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        基于Icepak的電網(wǎng)保護(hù)裝置熱設(shè)計(jì)研究

        2022-08-18 08:12:26周輝鄭立亮沈敏夏雨甘云華周華良王新春
        機(jī)械制造與自動(dòng)化 2022年4期
        關(guān)鍵詞:功能模塊設(shè)計(jì)

        周輝,鄭立亮,沈敏,夏雨,甘云華,周華良,3,王新春

        (1. 南瑞集團(tuán)(國網(wǎng)電力科學(xué)研究院)有限公司,江蘇 南京 211106;2. 國電南瑞科技股份有限公司,江蘇 南京 211106;3. 智能電網(wǎng)保護(hù)與運(yùn)行控制國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,江蘇 南京 211106)

        0 引言

        自主可靠、可控、安全穩(wěn)定運(yùn)行是智能電網(wǎng)的發(fā)展趨勢,近期貿(mào)易爭端進(jìn)一步推動(dòng)了電力行業(yè)芯片與器件的國產(chǎn)化進(jìn)程。然而在實(shí)際應(yīng)用中,國產(chǎn)芯片在功耗與熱穩(wěn)定性方面與進(jìn)口芯片都存在較大差距,但裝置內(nèi)部元器件的功率密度卻在提升。電子設(shè)備工作時(shí),功率損失一般都會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能。據(jù)統(tǒng)計(jì),55%的失效故障都是因溫度超過規(guī)定值而導(dǎo)致,且失效率隨溫度增加呈指數(shù)增長趨勢[1]。因此,為保證設(shè)備長期、穩(wěn)定地運(yùn)行,熱設(shè)計(jì)是必不可少的環(huán)節(jié),科學(xué)合理的熱設(shè)計(jì)方法至關(guān)重要[2]。

        某型采用國產(chǎn)元器件的電網(wǎng)保護(hù)裝置,因工作環(huán)境嚴(yán)酷、性能指標(biāo)嚴(yán)格,加上密封的箱體結(jié)構(gòu),其熱設(shè)計(jì)的難度較大。如何選用合理有效的散熱方式與散熱結(jié)構(gòu),確保國產(chǎn)元器件在極限溫度下按預(yù)定參數(shù)正常、可靠地工作是本文研究的重點(diǎn)。

        1 裝置結(jié)構(gòu)與熱設(shè)計(jì)

        1.1 整體結(jié)構(gòu)與熱設(shè)計(jì)參數(shù)

        裝置外形尺寸為442mm×292mm×175mm,采用插件式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),整體封閉。外殼選用鋁合金板料,用螺栓連接。內(nèi)部由背板分隔成前艙與后艙,前艙用于操作面板與液晶模塊的信號(hào)接入,后艙通過導(dǎo)軌安裝DSP、CPU與SV-TX等功能模塊插件,各功能模塊插件上按需配置散熱器,并通過無源背板實(shí)現(xiàn)電氣互聯(lián),整體結(jié)構(gòu)如圖1所示。

        圖1 裝置整體結(jié)構(gòu)爆炸圖

        裝置要求在-40℃~70℃的環(huán)境溫度下無間斷工作。從機(jī)箱背視圖看,各功能模塊插件的規(guī)劃位置見圖2。其中DC模塊熱耗8W,BI模塊、AI 模塊、BO模塊熱耗均為1W,SV-TX模塊、DSP模塊、CPU模塊熱耗由印制板、芯片與光模塊熱耗相加構(gòu)成,裝置總熱耗約40W。其主要發(fā)熱芯片的熱耗與最高允許溫度見表1。

        圖2 裝置功能模塊插件規(guī)劃布局

        表1 主要發(fā)熱芯片熱設(shè)計(jì)參數(shù)

        1.2 冷卻方式選擇

        冷卻方式的選擇直接影響到裝置的組裝設(shè)計(jì)、可靠性與成本。自然冷卻(導(dǎo)熱、自然對(duì)流和輻射換熱的單獨(dú)作用或兩種以上換熱形式的組合)設(shè)計(jì)簡單、可靠性高,成本低,而且不需要冷卻劑驅(qū)動(dòng)裝置,避免了因機(jī)械磨損或故障影響系統(tǒng)可靠性的弊病[3]。在滿足電氣性能與可靠性指標(biāo)的前提下,裝置優(yōu)先考慮自然冷卻的散熱方式。

        根據(jù)傳熱學(xué)模型,密閉結(jié)構(gòu)的裝置機(jī)箱主要通過與周圍空氣的對(duì)流和向空間的輻射來散熱,其總散熱量的計(jì)算公式為[4]

        (1)

        式中:Φ為密閉結(jié)構(gòu)的裝置機(jī)箱總散熱量,W;As為機(jī)箱的側(cè)面面積,m2;At為機(jī)箱的頂面面積,m2;Ab為機(jī)箱的底面面積,m2;Ar表示參與輻射的機(jī)箱表面積,m2;ΔT為箱體表面相對(duì)于環(huán)境的溫升,K;σ為箱體輻射常數(shù),約5.67×10-8W/(m2·K4);ε為箱體表面平均發(fā)射率,取ε=0.86;Tm=(Ts+Ta)/2,其中Ts為裝置機(jī)箱表面平均熱力學(xué)溫度,K;Ta為環(huán)境熱力學(xué)溫度,K。

        由于裝置表面溫度的升高會(huì)影響操作環(huán)境的舒適性,根據(jù)研制規(guī)范要求,箱體表面相對(duì)于環(huán)境的溫升應(yīng)不超過10K[5]。取ΔT=10K,Ts=348K,Ta=343K,Tm=345.5K。Ar=As+At+Ab,As=0.257m2,At=0.129m2,Ab=0.129m2,Ar=0.515m2。

        按公式(1)計(jì)算:Φ=58.5W>40W,即自然冷卻方式下的裝置總散熱量大于內(nèi)部各模塊插件的總熱耗。

        1.3 熱設(shè)計(jì)

        上述計(jì)算確認(rèn)了裝置自然冷卻的散熱方式,但設(shè)備仍可能存在局部過熱問題,尤其是在70℃極限溫度下持續(xù)工作一段時(shí)間后,芯片溫度可能超過最高允許溫度,影響設(shè)備的性能與可靠性[5]。為此,對(duì)該型電網(wǎng)保護(hù)裝置重點(diǎn)考慮了以下零組件的散熱設(shè)計(jì)。

        1)印制板與元器件的散熱

        通過增加印制板覆銅層厚度、層數(shù)、覆銅面積、加寬印制線寬度、增加熱過孔等措施,提高其導(dǎo)熱性能[6]。在滿足性能參數(shù)的前提下,優(yōu)先選用熱耗較小、結(jié)溫高、熱阻低和耐溫性好的工業(yè)級(jí)器件。將熱耗大的元器件位置均勻分散,熱敏感元器件遠(yuǎn)離熱源或?qū)⑵涓綦x。此外,器件的位置與排列應(yīng)便于散熱結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與安裝。

        2)散熱器結(jié)構(gòu)形式的選擇

        根據(jù)設(shè)備研制規(guī)范,當(dāng)印制板上元器件的熱流密度超過0.4W/cm2時(shí)應(yīng)采取適當(dāng)措施,將熱量有效地傳導(dǎo)到熱沉上。對(duì)于功率管器件,選擇插裝式散熱器,與功率管組裝后焊接在印制板上。對(duì)于國產(chǎn)高功耗的CPU、FPGA芯片,選擇型材散熱器,用螺釘方式固定。使用導(dǎo)熱硅脂或?qū)嵋r墊填充散熱器與芯片的間隙,并保證足夠接觸壓力,減小接觸熱阻。

        3)裝置機(jī)箱的設(shè)計(jì)

        選擇機(jī)械強(qiáng)度高、導(dǎo)熱性好的鋁合金6063作為裝置箱體材料,對(duì)箱體與散熱器表面做導(dǎo)電氧化處理。在裝置內(nèi)部采用插頭、插座連接各模塊印制板,減少連接電纜,便于空氣流通,避免熱量在機(jī)箱內(nèi)部循環(huán)。在箱體兩側(cè)壁安裝防水透氣閥,平衡內(nèi)外氣壓,利于設(shè)備的散熱[7]。

        2 熱仿真與改進(jìn)

        Icepak是一款基于有限元法,針對(duì)電子產(chǎn)品的熱仿真軟件,且集幾何建模、網(wǎng)格生成、求解和后處理功能為一體。器件級(jí)、印制板級(jí)與系統(tǒng)級(jí)的散熱問題都可以利用Icepak進(jìn)行仿真計(jì)算,該軟件廣泛應(yīng)用于電力電子、通信、航空航天等領(lǐng)域[8-9]。

        2.1 模型簡化與仿真參數(shù)設(shè)置

        對(duì)物理模型進(jìn)行簡化可以提高仿真效率,更有針對(duì)性地分析問題。通過移除面板與插件的連接器,去除倒角、圓角特征,刪除與仿真無關(guān)的零組件,將發(fā)熱量小的功能模塊熱耗均化后建立板級(jí)模型,將發(fā)熱量大且芯片熱流密度高的功能模塊建立芯片級(jí)模型等措施,建立如圖3所示的熱仿真簡化模型,并為各功能模塊建立Assemblies裝配體,設(shè)定網(wǎng)格邊界。

        圖3 簡化后的裝置熱仿真模型

        其他主要仿真參數(shù)設(shè)置如下:

        求解類型:穩(wěn)態(tài);

        環(huán)境溫度:70℃(裝置允許的最高環(huán)境溫度);

        流態(tài):湍流;

        環(huán)境壓力:101325 Pa;

        輻射模型:Ray tracing光線追蹤輻射換熱模型;

        網(wǎng)格類型:Mesher-HD,非連續(xù)性網(wǎng)格。

        2.2 仿真計(jì)算結(jié)果與分析

        求解得到環(huán)境溫度70℃時(shí)機(jī)箱達(dá)到熱穩(wěn)態(tài)時(shí)的溫度分布,圖4為裝置截面溫度云圖。結(jié)果顯示,熱量主要集中在箱體內(nèi)部DSP與CPU功能模塊區(qū)域,其中DSP模塊CPU芯片A結(jié)溫119.7℃,F(xiàn)PGA芯片A結(jié)溫113.3℃,F(xiàn)PGA芯片B結(jié)溫113.7℃,CPU模塊CPU芯片B結(jié)溫120.9℃,F(xiàn)PGA芯片C結(jié)溫113.8℃,F(xiàn)PGA芯片D結(jié)溫114.1℃,均已超過其最高允許溫度。因此,需要進(jìn)行散熱結(jié)構(gòu)改進(jìn),將溫度控制在許用范圍內(nèi),并留有一定的安全余量。

        圖4 裝置截面溫度云圖

        2.3 設(shè)計(jì)改進(jìn)

        根據(jù)熱設(shè)計(jì)原理,提高設(shè)備散熱效率的主要措施有:選用導(dǎo)熱系數(shù)高的材料,擴(kuò)大散熱表面積,增大與環(huán)境的換熱系數(shù),增大物體表面發(fā)射率和減小接觸熱阻等[5]。本裝置擬采取下列改進(jìn)措施。

        1)在硬件資源允許的情況下,將高功耗插件按圖5間隔配置,均衡熱量分布。

        圖5 裝置各功能模塊插件調(diào)整后的布局

        2)在散熱器基板內(nèi)埋入熱管以快速分散熱量,使用導(dǎo)熱系數(shù)高、質(zhì)地柔軟的導(dǎo)熱凝膠填充芯片與散熱器間隙,實(shí)現(xiàn)低內(nèi)應(yīng)力條件下界面熱量傳導(dǎo)[6],如圖6所示。

        圖6 散熱器熱管與導(dǎo)熱凝膠的設(shè)計(jì)

        3)針對(duì)DSP與CPU功能模塊,在滿足裝置防塵等級(jí)前提下,設(shè)計(jì)如圖7所示獨(dú)立風(fēng)道結(jié)構(gòu)。功能模塊按圖中箭頭指示方向,通過印制板導(dǎo)向槽插入裝置機(jī)箱,風(fēng)道蓋板、散熱器、風(fēng)道支架與擋板散熱孔共同構(gòu)成與外部環(huán)境連通的氣流腔體。獨(dú)立風(fēng)道結(jié)構(gòu)增強(qiáng)了自然散熱時(shí)空氣流通速率,提升了高功耗模塊與外部環(huán)境的散熱效率。

        圖7 高功耗模塊的獨(dú)立風(fēng)道散熱結(jié)構(gòu)

        按上述改進(jìn)措施更新仿真模型,重新求解環(huán)境溫度70℃時(shí)機(jī)箱達(dá)到熱穩(wěn)態(tài)時(shí)的溫度分布。圖8為改進(jìn)后裝置截面的溫度云圖;圖9、圖10分別為改進(jìn)后DSP模塊、CPU模塊表面的溫度云圖。表2為改進(jìn)前后關(guān)鍵芯片溫度仿真結(jié)果對(duì)比。

        圖8 改進(jìn)后裝置截面溫度云圖

        圖9 改進(jìn)后DSP功能模塊表面溫度云圖

        圖10 改進(jìn)后CPU功能模塊表面溫度云圖

        表2 改進(jìn)前后關(guān)鍵芯片溫度仿真結(jié)果對(duì)比 單位:℃

        表2對(duì)比結(jié)果顯示,通過設(shè)計(jì)改進(jìn),CPU、FPGA等關(guān)鍵國產(chǎn)芯片最高溫度下降約8℃~11℃,均低于其最高允許溫度,且留有一定安全余量。此外,圖11所示裝置截面的氣流速度云圖也表明,由于采用獨(dú)立風(fēng)道散熱結(jié)構(gòu),風(fēng)道區(qū)域內(nèi)空氣流速增大,對(duì)流換熱效率提高,高功耗芯片的熱量傳遞至散熱器翅片后,能在風(fēng)道結(jié)構(gòu)中被有效帶出至外部環(huán)境。

        圖11 裝置截面獨(dú)立風(fēng)道區(qū)域的氣流速度云圖

        3 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

        為驗(yàn)證熱設(shè)計(jì)及仿真結(jié)果的有效性,按改進(jìn)后的方案制造樣機(jī),裝置主要發(fā)熱芯片的熱耗見表1。在CPU與FPGA芯片正表面固定鉑電阻溫度傳感器,通過機(jī)箱外殼小孔引出,如圖12所示。將裝置放入標(biāo)準(zhǔn)溫度試驗(yàn)箱VC37060,設(shè)置環(huán)境溫度70℃,進(jìn)行高溫運(yùn)行實(shí)驗(yàn)。引出溫度傳感器連接到數(shù)據(jù)采集終端,通過計(jì)算機(jī)讀取、處理后得到關(guān)鍵芯片的結(jié)溫?cái)?shù)據(jù)。

        圖12 裝置高溫運(yùn)行實(shí)驗(yàn)

        設(shè)備開機(jī)正常運(yùn)行8h后,記錄熱平衡時(shí)各關(guān)鍵芯片溫度,見表3。數(shù)據(jù)顯示實(shí)測值比仿真結(jié)果低,偏差在7%之內(nèi)。

        表3 高溫運(yùn)行實(shí)驗(yàn)關(guān)鍵芯片實(shí)測溫度與仿真結(jié)果對(duì)比

        4 結(jié)語

        本文針對(duì)某電網(wǎng)保護(hù)裝置進(jìn)行熱設(shè)計(jì)與相關(guān)仿真分析,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了改進(jìn)方案的有效性,實(shí)現(xiàn)了裝置內(nèi)部關(guān)鍵國產(chǎn)芯片的控溫要求。這種理論計(jì)算與軟件仿真相結(jié)合的設(shè)計(jì)方法,既提高設(shè)計(jì)效率,又降低研發(fā)成本,對(duì)同類型自然散熱條件下的電力電子設(shè)備的熱設(shè)計(jì)具有一定借鑒意義。

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