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        溫濕度對(duì)LTO5磁帶存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可讀性影響試驗(yàn)分析

        2022-05-30 18:10:20史金
        檔案管理 2022年5期
        關(guān)鍵詞:溫濕度

        史金

        摘? 要:本文以5種主流品牌LTO5磁帶為研究對(duì)象,參照DA/T 83—2019 檔案數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用LTO磁帶應(yīng)用規(guī)范,通過(guò)溫濕度老化試驗(yàn),較為系統(tǒng)地研究了溫濕度對(duì)LTO5磁帶數(shù)據(jù)可讀性的影響。結(jié)果表明,在相同溫度下升高相對(duì)濕度或在相同的相對(duì)濕度下升高溫度,都將使LTO5磁帶數(shù)據(jù)長(zhǎng)期可讀性降低,且當(dāng)溫度和相對(duì)濕度同時(shí)達(dá)到較高值,磁帶數(shù)據(jù)可讀性降低的速度明顯加快。

        關(guān)鍵詞:LTO5磁帶;溫濕度;數(shù)據(jù)可讀性

        Abstract: In this paper, five mainstream LTO5 tapes were selected as samples of the research target. Referring to DA/T 83—2019 Application specification on LTO tapes for archival data storage, we studied the influence of temperature and humidity on the data readability of LTO5 tapes through temperature and humidity aging test. The conclusion shows that increasing the relative humidity at the same Celsius degree or increasing the temperature at the same relative humidity will reduce the long-term readability of LTO5 tape data, and it will significantly speed up the reduction of the readability of tape data when both the temperature and relative humidity reach relatively high level.

        Keywords: LTO5 tapes; Temperature and humidity; Data readability

        LTO(Linear Tape Open)技術(shù),即線性磁帶開(kāi)放協(xié)議,具有線性多通道、雙向磁帶格式的特點(diǎn),是磁帶技術(shù)發(fā)展的主要方向。LTO磁帶具有單盤(pán)存儲(chǔ)容量大、成本低、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),常用于存儲(chǔ)視頻、音頻等大文件,廣泛應(yīng)用于數(shù)字化影像的保存、通信行業(yè)的信息存儲(chǔ)、大數(shù)據(jù)備份、檔案數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等各個(gè)行業(yè)領(lǐng)域。[1]LTO磁帶作為近線或離線備份重要存儲(chǔ)載體,在保存過(guò)程中出現(xiàn)了帶基粘連、磁道損壞、磁化強(qiáng)度降低、數(shù)據(jù)丟失等情況,威脅到數(shù)據(jù)的長(zhǎng)期安全保存。因此,了解保存環(huán)境對(duì)LTO磁帶存儲(chǔ)數(shù)據(jù)長(zhǎng)期可讀性的影響,研究LTO磁帶性能老化的內(nèi)在規(guī)律,是檔案部門(mén)及相關(guān)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單位需要重點(diǎn)關(guān)注的問(wèn)題。

        在存儲(chǔ)載體保存環(huán)境方面,溫度和濕度是最基礎(chǔ)也是最重要的因素,磁帶的帶基和磁記錄層容易受到溫濕度的影響,為此,筆者以檔案數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用LTO磁帶應(yīng)用規(guī)范為依據(jù)開(kāi)展了溫濕度對(duì)LTO磁帶存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可讀性影響的試驗(yàn)研究。通過(guò)調(diào)研發(fā)現(xiàn),LTO5磁帶作為Ultrium磁帶格式的第五代線性開(kāi)放磁帶規(guī)格,其LTFS系統(tǒng)的開(kāi)放性和兼容性,使其歸檔和檢索的能力得到大幅提升,在檔案部門(mén)應(yīng)用廣泛。[2]基于此,試驗(yàn)以LTO5磁帶為研究對(duì)象,通過(guò)了解溫濕度老化后LTO5磁帶重要參數(shù)的變化,研究溫濕度對(duì)LTO5磁帶存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可讀性的影響規(guī)律,并提出建議,旨在為檔案部門(mén)使用和保存LTO磁帶提供依據(jù)。

        1 試驗(yàn)部分

        1.1 試驗(yàn)對(duì)象。本試驗(yàn)選擇5種主流品牌的LTO5磁帶,分別為A品牌、B品牌、C品牌、D品牌、E品牌。

        1.2 試驗(yàn)設(shè)備

        1.2.1 磁帶數(shù)據(jù)寫(xiě)入設(shè)備。Quantum Scalar i40企業(yè)磁帶庫(kù),尺寸:13.2×44.6×79.2(4U),可靠性:MCBF>500000,連接方式:SAS、FC,容量:25槽位。

        1.2.2 磁帶數(shù)據(jù)檢測(cè)設(shè)備。LTO磁帶離線檢測(cè)儀,具有讀出磁帶芯片數(shù)據(jù)信息的能力,并且能識(shí)別和解析芯片中的數(shù)據(jù)信息,可檢測(cè)磁帶類(lèi)型包括:LTO4、LTO5、LTO6、LTO7。

        1.2.3 老化試驗(yàn)設(shè)備。高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱,溫度范圍:-40℃~150℃,溫度偏差:≤±1℃,相對(duì)濕度范圍:10%~98%,濕度偏差:≤±2%。

        1.3 試驗(yàn)方法

        1.3.1 磁帶數(shù)據(jù)寫(xiě)入。用Quantum Scalar i40磁帶庫(kù)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)寫(xiě)入對(duì)象:5種品牌LTO5磁帶;數(shù)據(jù)寫(xiě)入環(huán)境:溫度為25℃±5℃,相對(duì)濕度為50%±15%;寫(xiě)入數(shù)據(jù)量:磁帶總?cè)萘康?5%左右,約1.48TB;數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度:140MB/s;寫(xiě)入方式:一次寫(xiě)入。

        1.3.2 磁帶檢測(cè)。將LTO5磁帶放入離線磁帶檢測(cè)儀,進(jìn)行磁帶檢測(cè),檢測(cè)環(huán)境:溫度23℃~25℃,相對(duì)濕度40%~50%,達(dá)標(biāo)測(cè)試時(shí)間:7~9分鐘。具體檢測(cè)參數(shù)和樣品要求如表1所示,選擇符合要求的磁帶進(jìn)行老化試驗(yàn)。[3]

        1.3.3 老化試驗(yàn)。將磁帶樣品放入高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱內(nèi),各試驗(yàn)樣品之間應(yīng)有一定間隔,設(shè)定相應(yīng)的溫度和濕度,進(jìn)行老化試驗(yàn),試驗(yàn)結(jié)束后,待箱內(nèi)溫度降至室溫后取出樣品,避光保存24小時(shí)后待測(cè),具體試驗(yàn)條件如表2所示。

        1.4 試驗(yàn)步驟

        (1)按照1.3.1的方法寫(xiě)入數(shù)據(jù),選擇符合要求的LTO5磁帶進(jìn)行試驗(yàn)(見(jiàn)表1)。(2)使用LTO磁帶離線檢測(cè)儀,按照1.3.2的方法檢測(cè)LTO5磁帶的主要參數(shù)。(3)按照1.3.3方法進(jìn)行溫濕度老化試驗(yàn)。(4)使用LTO磁帶離線檢測(cè)儀,按照1.3.2的方法檢測(cè)溫濕度老化試驗(yàn)后LTO5磁帶的主要參數(shù)。(5)比較分析溫濕度老化試驗(yàn)前后LTO5磁帶主要參數(shù)的變化。

        2 結(jié)果和分析

        LTO5磁帶存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的各種誤碼隨時(shí)間推移逐漸增大,超過(guò)糾錯(cuò)系統(tǒng)能力后,數(shù)據(jù)便不能再正確讀取。這種誤碼率的增加體現(xiàn)在讀取重試參數(shù)、伺服錯(cuò)誤參數(shù)等數(shù)據(jù)上,LTO5磁帶任何一個(gè)參數(shù)的增加都反映其數(shù)據(jù)可讀性的降低。

        試驗(yàn)發(fā)現(xiàn),只有讀取重試參數(shù)隨老化試驗(yàn)的進(jìn)行而發(fā)生變化,其他參數(shù)都沒(méi)有發(fā)生變化,因此,筆者以試驗(yàn)前后讀取重試參數(shù)的變化量為觀測(cè)變量,溫濕度為控制變量,用SPSS軟件進(jìn)行單因素方差分析(顯著性水平α為0.05)和多重比較,分析相同溫度下不同相對(duì)濕度和相同相對(duì)濕度下不同溫度對(duì)LTO5磁帶存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可讀性的影響。

        LTO5磁帶按照品牌類(lèi)型分為5組樣品,每組樣品取10盤(pán)磁帶進(jìn)行溫濕度老化試驗(yàn),經(jīng)不同溫濕度老化后,各品牌磁帶讀取重試參數(shù)變化量的平均值如表3所示。其中,在溫度70℃、在相對(duì)濕度90%條件下,經(jīng)過(guò)336小時(shí)試驗(yàn)后,5種品牌的磁帶都已無(wú)檢測(cè)結(jié)果;在溫度70℃、相對(duì)濕度70%條件下,經(jīng)過(guò)336小時(shí)試驗(yàn)后,B和D品牌的磁帶無(wú)檢測(cè)結(jié)果,說(shuō)明這兩組溫濕度老化試驗(yàn)對(duì)磁帶數(shù)據(jù)可讀性的影響明顯。

        根據(jù)方差齊性檢驗(yàn)結(jié)果,各品牌磁帶的Levene統(tǒng)計(jì)量概率P值分別為2.36E-6、1.80E-4、1.37E-4、1.59E-4、1.26E-10,均小于0.05,表明各品牌LTO5磁帶老化后讀取重試參數(shù)變化量的總體方差不齊,不符合方差分析的前提條件,因此,不能采用方差分析的方法比較LTO5磁帶老化后讀取重試參數(shù)變化量的差異。在此情況下,我們采用Games-Howell多重比較,具體結(jié)果如表4所示。

        本文將Games-Howell多重比較的關(guān)鍵參數(shù)顯著性P值列出,在進(jìn)行兩兩比較時(shí),當(dāng)P值大于0.05時(shí),判定為兩種溫濕度老化試驗(yàn)后,磁帶讀取重試參數(shù)變化量不存在差異,當(dāng)P值小于0.05時(shí),判定為兩種溫濕度老化試驗(yàn)后,磁帶讀取重試參數(shù)變化量存在差異,再通過(guò)均值的大小來(lái)判定磁帶溫濕度老化影響程度的升高或降低,同時(shí),無(wú)檢測(cè)結(jié)果的情況視為對(duì)磁帶數(shù)據(jù)可讀性有影響?;谝陨蠗l件,分析相同溫度下不同相對(duì)濕度和相同相對(duì)濕度下不同溫度對(duì)LTO5磁帶存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可讀性的影響。

        (1)A品牌磁帶讀取重試參數(shù)變化量在不同溫濕度條件下的變化情況如下:

        在30℃、336h老化條件下,相對(duì)濕度由50%升高至70%,A品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量沒(méi)有顯著增加;在50℃、336h老化條件下,相對(duì)濕度由70%升高至90%,A品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量明顯增加;在70℃,336h老化條件下,相對(duì)濕度由30%升高至50%,A品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量沒(méi)有明顯增加,再由70%升高至90%,A品牌磁帶無(wú)檢測(cè)結(jié)果;在相對(duì)濕度30%、336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,A品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量沒(méi)有明顯增加;在相對(duì)濕度50%、336h老化條件下,溫度由30℃升高至70℃,A品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量明顯增加;在相對(duì)濕度70%,336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,A品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量明顯增加;在相對(duì)濕度90%,336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,A品牌磁帶無(wú)檢測(cè)結(jié)果。

        (2)B品牌磁帶讀取重試參數(shù)變化量在不同溫濕度條件下的變化情況如下:

        在30℃、336h老化條件下,相對(duì)濕度由50%升高至70%,B品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量沒(méi)有顯著增加;在50℃、336h老化條件下,相對(duì)濕度由30%上升到50%,B品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量明顯增加,再由50%上升到90%,B品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量明顯增加。

        在70℃、336h老化條件下,相對(duì)濕度由50%升高至90%,B品牌磁帶無(wú)檢測(cè)結(jié)果。

        在相對(duì)濕度30%、336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,B品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量明顯增加。

        在相對(duì)濕度50%、336h老化條件下,溫度由30℃升高至50℃,B品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量沒(méi)有明顯增加,再由50℃升高至70℃,B品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量明顯增加。

        在相對(duì)濕度70%、336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,B品牌磁帶無(wú)檢測(cè)結(jié)果。

        在相對(duì)濕度90%,336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,B品牌磁帶無(wú)檢測(cè)結(jié)果。

        (3)C品牌磁帶讀取重試參數(shù)變化量在不同溫濕度條件下的變化情況如下:

        在30℃、336h老化條件下,相對(duì)濕度由50%上升到70%,C品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量影響不顯著。在50℃、336h老化條件下,相對(duì)濕度由30%上升到90%,C品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量沒(méi)有明顯增加。

        在70℃、336h老化條件下,相對(duì)濕度由70%升高至90%,C品牌磁帶無(wú)檢測(cè)結(jié)果。在相對(duì)濕度30%、336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,C品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量明顯增加。

        在相對(duì)濕度50%、336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,C品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量明顯增加。

        在相對(duì)濕度70%、336h老化條件下,溫度由30℃升高至50℃,C品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量沒(méi)有明顯增加。

        在相對(duì)濕度90%,336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,C品牌磁帶無(wú)檢測(cè)結(jié)果。

        (4)D品牌磁帶讀取重試參數(shù)變化量在不同溫濕度條件下的變化情況如下:

        在30℃、336h老化條件下,相對(duì)濕度由50%上升到70%,D品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量的影響不顯著。在50℃、336h老化條件下,相對(duì)濕度由50%上升到90%,D品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量明顯增加。

        在70℃、336h老化條件下,相對(duì)濕度由50%升高至90%,D品牌磁帶無(wú)檢測(cè)結(jié)果。

        在相對(duì)濕度30%、336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,D品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量沒(méi)有明顯增加。

        在相對(duì)濕度50%、336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,D品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量明顯增加。

        在相對(duì)濕度70%、336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,D品牌磁帶無(wú)檢測(cè)結(jié)果。

        在相對(duì)濕度90%,336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,D品牌磁帶無(wú)檢測(cè)結(jié)果。

        (5)E品牌磁帶讀取重試參數(shù)變化量在不同溫濕度條件下的變化情況如下:

        在30℃、336h老化條件下,相對(duì)濕度由50%上升到70%,E品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量的影響不顯著。在50℃、336h老化條件下,相對(duì)濕度由30%上升到90%,E品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量沒(méi)有明顯增加。

        在70℃、336h老化條件下,相對(duì)濕度由30%升高至50%,E品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量沒(méi)有明顯增加,再由70%升高至90%,E品牌磁帶無(wú)檢測(cè)結(jié)果。

        在相對(duì)濕度30%、336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,E品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量明顯增加。在相對(duì)濕度50%、336h老化條件下,溫度由30℃升高至70℃,E品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量沒(méi)有明顯增加。

        在相對(duì)濕度70%、336h老化條件下,溫度由30℃升高至50℃,E品牌磁帶讀取重試參數(shù)的變化量沒(méi)有明顯增加。在相對(duì)濕度90%,336h老化條件下,溫度由50℃升高至70℃,E品牌磁帶無(wú)檢測(cè)結(jié)果。

        對(duì)于在試驗(yàn)周期內(nèi)不同溫濕度對(duì)LTO5磁帶讀取重試參數(shù)的變化量影響不顯著的結(jié)果,筆者認(rèn)為不能簡(jiǎn)單地以此作為結(jié)論,從統(tǒng)計(jì)學(xué)和LTO5磁帶性能參數(shù)隨時(shí)間變化的角度來(lái)分析:

        一是確實(shí)沒(méi)有差異,即使延長(zhǎng)試驗(yàn)時(shí)間也是如此;二是存在差異,但差異還不明顯,增加樣品量或延長(zhǎng)試驗(yàn)時(shí)間,差異可能逐漸變得顯著。

        因此,對(duì)于在本次試驗(yàn)周期內(nèi)不同溫濕度對(duì)磁帶讀取重試參數(shù)變化量的影響不顯著的情況,還不能簡(jiǎn)單依據(jù)分析結(jié)果判定其長(zhǎng)期影響趨勢(shì)。

        綜合以上分析結(jié)果(參照?qǐng)D1),得出如下結(jié)論:

        (1)不同溫濕度老化對(duì)五種品牌的LTO5磁帶數(shù)據(jù)可讀性影響的差異不完全相同,但在已確定的差異之間呈現(xiàn)出共同趨勢(shì):在相同的溫度下,相對(duì)濕度升高導(dǎo)致數(shù)據(jù)長(zhǎng)期可讀性降低;在相同的相對(duì)濕度下,溫度升高導(dǎo)致數(shù)據(jù)長(zhǎng)期可讀性降低。因此,適當(dāng)降低保存環(huán)境的溫濕度,有利于提高LTO5磁帶數(shù)據(jù)長(zhǎng)期可讀性。

        (2)在溫度70℃、相對(duì)濕度70%和溫度70℃、相對(duì)濕度90%條件下,進(jìn)行老化試驗(yàn)后,均出現(xiàn)了磁帶無(wú)檢測(cè)結(jié)果的現(xiàn)象。說(shuō)明當(dāng)溫度和相對(duì)濕度同時(shí)達(dá)到較高值,LTO5磁帶數(shù)據(jù)可讀性降低的速度明顯加快。

        (3)E品牌LTO5磁帶的數(shù)據(jù)可讀性受溫濕度老化試驗(yàn)影響的程度相對(duì)較低。

        3 建議

        3.1 謹(jǐn)慎選擇和使用存儲(chǔ)檔案數(shù)字資源的LTO磁帶。LTO磁帶的品牌、型號(hào)種類(lèi)較多,質(zhì)量良莠不齊,建議參照檔案數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用LTO磁帶應(yīng)用規(guī)范選擇和使用LTO磁帶,控制好磁帶所處環(huán)境的溫濕度,不要出現(xiàn)溫度過(guò)高或濕度過(guò)高的情況,以免影響磁帶存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的長(zhǎng)期可讀性。

        另外,LTO磁帶技術(shù)發(fā)展迅速,大約每隔兩年就有新一代LTO磁帶出現(xiàn),其存儲(chǔ)量隨之大幅度提升,LTO8的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)量已經(jīng)達(dá)到12TB,LTO12將達(dá)到144TB,[4]單盤(pán)磁帶一旦發(fā)生損壞,大量的檔案數(shù)據(jù)就會(huì)面臨丟失的風(fēng)險(xiǎn),這使得每一盤(pán)磁帶的使用和保護(hù)工作變得非常重要,檔案部門(mén)要重視并加強(qiáng)磁帶的管理和維護(hù)工作。

        3.2 深入開(kāi)展LTO磁帶存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可靠性試驗(yàn)研究工作。為了更安全可靠地使用LTO磁帶存儲(chǔ)檔案數(shù)據(jù),建議開(kāi)展磁帶檢測(cè)方面的研究。

        目前,磁帶的檢測(cè)參數(shù)是通過(guò)解析磁帶CM芯片獲得的關(guān)于磁帶健康狀況的宏觀參數(shù),而磁道、磁化強(qiáng)度等描述磁帶介質(zhì)狀態(tài)的參數(shù)無(wú)法檢測(cè)。檔案部門(mén)可以聯(lián)合磁帶生產(chǎn)企業(yè),研究并獲取更多關(guān)于LTO磁帶狀況的檢測(cè)參數(shù),進(jìn)而更好地了解磁帶數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)狀態(tài);另外,建議加大開(kāi)展磁帶存儲(chǔ)技術(shù)可靠性研究的力度。

        本文只是對(duì)LTO5磁帶數(shù)據(jù)可讀性受環(huán)境影響狀況的初步研究,后期可研究其他環(huán)境因素對(duì)磁帶數(shù)據(jù)可讀性的影響,以及LTO6、LTO7和LTO8等磁帶存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的長(zhǎng)期可讀性,從而為檔案部門(mén)使用、保管LTO磁帶提供技術(shù)支持。

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