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        環(huán)氧絕緣材料電氣及機(jī)械性能對(duì)電痕特性的影響

        2022-08-25 12:01:08呼翔宇
        合成材料老化與應(yīng)用 2022年4期
        關(guān)鍵詞:二氧化硅

        金 巖,劉 晶,呼翔宇

        (國網(wǎng)天津市電力公司檢修公司,天津 300230)

        在電氣設(shè)備服務(wù)社會(huì)的過程中,絕緣材料無疑是至關(guān)重要的一環(huán),關(guān)乎人民安全。研究表明,自20 世紀(jì)末電力首次開始流入商業(yè)市場(chǎng)中,在電氣設(shè)備開始快速發(fā)展的同時(shí),絕緣材料也進(jìn)入了高速發(fā)展的軌道,環(huán)氧樹脂憑借其高強(qiáng)度、良好的隔熱能力和優(yōu)異的介電性能成為廣泛應(yīng)用的絕緣材料[1]。到目前為止,絕緣材料的失效仍然是導(dǎo)致電氣設(shè)備損壞的主要原因,而除去自然老化和機(jī)械損傷破壞絕緣完整性外,沖擊電壓的累積也是造成絕緣材料的失效的常見原因之一[2-3]。當(dāng)環(huán)氧樹脂表面存在環(huán)境因素導(dǎo)致的潮濕、污穢等表面附著,隨著沖擊電壓累積到一定程度時(shí),表面將會(huì)有漏電電流,由于這種情況下漏電電流路徑電阻很大,產(chǎn)生的焦耳熱使表面水分快速蒸發(fā),正在干燥帶形成的瞬間液膜的電阻迅速減小,強(qiáng)放電和高溫使材料表面碳化,最終形成短路的現(xiàn)象,稱“電痕破壞”[4]。杜伯學(xué)等在研究中指出,材料表面放電高溫形成碳化導(dǎo)電通道是電氣設(shè)備發(fā)生絕緣破壞的主要原因[5]。

        對(duì)于環(huán)氧樹脂類聚合物材料而言,在電痕破壞過程中材料絕大部分分解為氣體,由于材料表面碳化通路難以形成,不易發(fā)生絕緣性能失效。然而一旦環(huán)氧樹脂發(fā)生完全的絕緣破壞,那就代表材料完全失去絕緣性能[6]。研究表明,材料的耐電痕特性受到多種因素的影響,環(huán)境因素[7-8]和材料結(jié)構(gòu)[9-10]、性能[11]都對(duì)其有著較大的影響。

        本文采用斜板電痕法(IEC 60587-1984) 來測(cè)定不同二氧化硅添加量下環(huán)氧樹脂的耐電痕性。并且對(duì)材料的電氣性能和機(jī)械性能進(jìn)行了測(cè)試,通過對(duì)比研究其對(duì)耐電痕特性的影響。

        1 實(shí)驗(yàn)材料與方法

        1.1 實(shí)驗(yàn)材料

        選用東南化工廠生產(chǎn)的雙酚A 環(huán)氧樹脂和增韌固化劑,商用微米級(jí)二氧化硅(SiO2)。二氧化硅的摻雜量選取質(zhì)量分?jǐn)?shù)為55%、65% 和75% 三種含量。為使二氧化硅在環(huán)氧樹脂中均勻分布,在分散步驟之前利用二甲基二氯硅烷(C2H6Cl2Si) 對(duì)SiO2進(jìn)行改性處理。使用超聲儀將二氧化硅和環(huán)氧樹脂進(jìn)行均勻分散后加入固化劑持續(xù)超聲40min,40℃恒溫處理24h 后制備得到環(huán)氧樹脂材料。

        1.2 實(shí)驗(yàn)方法

        采用斜板電痕測(cè)試儀,按IEC 60587-1984 對(duì)環(huán)氧樹脂進(jìn)行耐電痕測(cè)試,并統(tǒng)計(jì)材料的擊穿時(shí)間,實(shí)驗(yàn)電壓為2.5kV,樣品尺寸為340mm×340mm×5mm,使用深度尺對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)束后的電痕深度進(jìn)行測(cè)量。

        環(huán)氧樹脂的電氣性能按GB/T 1408-2006 進(jìn)行測(cè)試;體積電阻率按GB/T 1410-2006 進(jìn)行測(cè)試;根據(jù)GB/T 1040-2008、GB/T 9341-2008 對(duì)材料進(jìn)行力學(xué)性能測(cè)試,拉伸速率為5mm/min,彎曲強(qiáng)度實(shí)驗(yàn)速率為2mm/min,試樣尺寸為80mm×10mm×4mm。所有測(cè)試均使用5 個(gè)平行試樣以消除偶然性誤差。

        2 耐電痕測(cè)試結(jié)果與分析

        施加電壓后,三種摻加不同含量二氧化硅的環(huán)氧樹脂的電痕時(shí)間見表1。

        表1 不同二氧化硅摻雜下環(huán)氧樹脂電痕時(shí)間(h)Table 1 Electric tracing time of epoxy resin with different silica doping

        從表1 數(shù)據(jù)可以得到,隨著二氧化硅摻雜量的升高,電痕時(shí)間呈現(xiàn)明顯下降的趨勢(shì)。在55% 的二氧化硅摻加量下的環(huán)氧樹脂的電痕時(shí)間均在7h 以上,多數(shù)達(dá)到7.5h,耐電痕性能十分優(yōu)異。而隨著二氧化硅含量的增加至75%,電痕時(shí)間均在半小時(shí)以內(nèi),最快甚至在12min 內(nèi)出現(xiàn)電痕。這意味著更高二氧化硅的添加量對(duì)環(huán)氧樹脂的耐電痕性能有著反向的作用,55% 二氧化硅摻加量對(duì)抑制材料表面電痕破壞效果最佳。然而,根據(jù)郭燕霞[12]的研究中提出,材料的電痕破壞不僅與泄露電流的時(shí)間相關(guān),絕緣材料表面產(chǎn)生泄露電流的大小也十分重要。在本次測(cè)試中,持續(xù)通入2.5kV 的高電壓,不同二氧化硅摻雜下的環(huán)氧樹脂材料呈現(xiàn)出不同的電痕時(shí)間,這意味著二氧化硅的摻加改變了環(huán)氧樹脂表面的電導(dǎo)率。

        除了電痕時(shí)間,材料在電痕破壞后的蝕痕深度同樣是評(píng)價(jià)材料耐電痕性能的重要參數(shù),對(duì)各個(gè)試樣的電痕蝕痕深度進(jìn)行統(tǒng)計(jì),結(jié)果見表 2。

        表2 不同二氧化硅摻雜下環(huán)氧樹脂電痕蝕痕深度(cm)Table 2 Electric tracing depth of epoxy resin with different silica doping amounts

        從表2 中可得,環(huán)氧蝕痕深度隨著二氧化硅摻加量的增加而減小,蝕痕深度的降低代表試樣較小的電痕時(shí)間,這也符合我們從表1 中得到的結(jié)論。

        值得注意的是,電痕破壞中材料表面殘留的液體是十分重要的影響因素。對(duì)于親水材料而言,溶液易附著在材料表面,電痕破壞的起始電壓較低,相同電壓下放電的起始時(shí)間較小,為電痕破壞提供條件,反之憎水材料不易附著溶液,電痕破壞的起始電壓較高,相同電壓下放電的起始時(shí)間較大,產(chǎn)生的放電火花懸浮高度越大越高,放電對(duì)材料表面碳化的影響越小,電痕破壞較為困難。因此,采用費(fèi)爾伯恩接觸角測(cè)試儀對(duì)三種不同摻加SiO2含量的環(huán)氧樹脂材料進(jìn)行測(cè)試,實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖1所示。從圖1 可以看到,隨著二氧化硅摻加量從55% 增加到65%,接觸角只有略微的升高,而摻加量達(dá)到75%時(shí),接觸角從109.6° 升高到135.1°,這可能是二氧化硅的添加量過大導(dǎo)致表面粗糙度大幅度升高引起的??傮w而言環(huán)氧樹脂呈現(xiàn)憎水性,滿足絕緣材料的設(shè)計(jì)需求。

        圖1 不同二氧化硅摻雜量下環(huán)氧樹脂材料的接觸角Fig. 1 Contact angle of epoxy resin materials with different silica doping amounts

        3 環(huán)氧樹脂材料電氣性能

        不同二氧化硅添加量的環(huán)氧材料的體積電阻率、表面電阻率和介電強(qiáng)度的測(cè)試結(jié)果見表3。

        表3 不同二氧化硅摻雜下環(huán)氧樹脂的電氣性能Table 3 Electrical properties of epoxy resin with different silica doping amounts

        從表3 可以得到,不同含量二氧化硅的環(huán)氧樹脂體積電阻率和表面電阻率都較大,介電強(qiáng)度隨二氧化硅含量的增加而降低,二氧化硅含量對(duì)環(huán)氧樹脂的電氣性能影響不大。但研究表明,體積電阻率和材料表面集聚電荷的遷移速率和體電流密度相關(guān),體積電阻率的增大代表電荷沿內(nèi)部消散時(shí)間的延長(zhǎng),而表面電阻率越小則代表表面電荷積聚后的消散速度越快,即一定程度上增加閃絡(luò)的風(fēng)險(xiǎn),因此為提高材料的耐電痕性能,應(yīng)該降低材料體積電阻,增大材料表面電阻率。

        4 環(huán)氧樹脂材料機(jī)械性能

        環(huán)氧樹脂絕緣材料的機(jī)械性能測(cè)試包括沖擊強(qiáng)度、彎曲強(qiáng)度以及拉伸強(qiáng)度,為消除偶然誤差,取5 組平行試樣的平均值,實(shí)驗(yàn)結(jié)果見表4。

        表4 不同二氧化硅摻雜下環(huán)氧樹脂的機(jī)械性能Table 4 Mechanical properties of epoxy resin with different silica doping amounts

        從表4 可以看出,環(huán)氧樹脂材料的沖擊強(qiáng)度和拉伸強(qiáng)度都是隨著微米二氧化硅添加含量的增加而正相關(guān)的,然而材料的彎曲強(qiáng)度卻隨著二氧化硅含量的增加出現(xiàn)先減小后增加的V 字型關(guān)系。結(jié)合電痕破壞實(shí)驗(yàn)來看,材料機(jī)械性能的提高反而降低了材料的耐電痕特性。而根據(jù)Chandrasekar[13]對(duì)硅橡膠材料拉伸強(qiáng)度與電痕破壞的研究表明,拉伸強(qiáng)度的提高可以延長(zhǎng)材料的電痕時(shí)間,這與我們的研究結(jié)論是不對(duì)應(yīng)的,這代表對(duì)于不同的材料而言,機(jī)械性能與電痕破壞的關(guān)系是不同的,兩者之間并沒有必然的聯(lián)系,需要對(duì)不同的材料進(jìn)行特定的實(shí)驗(yàn)來了解材料的耐電痕特性。

        5 結(jié)論

        二氧化硅摻雜量對(duì)環(huán)氧材料的接觸角影響較小,但總體呈現(xiàn)出較好的憎水性,滿足設(shè)計(jì)需求;環(huán)氧材料的沖擊強(qiáng)度和拉伸強(qiáng)度都隨二氧化硅摻量的增加而正相關(guān)升高,然而彎曲強(qiáng)度則是65% 摻量時(shí)為極小值;表面電阻率和體積電阻率對(duì)電痕破壞的影響較高,為提高材料的耐電痕性能,應(yīng)該降低材料體積電阻率,增大材料表面電阻率。

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