張少倩
(天津大學(xué),天津 300072)
隨著無線通信技術(shù)的發(fā)展,通信方式逐漸由傳統(tǒng)的單頻點通信轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗄6鄮ㄐ牛@就要求基站前端能處理不同通信標(biāo)準(zhǔn)和頻段的信號. 作為發(fā)射機(jī)中的關(guān)鍵模塊,功放也需要具備放大多個頻段信號的能力[1]. 基于此需求,雙頻功放的研究逐漸興起.
另一方面,功放也是發(fā)射機(jī)中最耗能的模塊. 為了降低系統(tǒng)功耗,必須提高功放的效率. 學(xué)者們已經(jīng)提出多種雙頻高效功放的設(shè)計方案. 文獻(xiàn)[2-3]分別提出了一種新型雙頻阻抗變換器結(jié)構(gòu),均可以實現(xiàn)任意兩個頻率下基波阻抗的匹配. 然而,由于設(shè)計過程中忽略了諧波阻抗的影響,功放的實際效率并不高. 考慮諧波阻抗可以進(jìn)一步提高功放的效率,例如E類功放[4-5]、F類功放[6-8]和諧波調(diào)諧類功放[9-10]的設(shè)計. 其中,諧波調(diào)諧類功放具有不受工作頻率的限制和對阻抗條件要求較低等優(yōu)點,受到了廣泛關(guān)注. 文獻(xiàn)[9]通過調(diào)諧兩個頻點的二次諧波和三次諧波阻抗來實現(xiàn)高效功放,但由于使用較多的開路枝節(jié),電路損耗增大,結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜,而且兩個頻點的基波匹配電路缺少解析解. 文獻(xiàn)[10]通過控制更少的諧波阻抗進(jìn)一步簡化電路,但是其基波匹配電路的匹配效果并不理想,導(dǎo)致兩個頻率下的性能差異較大.
為了解決上述問題,本文提出一種新型雙頻高效功放的設(shè)計方法. 將一種新的雙頻匹配電路應(yīng)用于基波阻抗匹配和二次諧波阻抗匹配. 由于僅控制二次諧波阻抗,極大地簡化了諧波控制電路,又實現(xiàn)了相對較高的效率. 此外,通過理論推導(dǎo)獲得了基波匹配電路的解析解,使得該匹配結(jié)構(gòu)易于實現(xiàn). 本文提出的雙頻功放可以在較高的兩個頻率下并行工作.為了驗證方法的可行性,設(shè)計了一款工作在1.9/2.6 GHz的功放. 測試結(jié)果表明,兩個頻率下該功放均具有67%以上的功率附加效率(power added efficiency, PAE)和40 dBm左右的輸出功率.
圖1所示為功放的結(jié)構(gòu)簡圖,主要由晶體管、輸入匹配電路、RC穩(wěn)定電路、輸出匹配電路、柵極偏置電路和漏極偏置電路組成. 輸入和輸出匹配電路的作用是將晶體管的最佳源/負(fù)載阻抗匹配至50 Ω,該無源電路會產(chǎn)生一定的功率損耗Ploss;偏置電路的作用是為晶體管提供合適的供電電壓,Psup表示直流電壓源所產(chǎn)生的直流功率.
圖1 功放的結(jié)構(gòu)簡圖Fig. 1 Structure diagram of power amplifier
定義晶體管漏極電壓為vd, 漏極電流為id,傳輸?shù)骄w管的功率為Pd, 傳輸?shù)截?fù)載R的功率為PR. 記功率消耗為正值,功率產(chǎn)生為負(fù)值. 根據(jù)能量守恒原理可得[11]:
式中,k表示第k次諧波分量.
當(dāng)k=1時,直流電壓源在基波頻率下無功率產(chǎn)生,即
則功放的功率關(guān)系可表示為
式中,PR[1]表示負(fù)載上獲得的有用功率,即輸出功率Pout.
晶體管是功放中唯一的非線性器件,這說明除直流電源提供的直流功率外所有功率均來自晶體管.所以,
但是晶體管并非功率源,傳輸?shù)剿目偣β蕿榉秦?fù)值,即
聯(lián)立式(3)至(5)可得
式中,傳輸?shù)骄w管的功率Pd可 用漏極電壓vd和電流id來表示. 漏極電壓vd和 漏極電流id的傅里葉級數(shù)表達(dá)式為:
式中:VDC表 示漏極電壓的直流分量;vd[k]表示第k次諧波的電壓幅度; αk表示第k次諧波電壓的相位;IDC表 示漏極電流的直流分量;id[k]表示第k次諧波的電流幅度; βk表 示第k次諧波的電流相位;θ表示歸一化時間變量. 因此,傳輸?shù)骄w管的功率Pd為:
根據(jù)式(9)和(10),可以將式(6)寫為
不等式右邊第一項表示直流功率,第二項表示諧波功率,第三項表示匹配電路的功率損耗. 式(11)表明,輸出功率最大不超過直流功率減去諧波消耗功率,即諧波功率損耗的產(chǎn)生降低了功放的效率. 要設(shè)計高效功放,需要避免諧波功率產(chǎn)生,即使不等式右邊第二項為0. 當(dāng)?shù)趉次諧波的電壓幅度或者電流幅度為0時,諧波功率一定為0. 當(dāng)?shù)趉次諧波的電壓和電流相位差90°時,諧波功率也為0. 電壓幅度為0對應(yīng)的阻抗條件為短路,電流幅度為0對應(yīng)的阻抗條件為開路,電壓和電流相位差90°對應(yīng)的阻抗條件為純電抗.
由于高頻下晶體管寄生參數(shù)的影響變大,理想的阻抗開路或短路難以實現(xiàn),本次設(shè)計高效功放采取第三種措施,即通過諧波調(diào)諧控制諧波阻抗為純電抗. 因控制諧波次數(shù)越高,電路越復(fù)雜. 為了簡化電路,本設(shè)計僅控制對效率提升作用最大的二次諧波.
雙頻輸出匹配電路是雙頻功放的重要組成部分.圖2所示為本文設(shè)計提出的新型輸出匹配電路原理圖,包含雙頻諧波控制電路和雙頻基波匹配電路兩部分.
圖2 新型輸出匹配電路原理圖Fig. 2 Schematic of the novel output matching circuit
基于第1節(jié)對高效功放阻抗條件的分析,本文提出一種新型諧波控制電路,通過四分之一波長開路枝節(jié)在信號路徑產(chǎn)生諧波阻抗零點,再利用調(diào)諧線調(diào)節(jié)兩個諧波頻率下的電抗值,使其處于高效區(qū)域.
設(shè)計的諧波控制電路由串聯(lián)傳輸線T1和并聯(lián)開路傳輸線T2、T3組成. 設(shè)置傳輸線T2的電長度在2f1頻率下為90°,使A點處2f1諧波阻抗為0. 設(shè)置傳輸線T3的電長度在2f2頻率下為90°,使A點處2f2諧波阻抗為0. 根據(jù)負(fù)載傳輸線理論,調(diào)節(jié)傳輸線T1的特征阻抗Z1和電長度 θ1,可以將A點處2f1和2f2的短路狀態(tài)匹配到晶體管的最佳二次諧波阻抗. 匹配原理如下:
式中:ZL(2f1)、ZL(2f2)表示晶體管在兩個頻率下的最優(yōu)二次諧波阻抗,實際設(shè)計中通過對晶體管進(jìn)行諧波負(fù)載牽引得到;m=f2/f1表示兩個工作頻率的比值.求解式(12)和(13),即可得到傳輸線T1的特征阻抗和電長度.
由2.1節(jié)可知,A點處兩個所需頻率的二次諧波均短路. 所以,A點之后的基波匹配電路不會影響A點前的諧波控制電路. 此外,在添加諧波控制電路之后,晶體管的最佳基波阻抗會發(fā)生變化. 設(shè)計匹配電路時,需要將A點后兩個頻率的基波阻抗匹配至50 Ω.的復(fù)阻抗ZA(f1)、ZA(f2)轉(zhuǎn) 化為一對共軛復(fù)導(dǎo)納YB(f1)=GB?jBB、YB(f2)=GB+jBB;第二步,利用傳輸線T5抵消兩個頻率下YB的虛部 ?BB;最后,利用傳輸線T6和T7完成雙頻實阻抗之間的匹配.
本設(shè)計提出的雙頻基波匹配電路由串聯(lián)傳輸線T4、T6、T7和并聯(lián)開路傳輸線T5組成. 其匹配過程共分為三步:第一步,利用傳輸線T4將A點兩個頻率下
2.2.1 傳輸線T4的設(shè)計
結(jié)合晶體管的最佳基波阻抗ZL(f1)、ZL(f2)和諧波控制電路的參數(shù),可以計算得出A點的基波阻抗ZA(f1)=R1+jX1、ZA(f2)=R2+jX2. 文獻(xiàn)[12]表明,傳輸線T4可以將兩個互不相關(guān)的阻抗ZA轉(zhuǎn)化為一對共軛復(fù)阻抗,傳輸線的特征阻抗Z4和 電長度 θ4需滿足:
2.2.2 傳輸線T5的設(shè)計
參考面BB′的 共軛復(fù)導(dǎo)納YB(f1)=GB?jBB、YB(f2)=GB+jBB可以根據(jù)終端加載傳輸線的輸入阻抗公式計算得出. 開路枝節(jié)T5的作用是抵消兩個頻率下的電納部分 ?jBB. 由于在一個節(jié)點處并聯(lián)電路的導(dǎo)納為求和,所以T5枝節(jié)在兩個頻率下的輸入阻抗需滿足±jBB,即:
開路枝節(jié)T5的電長度 θ5和 特征阻抗Z5通過求解式(16)和(17)得出:
2.2.3 傳輸線T6和T7的設(shè)計
經(jīng)過傳輸線T4和T5的阻抗變換,可以確定B點兩個頻率的阻抗均為R=1/GB. 構(gòu)造串聯(lián)傳輸線T6和T7為雙頻四分之一波長阻抗變換器,將實阻抗R在 兩個頻率下匹配至負(fù)載RL. 傳輸線T6和T7的特征阻抗和電長度需滿足[13]:
通過計算傳輸線T4、T5、T6和T7的參數(shù),完成了雙頻下復(fù)阻抗到實阻抗的變換. 將該結(jié)構(gòu)應(yīng)用于雙頻功放的基波匹配電路,不僅可以簡化求解過程,還可以精確地匹配基波阻抗.
為了驗證本文設(shè)計的可實施性,加工了一款工作在1.9/2.6 GHz的雙頻高效放大器. 功放的有源器件選用cree公司的CGH40010 GaN HEMT晶體管.在ADS中對晶體管進(jìn)行LoadPull仿真,獲得封裝面的最優(yōu)基波負(fù)載阻抗和二次諧波負(fù)載阻抗;SourcePull仿真獲得晶體管的最優(yōu)源阻抗. 最優(yōu)負(fù)載阻抗和最優(yōu)源阻抗在史密斯圓圖上的位置如圖3所示.
圖3 最優(yōu)阻抗和匹配電路阻抗在史密斯圓圖上的位置分布Fig. 3 The optimal impedances and the impedances of the matching circuit on the Smith chart
根據(jù)第2節(jié)提出的匹配理論設(shè)計功放的輸入和輸出匹配電路,圖3所示為匹配電路的電磁仿真結(jié)果. 可以看出:基波負(fù)載阻抗和源阻抗均實現(xiàn)了良好的匹配;二次諧波負(fù)載阻抗和最優(yōu)源阻抗差異較大,但仍處在高效率區(qū)域.
功放完整原理圖如圖4所示. 輸入端添加RC穩(wěn)定電路,保證功放在工作頻帶范圍內(nèi)絕對穩(wěn)定. 考慮到輸入端諧波對電路性能影響較小,本設(shè)計忽略輸入諧波.
圖4 本文提出的功放原理圖Fig. 4 Schematic of the proposed power amplifier
圖5所示為晶體管在1.9/2.6 GHz的漏極電壓和電流波形仿真結(jié)果. 由圖5可知,漏極電壓和電流的波形在時域上重疊面積較小. 當(dāng)漏極電壓最大時漏極電流為0,當(dāng)漏極電流最大時漏極電壓為0,符合高效功放的設(shè)計需求.
圖5 晶體管在1.9/2.6 GHz處漏極電壓和電流波形仿真結(jié)果Fig. 5 Simulation result of the drain voltage and current waveforms of the transistor at 19/2.6 GHz
功放實物如圖6所示. 加工介質(zhì)基板選擇厚度為0.787 mm,介電常數(shù)為3.66的羅杰斯4350B. 漏極偏置電壓設(shè)置為28 V,柵極偏置電壓設(shè)置為?2.85 V,確保漏極靜態(tài)電流IDS=200 mA,從而使功放在AB類偏置狀態(tài)下工作. 利用單音連續(xù)波對功放在兩個工作頻率1.9/2.6 GHz處進(jìn)行大信號性能測試,輸入功率從10 dBm調(diào)節(jié)到30 dBm,PAE、輸出功率和增益隨輸入功率變化的曲線如圖7所示. 由圖7可知,功放在兩個頻點的實測峰值PAE分別為72.5%/67.8%,最大輸出功率分別為39.8/40.03 dBm,大信號增益均為10.7 dB. 從圖7也可以看到,由于晶體管模型和實際器件之間存在差異,以及工廠加工和元器件焊接存在誤差,實測性能比仿真性能略有下降.
圖6 功放加工實物圖Fig. 6 Photograph of the designed PA
圖7 PAE、輸出功率和增益隨輸入功率變化曲線Fig. 7 PAE, output power and gain vs. the input power
固定輸入功率為29 dBm,掃描信號頻率范圍為1.7~2.7 GHz. 測試功放的大信號性能隨頻率變化的特性,測試結(jié)果和仿真結(jié)果如圖8所示. 可以看出,PAE在1.9 GHz和2.6 GHz處出現(xiàn)局部最大值,表現(xiàn)出明顯的雙頻特性.
圖8 PAE、輸出功率和增益隨頻率變化曲線Fig. 8 PAE, output power and gain vs. frequencies
表1對本文設(shè)計與國內(nèi)外已發(fā)表文獻(xiàn)進(jìn)行了指標(biāo)對比. 由表1可知,本文提出的雙頻功放性能優(yōu)異,在同類設(shè)計中處于較高水平.
表1 本設(shè)計與其他雙頻功放指標(biāo)對比Tab. 1 Comparison between this design and other dual-band power amplifiers
本文提出了一種并發(fā)雙頻高效功放的設(shè)計方法.通過對功放高效工作的原理進(jìn)行分析,得出功放的諧波阻抗條件. 提出了一種新型匹配電路,實現(xiàn)基波和二次諧波阻抗精確匹配的同時,降低了設(shè)計難度和電路復(fù)雜度. 加工了一款工作在1.9/2.6 GHz的功放來驗證方法的可行性. 與近年文獻(xiàn)相比之間,設(shè)計的功放具有較高的效率和輸出功率,解決了雙頻帶功放不能在兩個頻帶同時工作和效率不高的問題.由于單端放大器無法高效地放大高峰均功率比的通信信號,后續(xù)研究將著重于雙頻高效Doherty功放的設(shè)計.