焦 毅

（中國科學(xué)院高能物理研究所 100049）

作為中國第一臺第四代同步輻射光源，高能同步輻射光源(High Energy Photon Source，HEPS)于2019年在北京懷柔科學(xué)城的北部核心區(qū)啟動建設(shè)，并計劃于2025 年底建成并投入使用。HEPS 光源是我國“十三五”期間優(yōu)先建設(shè)的，為國家重大戰(zhàn)略需求和前沿基礎(chǔ)科學(xué)研究提供技術(shù)支撐平臺的國家重大科技基礎(chǔ)設(shè)施之一。圖1展示了HEPS光源建設(shè)情況和效果示意圖。光源整體建筑外形酷似一個放大鏡，又似一枚開啟未知世界的鑰匙。HEPS 光源建成后，將成為世界上最亮的第四代同步輻射光源之一，進(jìn)而發(fā)展成為世界上最先進(jìn)的X射線光子科學(xué)研究平臺之一。這將填補(bǔ)我國高能區(qū)同步輻射裝置的空白，同時使中國繼美、歐、日、德之后躋身為世界五大高能同步輻射光源所在地之一，為科學(xué)家探索微觀物質(zhì)世界，向更深更廣的未知領(lǐng)域探索增添又一利器。

圖1 HEPS光源建設(shè)情況(a)及效果示意圖(b)。該光源于2019年6月啟動開工建設(shè)

自1947年在粒子加速器中發(fā)現(xiàn)同步輻射以來，世界各國不斷設(shè)計建造產(chǎn)生高性能同步輻射的加速器裝置，同步輻射光源。在光子科學(xué)前沿研究的持續(xù)推動下，同步輻射光源已經(jīng)歷了幾代的發(fā)展。其中，第三代同步輻射光源是20世紀(jì)基礎(chǔ)科學(xué)研究領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛、性能優(yōu)異的X射線源。其利用加速器中產(chǎn)生的高性能電子束(發(fā)射度在1000～5000 pm·rad)，通過彎轉(zhuǎn)磁鐵或特殊設(shè)計的波蕩器等插入件，產(chǎn)生具有寬波段、高準(zhǔn)直、高偏振、高亮度、高穩(wěn)定性等優(yōu)異性能的X 射線，為物理、化學(xué)、環(huán)境、材料、生命科學(xué)等領(lǐng)域的前沿研究提供了良好的研究平臺。目前，全世界有超過50臺光源在同時運行。

進(jìn)入21世紀(jì)以來，世界各國紛紛提出未來光源的發(fā)展規(guī)劃。幾乎所有的規(guī)劃報告都對性能更為先進(jìn)的光源提出了需求。發(fā)展第四代光源，對服務(wù)國家經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展，滿足前沿基礎(chǔ)科學(xué)研究需求，提升國家整體競爭力，均有非常重要的意義。第四代光源主要有基于電子直線加速器的自由電子激光和基于電子儲存環(huán)的第四代同步輻射光源等兩個主要發(fā)展方向。以下將介紹第四代同步輻射光源的基本概念、設(shè)計挑戰(zhàn)和HEPS的設(shè)計方案與關(guān)鍵技術(shù)。

1.第四代同步輻射光源的概念

同步輻射光源的一個最重要的設(shè)計目標(biāo)是實現(xiàn)盡可能高的同步光亮度。這要求除了在儲存環(huán)內(nèi)實現(xiàn)盡可能高的電子束流強(qiáng)(百毫安量級)，并采用各種先進(jìn)插入件之外，最為關(guān)鍵的是，盡可能地減小電子束在水平、垂直方向的發(fā)射度。作為同步輻射光源的主要部分，電子儲存環(huán)，通常建在一個水平面上。儲存環(huán)中的電子束沿著束流軌道循環(huán)運動，在二極鐵磁場作用下改變運動方向，同時發(fā)出同步輻射光。在同步輻射阻尼和量子激發(fā)的共同作用下，電子束的分布會達(dá)到一個平衡態(tài)。在零誤差和零流強(qiáng)近似下，電子束的垂直發(fā)射度接近于零，而水平發(fā)射度則會穩(wěn)定在一個特定值，稱之為水平自然發(fā)射度?？梢酝ㄟ^耦合調(diào)整的手段改變水平和垂直發(fā)射度的具體數(shù)值，不過二者之和始終等于水平自然發(fā)射度。因此，第四代同步輻射光源的設(shè)計目標(biāo)在儲存環(huán)設(shè)計中即主要體現(xiàn)為追求盡可能低的水平自然發(fā)射度。

根據(jù)加速器物理理論，水平自然發(fā)射度只與儲存環(huán)中二極鐵內(nèi)的束流光學(xué)參數(shù)，特別是色散函數(shù)相關(guān)。在20 世紀(jì)80 年代初，著名華裔加速器物理學(xué)家鄧昌黎先生證明，儲存環(huán)設(shè)計存在“理論最小發(fā)射度”(Theoretical Minimum Emittance，TME)。根據(jù)TME 原理，最有效的壓縮發(fā)射度的途徑為減小單塊二極鐵的彎轉(zhuǎn)角度(采用更多的二極鐵①)；同時，相應(yīng)地增加橫向聚焦(采用強(qiáng)四極磁鐵)。與之相對應(yīng)的磁聚焦結(jié)構(gòu)，稱為多彎鐵消色散結(jié)構(gòu)(multi-bend achromat，MBA)。MBA 結(jié)構(gòu)中間包含多個基于TME 原理設(shè)計的單元節(jié)，兩側(cè)為消色散長直線節(jié)，用于安裝各種插入件。此外，光源設(shè)計還需要考慮合理的儲存環(huán)周長及工程預(yù)算，以及盡可能地增加消色散長直線節(jié)的數(shù)量②。綜合以上考慮，第四代同步輻射光源普遍采用緊致型MBA 結(jié)構(gòu)，這也是其與第三代光源最本質(zhì)的區(qū)別所在。通過采用緊致型MBA 結(jié)構(gòu)，增加儲存環(huán)中二極鐵的數(shù)目，并采用強(qiáng)橫向聚焦，將水平自然發(fā)射度降低1到2 個量級，使其接近甚至達(dá)到X 射線的衍射極限(λ/4π，λ為X射線波長)。例如，波長為0.1 nm的硬X射線，其衍射極限發(fā)射度為8 pm·rad；波長為1 nm的軟X 射線，其衍射極限發(fā)射度為80 pm·rad。因此，第四代儲存環(huán)光源有時也被稱為衍射極限儲存環(huán)光源。

以美國ALS 光源為例(圖2)，在同樣的儲存環(huán)隧道內(nèi)，通過將原來的三彎鐵消色散結(jié)構(gòu)升級為九彎鐵消色散結(jié)構(gòu)，成功地將水平自然發(fā)射度由2000 pm·rad降至～100 pm·rad。電子束及同步光的束斑，在第三代光源中是一個扁平分布；而在第四代光源中則變成一個很小的橢圓斑點，從而帶來亮度和橫向相干性的極大提升。

圖2 (a)第三代和第四代同步輻射光源的元件布局對比。其中，第四代同步輻射光源設(shè)計主要基于緊致型多彎鐵消色散結(jié)構(gòu)；(b)第三代和第四代光源的束斑截面對比(https://als.lbl.gov/als-u/als-u-approach/)

2.第四代同步輻射光源的挑戰(zhàn)

第四代同步輻射光源所采用的超低發(fā)射度的緊致型MBA 結(jié)構(gòu)設(shè)計，給加速器物理與技術(shù)帶來了一系列挑戰(zhàn)，如圖3所示。

第四代光源的主要挑戰(zhàn)之一是強(qiáng)非線性元件引起的動力學(xué)孔徑顯著減小的問題。衍射極限儲存環(huán)中的強(qiáng)橫向聚焦會導(dǎo)致很大的負(fù)自然色品。如果不對其加以校正，將會引起共振穿越或強(qiáng)流不穩(wěn)定性等，限制儲存環(huán)的最高流強(qiáng)，影響光源的整體性能。因此，在衍射極限儲存環(huán)的設(shè)計中必須引入非常強(qiáng)的六極鐵將色品校正為正值。而六極鐵與二極、四極鐵的不同之處在于，它是非線性元件，是電子儲存環(huán)中非線性效應(yīng)的最主要來源。因此，在利用六極鐵進(jìn)行色品補(bǔ)償?shù)耐瑫r，給儲存環(huán)中引入了極強(qiáng)的非線性效應(yīng)。其結(jié)果是，相比第三代光源，第四代光源的動力學(xué)孔徑大幅減小。第三代光源的動力學(xué)孔徑在10～30 mm 之間。而對于第四代光源，即使利用各種先進(jìn)的理論與數(shù)值方法優(yōu)化，其可實現(xiàn)的動力學(xué)孔徑通常限制在1mm量級。動力學(xué)孔徑的顯著減小有兩個直接的影響。其一，第三代光源普遍采用的成熟的脈沖凸軌注入技術(shù)不再適用，需要發(fā)展適于小動力學(xué)孔徑的新的注入方法和技術(shù)；其二，要求相應(yīng)地革新注入器設(shè)計，以在實現(xiàn)高度穩(wěn)定性的同時，滿足新注入方法的相關(guān)需求。

第四代光源中兩項至關(guān)重要的技術(shù)是小孔徑磁鐵與真空技術(shù)。在緊致型MBA結(jié)構(gòu)中引入強(qiáng)橫向聚焦，需要盡可能地增加四極鐵的梯度，縮短四極鐵的長度。這要求發(fā)展小孔徑、高梯度且高精度的四極鐵技術(shù)。為了與小孔徑磁鐵相匹配，須采用小孔徑真空盒。而當(dāng)真空盒孔徑大幅減小后，傳統(tǒng)的真空獲得技術(shù)變得非常低效。這需要發(fā)展新的真空獲得技術(shù)，例如，國際上新發(fā)展的真空盒內(nèi)壁非蒸散型吸氣劑(NEG)鍍膜技術(shù)。

此外，由于強(qiáng)橫向聚焦和小孔徑磁鐵的采用，第四代光源的束流動力學(xué)對誤差極為敏感，因而對誤差控制、束流軌道穩(wěn)定性和束流集體不穩(wěn)定性控制等提出了更為嚴(yán)格的要求。這除了要求發(fā)展更好的誤差效應(yīng)校正方法，還需要嚴(yán)格控制磁鐵及真空元件的加工和準(zhǔn)直精度，將其推進(jìn)至當(dāng)前最好的技術(shù)水平。光源用戶實驗所用的同步光性能與電子束流的軌道穩(wěn)定性緊密相關(guān)。國際上，光源領(lǐng)域通常要求將電子束的軌道穩(wěn)定性控制在束團(tuán)尺寸的10%以內(nèi)。在第四代光源中，電子束的水平和垂直方向尺寸均在微米量級，相應(yīng)地，需要將軌道穩(wěn)定性控制在亞微米量級。這就需要發(fā)展當(dāng)前國際上指標(biāo)最先進(jìn)的束流監(jiān)測技術(shù)、誤差源控制技術(shù)以及軌道實時反饋控制技術(shù)。此外，為了追求高亮度，第四代光源的電子束流強(qiáng)與第三代光源保持在同一量級，而水平自然發(fā)射度則下降1到2個量級，這意味著電子密度大大增加；同時由于大量采用小孔徑真空盒，束流阻抗顯著增強(qiáng)(橫向阻抗近似與真空盒孔徑的立方成反比)，其引起的束流集體效應(yīng)在嚴(yán)重情況下將限制可穩(wěn)定運行的最高流強(qiáng)。相應(yīng)地，需要結(jié)合各種可能的抑制方法和手段，如逐元件分析優(yōu)化阻抗、利用諧波腔拉伸束長、控制腔型結(jié)構(gòu)的高次模、研發(fā)阻尼更快的逐束團(tuán)反饋系統(tǒng)等，以有效控制各種束流集體不穩(wěn)定性，確保光源在高流強(qiáng)下穩(wěn)定運行。

值得指出的是，以上提到的僅是第四代光源設(shè)計中部分代表性的物理及技術(shù)挑戰(zhàn)。此外，圖3 中各個影響鏈條并非簡單的單向傳遞，有時候也會反向或相互影響。例如，在關(guān)鍵加速器技術(shù)無法取得有效突破的情況下，其技術(shù)瓶頸會反過來影響光源的物理設(shè)計及參數(shù)選擇?？傮w而言，第四代光源對加速器物理和技術(shù)均提出了非?！皹O限”的要求，其穩(wěn)定的參數(shù)空間非常狹窄，加速器物理與技術(shù)之間的耦合非常顯著。第四代光源設(shè)計需要在多維變量空間對光源性能進(jìn)行全局掃描和優(yōu)化，在物理設(shè)計與技術(shù)路線之間作綜合的考量與權(quán)衡，最終在光源先進(jìn)性、穩(wěn)定性、經(jīng)濟(jì)性等不同目標(biāo)之間尋得合理的平衡。

3.高能同步輻射光源的設(shè)計方案與關(guān)鍵技術(shù)

在廣泛借鑒國際光源領(lǐng)域的最新研究成果的基礎(chǔ)上，我們經(jīng)過十余年的深入探索和迭代優(yōu)化，充分結(jié)合國內(nèi)加速器物理與技術(shù)的實際發(fā)展情況，完成了性能先進(jìn)、切實可行的HEPS光源設(shè)計方案。

光源的整體設(shè)計方案如圖4 所示。HEPS 加速器由一臺直線加速器、一臺增強(qiáng)器、一臺超低發(fā)射度儲存環(huán)以及連接各部分的三條輸運線組成。電子束自產(chǎn)生后，在直線加速器被加速至5 億電子伏特(500 MeV)；之后，經(jīng)低能輸運線注入至增強(qiáng)器，在增強(qiáng)器中被進(jìn)一步加速至60億電子伏特(6 GeV)，并最終注入至儲存環(huán)。HEPS 儲存環(huán)由48 個改進(jìn)型混合7BA 單元組成，束流能量為6 GeV，最高流強(qiáng)200 mA，自然發(fā)射度約35 pm·rad；提供48個6米長的消色散直線節(jié)，用于安裝波蕩器等插入件設(shè)備；可在0.1 納米硬X 射線波段提供亮度超過1×1022phs/s/mm2/mrad2/0.1%BW的高性能同步光。

圖4 HEPS光源整體設(shè)計布局示意圖。圖中給出了注入引出元件、超導(dǎo)高頻腔、插入件以及用戶束線(放射狀線條)的示意圖

在HEPS 儲存環(huán)設(shè)計中，我們基于改進(jìn)的優(yōu)化算法，提出了性能更優(yōu)的改進(jìn)型混合MBA 結(jié)構(gòu)設(shè)計方案。在第四代光源儲存環(huán)的磁聚焦結(jié)構(gòu)設(shè)計中，加速器專家普遍利用隨機(jī)優(yōu)化算法在多維變量空間進(jìn)行全局優(yōu)化，以盡可能地挖掘衍光源的極限性能。其中，一個具有代表性的隨機(jī)優(yōu)化算法是遺傳算法。其模擬自然界中的進(jìn)化過程，從一個隨機(jī)生成的種子群開始，不斷通過交叉、變異產(chǎn)生子群，并不斷演化，直至趨于優(yōu)化。不過經(jīng)驗顯示，在將遺傳算法應(yīng)用于超低發(fā)射度儲存環(huán)設(shè)計這一復(fù)雜的優(yōu)化問題時，其容易收斂至局部最優(yōu)解。為此，我們在HEPS儲存環(huán)設(shè)計優(yōu)化中引入了粒子群優(yōu)化算法③，通過結(jié)合遺傳算法快速收斂和粒子群算法不斷饋入多樣性的優(yōu)點，從而更有效地搜索全局最優(yōu)解。此外，我們還利用機(jī)器學(xué)習(xí)對種群演化過程中積累的大量數(shù)據(jù)進(jìn)行訓(xùn)練，先后發(fā)展了基于聚類算法和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的性能更優(yōu)異的優(yōu)化算法。這些算法，為我們開展系統(tǒng)性的方案比較以及探索新型的磁聚焦結(jié)構(gòu)提供了強(qiáng)大助力。世界各高能區(qū)光源的儲存環(huán)磁聚焦結(jié)構(gòu)設(shè)計通常采用混合MBA結(jié)構(gòu)。借助于上述優(yōu)化算法，我們提出了性能更優(yōu)的改進(jìn)型混合MBA結(jié)構(gòu)。其采用包含反向彎轉(zhuǎn)二極鐵與縱向梯度二極鐵的新型單元節(jié)以及高-低束流包絡(luò)函數(shù)直線節(jié)設(shè)計。利用這種新型的MBA 結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步減小HEPS的發(fā)射度，將光源亮度提升30%以上。

在HEPS 儲存環(huán)注入設(shè)計中，我們采用了國際上先進(jìn)的在軸置換注入方案。該方案元件布局簡單，僅需要一塊切割磁鐵和脈沖沖擊器(kicker)。注入束經(jīng)過kicker 偏轉(zhuǎn)后，直接進(jìn)入到儲存環(huán)的閉合軌道上，取代電荷量已衰減的循環(huán)束。這種注入方案對動力學(xué)孔徑要求較低，有利于追求極致的低發(fā)射度和高亮度。不過，它要求納秒量級的超快kicker以及高電荷量(大于15 nC)的注入束。為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，在注入技術(shù)方面，我們發(fā)展了帶狀線沖擊器及其驅(qū)動快脈沖電源技術(shù)，可將沖擊脈沖寬度控制在10 ns 以內(nèi)。在物理設(shè)計方面，我們提出了增強(qiáng)器高能累積方案，充分利用置換注入中被替換的電子束。通過采用這種方案，將增強(qiáng)器低能階段單束團(tuán)電荷量的需求降低至～7 nC，顯著降低了注入器的設(shè)計難度及運行風(fēng)險。

在高梯度磁鐵和小孔徑真空技術(shù)實現(xiàn)方案上，我們在HEPS 光源的預(yù)制研究階段，攻克了相關(guān)的技術(shù)難題，在國內(nèi)首次成功研發(fā)了80 T/m的超高梯度四極鐵和NEG 鍍膜真空技術(shù)(圖5)。此外，在磁鐵加工、裝配、準(zhǔn)直等環(huán)節(jié)中，采用嚴(yán)格的精度控制(如，四極磁鐵極面加工誤差小于20微米，準(zhǔn)直精度小于30微米)，以實現(xiàn)萬分之一量級的磁場質(zhì)量，減小對束流動力學(xué)的擾動。除了采用先進(jìn)的NEG 鍍膜技術(shù)，在真空設(shè)計中，我們還采用無氧銅作為真空盒主要材料，并對真空盒、光子吸收器、波紋管等進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計，以同時滿足真空獲得、輻射能量吸收、阻抗優(yōu)化等多方面要求。

在束流集體不穩(wěn)定性抑制方面，為了實現(xiàn)200 mA 的設(shè)計流強(qiáng)，我們對儲存環(huán)阻抗和束流集體不穩(wěn)定性進(jìn)行了系統(tǒng)評估。通過對主要阻抗元件逐一建模，發(fā)現(xiàn)潛在的元件結(jié)構(gòu)設(shè)計問題并予以改進(jìn)?；谌h(huán)阻抗模型，我們開展了束流集體不穩(wěn)定性的數(shù)值模擬研究，進(jìn)而提出了相應(yīng)的抑制措施，包括在儲存環(huán)中引入足夠大的正色品(+5)、采用阻尼時間0.1 ms的逐束團(tuán)反饋系統(tǒng)、使用三次諧波腔(499.8 MHz)配合基頻腔(166.6 MHz，見圖5)實現(xiàn)束長拉伸等，以保證光源在高流強(qiáng)情況下穩(wěn)定運行。

圖5 HEPS光源研制的80 T/m的超高梯度四極鐵(a)、真空盒內(nèi)壁吸氣劑鍍膜系統(tǒng)(b)以及166.6 MHz超導(dǎo)高頻原型腔(c)

在束流軌道穩(wěn)定性控制方面，為了將插入件處的束流軌道穩(wěn)定性控制在束團(tuán)尺寸的10%以內(nèi)，我們在誤差源控制、束流軌道精確測量、快軌道反饋系統(tǒng)設(shè)計等方面開展了大量的研究工作。影響電子束流軌道穩(wěn)定性的兩個重要誤差源是地基振動及磁鐵電源紋波。為了有效控制誤差，我們在HEPS 地基施工環(huán)節(jié)，對儲存環(huán)隧道和實驗大廳進(jìn)行了防微振基礎(chǔ)換填處理，將振動頻率在1 到100赫茲的地面振動在1秒內(nèi)的均方根位移積分控制在25納米以內(nèi)。在電源設(shè)計中，我們利用開關(guān)電源技術(shù)，并結(jié)合磁鐵自身的電感特性，將主磁鐵電源的電流紋波控制在10 ppm 以下。對束流軌道實現(xiàn)高精度控制和反饋的前提是對束流軌道的精確測量。對于HEPS，其束流位置測量系統(tǒng)要求在22 kHz 快軌道測量模式下實現(xiàn)優(yōu)于0.3微米的測量精度。為此，我們在束流位置測量系統(tǒng)的電子學(xué)硬件設(shè)計、固件開發(fā)及算法研究等方面開展了大量的研究工作，以在實現(xiàn)高測量精度的同時，保證測量系統(tǒng)的長期穩(wěn)定性。與此同時，我們還開展了快軌道反饋系統(tǒng)的設(shè)計研制，目標(biāo)是實現(xiàn)500 Hz 以上(目標(biāo)1000 Hz)的有效反饋帶寬。

此外，在HEPS設(shè)計中，我們采取了嚴(yán)格的輻射防護(hù)及機(jī)器保護(hù)設(shè)計。作為一臺高能區(qū)的第四代光源，HEPS 儲存環(huán)中的電子束及同步光具有非常高的功率密度。必須采取嚴(yán)格的機(jī)器保護(hù)措施。一旦機(jī)器出現(xiàn)非正常運行的情況，這些措施將避免束流或同步光沉積導(dǎo)致的元件損傷和機(jī)器故障。為此，我們設(shè)計了基于束流軌道的機(jī)器保護(hù)系統(tǒng)。當(dāng)電子束的軌道漂移超過特定閾值時，將立即啟動打束，在1 ms 以內(nèi)將束流流強(qiáng)快速降為零，以保護(hù)真空設(shè)備免受同步光損傷。另外，我們在HEPS 儲存環(huán)中安裝了束流準(zhǔn)直器，將損失的電子集中收集，并對準(zhǔn)直器作專門的輻射屏蔽設(shè)計，以保障工作環(huán)境的輻射劑量始終處于安全范圍內(nèi)。

4.總結(jié)

按照規(guī)劃，HEPS 將于2025 年建成運行。屆時，它將與世界上正在運行的美國的APS、歐洲的ESRF、日本的SPring-8、德國的Petra-III(及其升級工程)一起，構(gòu)成世界五大高能同步輻射光源。HEPS 將為材料科學(xué)、化學(xué)工程、能源環(huán)境、生物醫(yī)學(xué)、航空航天、能源環(huán)境等眾多基礎(chǔ)和工程科學(xué)研究領(lǐng)域提供先進(jìn)的實驗平臺，為我國在與經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展及工業(yè)核心需求相關(guān)的戰(zhàn)略性研究領(lǐng)域取得突破性創(chuàng)新，提供強(qiáng)有力的支撐。

注釋：

①考慮一個簡單情況，全環(huán)采用相同的二極鐵。二極鐵的數(shù)目與單塊二極鐵的彎轉(zhuǎn)角度的乘積恒定，為360度。

②長直線節(jié)的數(shù)量很大程度上決定了光源光束線及實驗站的數(shù)量。

③粒子群優(yōu)化算法模擬自然界中的雁群飛行過程，每個種子通過判斷自己與處于領(lǐng)先位置的種子的距離，來確定下一步前進(jìn)的方向和速度，通過多次迭代，使所有種子向最優(yōu)方向發(fā)展。