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        基于磁控濺射技術(shù)的碳基電磁屏蔽材料

        2022-03-21 07:27:04陳緣徐珍珍楊莉章勁草
        工程塑料應(yīng)用 2022年3期
        關(guān)鍵詞:磁控濺射單向屏蔽

        陳緣,徐珍珍,2,楊莉,2,章勁草

        (1.安徽工程大學(xué)紡織服裝學(xué)院,安徽蕪湖 241000; 2.安徽省紡織結(jié)構(gòu)復(fù)合材料國(guó)際聯(lián)合中心,安徽蕪湖 241000;3.上海楚江企業(yè)發(fā)展有限公司,上海 200000)

        隨著電子信息技術(shù)的迅速發(fā)展,在軍事和科學(xué)研究領(lǐng)域以及日常生活中,電磁輻射逐漸成為一種新型污染源[1–2]。據(jù)大量研究表明,長(zhǎng)時(shí)間暴露在電磁輻射下不僅會(huì)對(duì)人體產(chǎn)生較為嚴(yán)重的損害,如高血壓、神經(jīng)衰弱、誘發(fā)細(xì)胞凋亡等[3–5];同時(shí),也會(huì)嚴(yán)重干擾正常運(yùn)行的電氣、電子設(shè)備[6]。因此,開發(fā)具有電磁屏蔽效果的材料尤為重要。

        眾所周知,聚合物基復(fù)合材料因其比強(qiáng)度高、耐腐蝕性強(qiáng)、阻尼減振性能優(yōu)異、易于整體化成型[6]等優(yōu)點(diǎn),而被廣泛應(yīng)用于很多領(lǐng)域。因此,如何將聚合物基復(fù)合材料制備成具有電磁屏蔽效能的材料,正逐漸成為研究熱點(diǎn)。其中,研究人員主要利用在復(fù)合材料表面涂覆一層金屬膜或?qū)щ娡苛蟍7–8]、在基體中摻雜導(dǎo)電性物質(zhì)[9–11]或填充導(dǎo)電纖維[12–14]等方法制備具有電磁屏蔽功能的復(fù)合材料。

        碳纖維因具有密度低、強(qiáng)度高、耐腐蝕等特性而被廣泛地應(yīng)用于聚合物基復(fù)合材料中,特別是因?qū)щ娦院?,而被用于?dǎo)電型聚合物復(fù)合材料的應(yīng)用。為進(jìn)一步提高其電磁屏蔽效能,常在碳纖維表面包裹一層金屬膜或其它導(dǎo)電材料[15],如Huang等[16]對(duì)碳纖維表面先進(jìn)行催化處理,然后將經(jīng)過處理的碳纖維表面沉積化學(xué)鍍鎳磷合金膜,再將其制備成復(fù)合材料,其最大屏蔽效能可達(dá)到44 dB?;瘜W(xué)鍍也是碳纖維表面金屬化改性的方法之一,但其生產(chǎn)工藝較復(fù)雜,且存在環(huán)境污染和鍍層不均勻性等問題[17]。而磁控濺射法是一種物相沉積技術(shù),它具有操作簡(jiǎn)單,工藝可控,性能穩(wěn)定,對(duì)環(huán)境友好,對(duì)基材結(jié)合牢度強(qiáng)等特點(diǎn),采用此技術(shù)制備的電磁屏蔽材料其表面的納米層薄膜均勻致密,且不損傷其原有基材的性能。陳文興等[18]通過調(diào)整磁控濺射工藝參數(shù),發(fā)現(xiàn)濺射功率越大,沉積速率就越大,膜層顆粒分布就越均勻致密,且膜層與基底的結(jié)合牢度較好。

        因此,筆者利用磁控濺射技術(shù)對(duì)碳纖維表面進(jìn)行改性處理,并通過磁控濺射工藝參數(shù)的調(diào)整,分析改性方式及工藝對(duì)碳纖維及其樹脂基復(fù)合材料電磁屏蔽性能的影響。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 主要原料

        碳纖維單向布:T-700(K12,7 μm),日本東麗公司;

        銅靶材:?60 mm,厚度4 mm,純度99.99%,合肥科晶材料技術(shù)有限公司;

        單面拋光圓硅片:?(50.8±0.3) mm,浙江立晶公司;

        無水乙醇、丙酮:分析純,南京潤(rùn)升石化有限公司;

        環(huán)氧樹脂:JL-235,常熟佳發(fā)化學(xué)有限責(zé)任公司;

        固化劑:JH-242,常熟佳發(fā)化學(xué)有限責(zé)任公司。

        1.2 儀器及設(shè)備

        高真空多靶磁控濺射儀:JGP-450型,中國(guó)科學(xué)院沈陽儀器制造廠;

        掃描電子顯微鏡(SEM):SU8020型,日本日立公司;

        矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀:Keysight-P5004A型,德科技(中國(guó))有限公司;

        數(shù)字萬用表:CATⅢ-600V型,安徽世福儀器有限公司;

        電子天平:HZK-FA2105型,華志(福建)科技有限公司;

        真空泵:2XZ-2型,中國(guó)臨海市永昊真空設(shè)備有限公司。

        1.3 樣品制備

        (1)碳纖維表面處理。

        將單晶硅片置入超聲波儀器中,依次使用丙酮、無水乙醇與去離子水對(duì)單晶硅表面連續(xù)清洗10 min,以去除硅片表面的污染物與灰塵。將碳纖維布置入丙酮溶液中,在超聲波儀器中振動(dòng)24 h,洗去表面在生產(chǎn)加工時(shí)涂覆的上漿劑及雜質(zhì),依次用無水乙醇與去離子水清洗2~3遍,去除表面殘余的丙酮溶液。清洗完畢取出并放入烘箱中烘干至恒重,備用。

        采用真空磁控濺射系統(tǒng)對(duì)處理過的碳纖維單向布和硅片進(jìn)行表面處理。以銅為濺射靶材,碳纖維單向布和硅片為基材,進(jìn)行沉積處理。影響磁控濺射的工藝參數(shù)很多,由于導(dǎo)電層厚度是影響材料電磁屏蔽性能的重要影響因素之一,因此,筆者采用單因素分析法,以磁控濺射時(shí)間為調(diào)整工藝參數(shù),分析磁控濺射工藝對(duì)碳纖維電磁屏蔽性能的影響,濺射時(shí)間分別為5,10,15 min和20 min。磁控濺射壓強(qiáng)為5 Pa,濺射功率為100 W。本底真空度為2×10–3Pa,濺射氣體為氬氣(純度99.99%),流速為20 mL/min,基底支架轉(zhuǎn)速為30 r/min,靶基距為4 cm。制得的樣品具體工藝參數(shù)及樣品編號(hào)列于表1。

        表1 磁控濺射銅膜工藝參數(shù)

        (2)碳纖維復(fù)合材料的制備。

        制備工藝流程如圖1所示。利用磁控濺射工藝,對(duì)經(jīng)丙酮清洗過的未改性單向碳纖維織物進(jìn)行表面改性,得到外層具有不同銅膜結(jié)構(gòu)的單向碳纖維織物,再采用真空輔助成型(VARTM)工藝,以環(huán)氧樹脂為基體,改性前后的碳纖維單向布為增強(qiáng)體,制備環(huán)氧樹脂基碳纖維復(fù)合材料。為分析碳纖維鋪層數(shù)對(duì)復(fù)合材料電磁屏蔽效果的影響,分別制備了具有不同鋪層層數(shù)的碳纖維環(huán)氧樹脂復(fù)合材料,與改性碳纖維試樣編號(hào)相同。

        圖1 工藝流程圖

        1.4 性能測(cè)試與表征

        (1)沉積碳膜微觀形貌表征。

        利用SEM對(duì)經(jīng)不同濺射工藝處理后的硅片及碳纖維表面和截面進(jìn)行表征,觀察不同磁控濺射工藝條件下負(fù)載硅片上的碳膜形態(tài)和碳纖維表面形態(tài),樣品表征前需進(jìn)行真空噴金處理。

        (2)復(fù)合材料碳纖維質(zhì)量分?jǐn)?shù)計(jì)算。

        利用電子天平對(duì)復(fù)合材料制備前的碳纖維進(jìn)行稱重,質(zhì)量為Gx,再對(duì)制備成樹脂基復(fù)合材料的樣品進(jìn)行稱重,質(zhì)量為Gs,樹脂基復(fù)合材料中碳纖維的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為W,即Gx所占Gs的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。

        (3)表面電阻測(cè)試。

        根據(jù)AATCC 76—2005《紡織品表面電阻試驗(yàn)方法》標(biāo)準(zhǔn),利用數(shù)字萬用電表對(duì)改性前后的碳纖維單向布表面電阻進(jìn)行測(cè)試[19]。為了保證測(cè)試結(jié)果不受萬用電表的探針與碳纖維單向布間接觸電阻的影響,在測(cè)試之前,需要在銅片上先施加10 N的力。取5次測(cè)試結(jié)果的平均值作為該試樣的最終值。

        (4)電磁屏蔽性能測(cè)試。

        按照GJB 6190–2008中的波導(dǎo)法,測(cè)試碳纖維單向布和碳纖維復(fù)合材料的電磁屏蔽性能[20]。利用Keysight-P5004A型矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,在8.2~12.4 GHz的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)試。計(jì)算公式如式(1)所示。

        式中:SE——電磁屏蔽效能,對(duì)物體屏蔽電磁輻射衰減程度的參考值;

        Pt——入射波功率;

        Pi——透射波功率。

        再由矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)得的透射波與反射波能量信息(即散射參數(shù))[21],探究其主要的電磁輻射屏蔽機(jī)制,計(jì)算公式如式(2)所示。

        式中:A——吸收率;

        R——反射率;

        T——透射率。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 沉積碳膜的表面形態(tài)

        不同磁控濺射工藝條件下,硅片及碳纖維上沉積碳膜的表面形態(tài)及截面形態(tài)SEM照片如圖2所示,圖3為濺射20 min后碳纖維表面能譜圖。圖2b~圖2c為經(jīng)工藝條件改性后的碳纖維表面形態(tài),與圖2a相比發(fā)現(xiàn)經(jīng)過磁控濺射處理后的碳纖維表面有明顯的膜層存在,且通過圖3中碳纖維表面能譜進(jìn)一步證實(shí),碳纖維經(jīng)磁控濺射后,其表面有銅元素存在。

        圖2 碳纖維及硅片表面SEM圖

        圖3 濺射20 min后碳纖維表面能譜圖

        通過碳纖維截面形態(tài)(圖2d)表征發(fā)現(xiàn),碳纖維表面銅膜截面呈明顯的柱狀結(jié)構(gòu),且與中硅片上銅膜截面形態(tài)一致。說明磁控濺射沉積銅膜不會(huì)因載體不同,而產(chǎn)生不同的沉積形態(tài),為了避免因碳纖維曲面所帶來的測(cè)試差異,因此選擇用硅片上的銅膜的形態(tài)進(jìn)行比較。通過對(duì)不同磁控濺射工藝條件下銅膜的表面形態(tài)和截面形態(tài)進(jìn)行表征,分析不同磁控濺射工藝條件對(duì)沉積銅膜的表面結(jié)構(gòu)及厚度的影響,圖2e~圖2l為濺射時(shí)間分別為5,10,15 min和20 min時(shí)硅片上的銅膜表面及截面形態(tài),在圖2e~圖2h中發(fā)現(xiàn)硅片表面有明顯的裂紋存在,且隨著磁控濺射時(shí)間的延長(zhǎng),銅膜表面的裂紋越來越少,表面致密性增強(qiáng)。這是因?yàn)楫?dāng)沉積時(shí)間較短時(shí),碳膜的沉積量較少,互相擴(kuò)散時(shí)間較短,尚未形成聚集態(tài),表面有裂紋存在;隨著沉積時(shí)間的增加,原子島不斷生長(zhǎng),直至形成一層連續(xù)致密的薄膜;與此同時(shí),濺射時(shí)間延長(zhǎng)使基片溫度升高,擴(kuò)散作用增強(qiáng),銅原子在基材表面形成聚集。通過對(duì)硅片上銅膜截面厚度對(duì)比測(cè)試,發(fā)現(xiàn)當(dāng)濺射時(shí)間分別為5,10,15和20 min時(shí),其膜層厚度分別為42,64,136 nm和150 nm,這說明隨著濺射時(shí)間的延長(zhǎng),碳膜的沉積量開始增加,銅膜厚度呈現(xiàn)增加的趨勢(shì)。

        2.2 碳纖維織物的導(dǎo)電性能

        眾所周知,材料的導(dǎo)電性能是影響電磁屏蔽性能的重要因素[22],磁控濺射前后碳纖維的表面電阻如圖4所示。

        圖4 改性前后碳纖維的表面電阻

        通過比較發(fā)現(xiàn),隨著磁控濺射時(shí)間的延長(zhǎng),碳纖維織物的電阻值逐漸降低,其改性后碳纖維單向布的電阻相對(duì)于未改性時(shí)分別下降了19.79%,28.55%,34.26%和44.01%。說明隨著磁控濺射時(shí)間的增加,碳纖維織物的導(dǎo)電性能有逐漸增強(qiáng)的趨勢(shì)。這是因?yàn)殂~是電的優(yōu)良導(dǎo)體,電阻率僅為0.0185 Ω·m,遠(yuǎn)小于碳纖維。因此,碳纖維表面沉積銅膜后,導(dǎo)電性能增強(qiáng),并且由前面碳膜表面厚度分析可知,磁控濺射時(shí)間的延長(zhǎng)有助于碳纖維織物上銅膜厚度的增加,從而使材料電阻值減小,導(dǎo)電性增強(qiáng)。材料的電阻除與材料本身的電阻率有關(guān)以外,還與測(cè)試材料的橫截面呈反比。隨著磁控濺射時(shí)間的延長(zhǎng),纖維導(dǎo)體的橫截面增大,也會(huì)使電阻率下降。

        改性前后的碳纖維單向布采用不同鋪層層數(shù)條件下的表面電阻值如圖5所示。由圖5可知,改性前后的碳纖維單向布集合體的表面電阻隨著鋪層層數(shù)的增加而減小。且通過對(duì)比發(fā)現(xiàn),改性前后的碳纖維織物的電阻變化率都隨著鋪層層數(shù)的增加先增大后減小。如對(duì)于未經(jīng)磁控濺射處理的碳纖維單向布,隨著碳纖維織物鋪層層數(shù)的增加,其電阻變化率分別為10.06%,17.39%和6.59%;對(duì)于經(jīng)5 min磁控濺射改性處理后的碳纖維織物,隨鋪層層數(shù)增加其電阻變化率分別為8.47%,13.78%和6.02%。這說明雖然鋪層層數(shù)增加有利于織物集合體導(dǎo)電性能的改善,但并不是層數(shù)越多越好,當(dāng)層數(shù)達(dá)到一定程度后,鋪層層數(shù)增加對(duì)織物集合體電阻性能的影響減小。同時(shí)還發(fā)現(xiàn),當(dāng)鋪層層數(shù)不大于3層時(shí),相同鋪層層數(shù)情況下,改性后碳纖維織物集合體的電阻變化率隨磁控濺射時(shí)間的增加,先減小后增大。

        圖5 不同鋪層層數(shù)碳纖維單向布的表面電阻

        2.3 碳纖維織物的電磁屏蔽性能

        評(píng)價(jià)電磁屏蔽效果一般用電磁屏蔽效能表示,屏蔽效能值越大,表明電磁屏蔽效果越好。改性前后碳纖維單向布的電磁屏蔽效能見圖6。由圖6可見,改性后碳纖維織物的屏蔽效能得到明顯改善,最少也增加了37.73%,且隨著磁控濺射時(shí)間的延長(zhǎng),電磁屏蔽性能逐漸增加。但碳纖維單向布電磁屏蔽效能增長(zhǎng)率隨磁控濺射時(shí)間的延長(zhǎng)逐漸下降。當(dāng)濺射時(shí)間由5 min增至到20 min過程中,電磁屏蔽效能增長(zhǎng)率分別為5.62%,3.25%和2.21%。

        圖6 碳纖維單向布的電磁屏蔽效能圖

        改性前后的碳纖維單向布采用不同鋪層層數(shù)條件下的電磁屏蔽效能如圖7所示。由圖7可看出,改性前后的碳纖維單向布的電磁屏蔽效能均隨著鋪層層數(shù)的增加而增強(qiáng),但增加幅度隨著鋪層層數(shù)的增加先增大后減小,與對(duì)碳纖維單向布集合體表面電阻的分析一致。由電磁屏蔽理論可知,材料的屏蔽效能與其材料本身的電導(dǎo)率和厚度成正比關(guān)系,因此,隨著碳纖維單向布集合體織物層數(shù)的增加,電磁屏蔽效能增強(qiáng)。在鋪層層數(shù)相同的情況下,碳纖維單向布集合體的電磁屏蔽效能隨著磁控濺射時(shí)間的延長(zhǎng)而增加,但增加幅度隨著電磁屏蔽時(shí)間的增加逐漸減小,如鋪層層數(shù)為2層時(shí),磁控濺射時(shí)間由5 min增至20 min過程中,電磁屏蔽效能增加率分別為7.8%,2.59%和2.09%。當(dāng)碳纖維織物采用相同磁控濺射時(shí)間處理后,碳纖維單向布集合體的電磁屏蔽效能的增加幅度并不隨著鋪層層數(shù)的增加而逐漸增大。這是因?yàn)椋祭w維織物不是連續(xù)集合體,是由多層碳纖維單向布鋪層形成的,中間沒有直接的導(dǎo)電連續(xù),且織物間有縫隙,在屏蔽過程中產(chǎn)生電磁泄露,因此,層次的持續(xù)增加會(huì)對(duì)材料的電磁屏蔽增強(qiáng)產(chǎn)生一定消極影響。

        圖7 不同濺射時(shí)間的碳纖維單布屏蔽效能與層數(shù)關(guān)系圖

        2.4 碳纖維復(fù)合材料的電磁屏蔽性能

        碳纖維復(fù)合材料的配方組成、增強(qiáng)纖維的質(zhì)量分?jǐn)?shù)及電磁屏蔽效能列于表2。制備的碳纖維復(fù)合材料質(zhì)量主要位于0.58~2.0 g范圍內(nèi),復(fù)合材料中的增強(qiáng)纖維質(zhì)量分?jǐn)?shù)主要集中在55%~65%,且復(fù)合材料中增強(qiáng)纖維含量隨著碳纖維單向布鋪層層數(shù)的增加而增大,且增加幅度也近似相同。如4#與8#,其增強(qiáng)纖維質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為65.25%與65.74%。且通過分析可知,雖然復(fù)合材料中,增強(qiáng)纖維質(zhì)量分?jǐn)?shù)隨著碳纖維單向布鋪層層數(shù)的增加而增大,但由于復(fù)合材料中整體質(zhì)量的增加,復(fù)合材料中的樹脂質(zhì)量也逐漸增大。

        表2 碳纖維復(fù)合材料配方組成、增強(qiáng)纖維的質(zhì)量分?jǐn)?shù)與電磁屏蔽效能

        眾所周知,環(huán)氧樹脂本身不導(dǎo)電,從而很難形成有效且連續(xù)的導(dǎo)電通道,未經(jīng)添加碳纖維的環(huán)氧樹脂電磁屏蔽效能僅為3 dB左右,而環(huán)氧樹脂與碳纖維復(fù)合后,電磁屏蔽效能提高了約30 dB。但通過與純碳纖維織物的電磁屏蔽效能比較發(fā)現(xiàn),復(fù)合后的碳纖維復(fù)合材料的電磁屏蔽性能都小于相同狀態(tài)下的碳纖維單向布的電磁屏蔽效能。這是因?yàn)?,碳纖維及其改性后的碳纖維因其優(yōu)良的導(dǎo)電性,對(duì)入射的電磁波有一定的消波作用。當(dāng)環(huán)氧樹脂與碳纖維復(fù)合后,纖維被環(huán)氧樹脂包覆,由于環(huán)氧樹脂無電磁屏蔽性能,影響了材料間導(dǎo)電性能的連續(xù)性。因此,碳纖維復(fù)合材料的電磁屏蔽效能小于碳纖維織物的電磁屏蔽效能。

        通過對(duì)比發(fā)現(xiàn),碳纖維環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的電磁屏蔽效能并沒有因碳纖維表面改性和復(fù)合材料中碳纖維織物層數(shù)的增加而增強(qiáng)。反而未經(jīng)改性的碳纖維復(fù)合材料的電磁屏蔽效能隨著增強(qiáng)纖維層數(shù)的增加而逐漸降低。這除了由于環(huán)氧樹脂的浸潤(rùn)性使碳纖維織物及織物集合體連續(xù)導(dǎo)電性受到破壞外,還與環(huán)氧樹脂質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加有關(guān)。由前面對(duì)碳纖維復(fù)合材料中碳纖維質(zhì)量分?jǐn)?shù)分析可知,在碳纖維復(fù)合材料中,為了保證復(fù)合材料中碳纖維含量的一致性,變相增加了復(fù)合材料中樹脂基體的質(zhì)量分?jǐn)?shù),從而使碳纖維復(fù)合材料的電磁屏蔽性能受到影響。由碳纖維復(fù)合材料的屏蔽機(jī)制進(jìn)一步分析可知。當(dāng)電磁波入射到復(fù)合材料中時(shí),電磁波首先在碳纖維表面發(fā)生反射,而后進(jìn)入碳纖維體系中被衰減吸收。但當(dāng)復(fù)合材料采用多層層壓織物時(shí),碳纖維織物層間環(huán)氧樹脂基體的存在影響了復(fù)合材料導(dǎo)電通路的構(gòu)建,這說明在電磁屏蔽復(fù)合材料中,在沒有形成連續(xù)導(dǎo)電體通路時(shí),單純?cè)黾訉?dǎo)電纖維含量不能有效增強(qiáng)樹脂基復(fù)合材料的電磁屏蔽效能。

        2.5 電磁屏蔽機(jī)制分析

        由圖6分析可知,濺射時(shí)間的增加有利于增加碳纖維的電磁屏蔽效能,但隨著濺射時(shí)間的逐漸增加其屏蔽效能增加不明顯,因此選擇濺射時(shí)間為20 min,進(jìn)一步的探討鋪層層數(shù)對(duì)碳纖維及復(fù)合材料屏蔽性能的影響。

        濺射20 min銅膜的碳纖維以及樹脂基復(fù)合材料在不同鋪層層數(shù)下對(duì)電磁輻射的吸收率、反射率與透射率之間的關(guān)系列于表3。

        表3 鋪層層數(shù)對(duì)碳纖維及樹脂基復(fù)合材料的電磁屏蔽性能影響

        由表3可以看出,電磁波的屏蔽效率均可達(dá)到99%,隨著層數(shù)的增加,碳纖維單向布的反射率逐漸增大,分別為79.80%,81.28%,85.90%與90.01%,而復(fù)合材料中吸收率逐漸增大,分別為13.33%,16.68%,18.49%和23.38%,但反射率均大于50%,透射率基本都為0。因此,其主要的屏蔽機(jī)制均為電磁輻射的反射。

        3 結(jié)論

        (1)磁控濺射碳纖維表面沉積銅膜改性,有利于碳纖維電磁屏蔽性能的改善,且隨磁控濺射時(shí)間的延長(zhǎng)電磁屏蔽性能增加。

        (2)碳纖維織物集合體電磁屏蔽效能會(huì)隨集合體織物鋪層層數(shù)的增加而增強(qiáng),但碳纖維織物集合體的不連續(xù)性使碳纖維織物集合體的電磁屏蔽效能增加率逐漸減小。

        (3)環(huán)氧樹脂經(jīng)碳纖維復(fù)合后,電磁屏蔽性能顯著增強(qiáng)。但由于環(huán)氧樹脂對(duì)碳纖維織物的包覆,影響了復(fù)合材料中的導(dǎo)電體系的連續(xù)性,使碳纖維復(fù)合材料受復(fù)合體系碳纖維鋪層層數(shù)的增加和導(dǎo)電材料導(dǎo)電性能的增強(qiáng)影響不明顯。因此,在復(fù)合材料中,在沒有形成連續(xù)導(dǎo)電體系時(shí),單純?cè)黾訉?dǎo)電纖維含量不能有效增強(qiáng)樹脂基復(fù)合材料的電磁屏蔽效能。

        (4)碳纖維及其環(huán)氧樹脂復(fù)合材料主要電磁屏蔽機(jī)制均是以反射為主。

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