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        電容式微機(jī)械超聲換能器的電流信號(hào)檢測(cè)電路設(shè)計(jì)*

        2022-07-15 13:11:30何常德孟亞楠盧小星張國(guó)軍張文棟
        傳感器與微系統(tǒng) 2022年7期
        關(guān)鍵詞:峰峰集成化換能器

        黨 榮, 何常德, 孟亞楠, 盧小星, 張國(guó)軍, 張文棟

        (中北大學(xué) 省部共建動(dòng)態(tài)測(cè)試技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山西 太原 030051)

        0 引 言

        超聲換能器在無損檢測(cè)、醫(yī)學(xué)成像、水下聲波探測(cè)等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用,而電容式微機(jī)械超聲換能器(capacitive micromachined ultrasonic transducer,CMUT)因其寬頻帶、易于制造大陣列和與電子系統(tǒng)緊密集成的能力[1~3],而被積極研究用于超聲成像。CMUT本質(zhì)上是一個(gè)平行板電容器,CMUT在接收超聲波信號(hào)時(shí),其表面薄膜振動(dòng),導(dǎo)致CMUT上下極板間距發(fā)生變化,從而產(chǎn)生電容值的改變,但由于CMUT電容值的變化量非常微弱,在皮法(pF)級(jí)別,極易受外界干擾的影響,因此,設(shè)計(jì)一種高增益、低噪聲、寬頻帶的微弱信號(hào)檢測(cè)電路極其重要[4~7]。

        針對(duì)CMUT超聲換能器產(chǎn)生的微弱電信號(hào),提出了一種低噪放大電路結(jié)構(gòu),進(jìn)行了瞬態(tài)及交流特性分析,并通過實(shí)驗(yàn)測(cè)試與仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比,最終確定了電路的最佳性能參數(shù)。目前實(shí)驗(yàn)室中,CMUT與其檢測(cè)電路之間使用電纜進(jìn)行連接,不僅會(huì)引入寄生電容從而影響CMUT的信號(hào),而且測(cè)試過程容易受外界環(huán)境的干擾,因此將該電路與CMUT超聲換能器集成在同一印刷電路板(PCB)基板上,可以避免CMUT超聲換能器連接接收電路時(shí)受電纜等外部條件引入的噪聲影響,提高CMUT換能器的信噪比,使CMUT換能器更加穩(wěn)定的工作。

        超聲探頭和前端接收電路的微型化和智能化的集成應(yīng)用,也是便攜式超聲成像設(shè)備研制與應(yīng)用的關(guān)鍵與難點(diǎn)所在[8]。

        1 CMUT換能器的工作原理

        CMUT超聲換能器通常由多個(gè)敏感單元并聯(lián)構(gòu)成陣元,其單個(gè)敏感單元基本結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示,主要由下電極、硅襯底、絕緣層、真空腔、振動(dòng)薄膜以及上電極構(gòu)成[9]。

        圖1 CMUT換能器結(jié)構(gòu)及工作原理

        CMUT超聲換能器可以實(shí)現(xiàn)聲能和電能的相互轉(zhuǎn)換,因此CMUT換能器有發(fā)射模式和接收模式兩種工作模式。當(dāng)CMUT換能器處于接收模式時(shí),直流偏置電壓施加于其上下電極之間,在接收到外界的超聲波信號(hào)時(shí),CMUT換能器上表面薄膜會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng),其上下極板間距會(huì)發(fā)生變化,導(dǎo)致CMUT換能器的電容值發(fā)生變化,從而產(chǎn)生微弱的電流信號(hào),如圖1(b)所示。CMUT換能器輸出的電流[10]可表示為

        (1)

        式中VDC為施加在CMUT換能器上下兩極板之間的直流偏置電壓;C(t)為CMUT換能器的電容;ε0為真空介電常數(shù);A為振動(dòng)薄膜的面積;?d(t)/?t為CMUT薄膜振動(dòng)的速度,其中,d(t)為在外界聲波作用下CMUT真空腔腔隙的變化量。由式(1)得出,在CMUT自身結(jié)構(gòu)與外界環(huán)境條件不變的情況下,CMUT所能輸出的感應(yīng)電流的大小與直流偏置電壓VDC成正比,因此為了提高CMUT的接收靈敏度,施加的VDC應(yīng)盡可能大。

        2 CMUT換能器微弱信號(hào)檢測(cè)

        2.1 低噪放大電路設(shè)計(jì)

        針對(duì)CMUT換能器在接收超聲波信號(hào)時(shí)產(chǎn)生的微弱電流信號(hào),本文設(shè)計(jì)一種低噪放大電路結(jié)構(gòu),能在引入噪聲極低的同時(shí),將CMUT輸出的微弱電流信號(hào)轉(zhuǎn)換并放大為與之成比例的電壓信號(hào)。

        運(yùn)算放大器的選型對(duì)整體電路的設(shè)計(jì)非常重要,本文選用LMH6624運(yùn)算放大芯片,其擁有高增益帶寬、低輸入電壓噪聲、低輸入偏移電壓、高轉(zhuǎn)換速率、穩(wěn)定的閉環(huán)放大倍數(shù),而且由于其供電最大可以設(shè)置為±6 V,決定了其輸出電壓限幅高于其他的運(yùn)算放大器,CMUT換能器在測(cè)試中受間距、交流驅(qū)動(dòng)影響其信號(hào)的幅值差異很大?;贚MH6624芯片的低噪放大電路能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)CMUT換能器微弱的電流信號(hào)的放大,同時(shí)滿足不同間距下的測(cè)試,不會(huì)出現(xiàn)小間距失真、大間距信號(hào)檢測(cè)困難的情況,是理想的CMUT接收電路。

        根據(jù)負(fù)反饋原理以及歐姆定律可知,低噪放大電路輸出電壓與輸入電流之間的關(guān)系為

        Vo=-Rfi(t)

        (2)

        式中Rf為反饋電阻,i(t)為電路輸入電流,即CMUT換能器輸出電流。

        本文所設(shè)計(jì)的低噪放大電路結(jié)構(gòu)如圖2所示。為了獲得LMH6624芯片的最佳性能,R2應(yīng)不小于25 Ω。并聯(lián)電容器C2是一個(gè)低通濾波器,可將R2的附加噪聲降至最低,也可以用來減少?gòu)碾娫瓷蟼鱽淼脑肼?。電路的帶寬公式?/p>

        (3)

        Cf與Rf分別為反饋電容與反饋電阻,兩者的取值決定了電路的帶寬。電路結(jié)構(gòu)如圖2。

        圖2 電路結(jié)構(gòu)

        在實(shí)際低噪放大電路中,反饋電阻兩端并聯(lián)的反饋電容的作用為引入極點(diǎn),進(jìn)行相位補(bǔ)償,抑制高頻噪聲,防止電路發(fā)生自激振蕩,其大小為皮法級(jí)別,并且從反相輸入端輸入使電路抗干擾能力強(qiáng)。低噪放大電路可將換能器輸出的電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為與其成比例的電壓信號(hào),并且具有寬頻帶和低噪聲特性,能夠滿足CMUT換能器的測(cè)試需求,同時(shí)使輸出信號(hào)的信噪比得到大幅提升。

        利用MULTISIM軟件對(duì)放大電路進(jìn)行瞬態(tài)和交流特性分析。電路輸入幅值為500 μA電流信號(hào),反饋電阻值設(shè)置為300 Ω~1 kΩ,反饋電容值設(shè)為2.2 pF,分析其輸出電壓Vo,表1列出了低噪放大電路的反饋電阻參數(shù)及輸出電壓峰峰值之間的關(guān)系。

        表1 低噪放大電路輸出電壓峰峰值與反饋電阻關(guān)系

        結(jié)合表1中反饋電阻參數(shù)的動(dòng)態(tài)特性,確定低噪放大電路中各元器件參數(shù):R1=R3=100 Ω,R2=100 Ω,C1=C3=10 μF,C2=100 nF,Rf=1 kΩ,Cf=2.2 pF。從圖3中可以看到其增益為80 dB,-3 dB帶寬約為72 MHz,符合理論依據(jù)。

        圖3 低噪放大電路交流仿真

        給電路輸入500 μA/300 kHz的交流電流,瞬態(tài)輸出電壓如圖 4 所示,低噪放大電路輸出信號(hào)峰峰值為1 V,對(duì)輸入電流放大了1 000倍,與仿真結(jié)果具有一致性。

        圖4 低噪放大電路瞬態(tài)仿真

        2.2 CMUT與檢測(cè)電路集成設(shè)計(jì)

        實(shí)驗(yàn)室中的CMUT需要通過導(dǎo)電膠粘貼在PCB上,使CMUT可以進(jìn)行電氣連接,現(xiàn)有的測(cè)試方法中CMUT與檢測(cè)電路一般是兩個(gè)分立的部分,需要通過長(zhǎng)電纜進(jìn)行連接才能實(shí)現(xiàn)CMUT輸出信號(hào)的檢測(cè)與放大,由于CMUT輸出電容值的變化量只有幾到幾十皮法,將CMUT連接到檢測(cè)電路的長(zhǎng)電纜增加了顯著的寄生電容,會(huì)嚴(yán)重降低CMUT的信號(hào),引入噪聲,從而降低成像質(zhì)量。

        因此,將CMUT換能器的信號(hào)輸出端直接引至低噪放大電路輸入端,使CMUT換能器與其檢測(cè)電路集成在同一PCB基板上,從而避免外接電纜,這樣做能夠有效降低寄生參數(shù)對(duì)CMUT接收信號(hào)的信噪比的影響,并且使CMUT與檢測(cè)電路連接更加緊密,功耗更低,有利于提高基于CMUT的超聲成像系統(tǒng)的便攜性。設(shè)計(jì)出的實(shí)物如圖5所示,由雙層板構(gòu)成,面積為3.8 cm2,頂層是低噪放大電路,底層是CMUT換能器,信號(hào)間的傳遞通過板內(nèi)過孔及引線實(shí)現(xiàn)。

        圖5 集成化CMUT換能器實(shí)物

        3 測(cè)試結(jié)果與分析

        3.1 電路性能測(cè)試

        對(duì)低噪放大電路的幅頻特性以及線性度進(jìn)行測(cè)試,利用信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生峰峰值為100 mV的交流電壓信號(hào),改變交流信號(hào)輸入頻率從10 kHz至30 MHz,記錄其輸出電壓信號(hào)。圖6為檢測(cè)電路的幅頻特性曲線。

        圖6 低噪放大電路頻率響應(yīng)實(shí)測(cè)曲線

        由圖6可以看出,輸入頻率為10 kHz~10 MHz時(shí),低噪放大電路都具有較為穩(wěn)定的性能,滿足實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)的CMUT換能器的寬頻帶檢測(cè)需求。測(cè)試結(jié)果表明:低噪放大電路的-3 dB帶寬為26 MHz,輸入頻率為10~30 MHz時(shí),電路增益平穩(wěn)下降。

        利用信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生頻率為0.1,1,5,10 MHz的信號(hào),將交流輸入電壓范圍設(shè)置為50~750 mV,步進(jìn)為50 mV,記錄低噪放大電路的輸出電壓信號(hào),圖7為電路在不同頻率下輸出電壓信號(hào)與輸入信號(hào)的關(guān)系。

        圖7 不同頻率下輸出電壓與輸入信號(hào)關(guān)系

        根據(jù)圖7經(jīng)過計(jì)算可以得出此放大電路在0.1,1,5,10 MHz下殘差平方和分別為0.015 2,0.017 01,0.013 23,0.012 56,相關(guān)系數(shù)分別為99.995 %,99.994 %,99.998 %,99.997 %,都具有良好的線性度,輸出電壓在0~10 V范圍內(nèi)都能維持良好的穩(wěn)定性而不失真,更有利于CMUT換能器輸出信號(hào)的可靠檢測(cè)。

        3.2 集成化CMUT換能器實(shí)驗(yàn)結(jié)果

        3.2.1 超聲波信號(hào)接收測(cè)試

        本實(shí)驗(yàn)在硅油中利用一個(gè)CMUT換能器(見圖8(a))作為發(fā)射端,一個(gè)集成了前端接收電路的CMUT超聲換能器(見圖5(b))作為接收端,兩個(gè)CMUT超聲換能器的型號(hào)相同,測(cè)試間距為10 cm。整體測(cè)試系統(tǒng)如圖8(b)所示。

        圖8 CMUT換能器與測(cè)試系統(tǒng)示意

        利用信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生5個(gè)峰峰值為20 V的正弦脈沖交流信號(hào),將其施加在發(fā)射端CMUT換能器的上電極,將20 V直流電壓分別施加在發(fā)射端和接收端CMUT換能器的下電極,為兩個(gè)換能器提供直流偏置電壓。

        集成化CMUT換能器的接收信號(hào)曲線如圖9所示,將接收信號(hào)局部放大可以看出,接收信號(hào)為1.89 V,具有良好的均勻性和一致性,而噪聲為11.8 mV,根據(jù)信噪比計(jì)算公式可得,信噪比為50.62 dB。

        圖9 集成化CMUT換能器輸出信號(hào)

        3.2.2 線性度測(cè)試

        將發(fā)射端CMUT 換能器與接收端集成化CMUT換能器固定在硅油中相距10 cm處并使其中心對(duì)準(zhǔn)。同樣施加20 V的直流偏置電壓,通過改變交流驅(qū)動(dòng)信號(hào)峰峰值從10 V增加到20 V,步進(jìn)為1 V。

        由圖10可以發(fā)現(xiàn),在驅(qū)動(dòng)信號(hào)頻率為1,2,3 MHz下,輸出電壓峰峰值均隨著交流驅(qū)動(dòng)信號(hào)的增大而線性增大,經(jīng)過計(jì)算,集成化CMUT換能器在1,2,3 MHz頻率下,線性度分別為-0.505 %,1.612 %,2.658 %,具有良好的線性度。

        圖10 集成化CMUT換能器輸出電壓與輸入信號(hào)關(guān)系

        3.2.3 帶寬測(cè)試

        本文通過掃頻法對(duì)CMUT換能器的帶寬進(jìn)行測(cè)試,利用信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生5個(gè)峰峰值為20 V的正弦脈沖交流信號(hào),將其施加在發(fā)射端CMUT換能器的上電極,將20 V直流電壓分別施加在發(fā)射端和接收端CMUT換能器的下電極,為兩個(gè)換能器提供直流偏置電壓。設(shè)置輸入頻率為0.8~3.5 MHz,對(duì)接收端集成后的CMUT換能器信號(hào)進(jìn)行檢測(cè),測(cè)試結(jié)果表明CMUT換能器的中心頻率約為2.02 MHz,6 dB帶寬范圍約為0.99~3.05 MHz,相對(duì)帶寬(FBW)為101.98 %,與CMUT換能器本身帶寬一致。集成化CMUT換能器掃頻測(cè)試結(jié)果如圖11所示。

        圖11 集成化CMUT換能器掃頻結(jié)果

        4 結(jié)束語(yǔ)

        本文對(duì)所設(shè)計(jì)的低噪放大電路進(jìn)行了交流及瞬態(tài)仿真分析,并對(duì)電路性能進(jìn)行了測(cè)試,并將該電路與CMUT換能器集成在同一PCB基板上,以減小CMUT與其檢測(cè)電路之間連接線引入的寄生參數(shù)影響,進(jìn)行了超聲波信號(hào)檢測(cè)實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:低噪放大電路具有良好的線性度與帶寬特性,能實(shí)現(xiàn)對(duì)CMUT換能器微弱輸出信號(hào)的檢測(cè)與放大,而集成后的CMUT換能器信噪比為50.62 dB,在1,2,3 MHz頻率下的線性度分別為-0.505 %,1.612 %,2.658 %,相對(duì)帶寬(FBW)為101.98 %,完美地展現(xiàn)了CMUT換能器的性能,并且具有體積小、一體化程度高等優(yōu)勢(shì),對(duì)基于CMUT換能器的超聲成像系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)具有重要意義。

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