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        PVDF沖擊傳感器動態(tài)特性研究

        2022-07-15 13:11:24李玉欣葛江亞
        傳感器與微系統(tǒng) 2022年7期

        錢 力, 李玉欣, 孫 權, 葛江亞

        (1.中國航天員科研訓練中心,北京 100095;2.中國電子科技集團公司第四十九研究所,黑龍江 哈爾濱 150028)

        0 引 言

        聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride,PVDF)是日本學者河合平司在20世紀60年代末提出的一種新型壓電材料[1],并預計其具有巨大的應用價值,由于此高分子聚合物材料在高壓極化處理后會產生壓電效應。隨著各國增大了研究力度,加快了PVDF壓電薄膜材料的研發(fā)。PVDF壓電傳感器在國外市場已實現(xiàn)標準商品[2,3],由于國外PVDF壓電薄膜材料的研發(fā)起步早,在理論和工程等領域均取得顯著成果。國內主要是跟蹤國外研發(fā),導致研究成果相對落后于國外,目前國內僅有少數(shù)單位可生產PVDF壓電薄膜材料,此外,加工工藝不過關導致PVDF壓電薄膜的批次一致性較差,使得與國外產品還是存在較大的差距。

        由于任意厚度(幾微米至幾百微米)的PVDF壓電薄膜在拉伸極化后都能產生壓電特性,采用此薄膜制成的PVDF傳感器具有比傳統(tǒng)壓電材料更杰出的特性,如壓電轉換靈敏度高、測量量程大(0~20 GPa)、響應時間短、頻率響應范圍寬、機械強度高等,目前在力學、測量、光學、醫(yī)療、工業(yè)自動化、交通運輸、海洋與地質勘探等領域均有廣泛的應用[4]。

        本文對自制PVDF沖擊傳感器進行了較為系統(tǒng)的動態(tài)標定試驗。采用分離式Hopkinson桿裝置[5,6](一種基于一維應力波的試驗裝置)進行動態(tài)壓力(不超過300 MPa)的標定試驗。

        1 傳感器原理與實驗方法

        1.1 PVDF工作原理

        PVDF壓電薄膜在受到外部壓力作用時會產生電壓信號;而在外部壓力卸去時還會產生反相的電壓信號。此時的壓電方程[7]為

        D=dσ+εTE

        (1)

        式中σ為壓力矩陣,σ=[σxx,σyy,σzz,σyz,σzx,σxx,σxy]T;D為面電荷密度矩陣,D=[Dx,Dy,Dz]T;ε為介電常數(shù)矩陣;E為電場強度;d為壓電常數(shù)矩陣。

        若電場E=0,當z軸為主要受力方向時,非受力方向的壓電常數(shù)可忽略,因其比受力方向的壓電常數(shù)小于1個數(shù)量級,因此,在電極面的電位移D3為

        D3=d33σzz

        (2)

        PVDF壓電效應產生的電荷Q為

        Q=D3A=Ad33σzz

        (3)

        式中A為薄膜的有效敏感面積;d33為主要受力方向的壓電常數(shù);σzz為薄膜主要受力方向的壓力值。式(3)表明,薄膜輸出電荷量與受到的壓力值成正比。因此利用該特性可制備出PVDF沖擊傳感器。

        1.2 傳感器制作

        本文制作的PVDF沖擊傳感器(如圖1(a)所示)經(jīng)過測試其電常數(shù)d33為17 PC/N,傳感器整體厚度為150 μm,PVDF壓電薄膜厚度為9 μm。PVDF薄膜通過高壓電極化完成β晶相趨向一致化制備;通過磁控濺射完成壓電薄膜表面電極制備,其中電極包括鉻層和金層(如圖1(b)所示),壓電薄膜的有效敏感尺寸為3 mm×3 mm;采用半導體劃片工藝完成壓電薄膜的劃片;通過導電環(huán)氧樹脂將敏感膜與兩片聚酰亞胺PI片粘接,完成外電極引出封裝。PVDF沖擊傳感器的結構示意圖如圖1(c)所示。在制備過程中,PVDF壓電薄膜采用半導體劃片技術,提升了薄膜分離的精度,實現(xiàn)更小面積的薄膜劃切,保證了PVDF傳感器的成品率,進而解決了同批次傳感器的一致性的問題。

        圖1 傳感器制作

        1.3 傳感器標定方法

        采用分離式Hopkinson桿對PVDF沖擊傳感器進行動態(tài)測試,氣壓將子彈發(fā)射到傳感器上,采用示波器監(jiān)測傳感器所產生的電荷。傳感器受到的壓力是利用Hopkinson桿自帶的應變片測得的,然后建立傳感器輸出電荷量與加載壓力之間的關系,完成對傳感器的動態(tài)標定,分離式Hopkinson桿裝置示意圖如圖2所示。

        圖2 分離式Hopkinson桿裝置示意

        實驗數(shù)據(jù)處理[8]時先將入射桿和透射桿上的應變片信號換算為壓力值σ(t)

        (4)

        式中Uout為輸出電壓;k為玻爾茲曼常數(shù);Ubridge為電橋電壓;N為有用橋臂數(shù);G為增益。

        本文通過電流模式完成PVDF傳感器測試,如圖3所示。電流模式時,在傳感器兩端并聯(lián)一個負載電阻R,而傳感器可視為一個電容對電阻R進行放電,回路電流反映該時刻電荷對時間導數(shù),通過測量R兩端的電壓V來完成測試[9]。

        圖3 PVDF沖擊傳感器電流模式測量電路

        測得的電壓信號進行時間積分得到電荷量Q(t)為

        (5)

        確定轉移電荷Q和壓力σ后,傳感器靈敏度系數(shù)K為

        K(σ)=Q(t)/Aσ

        (6)

        式中K的單位為pC/N;A為傳感器的有效面積;σ為傳感器所受的壓力。

        2 動態(tài)標定結果與討論

        2.1 動態(tài)標定方法

        本文采用分離式Hopkinson桿進行了PVDF沖擊傳感器的動態(tài)標定(壓力范圍0~200 MPa),以及相近壓力點的一致性測試。所使用的Hopkinson桿的入射桿和透射桿均為硬質桿(鋁合金材質),直徑為14.5 mm,電流模式測試的并聯(lián)電阻為2 kΩ,PVDF沖擊傳感器有效敏感面積為9 mm2;通過調節(jié)子彈撞擊速度,進行不同壓力下的標定測試。圖4(a)為一次實驗測試的原始波形。由式(4)處理得到加載壓力與時間的關系,如圖4(b)所示。由式(5)處理得到傳感器轉移電荷與時間的關系,如圖4(c)所示。通過讀取圖中峰值,可獲得測試的壓力和轉移電荷。

        圖4 動態(tài)標定測試結果

        2.2 傳感器的靈敏度系數(shù)K標定

        動態(tài)標定實驗中壓力載荷控制在0~200 MPa范圍內,隨機挑選PVDF沖擊傳感器進行靈敏度系數(shù)K標定,將測試數(shù)據(jù)進行分析以及線性擬合,得到圖5(a)的分布曲線,從圖5(a)得擬合公式y(tǒng)=272.067x-2 165.79,擬合直線的線相關性度為0.872 05,測量結果近似為線性,但存在部分離散點。

        動態(tài)標定實驗中使用的PVDF沖擊傳感器是從多批次加工產品中隨機挑選的,測量結果中離散點是由制備的批次性誤差導致的。批次性誤差是由于每批薄膜極化溫度、極化時間、磁控濺射時間、濺射背景真空度等因素不同而導致的批次性差異,其會直接影響PVDF傳感器的性能,故PVDF傳感器在使用前應分批次進行標定,避免批次性誤差。但本文傳感器的數(shù)據(jù)整體狀態(tài)趨近于線性,證明PVDF沖擊傳感器的制備方法適用于大批量生產。

        在同批次的PVDF沖擊傳感器中隨機選取10片進行靈敏度系數(shù)K的標定,結果如圖5(b)所示。

        圖5 PVDF沖擊傳感器靈敏度系數(shù)標定

        得到轉移電荷Q與加載壓力σ的線性關系為

        Q=284.309 8σ-1 454.23

        (7)

        線性相關系數(shù)為0.971 79,再結合式(6)得到K=31.59 pC/N。上述結果驗證了在0~200 MPa壓力范圍內同批次的PVDF沖擊傳感器具較高的靈敏度和良好的線性度。

        2.3 傳感器的一致性標定

        在同批次傳感器中隨機選取6片進行標定實驗。由于Hopkinson桿屬于動態(tài)標定,無法實現(xiàn)精確控制壓力,實驗壓力約60 MPa時具有相對穩(wěn)定的壓力輸出,測試數(shù)據(jù)如表1所示。

        表1 一致性測試結果

        分離式Hopkinson桿在標定測試過程中,受到子彈氣壓、撞擊位置、子彈速度等因素影響[10]而使得實驗測試壓力點分布在55~65 MPa范圍內。完成實驗后,計算加載壓力、PVDF沖擊傳感器的靈敏度系數(shù)K,以及誤差概率分析[11]。

        圖6(a)為壓力的正態(tài)分布圖,按照圖6(a)的數(shù)值計算得到壓力的均值為60.08 MPa,壓力的標準差為2.27,壓力95 %置信區(qū)間在58.264~61.902 MPa。圖6(b)為靈敏度系數(shù)K的正態(tài)分布圖,按照圖6(b)中的數(shù)值計算,K的均值為23.3 pC/N,K的標準差為4.26,K的95 %置信區(qū)間為19.88~26.70 pC/N。

        從圖6(a)和圖6(b)中可以得出,靈敏度系數(shù)K的一致性離散度較大。由于測試的PVDF傳感器是同批次的,因此,傳感器的批次差異影響是可以排除的。再分析一致性離散度較大的原因主要包括:

        1)測試設備誤差:Hopkinson桿的壓力載荷的相對標準偏差為2.273 4,造成壓力點復現(xiàn)差異,如圖6(a)所示。

        2)PVDF傳感器的封裝誤差:在封裝過程中敏感膜通過導電膠與兩面的銅箔粘接,導電膠的用量和固化時間會直接影響敏感膜的平整度,這樣在測試時直接導致傳感器表面受壓的不均勻,使得PVDF傳感器測得的壓力與Hopkinson桿施加的壓力存在較大的差異。此外,隨著封裝表面平整的下降,使得傳感器輸出的電荷積分曲線出現(xiàn)波動,進而導致積分面積減少和電荷Q值減小。壓力和電荷均出現(xiàn)相對誤差,導致傳感器靈敏度系數(shù)K的相對標準偏差增大,如圖6(c)所示,PVDF輸出電荷曲線出現(xiàn)遲域波動。

        圖6 PVDF沖擊傳感器一致性標定

        3)PVDF傳感器的安裝誤差:試驗前將PVDF沖擊傳感器安裝固定在Hopkinson桿的入射桿和投射桿之間的墊片上,由于手動操作引入了安裝誤差,進而導致傳感器表面受到的沖擊載荷不一致。試驗中出現(xiàn)引出銅電極被打斷,電荷信號輸出不完全現(xiàn)象,如表1中3號和5號傳感器,由于電荷積分不完全導致Q值變小,使傳感器靈敏度系數(shù)K變小,相對標準偏差增大。圖7(a)為試驗后銅箔引出電極斷裂的PVDF沖擊傳感器。圖7(b)中由于電極斷路電荷信號輸出不完整,缺少下降沿信號,導致計算電荷積分面積較少,有效Q值降低50 %。

        圖7 傳感器受損時結果測試

        3 結 論

        1)標定試驗表明,分離式Hopkinson桿可以準確標定PVDF沖擊傳感器的靈敏度系數(shù),還可以校驗PVDF沖擊傳感器的批次一致性,因此可認為是PVDF沖擊傳感器低壓動態(tài)標定測試理想的試驗裝置。

        2)測試壓力范圍為0~200 MPa,本文研制的PVDF沖擊傳感器,在同批次時線性度和靈敏度均較好,線性相關系數(shù)達到0.971 7,靈敏度系數(shù)為31.59 pC/N。在不同批次時測試數(shù)據(jù)存在偏差較大的問題,主要是由極化溫度、極化時間、電極厚度等制造工藝參數(shù)的差異所導致的。在不同批次時線性相關系數(shù)(0.921 48和0.872 05)低于同批次時的線性相關系數(shù)(0.971 7),此外還存在離散點。因此PVDF沖擊傳感器必須按照批次進行標定。

        3)在同批次一致性標定試驗結果中,分離式Hopkinson桿的壓力標準差為2.27,傳感器靈敏度系數(shù)的標準差為4.26。分析認為一致性影響因素主要包括測試設備誤差、傳感器封裝誤差和傳感器安裝誤差。

        4)根據(jù)試驗結果,本文研制的PVDF沖擊傳感器在0~200 MPa壓力范圍內,具有較快的響應速度、較高的線性度、較大的靈敏度等特點,制備工藝較為成熟,可以進行批量生產。

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