李曉紅, 張斌珍, 段俊萍, 王佳云, 屈 增, 冀苗苗
(1.中北大學 儀器科學與動態(tài)測試教育部重點實驗室,山西 太原 030051;2.太原工業(yè)學院 電子工程系,山西 太原 030008)
隨著微流控芯片的快速發(fā)展,與傳統(tǒng)細胞分離技術如離心和過濾等相比,由于其樣品消耗少,制備成本低,靈敏度高等潛在優(yōu)勢,得到了人們廣泛的關注。使得微流控技術在生物檢測、醫(yī)學診斷、環(huán)境監(jiān)測等領域有著廣泛的應用前景[1]。為了實現(xiàn)對芯片內(nèi)細胞、粒子等檢測對象的精確控制和分選,微流控細胞分選方式主要包括介電泳(dielectrophoresis,DEP)分選[2]、聲表面波分選[3]、磁場分選[4]、確定性側(cè)向位移分選[5]、慣性分選[6]等。其中介電泳力由于它的無標記操作和非接觸力,對細胞損傷小等優(yōu)勢[7],是表征、分離、捕獲和操作顆粒和生物樣品最有效的方法之一。而目前,介電泳分選方式一般采用的是平面電極的方式,但平面電極產(chǎn)生的電場區(qū)域較小,分布不均勻,當粒子距離平面電極距離較大時,電場強度會隨電極垂直距離的增加呈指數(shù)衰減[8],因此,為了擴大介電泳力效應的作用區(qū)域,使分散在不同高度的粒子都能夠受到電場力的作用,三維(3D)電極開始得到廣泛的關注[9]。因為三維電極具有和微流控芯片通道相同的高度,能夠提供垂直方向上的非均勻電場[10],解決了二維電場在垂直方向上電場強度的衰減問題,能夠產(chǎn)生更高的分選效率,單位時間分選或捕獲粒子的通量也增加了。
本文首先對微流控芯片結(jié)構(gòu)進行設計,并通過COMSOL Multiphysics軟件對設計結(jié)構(gòu)進行仿真與分析,模擬了結(jié)構(gòu)的流體分布、電場分布的影響及粒子軌跡的運動狀態(tài)。對微流控芯片結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化,確定了芯片的結(jié)構(gòu)和尺寸。對后續(xù)微流控芯片的制備,來實現(xiàn)粒子的高效分選提供了重要的參考價值。
設計了一種基于三維介電泳的微流控芯片。該微流控芯片主要整體由三個部分組成,分別是主通道、一個入口和兩個出口。其中主通道主要由收縮—擴張結(jié)構(gòu)來提供慣性力及三維電極提供介電泳力,用于粒子的聚焦和分選。設計了Ag顆粒和聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)混合的復合導電材料作為三維電極結(jié)構(gòu),能夠產(chǎn)生與主通道高度統(tǒng)一的電場,擴大對粒子的作用范圍,可以有效提高分選效率。在氧化銦錫(ITO)玻璃上刻蝕電極,用于連接三維電極和外部導線。整個微流控芯片由上層PDMS微通道結(jié)構(gòu),微通道側(cè)壁電極Ag-PDMS,及下層ITO過渡電極三部分組成。結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。
圖1 微流控芯片結(jié)構(gòu)示意
當粒子隨流體從入口進入微通道后,經(jīng)過梯形的膨脹—收縮通道,速度會發(fā)生突變,導致流線產(chǎn)生強烈的彎曲,使不同尺寸的粒子能夠?qū)崿F(xiàn)聚焦。與此同時,在兩個側(cè)壁電極上加載大小相等方向相反的正弦電壓,在主通道上會產(chǎn)生非均勻電場,隨著粒子隨流體的流動,粒子再次經(jīng)過非對稱的收縮擴張結(jié)構(gòu)時,通過調(diào)節(jié)電壓、頻率和溶液電導率,在介電泳力和慣性力及流體曳力共同作用下,來實現(xiàn)粒子的高效分選。
介電泳力是指粒子受非均勻電場作用下受極化后,向電場梯度強或弱的方向運動的效應[11]。根據(jù)電偶極矩理論,對于半徑為r的球形粒子,交流電場中粒子所受的介電泳力大小為
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式中σb?0,Ks為表面電導 (對于乳膠粒子來說通常為1 nS),r為粒子的半徑。由公式可知,粒子所受的介電泳力主要取決于懸浮粒子的大小、粒子和懸浮溶液的介電特性(電導率及介電常數(shù))、電場梯度的平方、及交流信號頻率等。當粒子的極化高于介質(zhì)溶液的極化時,粒子受到正介電力pDEP的作用,向高電場區(qū)移動;反之,受到負介電泳力(nDEP)作用,向低電場區(qū)移動。
由于通道中設計了收縮—擴張結(jié)構(gòu),因此粒子所受的慣性力不能忽略。當顆粒以有限雷諾數(shù)條件下分散在管狀流中時,就會發(fā)生慣性遷移。1999年,Asmolove首次將慣性遷移效應中的作用力命名為慣性升力,并給出了計算公式[14]
(4)
式中ρ為流體密度,v為流體流速,d為粒子直徑,Dh為擴張區(qū)的水力直徑,fL升力系數(shù),它取決于雷諾數(shù)Re及粒子在流道中所在的位置xp。當慣性升力FL=0時,粒子在通道內(nèi)實現(xiàn)聚焦。此外,粒子在流道中的運動還要受到流體阻力的影響[15],可以表示為,F(xiàn)drag=6πηrv。η為流體的粘度系數(shù),v為流體流速。
通過商業(yè)有限元軟件COMSOL 5.4進行數(shù)據(jù)模擬,得到了流體速度分布、電場分布及不同結(jié)構(gòu)下粒子運動軌跡分布。通過分析,最終確定了微流控芯片的結(jié)構(gòu)。
設置入口處流體流速為3 mm/s,圖2(a),(b)為不同位置處的流速分布情況,其中箭頭表示流體流速的方向。由圖可知,由于設計的結(jié)構(gòu)為收縮—擴張形式,流體在微通道中的中心處流速最大,尤其是收縮通道的中心,流速約為擴張區(qū)域的2倍,而在通道兩側(cè)流速最小。因此,流體在微流通道中的運動呈拋物線形式,符合層流運動。當流體從擴張通道進入到收縮通道時,隨著流體流速的突變,當不同直徑的粒子進入到通道時,在慣性力和流體曳力共同作用下,可以實現(xiàn)不同粒徑的顆粒聚焦在不同位置上。
圖2 流體在靠近入、出口處通道流速仿真
圖3(a),(b)分別為平面電極和三維電極下的電場分布圖,所加載正負極電壓分別為5 V和-5 V,頻率為10 kHz,溶液電導率為1 μS/cm。從圖3(a)中可以看出,當微流通道加載平面電極時,一般位于主通道的底部。平面電極在邊緣處電場強度最大,然而隨著距離電極表面高度的增加,電極所產(chǎn)生的電場強度呈指數(shù)衰減。由式(1)可知,電場強度與電場梯度的平方呈正比,因此,隨著粒子遠離平面電極,粒子所受的介電泳力也迅速減小,平面電極所產(chǎn)生的介電泳力對粒子的操縱范圍是有限的。且由圖3(a),(b)對比可以看出,平面電極產(chǎn)生的局部電場較強,會使得粒子容易在電極邊緣或通道表面被吸收,從而造成粒子的損傷,影響其活性。圖3(b)中利用COMSOL 5.4設置邊界條件,使通道一側(cè)具有高電位,另一側(cè)具有低電位。由于三維電極的高度與微流通道高度相同,因此,可以在整個微流通道垂直方向上提供一個非均勻的電場,使得主通道中,不同高度處的粒子都能受到介電泳力的作用,從而能夠有效的提高分選效率。
圖3 平面電極和三維電極下的電場分布
圖4(a)~(c)分別為三種不同收縮—擴張結(jié)構(gòu)下粒子運動軌跡仿真分析圖。本次粒子仿真選用的是4 μm聚苯乙烯微球和20 μm聚苯乙烯微球。其中較大的粒子代表的是20 μm聚苯乙烯微球,較小的粒子代表的是4 μm聚苯乙烯微球。所施加的溶液電導率為0.1 μS/cm。從圖4(a)可以看出,當微流通道到收縮—擴張結(jié)構(gòu)比為3︰1時,此時兩種粒子的分選效果最好。圖4(b)為微流通道收縮—擴張結(jié)構(gòu)比為2︰1時,有小部分4 μm聚苯乙烯小球由出口2流出。圖4(c)為微流通道收縮—擴張結(jié)構(gòu)比為1.5︰1時,無法實現(xiàn)兩種粒子的分選??紤]原因,粒子在微流通道中,受到介電泳力、慣性力及流體曳力共同作用。當溶液電導率為0.1 μS/cm,兩種粒子均受到正介電泳力作用,由式(1)可知,粒子所受介電泳力與粒子尺寸的三次方呈正比,因此兩種粒子分別受較強的pDEP和較弱的pDEP作用。此外,由于粒子所受的慣性力,由式(4)可知,粒子所受慣性力與粒子直徑的四次方及流體流速的平方呈正比,因此,收縮—擴張通道寬度上的結(jié)構(gòu)比越大,流體由擴張通道進入到收縮通道時的速度變化就越明顯,慣性力越大。因此,在三個力共同作用下,粒子分選效果越好,分選效率越高。
圖4 (a-c)三種不同收縮—擴張結(jié)構(gòu)下粒子運動軌跡仿真分析
本文對三維電極結(jié)構(gòu)進行了設計,并利用COMSOL 5.4對結(jié)構(gòu)的流速分布、電場分布及粒子運動軌跡方面進行了仿真分析。在流速分布上,流體的流動符合層流流動,且當粒子由擴張通道進入到收縮通道時,流速會迅速增加。在電場分布上,通過二維電極結(jié)構(gòu)和三維電極結(jié)構(gòu)對比分析,三維電極結(jié)構(gòu)由于能夠使粒子在主通道中不同高度處都能受到介電泳力的作用,因此能夠有效的提高分選效率。最后,對不同收縮—擴張結(jié)構(gòu)比下,對粒子運動軌跡進行了仿真分析,當收縮—擴張比較大時,粒子分選效果更好。通過以上分析,證明了所設計結(jié)構(gòu)的可行性。為后續(xù)芯片制備及粒子分選提供了一定的參考價值。