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        基于光子計(jì)數(shù)能譜CT的含能材料等效原子序數(shù)測量方法

        2022-05-06 01:16:12楊亞飛張才鑫張偉斌張定華黃魁東
        光譜學(xué)與光譜分析 2022年5期
        關(guān)鍵詞:測量實(shí)驗(yàn)

        楊亞飛, 張才鑫, 陳 華, 張偉斌, 田 勇, 張定華, 黃魁東*

        1. 中國工程物理研究院化工材料研究所, 四川 綿陽 621999

        2. 西北工業(yè)大學(xué)航空發(fā)動(dòng)機(jī)高性能制造工業(yè)和信息化部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 陜西 西安 710072

        3. 西北工業(yè)大學(xué)航空發(fā)動(dòng)機(jī)先進(jìn)制造技術(shù)教育部工程研究中心, 陜西 西安 710072

        引 言

        計(jì)算機(jī)斷層成像(computer tomography, CT)利用X射線光譜對物體進(jìn)行透射成像, 作為一種快速、 簡單、 非破壞性的現(xiàn)代分析手段, 在醫(yī)學(xué)診斷和治療以及工業(yè)無損檢測中有著廣泛的應(yīng)用[1-3]。 CT圖像表征了每個(gè)像素內(nèi)材料的線性衰減系數(shù)分布情況, 該系數(shù)由X射線能量和材料特性(其質(zhì)量密度和等效原子序數(shù))共同決定[4]。 等效原子序數(shù)是一個(gè)假設(shè)的單一元素的原子序數(shù), 其相同質(zhì)量密度下的衰減特性與被測量的化合物或混合物完全相同。 相較于材料衰減系數(shù), 等效原子序數(shù)可以更好的體現(xiàn)材料內(nèi)部組成。 例如, 水和炸藥(硝酸銨和燃料油)的衰減系數(shù)相近, 但等效原子序數(shù)差異較大。 而實(shí)際CT檢測中, 由于X射線源產(chǎn)生的光譜很寬(這與傳統(tǒng)CT理論中X射線源只能發(fā)出特定能量光子的假設(shè)相違背), 積分型探測器對整個(gè)光譜的光子進(jìn)行能量積分, 導(dǎo)致質(zhì)量密度和等效原子序數(shù)均不相同的材料在給定的光譜下可能表現(xiàn)為近似的衰減系數(shù), 這導(dǎo)致傳統(tǒng)CT無法完成材質(zhì)的有效識別[5]。 以含能材料為例, 在實(shí)際生產(chǎn)檢測中可經(jīng)常發(fā)現(xiàn)含能材料樣品中含有高衰減的雜質(zhì), 其衰減值遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)含能材料, 甚至高于金屬鋁。 從CT理論分析, 高衰減雜質(zhì)可能是含能材料高聚集(等效原子序數(shù)與傳統(tǒng)含能材料接近, 組成類似, 但密度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)含能材料)或者高原子序數(shù)雜質(zhì)(等效原子序數(shù)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)含能材料, 組成與傳統(tǒng)含能材料差異很大)造成的。 但傳統(tǒng)CT無法獲得材料的等效原子序數(shù), 因此很難判斷該類雜質(zhì)的成因并針對雜質(zhì)改進(jìn)生產(chǎn)工藝。

        作為傳統(tǒng)CT的補(bǔ)充, 雙能CT最早由Alvarez和Macowski等提出。 該技術(shù)利用兩種不同光譜的投影值獲取材料的等效原子序數(shù)。 雙能CT發(fā)展迅速, 但實(shí)際中存在光譜測量困難, 標(biāo)定過程復(fù)雜, 噪聲放大等缺點(diǎn)。 據(jù)此, Rutherford等通過使用兩個(gè)不同的X射線管電壓(例如100和140 kVp), 提出了一種以氧為標(biāo)準(zhǔn)元素的迭代方法, 用以估計(jì)大腦軟組織的等效原子序數(shù)。 但由于射線源所發(fā)出的光譜很寬, 射束硬化效應(yīng)導(dǎo)致其衰減值準(zhǔn)確性降低, 影響了整個(gè)方法的精度。 Garcia進(jìn)一步提出了基于K-L展開(Karhunen-Loeve expansion, KLE)的雙能CT方法以測量等效原子序數(shù)[6-7]。 然而射束硬化偽影導(dǎo)致測量的等效原子序數(shù)誤差較大。 為進(jìn)一步抑制射束硬化效應(yīng), Torikoshi等修改了Rutherford的迭代方法并使用40和70 keV兩種單色X射線測量了水的等效原子序數(shù)。 但該方法僅適用于同步輻射設(shè)施, 難以廣泛應(yīng)用。

        近年來, 基于光子計(jì)數(shù)探測器的能譜CT發(fā)展迅速[8], 并有望在臨床醫(yī)學(xué)和工業(yè)無損檢測中得到廣泛應(yīng)用。 相較于積分型探測器的間接轉(zhuǎn)換方式(首先將X光轉(zhuǎn)換為可見光, 再將可見光轉(zhuǎn)換為電荷), 光子計(jì)數(shù)探測器可直接將X光子直接轉(zhuǎn)換為電荷, 并通過設(shè)置接收光子的最低能量閾值, 有效抑制了轉(zhuǎn)換過程中的熱噪聲和其他電子噪聲[9]。 此外, 光子計(jì)數(shù)探測器可同時(shí)設(shè)置多個(gè)能量閾值, 利用一次掃描即可獲取積分型探測器多次掃描獲取的多能譜信息, 因此能譜CT在散射偽影抑制、 射束硬化偽影抑制、 虛擬單色圖像生成[10]、 以及材質(zhì)識別[11-12]等方面相較于雙能CT具有明顯的優(yōu)勢。 日本靜岡大學(xué)的小組利用64通道的CdTe光子計(jì)數(shù)探測器和Torikoshi的方法在50~70和120~140 keV兩種能量范圍的X射線下測量了乙醇和水的等效原子序數(shù), 相對誤差分別為3.5%和5%[13]。 除Torikoshi等所提的迭代方法外, Yamashita等利用美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院(National Institute of Standards and Technology, NIST)的X射線質(zhì)量衰減系數(shù)表[14]繪制了兩種特定能量下不同元素的衰減系數(shù)比值曲線, 并基于transXend探測器的能量選擇特性, 利用準(zhǔn)單色X射線模擬單色X射線, 獲得了對應(yīng)能量下不同元素的衰減系數(shù)比值, 結(jié)合插值算法建立了元素衰減系數(shù)比值曲線, 并完成了材料等效原子序數(shù)估計(jì)。 這種方法有效降低了射束硬化效應(yīng)的影響, 相較于雙能CT方法和基于同步輻射的迭代方法, 精度更高[15]。 但該方法必須設(shè)置很窄的能量區(qū)間(例如0.5 keV), 嚴(yán)重限制了探測器接收的有效光子數(shù), 導(dǎo)致標(biāo)定與測量過程十分耗時(shí)。 但待測材料的原子序數(shù)精度仍可能受重建誤差、 探測器響應(yīng)誤差、 散射效應(yīng)等因素影響。

        基于新型CdTe光子計(jì)數(shù)探測器XCounter Hydra FX20, 本文提出了一種簡單的材料等效原子序數(shù)測量方法。 該方法根據(jù)材料的衰減特性, 重新推導(dǎo)了兩個(gè)能區(qū)下的衰減系數(shù)比值與等效原子序數(shù)的關(guān)系, 且只需三種標(biāo)定物即可完成關(guān)系曲線擬合。 相較于雙能CT方法[6-7], 本文方法避免了光譜測量困難, 標(biāo)定過程復(fù)雜, 噪聲放大等缺點(diǎn)。 相較于Torikoshi等基于同步輻射的迭代方法, 該方法大幅降低了設(shè)備要求。 相較于Yamashita等的方法[15], 該方法有效增加了探測器接收的有效光子數(shù), 大幅降低了標(biāo)定與測量代價(jià)。 實(shí)驗(yàn)表明, 本文方法在當(dāng)前掃描條件(包含管電壓、 管電流、 幾何位置)、 當(dāng)前標(biāo)定范圍(等效原子序數(shù)6~13)下測量得到的等效原子序數(shù)相對誤差在2%以內(nèi), 具有較高可靠性。 同時(shí), 本文根據(jù)含能材料樣品的等效原子序數(shù)測量結(jié)果, 對高衰減雜質(zhì)成分進(jìn)行了有效判斷。 結(jié)果表明, 所提方法可以有效解決含能材料實(shí)際生產(chǎn)中的成分識別難題, 并有望促進(jìn)含能材料生產(chǎn)工藝的改進(jìn), 具有重大的工程意義。

        1 理論和方法

        1.1 衰減系數(shù)分解

        在CT領(lǐng)域, Alvarez等已經(jīng)對X射線與材料各種相互作用的物理機(jī)制進(jìn)行了深入研究。 根據(jù)其研究, X射線在穿透物體單位距離過程中發(fā)生各種相互作用的可能性被稱作衰減系數(shù), 該系數(shù)與物體的密度、 組成和射線能量相關(guān)。 根據(jù)成像目的, 可將其分解為物理基函數(shù)或材料基函數(shù)[7]。 材料基函數(shù)分解對組成未知的物體適用性較差, 為提高算法通用性, 本文基于物理基函數(shù)(光電吸收函數(shù)和康普頓散射函數(shù))分解進(jìn)行討論。 物體衰減系數(shù)與等效原子序數(shù)的關(guān)系可表示為

        (1)

        式(1)中:u(x,y,E)為(x,y)處能量E時(shí)物體的衰減系數(shù),Zeff(x,y)為(x,y)處物體的等效原子序數(shù),ρ(x,y)為(x,y)處物體的質(zhì)量密度,Aeff(x,y)為(x,y)處物體的等效原子質(zhì)量,K1和K2為常數(shù),fp(E)為能量E下的光電吸收函數(shù)值,fc(E)為能量E下的康普頓散射函數(shù)值[7]。

        1.2 等效能量

        當(dāng)X射線通過路徑L穿透物體時(shí), 根據(jù)Lambert-Beer定律, 光子計(jì)數(shù)探測器第j個(gè)能區(qū)接收的光子數(shù)Ij可表示為

        (2)

        (3)

        (4)

        該近似的精度取決于能區(qū)內(nèi)物體衰減系數(shù)的線性度。

        1.3 材料的等效原子序數(shù)

        假設(shè)化合物或混合物由M種原子組成, 其原子序數(shù)分別為Z1,Z2, …,ZM。 根據(jù)放射學(xué)中的Glasser公式, 化合物或混合物的等效原子序數(shù)Zeff可以表示為

        (5)

        式(5)中,am為化合物或混合物中第m種原子的質(zhì)量百分比,Am為第m種原子的原子質(zhì)量,nm為第m種原子的數(shù)目,Zm為第m種原子的原子序數(shù)。

        1.4 未知材料的等效原子序數(shù)測量

        (6)

        與Yamashita的方法[15]不同的是, 本文將式(1)代入式(6), 且考慮到相同位置處的Zeff(x,y),ρ(x,y)和Aeff(x,y)相同, 因此可得

        (7)

        (8)

        (9)

        此時(shí)只需對三種已知材料進(jìn)行掃描重建并標(biāo)定即可獲取標(biāo)定參數(shù)a,b,c。 實(shí)驗(yàn)者不需要獲取每個(gè)能區(qū)的等效能量和光譜數(shù)據(jù), 只需在相同掃描條件下獲取未知材料在兩個(gè)能區(qū)下的CT圖像(衰減系數(shù)), 進(jìn)而獲得衰減系數(shù)比值R(x,y), 即可利用式(8)得到未知材料的等效原子序數(shù)zeff(x,y), 具體可描述為

        (10)

        實(shí)際應(yīng)用本文方法時(shí)有兩種選擇方案: (1)利用能譜CT低、 高能區(qū)切片圖像中逐像素求R值, 進(jìn)而逐像素獲取物體的等效原子序數(shù); (2)首先對能譜CT低、 高能區(qū)切片圖像進(jìn)行分割, 求出各分割區(qū)域的平均R值, 進(jìn)而求解該分割區(qū)域的平均等效原子序數(shù)。 實(shí)際應(yīng)用時(shí)應(yīng)選擇第一種方案。 第二種方案存在部分缺點(diǎn): ①切片圖像中可能含有多種材料和雜質(zhì), 且雜質(zhì)的灰度可能變化較大, 因此對切片圖像進(jìn)行分割難度較大且精度難以保證; ②分區(qū)域求解只能獲取該區(qū)域的平均等效原子序數(shù), 而無法獲取雜質(zhì)等效原子序數(shù)的變化范圍(一般而言, 雜質(zhì)的等效原子序數(shù)是變化的), 不利于雜質(zhì)種類的判斷。 因此第一種方案更有利于雜質(zhì)原子序數(shù)獲取。

        2 實(shí)驗(yàn)部分

        為了減小射束硬化偽影對標(biāo)定結(jié)果的影響, 實(shí)驗(yàn)中金屬鋁的尺寸為φ5 mm, 金屬鈦的尺寸為φ2 mm, 其他零件尺寸均為φ10 mm。 三組實(shí)驗(yàn)的重建參數(shù)均為: 射線源至旋轉(zhuǎn)中心距離為175.00 mm; 射線源至探測器距離為420.00 mm; 探測器像素尺寸為0.10 mm; 重建體素尺寸為0.041 67 mm; 微焦點(diǎn)X射線源型號為濱松(HAMAMATSU)L12161—07; 管電壓為150 kVp, 管電流為150 μA, 光子計(jì)數(shù)探測器型號為XCounter Hydra FX20, 采集速度為20幀·s-1, 20幀圖像求和并取反對數(shù)得到一幅投影圖像; 單幅投影大小為1 024×64(裁剪后); 投影總幅數(shù)為900幅; 重建矩陣大小為1 024×1 024×64; 能譜CT的低能量閾值為60 keV, 高閾值為100 keV, 因此其低能區(qū)為60~100 keV, 高能區(qū)為100~150 keV。

        2.1 實(shí)驗(yàn)一

        本實(shí)驗(yàn)掃描對象由尼龍6、 聚四氟乙烯、 金屬鋁、 金屬鈦、 有機(jī)玻璃、 未知物共6種材料的零件組成。 常見含能材料的等效原子序數(shù)zeff主要在6~12之間, 因此本文選定尼龍6、 聚四氟乙烯、 金屬鋁為標(biāo)定物。 三種標(biāo)定物的化學(xué)式、 等效原子序數(shù)和衰減比值R如表1所示。

        表1 實(shí)驗(yàn)一標(biāo)定物的化學(xué)式、 等效原子序數(shù)和衰減比值

        利用三種標(biāo)定物的等效原子序數(shù)zeff和衰減比值R對式(8)進(jìn)行標(biāo)定, 可得標(biāo)定參數(shù)a=6.435,b=23 680,c=128 100。 結(jié)合本實(shí)驗(yàn)的能譜CT低、 高能區(qū)切片圖像, 通過式(9)即可測量得到不同材料的等效原子序數(shù)zeff。 結(jié)果如圖1所示: 其中圖1(a)為能譜CT低能區(qū)切片圖像, 灰度窗口[0, 2.75]; 圖1(b)為能譜CT高能區(qū)切片圖像, 灰度窗口[0, 1.48]; 圖1(c)為衰減比值R圖像, 灰度窗口[0, 2.37]; 圖1(d)為測量得到的等效原子序數(shù)圖像, 灰度窗口[0, 19.89]。

        圖1中鈦和有機(jī)玻璃均為已知材料, 可用其等效原子序數(shù)zeff評估本實(shí)驗(yàn)的相對誤差。 測量得到的各零件材料衰減比值R、 等效原子序數(shù)zeff及其相對誤差如表2所示(結(jié)果為紅色方框位置所有像素的平均值及其標(biāo)準(zhǔn)差)。 從表2中可得本實(shí)驗(yàn)結(jié)果中鈦的等效原子序數(shù)為16.323 2±0.014 4(實(shí)際等效原子序數(shù)為22), 相對誤差為25.803 6%; 有機(jī)玻璃等效原子序數(shù)為6.894 0±0.128 2(實(shí)際等效原子序數(shù)為6.942 0), 相對誤差為0.691 4%。

        表2 測量得到的各零件材料衰減比值、 等效原子序數(shù)及其相對誤差

        圖1 實(shí)驗(yàn)一測量結(jié)果

        2.2 實(shí)驗(yàn)二

        本實(shí)驗(yàn)同時(shí)掃描6個(gè)零件, 其零件號分別為22F、 22、 F2314、 Al、 22F+F2314、 聚四氟乙烯。 對于前五個(gè)零件, 本文不方便公布其組成, 僅以代號進(jìn)行區(qū)分, 在一定程度上可將其視為組成未知的含能材料。 本實(shí)驗(yàn)所有條件與實(shí)驗(yàn)一相同, 因此可直接采用實(shí)驗(yàn)一的標(biāo)定參數(shù), 即:a=6.435,b=23 680,c=128 100。 利用上述標(biāo)定參數(shù)和本實(shí)驗(yàn)?zāi)茏VCT低、 高能區(qū)的切片圖像, 通過式(9)可得各零件材料的等效原子序數(shù), 結(jié)果如圖2所示: 其中圖2(a)為能譜CT低能區(qū)切片圖像, 灰度窗口[0, 1.375]; 圖2(b)為能譜CT高能區(qū)切片圖像, 灰度窗口[0, 0.69]; 圖2(c)為衰減比值R圖像, 灰度窗口[0, 1.98]; 圖2(d)為測量的等效原子序數(shù)圖像, 灰度窗口[0, 17.17]。

        圖2中鋁和聚四氟乙烯均為已知材料, 可用其等效原子序數(shù)評估zeff本實(shí)驗(yàn)的相對誤差。 測量得到的各零件材料衰減比值R、 等效原子序數(shù)zeff和相對誤差如表3所示(結(jié)果為紅色方框內(nèi)所有相似的平均值)。 特別的, 為了減小射束硬化偽影的影響, F2314紅色方框相對位置與22F+F2314中的F2314紅色方框相對位置接近, 都放置在零件邊緣。

        圖2 實(shí)驗(yàn)二測量結(jié)果

        由表3可知, 鋁的等效原子序數(shù)相對誤差為0.719 2%; 聚四氟乙烯的等效原子序數(shù)相對誤差為0.839 1%; 22F測量的等效原子序數(shù)為7.753 5±0.102 7, 混合物22F+F2314中的22F測量的等效原子序數(shù)為7.660 5±0.105 0, 兩者相差1.119 9%; F2314測量的等效原子序數(shù)為11.281 1±0.112 1, 混合物22F+F2314中的F2314測量的等效原子序數(shù)為11.379 4±0.021 41, 兩者相差0.871 4%。 結(jié)果表明, 相同掃描條件下, 利用本文方法獲得的標(biāo)定參數(shù)可將等效原子序數(shù)相對誤差控制在2%以內(nèi), 因此本文等效原子序數(shù)測量方法是有效的。 同時(shí)可發(fā)現(xiàn), 22中雜質(zhì)的低能區(qū)衰減值、 高能區(qū)衰減值和衰減比值均遠(yuǎn)高于鋁和常規(guī)含能材料。 根據(jù)等效原子序數(shù)測量結(jié)果, 其等效原子序數(shù)約為15.733 2±1.589 2(等效原子序數(shù)最大值高達(dá)17.322 4, 甚至高于實(shí)驗(yàn)一所標(biāo)定的鈦), 遠(yuǎn)高于鋁和常規(guī)含能材料。 因此可確定22中的高衰減雜質(zhì)是含能材料生產(chǎn)過程中混入的高原子序數(shù)雜質(zhì), 從而排除了含能材料高聚集的猜想。

        表3 測量得到的各零件材料衰減比值、 測量的等效原子序數(shù)和相對誤差

        3 結(jié)果與討論

        3.1 可靠性判斷

        本文的兩組實(shí)驗(yàn)均在相同管電壓和探測器能量閾值下進(jìn)行, 實(shí)驗(yàn)一利用尼龍6、 聚四氟乙烯和鋁三種材料實(shí)現(xiàn)了衰減比值R與等效原子序數(shù)Zeff關(guān)系曲線的標(biāo)定, 實(shí)驗(yàn)二直接采用實(shí)驗(yàn)一標(biāo)定的關(guān)系曲線, 實(shí)現(xiàn)了未知材料的等效原子序數(shù)測量。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果均表明本文等效原子序數(shù)測量方法在當(dāng)前掃描條件、 當(dāng)前標(biāo)定范圍內(nèi)(等效原子序數(shù)范圍為6~13), 可將等效原子序數(shù)的相對誤差控制在2%以內(nèi), 具有較高可靠性, 具備了一定的工業(yè)實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。

        3.2 誤差影響因素

        本方法中的衰減比值圖像是利用能譜CT低、 高能區(qū)切片圖像的對應(yīng)像素灰度相除獲取的, 因此能譜CT低、 高能區(qū)切片圖像質(zhì)量將直接影響等效原子序數(shù)測量結(jié)果。 根據(jù)現(xiàn)有能譜CT理論, 影響能譜CT低、 高能區(qū)切片圖像質(zhì)量的因素包括: 切片噪聲、 射束硬化效應(yīng)、 散射效應(yīng)、 重建誤差、 零件尺寸和K-edge效應(yīng)。 為降低切片噪聲的影響, 可采取增大X射線劑量、 圖像降噪、 迭代重建等諸多手段抑制能譜CT低、 高能區(qū)切片的噪聲。 為降低射束硬化效應(yīng)和散射效應(yīng)的影響, 應(yīng)選取恰當(dāng)?shù)奶綔y器能量閾值, 且零件直徑不應(yīng)超過本文標(biāo)定范圍(10 mm)。 特別的, 當(dāng)掃描對象中包含K-edge能量高的材料時(shí), 材料的K-edge效應(yīng)不可忽略, 該方法不再適用[14]。 本文方法雖然在推導(dǎo)階段沒有考慮切片重建誤差、 探測器響應(yīng)誤差、 射束硬化效應(yīng)和散射效應(yīng)等因素, 但由于標(biāo)定實(shí)驗(yàn)與測量實(shí)驗(yàn)是相同成像條件下進(jìn)行的, 相當(dāng)于將上述影響因素納入了標(biāo)定曲線, 因此本文方法在很大程度上抑制了上述因素對最終結(jié)果的影響。

        4 結(jié) 論

        本文方法在實(shí)際應(yīng)用中不依賴于能譜CT的專業(yè)知識, 魯棒性和通用性強(qiáng); 同時(shí)利用較寬的探測器能區(qū)進(jìn)行掃描成像, 較充分的利用了X射線源所發(fā)出的光子, 使檢測效率滿足了工業(yè)無損檢測和醫(yī)學(xué)成像的實(shí)際需求, 具有良好的商業(yè)應(yīng)用前景。 特別的, 在含能材料實(shí)際生產(chǎn)檢測中, 本文提出的等效原子序數(shù)測量方法, 對含能材料生產(chǎn)中的高衰減雜質(zhì)成分進(jìn)行了有效判斷, 并指出了高衰減雜質(zhì)是實(shí)際生產(chǎn)過程中混入的高原子序數(shù)雜質(zhì), 而非高聚集的含能材料。 這對后續(xù)含能材料生產(chǎn)工藝改進(jìn)具有重要指導(dǎo)意義。

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