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        一種大間距短波線列紅外探測(cè)器用讀出電路的設(shè)計(jì)

        2022-06-09 04:53:46王海先岳冬青楊斯博
        激光與紅外 2022年5期
        關(guān)鍵詞:信號(hào)設(shè)計(jì)

        王海先,岳冬青,袁 媛,楊斯博,王 靜

        (中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十一研究所,北京 100015)

        1 引 言

        短波紅外探測(cè)器可以實(shí)現(xiàn)對(duì)微弱信號(hào)的探測(cè),能夠應(yīng)用到海洋氣象預(yù)報(bào),海洋環(huán)境監(jiān)測(cè)、資源開(kāi)發(fā)等領(lǐng)域中。本文介紹一種可應(yīng)用于海洋探測(cè)的大像元間距短波線列碲鎘汞紅外探測(cè)器用讀出電路的設(shè)計(jì),這款探測(cè)器的像元面積為180 μm×180 μm,像元中心間距360 μm,本電路是將兩個(gè)短波譜段的讀出電路集成在一起設(shè)計(jì),陣列規(guī)模為80×6×2,每個(gè)譜段設(shè)計(jì)有一個(gè)信號(hào)輸出通道,且每譜段都有一個(gè)獨(dú)立的控制端口,用于給讀出電路提供控制信號(hào),如線列掃描方向、增益選擇、盲元替代等控制信號(hào),每譜段電路積分時(shí)間設(shè)計(jì)為獨(dú)立可調(diào)節(jié)。版圖設(shè)計(jì)完成后,進(jìn)行了電路后仿真,通過(guò)對(duì)寄生參數(shù)提取及反標(biāo)注后的再仿真結(jié)果對(duì)電路和版圖做了優(yōu)化處理,文章最后給出了電路實(shí)際測(cè)試結(jié)果。

        2 電路設(shè)計(jì)

        讀出電路設(shè)計(jì)工藝選擇的是0.35 μm 2P4M。圖1給出80×6×2規(guī)模的線列讀出電路模擬通道原理框圖。針對(duì)短波電路的特點(diǎn),像素級(jí)采用的是CTIA(電容跨阻放大器)輸入方式,像素級(jí)輸出的信號(hào)首先要完成盲元替代和雙向掃描功能,然后經(jīng)過(guò)采樣保持之后進(jìn)入TDI(時(shí)間延遲積分)電路,本電路中每個(gè)像元設(shè)計(jì)有兩級(jí)TDI,一列有6個(gè)像元,所以整個(gè)列通道共有11級(jí)TDI,80×6的陣列由80個(gè)圖1所示的單通道電路構(gòu)成,最后經(jīng)過(guò)多路選通控制的列運(yùn)放輸出到緩沖放大器輸出。

        圖1 模擬通道原理框圖Fig.1 The schematic diagram of analog channel

        2.1 輸入級(jí)

        本款讀出電路是要對(duì)短波微弱信號(hào)進(jìn)行處理,因此輸入級(jí)采用了CTIA(電容跨阻放大器)結(jié)構(gòu),見(jiàn)圖2。 CTIA的輸入阻抗與紅外探測(cè)器的光電流相對(duì)獨(dú)立,二者幾乎不相關(guān),因此CTIA方式下的電路能為紅外探測(cè)器提供精準(zhǔn)的偏置電壓而不受探測(cè)器光電流的影響,這樣能使光電流幾乎全部累積在積分電容上,防止了電荷積分在探測(cè)器的電容上。由于CTIA積分電容器的密勒效應(yīng),使積分電容能做的很小,能獲得高增益,因此適合微弱信號(hào)的處理應(yīng)用,密勒效應(yīng)是指在反相放大器的輸入端和輸出端之間的電容由于放大器的放大作用,其等效電容值會(huì)擴(kuò)大(1+A)倍(A為運(yùn)放的放大倍數(shù))[1]。為了兼顧大信號(hào)的處理能力,輸入級(jí)采用了多級(jí)增益可調(diào)方式,增益調(diào)整通過(guò)一個(gè)串行端口來(lái)控制實(shí)現(xiàn)。

        圖2 增益可調(diào)CTIA輸入級(jí)Fig.2 CTIA input stage circuit with adjustable gain

        輸入級(jí)電路在設(shè)計(jì)時(shí)需要重點(diǎn)考慮噪聲和穩(wěn)定性問(wèn)題。在 CTIA 結(jié)構(gòu)中,噪聲源主要來(lái)自于差分放大器的輸入晶體管,差分放大器容易引起失調(diào)電壓的增大,也容易引起不需要的信號(hào)的漂移和補(bǔ)償,當(dāng)運(yùn)放的增益比較低時(shí),不能對(duì) KTC 噪聲進(jìn)行很好的抑制,這是由于運(yùn)算放大器增益低的時(shí)候會(huì)使探測(cè)器上的偏壓不穩(wěn)定導(dǎo)致噪聲增大,使得信噪比(SNR)降低,因此設(shè)計(jì)CTIA輸入級(jí)一般需要采用增益在 300 以上的運(yùn)放。

        因?yàn)楸倦娐愤m用的碲鎘汞紅外探測(cè)器單元面積較大,為適應(yīng)探測(cè)器大結(jié)電容的特性,要將運(yùn)放的增益設(shè)計(jì)的足夠大,才能保證輸入級(jí)電路工作穩(wěn)定。為此我們?cè)O(shè)計(jì)了圖3所示的折疊共源共柵運(yùn)放,設(shè)計(jì)增益為90 dB,為大結(jié)電容進(jìn)行了足夠的冗余設(shè)計(jì),每個(gè)CTIA運(yùn)放的功耗設(shè)計(jì)值為20 μW,噪聲設(shè)計(jì)值為0.14 mV。圖4和圖5分別給出了CTIA運(yùn)放的穩(wěn)定性和噪聲的仿真結(jié)果。

        圖3 CTIA運(yùn)放示意圖Fig.3 CTIA op amp schematic

        圖4 CTIA放大器穩(wěn)定性仿真Fig.4 Amplifier stability simulation of CTIA

        圖5 CTIA放大器噪聲仿真Fig.5 Amplifier noise simulation of CTIA amplifier

        2.2 列信號(hào)處理電路

        列信號(hào)處理電路包括盲元替代與雙向掃描、TDI級(jí)、多路選通輸出級(jí)。盲元替代及雙向TDI掃描功能由用戶通過(guò)串行端口來(lái)控制。當(dāng)實(shí)現(xiàn)盲元替代功能時(shí)用特定電壓值替代盲元的靜態(tài)電平,同時(shí)在TDI中進(jìn)行信號(hào)的增益補(bǔ)償。

        TDI(時(shí)間延遲積分)是指在掃描方向上探測(cè)器某列上的不同像元在不同積分周期依次對(duì)同一個(gè)目標(biāo)進(jìn)行信號(hào)讀取,然后在光機(jī)掃描系統(tǒng)的同步下將各像元的讀取信號(hào)進(jìn)行累加,由此來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)同一目標(biāo)的多次曝光,當(dāng)掃描方向上的所有像元都完成了對(duì)目標(biāo)信號(hào)的讀取之后,經(jīng)過(guò)存儲(chǔ)累加的信息被讀出[2]。

        TDI電路由圖6所示的結(jié)構(gòu)組成,閉合S1、S3,斷開(kāi)S2時(shí)為采樣狀態(tài),將輸入信號(hào)電壓保持到電容C1上,斷開(kāi)S1、S3,閉合S2時(shí)為放大狀態(tài),將C1保持的信號(hào)電壓傳遞到C2上,由于B點(diǎn)電位被Vbais鉗位,所以VB=Vbias,Vout=Vbias+V1×C1/C2[3]。

        圖6 TDI電路原理圖Fig.6 Schematic of TDI

        綜上,一級(jí)TDI在一個(gè)積分周期內(nèi)完成了一次信號(hào)的讀取,信號(hào)進(jìn)入下一級(jí)TDI。每個(gè)模擬通道共有11級(jí)TDI,短波應(yīng)用的情況下由于信號(hào)微弱,采用TDI累加平均的設(shè)計(jì)方法能保證6個(gè)像元的信號(hào)平均后不變,噪聲平均后變小,從而達(dá)到提高信噪比的目的。

        電路輸出級(jí)考慮到功耗、電路面積、版圖布局等多方面的需求采用了兩級(jí)運(yùn)放,如圖7所示由輸出列運(yùn)放和輸出緩沖放大器共同構(gòu)成,工作頻率設(shè)計(jì)值為5 MHz,圖8為輸出級(jí)的信號(hào)建立時(shí)間仿真圖。其中輸出列運(yùn)放經(jīng)多路選通開(kāi)關(guān)選通逐列輸出80列的信號(hào),輸出緩沖是讀出電路與外部的接口運(yùn)放,驅(qū)動(dòng)負(fù)載的能力設(shè)計(jì)為R≥100 kΩ,C≤20 pF。

        圖7 輸出級(jí)示意圖Fig.7 Output stage schematic

        圖8 輸出信號(hào)建立時(shí)間Fig.8 Established time of the output signal

        2.3 數(shù)字控制電路

        數(shù)字控制電路由時(shí)序生成和串行數(shù)據(jù)端口兩個(gè)模塊構(gòu)成,其中,串行數(shù)據(jù)端口模塊實(shí)現(xiàn)積分電容可調(diào)、雙向掃描、盲元尋址等功能,時(shí)序生成模塊則用來(lái)產(chǎn)生信號(hào)積分采樣以及信號(hào)延遲累加平均所需要的相關(guān)時(shí)序,如圖9所示。

        圖9 數(shù)字控制脈沖時(shí)序Fig.9 Timing of digitally controlled pulses

        2.4 版圖設(shè)計(jì)

        每譜段讀出電路的輸出管腳采用的是單邊走線引出方式,版圖布局如圖10所示。兩譜段(短波1、短波2)電路采取上下鏡像放置,圖11是最終的版圖設(shè)計(jì)完成圖。

        圖10 版圖布局示意圖Fig.10 Diagram of the layout

        圖11 版圖設(shè)計(jì)完成圖Fig.11 Final layout design

        2.5 電路仿真

        電路設(shè)計(jì)過(guò)程中,要對(duì)輸入級(jí)、TDI級(jí)、輸出級(jí)組成的完整模擬通道進(jìn)行仿真,驗(yàn)證電路性能和功能。通道仿真采用前仿真和后仿真相結(jié)合的方式,經(jīng)過(guò)版圖和電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)后,最終進(jìn)行全電路的原理圖仿真。

        2.5.1 線性度仿真

        CTIA電路的積分線性度是單元電路中一項(xiàng)重要的技術(shù)指標(biāo)。CTIA結(jié)構(gòu)自身能夠克服由注入效率引起的非線性,本設(shè)計(jì)中采樣電容采用了大容值設(shè)計(jì),以利于消除由寄生電容引入的非線性。線性度仿真選用了60 fF電容,積分時(shí)間為400 μs,探測(cè)器結(jié)阻抗1 GΩ,結(jié)電容700 fF,輸入電流從0~2.1 nA,掃描22個(gè)點(diǎn),輸出信號(hào)見(jiàn)圖12。圖13是對(duì)掃描結(jié)果進(jìn)行處理后得到的線性度擬合曲線,結(jié)果顯示在1.66~4.46 V的2.8 V的范圍內(nèi)線性度良好,其線性度高于99.8%。

        圖12 對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行掃描的輸出信號(hào)仿真結(jié)果Fig.12 The output signal simulation result of scanning the input signal

        圖13 線性度仿真的擬合曲線Fig.13 The fitting curve of Linearity simulation

        2.5.2 版圖后仿真

        版圖設(shè)計(jì)完成之前對(duì)電路所做的仿真是理想情況下的仿真,版圖設(shè)計(jì)完成后我們提取MOS管之間的連線產(chǎn)生的分布電容和電阻,然后將提取的這些寄生參數(shù)反標(biāo)到電路網(wǎng)表中再進(jìn)行仿真,這時(shí)的仿真叫做后仿真。后仿真是加入了寄生參數(shù)后對(duì)電路進(jìn)行分析,能夠最大程度確保電路符合設(shè)計(jì)要求。

        在本設(shè)計(jì)中通過(guò)后仿真的性能分析對(duì)電路的設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化調(diào)整,如對(duì)模擬電路的版圖進(jìn)行布局走線調(diào)整、對(duì)相關(guān)的數(shù)字控制脈沖加大了驅(qū)動(dòng)、對(duì)敏感信號(hào)鋪設(shè)隔離層等等。

        通過(guò)上述的優(yōu)化調(diào)整后對(duì)全電路設(shè)計(jì)進(jìn)行了仿真,仿真積分時(shí)間為400 us,兩譜段積分電容分別采用了最小電容值15 fF和20 fF。每列中的6個(gè)像元輸入相同的光電流信號(hào),80列的光電流各有不同,兩譜段的輸出信號(hào)如圖14所示,結(jié)果顯示電路工作正常,功耗和信號(hào)建立時(shí)間滿足設(shè)計(jì)要求。

        圖14 全電路的仿真結(jié)果Fig.14 Simulation results of the whole circuit

        3 電路測(cè)試分析

        本電路基于0.35 μm 5V工藝設(shè)計(jì)完成,電路流片返回后分別進(jìn)行了電路和混成芯片的詳細(xì)測(cè)試分析,電路功耗<50 mW,其中混成芯片在5 MHz工作頻率下測(cè)試60 fF積分電容的紅外探測(cè)器噪聲<0.5 mV,動(dòng)態(tài)范圍大于70 dB,線性度大于99 %。圖15是20°黑體測(cè)試時(shí)的輸出電平(左)和信號(hào)(右),測(cè)試結(jié)果表明輸出信號(hào)均勻性良好。

        圖15 探測(cè)器在20 ℃黑體下的測(cè)試值Fig.15 Test value of detector at 20 ℃ black body

        4 結(jié) 論

        本文詳細(xì)介紹了一款適應(yīng)大像元間距短波線列碲鎘汞紅外探測(cè)器讀出電路的設(shè)計(jì)情況,設(shè)計(jì)工藝選擇為0.35 μm 2P4M,工作電壓為+5 V。電路設(shè)計(jì)流片完成后經(jīng)互聯(lián)探測(cè)器的混成芯片測(cè)試,在5 MHz工作頻率下60 fF積分電容的噪聲<0.5 mV,功耗<50 mW,動(dòng)態(tài)范圍大于70 dB,線性度大于99 %,輸出信號(hào)均勻性良好,電路滿足預(yù)期的設(shè)計(jì)要求,具有實(shí)用價(jià)值。

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