3Bi0.7F2.4表面的成功引入。
圖5 K0.3Bi0.7F2.4及C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4的SEM 圖和HRTEM 圖Figure 5 SEM image and HRTEM image of K0.3Bi0.7F2.4 and C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4
圖6 為C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料EDS的元素分布圖。從圖6 可以看出,K、Bi 和F 元素均勻地分布在整個納米顆粒上,而C 和O 元素分布不均勻,說明納米復(fù)合材料中存在CDs,這一結(jié)果與上述SEM 和TEM 結(jié)果一致。
為了探究C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料的元素組成和化學(xué)結(jié)構(gòu),對其進(jìn)行了FT-IR 和XPS 的表征。
圖7 C-CDs、K0.3Bi0.7F2.4和C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4的FT-IR、XPS 光譜圖Figure 7 The FT-IR spectra and XPS survey spectra of C-CDs,K0.3Bi0.7F2.4 and C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4
圖7 為C-CDs、K0.3Bi0.7F2.4和C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料的FT-IR 和XPS 光譜圖。從圖7 中的FT-IR光譜圖可見:K0.3Bi0.7F2.4和C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料分別在3150—3550 cm?1及2940、1387 和1063 cm?1峰位存在特征峰,他們分別對應(yīng)O—H/N—H 的伸縮振動、C—H 不對稱伸縮振動、C—N 伸縮振動及C—O 伸 縮振動;此外,與K0.3Bi0.7F2.4相比,C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料特征峰強度明顯增強,這一結(jié)果再次證實了C-CDs與K0.3Bi0.7F2.4復(fù)合在一起。從圖7 中K0.3Bi0.7F2.4和C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料的全光譜圖可見,譜圖中有明顯的Bi 4f、F 1s、C 1s、O 1s 的衍射峰,說明二者的主要是由Bi、F、C 和O 元素構(gòu)成。從圖7 中C 1s 的高分辨率XPS 光譜可見,在284.7、286.0 和287.8 eV 處有3 個主峰,分別屬于C═C、C—N 和C═O 基團;與K0.3Bi0.7F2.4相比,C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料中C—N 峰面積增加,并出現(xiàn)了新的C═O 基團,表明C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料中存在C-CDs。從圖7 中O 1s 高分辨率XPS 光譜可見,在529.7、530.8 和531.8 eV 處有3 個主峰,分別 屬 于C ═O、O ═C—O 和C—OH 基 團;在C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料中,由于C-CDs表面存在羧基官能團,這促進(jìn)了C═O 基團比例的增加,表明C-CDs 在K0.3Bi0.7F2.4表面成功修飾。
從紫外吸收光譜可知C-CDs 在300—400 nm的寬吸收帶歸屬于C ═O 鍵,并且吸收帶位置與C-CDs 溶 液 位 于420 nm 的 寬 激 發(fā) 峰(350—450 nm)部分重合。綜合上述結(jié)果與分析,C-CDs 的發(fā)光主要來自于表面態(tài)發(fā)光[23]。此外,K0.3Bi0.7F2.4顏色為白色且無熒光,而所制備的C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4的顏色為米黃色且發(fā)射出555 nm 的黃色熒光。這是因為C-CDs 表面富含羧基官能團導(dǎo)致C-CDs 表面帶有負(fù)電荷[24-25],可以通過靜電相互作用吸引基質(zhì)中Bi3+離子。因此,C-CDs 的表面必然發(fā)生變化,從而影響C-CDs 表面電子結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致能隙減小,吸收帶紅移。
熒光粉在高溫下的發(fā)光穩(wěn)定性,通常被認(rèn)為是評價其應(yīng)用潛力的重要標(biāo)準(zhǔn)。基于上述分析,進(jìn)一步測量了在λex=450 nm 激發(fā)下C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料的熱穩(wěn)定性,結(jié)果如圖8 所示。從圖8中的隨溫度變化的發(fā)射光譜可見,當(dāng)溫度從25 ℃升高到125 ℃時,C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料的發(fā)射峰曲線形狀和峰位基本保持不變,表明隨著溫度的升高C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料的發(fā)射中心沒有受到破壞,由于無輻射躍遷增加,導(dǎo)致發(fā)射強度降低。從圖8 中不同溫度下歸一化熒光強度圖譜可見,C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料的熒光強度在125 ℃下還能保持初始強度的55%。相比于C-CDs 溶 液 在 高 溫 下 熒 光 猝 滅 而 言 ,C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料具有較好的熱穩(wěn)定性。
圖8 不同溫度下C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料的熱穩(wěn)定性Figure 8 Thermal stability of C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4 nanocomposites at different temperatures
采用一種簡單快速的共沉淀方法,制備出了基于C-CDs的長波長固態(tài)發(fā)光材料,C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4為發(fā)射波長位于555 nm 的黃色熒光納米復(fù)合材料,其可有效抑制C-CDs 的聚集誘導(dǎo)熒光猝滅。C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4的發(fā)射波長與C-CDs 溶液波長相比發(fā)生了紅移,紅移的原因是引入Bi3+離子后C-CDs 的表面狀態(tài)可產(chǎn)生新的黃色發(fā)射?;诨瘜W(xué)成分和結(jié)構(gòu)分析,證明了C-CDs 成功地修飾在K0.3Bi0.7F2.4納米粒子上。此外,C-CDs@K0.3Bi0.7F2.4納米復(fù)合材料具有溫度依賴性的黃色發(fā)射行為,表明納米復(fù)合材料具有較好的熱穩(wěn)定性。