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        成型壓力對(duì)CZP陶瓷的影響及抗熱震性能研究

        2022-06-20 19:45:58韓龍梁慧劉偉
        佛山陶瓷 2022年4期
        關(guān)鍵詞:力學(xué)性能

        韓龍 梁慧 劉偉

        摘 要: 研究了成型壓力對(duì)CaZr4P6O24(簡(jiǎn)稱CZP)陶瓷的力學(xué)性能和介電性能的影響關(guān)系,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:成型壓力在100 MPa時(shí)陶瓷的綜合性能(抗彎強(qiáng)度值為74.96 M Pa、介電常數(shù)為3.65、介質(zhì)損耗0.0058)最好。將該CZP陶瓷進(jìn)行抗熱震性測(cè)試,將CZP陶瓷升溫至1000℃,保溫時(shí)間為1h,即取出放入20℃的水中10 min, 烘干后在400倍顯微鏡下觀察無(wú)裂紋出現(xiàn),測(cè)試其剩余抗彎強(qiáng)度為70.46MPa,為測(cè)試前的94%,表明該材料具有良好的抗熱震性能。

        關(guān)鍵詞:成型壓力; CaZr4P6O24陶瓷 ;介電性能 ;抗熱震性能

        1 引 言

        CaZr4(PO46(簡(jiǎn)稱CZP)磷酸鹽陶瓷材料具有很好的高溫穩(wěn)定性和良好的抗熱沖擊能力,它屬于NZP族材料。該族材料具有低膨脹性[1-2],在航空器表面涂層等領(lǐng)域被廣泛地應(yīng)用 [3]。

        Limaye等人[4]研究了CZP的熱膨脹性質(zhì),發(fā)現(xiàn)其具有很低的熱膨脹性能,體膨脹系數(shù)為-1.6×10-6/℃。

        CZP磷酸鹽陶瓷材料的抗彎強(qiáng)度和介電性能與其制備工藝有關(guān),本文主要研究成型壓力對(duì)CZP磷酸鹽陶瓷性能的影響。

        抗熱震性是指材料承受溫度的急劇變化而不致破壞的能力,也稱熱穩(wěn)定性。陶瓷材料的抗熱震能力是其力學(xué)性能和熱學(xué)性能對(duì)應(yīng)于各種受熱條件的綜合表現(xiàn),這是無(wú)機(jī)非金屬材料的重要工程物理性能之一。其熱沖擊損壞有兩種類型:一種是在熱沖擊循環(huán)作用下,材料表面開(kāi)裂、剝落并不斷發(fā)展,最終碎裂或變質(zhì),抵抗這類破壞的性能稱為抗熱沖擊損傷性;另一種是材料發(fā)生瞬時(shí)斷裂,抵抗這類破壞的性能稱為抗熱沖擊斷裂性。脆性陶瓷的抗熱震評(píng)價(jià)起源于兩種觀點(diǎn),一種是基于熱彈性理論,另一種的基礎(chǔ)是斷裂力學(xué)概念。

        按照斷裂力學(xué)概念,測(cè)試抗熱震能力有兩種方法:

        1)測(cè)試材料反復(fù)熱震,直到出現(xiàn)開(kāi)裂或剝落時(shí)的熱震次數(shù)N;

        2)測(cè)試材料經(jīng)過(guò)一次熱震(急冷)后的強(qiáng)度(殘余強(qiáng)度),比較原有強(qiáng)度和殘余強(qiáng)度來(lái)評(píng)價(jià)材料的抗熱震能力。

        本研究采用第二種測(cè)試方法。

        2實(shí)驗(yàn)

        本研究以直接共沉淀法制備的CaZr4P6O24陶瓷粉體為研究對(duì)象,CZP陶瓷粉體添加3wt%的ZnO作助燒劑及3wt%的SiO2作為晶粒抑制劑[5],分別在50、100和150MPa的壓力下干壓成坯體。坯體在1150℃下無(wú)壓燒結(jié),升溫速率為5℃/min,保溫時(shí)間為2h。

        抗熱震性能試驗(yàn)中,將試樣在1000℃下保溫1h后取出立即投入20℃的水中急冷,保持10min。然后在400倍光學(xué)顯微鏡下觀察是否有裂紋,并測(cè)試其殘余抗彎強(qiáng)度,與同樣燒結(jié)條件下未經(jīng)抗熱震實(shí)驗(yàn)的另一個(gè)陶瓷樣品的抗彎強(qiáng)度進(jìn)行比較。

        3結(jié)果及討論

        3.1 顯微結(jié)構(gòu)分析

        圖1為不同成型壓力下CZP陶瓷SEM圖像。從圖1(a)中可以看出,成型壓力為50MPa時(shí),陶瓷體存在一定的孔洞,致密度不高,孔洞中的晶粒排列緊密。從圖1(b)中可以看出,成型壓力為100MPa時(shí),陶瓷材料晶粒排列緊密,氣孔少,致密度很高。從圖1(c)中可以看出,成型壓力為150MPa時(shí),陶瓷材料顆粒排列非常緊密,致密度非常高。從顯微結(jié)構(gòu)上看,CZP陶瓷材料在一定范圍內(nèi)隨著成型壓力的增加,陶瓷的致密度呈增加的趨勢(shì)。

        3.2 抗彎強(qiáng)度分析

        如表1不同成型壓力下CZP陶瓷性能結(jié)果所示,CaZr4P6O24陶瓷在50、100、150 MPa成型壓力下的三點(diǎn)抗彎強(qiáng)度值分別為64.26、74.96、81.38 MPa??梢?jiàn),隨著成型壓力的增大,陶瓷的抗彎強(qiáng)度值增加。分析原因,適當(dāng)增大成型壓力,使坯體致密化程度提高,結(jié)合氣孔率測(cè)試結(jié)果,發(fā)現(xiàn)氣孔比例下降,陶瓷在50到150 MPa成型壓力下,氣孔率由4.8%下降到了2.8%,坯體致密化、氣孔率下降因素導(dǎo)致了陶瓷抗彎強(qiáng)度的增加。

        3.3 介電性能分析

        本研究CZP陶瓷介電性能只與陶瓷體內(nèi)的氣孔率有關(guān),因?yàn)楸狙芯康闹骶嗪筒A嗪慷际窍嗤?,所以,氣孔率越高的陶瓷體,其介電常數(shù)越小,從表1不同成型壓力下CZP陶瓷性能結(jié)果可以看出,陶瓷的氣孔率由4.8%下降到2.8%,陶瓷的介電常數(shù)由3.48增加到4.12。而介質(zhì)損耗值和氣孔的關(guān)系正好與介電常數(shù)相反,氣孔率越高,陶瓷體的介質(zhì)損耗值越大,由表1可以看出,陶瓷的氣孔率由4.8%下降到2.8%,陶瓷的介質(zhì)損耗值由0.0086下降到0.0042。

        3.4熱震性能前后陶瓷表面顯微結(jié)構(gòu)分析

        圖2為抗熱震性能實(shí)驗(yàn)前后CZP陶瓷的表面微觀形貌,從圖2可以看出,材料在接近1000℃溫差下做抗熱震實(shí)驗(yàn)后陶瓷材料的表面未出現(xiàn)裂紋,從陶瓷材料的表觀上來(lái)看,其大小形狀都未發(fā)生變化,說(shuō)明材料具有良好的抗熱震性能。

        3.5 剩余強(qiáng)度

        將陶瓷試樣在接近1000℃溫差下做抗熱震實(shí)驗(yàn),測(cè)量其剩余抗彎強(qiáng)度為70.46MPa,測(cè)試前的抗彎強(qiáng)度為74.96 MPa,剩余抗彎強(qiáng)度為測(cè)試前的94%。結(jié)合陶瓷體的微觀形貌,表面無(wú)裂紋出現(xiàn),外觀基本沒(méi)有變化,說(shuō)明力學(xué)性能損失不大,表明CZP陶瓷材料具有很好的抗熱震性能。

        4 結(jié)論

        1)坯體的成型壓力在100 MPa時(shí),CZP陶瓷材料的綜合性能最好,介電常數(shù)在4以下,三點(diǎn)抗彎強(qiáng)度為74.96MPa。減小成型壓力至50 MPa,力學(xué)性能下降;增大成型壓力至150 MPa,力學(xué)性能增加,但介電常數(shù)大于4。E80D612A-C8AA-466A-91B6-A341199C4FE9

        2)用測(cè)試材料經(jīng)過(guò)一次熱震(急冷)后的強(qiáng)度(殘余強(qiáng)度),比較原有強(qiáng)度和殘余強(qiáng)度來(lái)評(píng)價(jià)材料的抗熱震能力。將CZP陶瓷材料在接近1000℃的溫差下做抗熱震實(shí)驗(yàn),結(jié)果在400倍光學(xué)顯微鏡下觀察陶瓷體表面無(wú)裂紋出現(xiàn),測(cè)試其剩余抗彎強(qiáng)度值為70.46MPa,為測(cè)試前的94%。 表明抗熱震實(shí)驗(yàn)對(duì)CZP陶瓷的力學(xué)性能損失不大,表明CZP陶瓷材料具有較好的抗熱震性能。

        參考文獻(xiàn)

        [1] R.Brochu, M.El-Yacoubi, A.serghini, et al. Crystal chemistry and thermal expansion of Cd0.5Zr2(PO43and Cd0.5Sr0.5Zr2(PO43ceramics. Materials Research Bulletin, 1997, 32(1): 15-23.

        [2] 汪洋,周媛媛,李魁,劉瑞祥,周長(zhǎng)靈,劉福田.MgO燒結(jié)助劑對(duì)CaZr4(PO46陶瓷力學(xué)性能及熱膨脹系數(shù)的影響[J].現(xiàn)代技術(shù)陶瓷,2019,40(05):354-359.

        [3]Susumu Nakayma, Katsuhiko Itoh. Immobilization technique of cesium to HZr2(PO43using an autoclave. journal of nuclear science and technology, 2003, 40(8): 631-633.

        [4] S.Y.Limaye, D.K.Agrawal and H.A.Mckinstry. Synthesis, Sintering and thermal expansion of MZr4P6O24(M=Mg, Ca, Sr, Ba ) . J.Am.Ceram.Soc, 1987, 10: c232-c236

        [5] 韓龍,侯憲欽.燒結(jié)工藝對(duì)CaZr4P6O(24)陶瓷性能的影響[J].佛山陶瓷,2008(09):16-19.

        The Relationship of the Pressure and the Properties of CaZr4P6O24Peramic and Study on its Anti Thermal Shock Properties

        HAN Long,LIANG Hui

        (Binzhou Polytechnic,? Binzhou 256603)

        Abstract: The relationship of the pressure and the bending strength and the dielectric properties of? CaZr4P6O24(abbreviated as CZP) ceramic were studied. The ceramic made under 100 MPa pressure has better comprehensive properties,which the value of bending strength is 74.96 MPa, the? dielectric constant is 3.65 and the loss tangent is 0.0058? . Anti thermal shock properties Of this CZP ceramic was tested. The temperature of CZP ceramic was rising to 1000℃, and temperature remaining time was 1 hour. The CZP ceramic was thrown into water of 20℃ for 10 minutes, and it has no crack on the surface when observed in the 400× microscope.? The remaining bending strength of the CZP ceramic is 70.46MPa, and the strength is the 94 percent of it before testing, the CZP ceramic has better anti thermal shock properties.

        Keywords:? the pressure;CaZr4P6O24ceramic;the dielectric properties;Anti thermal shock propertiesE80D612A-C8AA-466A-91B6-A341199C4FE9

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