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        基于FPGA 的大功率壓電陶瓷數(shù)字驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)

        2022-04-19 10:49:24康玉寬鄭翰琳
        電子技術(shù)應(yīng)用 2022年4期
        關(guān)鍵詞:壓電濾波器波形

        康玉寬 ,鄭翰琳 ,黃 巧 ,申 偉

        (1.西南科技大學(xué) 城市學(xué)院,四川 綿陽 621000;2.西南科技大學(xué) 信息工程學(xué)院,四川 綿陽 621000)

        0 引言

        隨著國內(nèi)科技的迅速發(fā)展,國內(nèi)大部分領(lǐng)域?qū)Υ笸屏?、高精度的位移裝置產(chǎn)生了迫切的需求。壓電陶瓷具有逆壓電效應(yīng)的特性,而壓電陶瓷疊堆由多片壓電陶瓷組成,它們在機(jī)械上串聯(lián),在電路上并聯(lián),總推力相當(dāng)于所有陶瓷片推力的總和[1]。疊堆型壓電陶瓷具有體積小、響應(yīng)速度快、推力大、精度高等優(yōu)點(diǎn),在國內(nèi)外已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用[2]。

        壓電陶瓷的使用離不開驅(qū)動(dòng)電源,而壓電陶瓷的工作性能大部分由驅(qū)動(dòng)電源的性能好壞決定,因此對壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源有了更高的要求。目前壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源主要分為電荷驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型兩類[3],電荷型的驅(qū)動(dòng)方式存在低頻穩(wěn)定性差,靜態(tài)工作下具有電荷泄露大、非線性、零點(diǎn)漂移嚴(yán)重的缺點(diǎn);電壓型的驅(qū)動(dòng)方式結(jié)構(gòu)電路簡單、可靠性高、紋波小,在靜態(tài)、低頻應(yīng)用中得到普遍的應(yīng)用[4]。

        因此本文在電壓型半橋逆變拓?fù)鋄5]的基礎(chǔ)上,基于FPGA 設(shè)計(jì)了一款數(shù)字控制的大功率、高精度、低紋波的壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源。

        1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

        壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖1 所示。該系統(tǒng)以現(xiàn)場可編程邏輯門陣列(FPGA)作為控制核心,通過18位的隔離采樣A/D 將輸入帶寬10 Hz~800 Hz、幅值0~5 V的正弦模擬信號(hào)和輸出端反饋網(wǎng)絡(luò)所采集到的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),系統(tǒng)采用PID 控制算法將該兩種數(shù)據(jù)以單周期的調(diào)節(jié)方式計(jì)算輸出PWM 占空比,再通過MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路來精準(zhǔn)地控制半橋逆變電路的輸出,在經(jīng)過巴特沃斯濾波器之后輸出到壓電陶瓷,實(shí)現(xiàn)對壓電陶瓷的精確驅(qū)動(dòng)。半橋逆變電路的電源電壓由AC-DC電源提供。

        圖1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖

        2 硬件電路設(shè)計(jì)

        2.1 半橋逆變電路

        半橋逆變電路如圖2 所示,V1和V2分別為半橋逆變電路的上橋臂MOSFET 和下橋臂MOSFET,由驅(qū)動(dòng)器提供開關(guān)頻率f 為100 kHz 的互補(bǔ)SPWM 低壓信號(hào),為防止上下兩個(gè)橋臂的互導(dǎo)通使電路短路,需要在互補(bǔ)的兩路SPWM 之間加入一定的死區(qū)時(shí)間。AC-DC 電源VC輸出高壓直流經(jīng)過半橋逆變電路斬波后,經(jīng)過由電感L和電容C 所構(gòu)成的巴特沃斯低通濾波器[6]得到低紋波、高精度的電壓,用于驅(qū)動(dòng)壓電陶瓷。

        圖2 半橋逆變電路

        2.2 濾波電路

        為保證壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源輸出的紋波小,需要合理地設(shè)計(jì)濾波器參數(shù)。巴特沃斯濾波器的幅度平方函數(shù)定義為:

        式中C 為常數(shù),N 為濾波器的階次,λ 為歸一化低通截止頻率。

        因此巴特沃斯濾波器在頻帶內(nèi)的衰減定義為:

        由式(2)可得濾波器的階數(shù)N 為:

        本文所設(shè)計(jì)的壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源的輸出帶寬為10 Hz~800 Hz,因此通帶截至頻率Ωp為800 Hz,通帶衰減αp為3 dB,根據(jù)壓電陶瓷疊堆的特性,其工作頻率在5 000 Hz以上的高頻信號(hào)時(shí),陶瓷不響應(yīng),因此阻帶起始頻率Ωs為5 000 Hz,阻帶衰減αs為30 dB。由式(3)可計(jì)算出巴特沃斯濾波器的階數(shù)N 為1.88,向上取整后濾波器的階數(shù)為2。

        查表后可得到2 階巴特沃斯低通濾波器的歸一化LPF 基準(zhǔn)濾波器參數(shù)L1=1.414 21 H,C1=1.414 21 F。

        因此本文所設(shè)計(jì)的電感值為:

        電容值為:

        其中M 為待設(shè)計(jì)濾波器截止頻率與基準(zhǔn)濾波器截止頻率的比值,K 為待設(shè)計(jì)濾波器特征阻抗與基準(zhǔn)濾波器特征阻抗的比值。由式(4)和式(5)計(jì)算出待設(shè)計(jì)的電感為3 000 μH,電容為0.2 μF。

        2.3 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路

        由于開關(guān)頻率高,要求驅(qū)動(dòng)電路具有更快的響應(yīng)速度、更強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力并具有穩(wěn)定性[9],同時(shí)需要減少開關(guān)損耗[10]。設(shè)計(jì)采用了UCC21520A 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,尺寸小、功率密度大、具有增強(qiáng)隔離用于保護(hù)。其開關(guān)延遲僅有19 ns,保證了控制信號(hào)的實(shí)時(shí)性,共模瞬態(tài)抗擾度的最小值為100 V/ns,確保了高精度的控制半橋的開斷。

        PWM 信號(hào)輸入設(shè)計(jì)了RC 濾波器可以用來濾除由非理想布局或長PCB 軌跡引入的干擾。禁用引腳在設(shè)為高電平時(shí)可同時(shí)關(guān)斷兩個(gè)輸出,在懸空或接地時(shí)允許器件正常運(yùn)行。作為一種故障安全機(jī)制,一次側(cè)邏輯故障會(huì)強(qiáng)制兩個(gè)輸出為低電平,用于保護(hù)半橋逆變電路中的MOSFET。由于寄生電感可能導(dǎo)致功率晶體管的門源驅(qū)動(dòng)電壓出現(xiàn)振蕩現(xiàn)象,如果超過了閾值電壓,就有可能誤開啟甚至出現(xiàn)擊穿,因此在柵極驅(qū)動(dòng)上加上齊納二極管保證振蕩低于閾值,從而保護(hù)半橋和驅(qū)動(dòng)電路。

        2.4 采樣電路

        圖3 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路

        為了使壓電陶瓷在不同頻率下,能夠穩(wěn)定輸出100倍增益的電壓,系統(tǒng)采用了電壓閉環(huán)控制的方式,采用反饋采樣電路獲取輸出電壓,電路如圖4 所示。其中R1和R2采用精密電阻構(gòu)成了分壓電阻[11],將壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源輸出兩端的電壓縮小100 倍,得到模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片能夠采集的電壓信號(hào),同時(shí)為了減少分壓過后電壓信號(hào)的紋波干擾,需要對分壓后的電壓進(jìn)行濾波,由于輸出的頻率在10 Hz~800 Hz,因此采用R3和C1構(gòu)成了低通濾波器對分壓后的電壓進(jìn)行濾波,為保證隔離采樣的精度,這里選用了ADI 公司的AD215 線性隔離運(yùn)放,該芯片具有±10 V 的信號(hào)輸入范圍,高輸入阻抗,且在1 kHz 的時(shí)候具有-80 dB 的低諧波失真。最終通過18 位高精度的A/D 采樣芯片將AD215 輸出的隔離采樣電壓VADC轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)到FPGA。

        圖4 反饋采樣電路

        3 FPGA 控制算法設(shè)計(jì)

        為保證壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源具有高精度、穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)性能,在系統(tǒng)中引入了電壓閉環(huán)控制[12],以載波頻率為單周期的控制方式調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電源的輸出電壓,其控制框圖如圖5 所示。FPGA[14]驅(qū)動(dòng)18 位A/D 采樣芯片在T0時(shí)刻對輸入電壓信號(hào)AD1和反饋電壓信號(hào)AD2進(jìn)行采樣,F(xiàn)PGA 可以在一個(gè)采樣周期中同時(shí)對輸入和輸出信號(hào)進(jìn)行采集,減少了反饋信號(hào)與原信號(hào)的相位差,也提高了系統(tǒng)對數(shù)據(jù)處理的速度。系統(tǒng)將計(jì)算其偏差和偏差的變化,將這兩個(gè)參數(shù)代入PID 算法中計(jì)算得到輸出的占空比D,等待下一個(gè)T1時(shí)刻到來后,立刻輸出占空比D 到MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,然后重復(fù)T0時(shí)刻的步驟。

        圖5 FPGA 控制框圖

        輸出占空比D 的計(jì)算:

        其中P 為比例參數(shù),I 為積分參數(shù),e(i)為當(dāng)前輸入電壓信號(hào)與反饋電壓信號(hào)的誤差(即e(i)=),F(xiàn)為FPGA 中SPWM 生成模塊的主頻頻率,M 為載波頻率,AD1為輸入電壓信號(hào)。

        其中PID 控制算法[15]中的核心參數(shù)是讓閉環(huán)控制穩(wěn)定的關(guān)鍵,如果采用不斷地實(shí)驗(yàn)去調(diào)節(jié)參數(shù),工作量將十分巨大,因此需要先確定開關(guān)頻率為100 kHz,PID的計(jì)算也按此頻率進(jìn)行,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行,使用數(shù)學(xué)公式解算出PID 控制參數(shù),在此參數(shù)基礎(chǔ)上,進(jìn)行試驗(yàn)對參數(shù)進(jìn)行微調(diào),使其達(dá)到預(yù)期的效果。

        4 仿真與實(shí)驗(yàn)測試

        通過Simulink 仿真軟件平臺(tái)對本設(shè)計(jì)的壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行仿真,先采用理論計(jì)算的參數(shù)和模型進(jìn)行仿真,再根據(jù)仿真的結(jié)果對參數(shù)進(jìn)行細(xì)微調(diào)整后,仿真得到適合的參數(shù),輸出波形也達(dá)到預(yù)期效果,并做了一臺(tái)輸出功率可達(dá)1 kW、輸入信號(hào)帶寬為10 Hz~800 Hz、增益100 倍的壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源,并對靜態(tài)容值為5 μF的壓電陶瓷進(jìn)行各項(xiàng)性能測試。

        4.1 電路仿真

        為了驗(yàn)證驅(qū)動(dòng)電源的穩(wěn)定性和精確性,對壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行仿真分析,仿真電路如圖6 所示,其仿真結(jié)果如圖7 所示。

        圖6 壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)仿真電路

        圖7 仿真驅(qū)動(dòng)波形

        該仿真電路的輸入電壓E1=500 V,MOS1 和MOS2 分別為半橋電路的上橋臂和下橋臂,其開關(guān)頻率為100 kHz,控制信號(hào)為互補(bǔ)SPWM 信號(hào),死區(qū)時(shí)間為100 ns,輸出電感L1=3 000 μH,電容C1=0.2 μF,負(fù)載為與壓電陶瓷等效容值為5 μF 的電容。

        在仿真電路中,輸入信號(hào)幅值為0~5 V、頻率為800 Hz的正弦信號(hào),其輸出波形如圖7 所示,第一個(gè)為電流輸出波形,第二個(gè)為電壓輸出波形,其幅值為498 V,輸出增益約為100 倍。

        4.2 驅(qū)動(dòng)能力測試

        測試條件為:AC-DC 電源輸出設(shè)置為500 V,輸入信號(hào)為0~5 V 正弦信號(hào),為測試不同頻率下的驅(qū)動(dòng)能力,將輸入信號(hào)頻率分別設(shè)定為10 Hz~800 Hz 中9 個(gè)頻點(diǎn)進(jìn)行輸出能力的測試,通過示波器得到不同頻率下壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源輸出的電壓、電流波形。如圖8 所示,在輸入信號(hào)為10 Hz~800 Hz 的條件下,輸出電壓穩(wěn)定在500 V左右,在各頻率下的輸出電壓沒有明顯的波動(dòng),該壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源輸出穩(wěn)定,輸出能力強(qiáng)。

        圖8 頻段內(nèi)電壓輸出實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)

        圖9 為輸入800 Hz 的小信號(hào)時(shí)驅(qū)動(dòng)電源的輸出波形,輸出電壓最大值為495.7 V,電壓輸出經(jīng)過巴特沃斯濾波器濾波之后,電壓波形平滑、紋波小、沒有畸變,實(shí)現(xiàn)了電壓輸出的高精度控制。

        圖9 輸入信號(hào)800 Hz 時(shí)驅(qū)動(dòng)電源輸出波形圖

        對800 Hz 下的輸出波形進(jìn)行FFT 分析,輸入信號(hào)為含有2.5 V 的直流分量、頻率為800 Hz、幅值為5 V 的交流信號(hào),分析結(jié)果如圖10 所示,可以看出直流信號(hào)和800 Hz 信號(hào)的基波幅值的比例接近100%,800 Hz 的基波幅值為246,THD(畸變率)為2.36%,結(jié)果表明,電壓輸出波形由直流分量和800 Hz 組成,其他頻率的信號(hào)幅值接近于0,輸出波形畸變很小。

        圖10 輸出波形的FFT 分析

        表1 為負(fù)載CL=5 μF,輸入信號(hào)為0~5 V、800 Hz 時(shí)壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表。由此表可知,在不同輸入電壓下,驅(qū)動(dòng)電源的實(shí)際輸出與理論輸出相差無幾,輸出增益能穩(wěn)定在99 以上,電壓輸出紋波只有幾十毫伏,可以看出壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源輸出增益穩(wěn)定,驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng),性能穩(wěn)定可靠。

        表1 壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)

        5 結(jié)論

        本文提出了一種基于FPGA 的大功率高精度壓電陶瓷數(shù)字驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)方案,電路中采用巴特沃斯低通濾波器設(shè)計(jì),并使用以FPGA 作為運(yùn)算核心的單周期PID控制算法,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性、精確性和驅(qū)動(dòng)能力。根據(jù)仿真和測試結(jié)果可以得到以下結(jié)論:

        (1)經(jīng)過理論分析和實(shí)際測試后,可以看出該驅(qū)動(dòng)電源在10 Hz~800 Hz 的頻率范圍內(nèi)驅(qū)動(dòng)壓電陶瓷等效容值為5 μF 電容時(shí),壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源的輸出電壓保持穩(wěn)定,輸出功率高。

        (2)根據(jù)FFT 分析結(jié)果和測試數(shù)據(jù),可知壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源的輸出電壓增益穩(wěn)定、誤差小,電壓波形畸變小、紋波低,滿足疊堆型壓電陶瓷的驅(qū)動(dòng)需求。

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