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        基于密度泛函理論的維生素C紫外光譜與激發(fā)性質的計算

        2022-01-12 00:19:46蘇俊宏唐延林
        光譜學與光譜分析 2022年1期
        關鍵詞:特征

        林 艷,蘇俊宏*,唐延林,楊 丹

        1.西安工業(yè)大學光電工程學院,陜西 西安 710021 2.貴州大學物理學院,貴州 貴陽 550025 3.喀什大學數(shù)學與統(tǒng)計學院,新疆 喀什 844008

        引 言

        前期計算的紫外光譜[2]特征吸收峰無法準確的表征維生素C的激發(fā)性質。因此,為準確的探究維生素C的抗氧化機理,本文以抗壞血酸和脫氫抗壞血酸為研究對象[5],提出了一種計算AA和DHA紫外-可見吸收光譜更精確的方法,并詳細分析了AA和DHA的紫外光譜、電子激發(fā)態(tài)轉移過程及其分子性質,從而為維生素C的生物活性和藥物構象關系的相關實驗研究提供有益的理論支撐。

        1 計算及分析方法

        紫外光譜是電子躍遷難易程度和幾率的直觀體現(xiàn),電子躍遷是分子發(fā)光的機理的核心。本文采用空穴-電子分布及其衍生量研究維生素C的電子激發(fā)特征,相關參數(shù)D,Sr,H,t的表達式如式(1)—式(4)

        (1)

        (2)

        H=(|σele|+|σhole|)/2

        (3)

        t=D-HCT

        (4)

        式中相關量的含義見文獻[6-7],根據(jù)式(1)—式(4)可定性表征分子激發(fā)特征,從而確定電子躍遷類型及電子轉移過程。本文在液相(水)環(huán)境中,利用Gaussian 09軟件包,密度泛函理論[8](DFT),分別用pbepbe[9]、B3LYP[10]方法,在6-311++g(2d,2p)基組水平上優(yōu)化了AA和DHA的幾何構型,頻率分析無虛頻,表明優(yōu)化的結果是穩(wěn)定構型,并在同樣的基組水平上運用含時密度泛函(TD-DFT)理論[11],計算了AA和DHA的紫外光譜,并利用Multiwfn波函數(shù)軟件包[12]詳細分析了AA和DHA的紫外光譜特征和激發(fā)態(tài)性質。

        2 結果與討論

        2.1 分子幾何結構

        分別用pbepbe和B3LYP方法,在6-311++g(2d,2p)基組水平上優(yōu)化的AA和DHA幾何構型如圖1所示,頻率分析無虛頻,表明優(yōu)化的結構是局域能量極小值的穩(wěn)定構型。

        圖1表明,AA的羰基和烯二醇基相鄰,使得AA具有特有的酸性和還原性,而DHA具有三個相鄰的羰基,在一定條件下,AA的C2和C3位上兩個相鄰的烯醇式羥基極易解離或被氧化,從而轉化為DHA。

        圖1 維生素C的幾何構型(a):抗壞血酸(AA);(b):脫氫抗壞血酸(DHA)Fig.1 Geometries of Vitamin C(a):Ascorbic acid (AA);(b):Dehydroascorbic acid (DHA)

        維生素C的主要化學鍵長和二面角如表1所示,計算得到的結構參數(shù)和文獻[4]報道的一致。AA和DHA環(huán)狀結構的主要二面角參數(shù)表明,DHA二面角大小比AA二面角大小偏離平面的幅度更明顯,說明DHA比AA的環(huán)狀結構發(fā)生了顯著的平面扭曲,DHA的共軛效應減弱,穩(wěn)定性降低。

        表1 維生素C的主要化學鍵長和二面角Table 1 Main bond distances and dihedral angles of Vitamin C

        2.2 維生素C的紫外光譜

        分別使用pbepbe/6-311++g(2d,2p)和B3LYP/6-311++g(2d,2p)基組水平,計算的AA紫外光譜(圖2)和DHA紫外光譜(圖3)表明:使用pbepbe/6-311++g(2d,2p)基組水平得到的AA紫外光譜最大吸收峰位于266.924 8 nm處,僅比實驗測量值[1,3]紅移約1.924 8 nm;使用B3LYP/6-311++g(2d,2p)基組水平得到的DHA紫外光譜值最大吸收峰位于181.024 8 nm處,與文獻[3]報道的實驗數(shù)據(jù)吻合較好,最大吸收峰藍移約4 nm。

        圖2 AA理論計算的紫外光譜Fig.2 Computational ultraviolet spectrum of AA

        圖3 DHA理論計算的紫外光譜Fig.3 Computational ultraviolet spectrum of DHA

        圖中的黑色曲線(Total)為維生素C各個電子躍遷的吸收曲線歸一化之后,然后再把所有躍遷曲線的Y值相加所得到的總的曲線,彩色曲線是將振子強度大于某個閾值的躍遷進行高斯函數(shù)展寬后得到的曲線,其中S0表示基態(tài),Sx表示第x個激發(fā)態(tài)。

        圖2表明,AA的紫外光譜吸收峰分別位于200.171 5和266.924 8 nm處。其中,對200.171 5 nm處吸收峰其主要貢獻的激發(fā)態(tài)包括25%的S0→S13、15%的S0→S14和33%的S0→S18的激發(fā)態(tài),該吸收峰不僅包含n→π*的電子躍遷,還包含n→σ*的電子躍遷;266.924 8 nm處的最強吸收峰主要包含38%的S0→S1、42%的S0→S2、14%的S0→S3和5%的S0→S4的電子躍遷,該吸收峰具有n→π*和π→π*的躍遷特征。

        圖3表明,DHA的紫外吸收峰分別位于181.024 8,231.346 39和282.466 8 nm處。其中,最強吸收峰位于181.024 8 nm處,主要包含5%的S0→S12、7%的S0→S13、19%的S0→S15、23%的S0→S16、16%的S0→S17、11%的S0→S19和11%的S0→S20的電子躍遷,該吸收峰對應n→σ*和n→π*的躍遷特征。

        在231.346 39 nm處有一個微弱的吸收峰,主要對應83%的S0→S9的躍遷,歸屬于n→π*躍遷;282.466 8 nm處的吸收峰主要對應87%的S0→S6躍遷,指認為n→π*躍遷。

        2.3 維生素C的電子激發(fā)特征

        研究[6-7]表明:D,Sr,H和t是衡量電子激發(fā)模式的定量指標,常被作為指認電子激發(fā)類型的重要判據(jù)。計算得到的維生素C主要吸收峰對應激發(fā)態(tài)的D,Sr,H,t指數(shù)如表2所示。

        表2 維生素C的激發(fā)態(tài)指數(shù)Table 2 Excited states index of Vitamin C

        如圖4、圖5所示,利用空穴-電子分布圖,空穴、電子分布的平滑化描述圖(Chole-Cele圖),可以直觀地考察激發(fā)態(tài)電子的去向及激發(fā)類型。圖中綠色代表電子分布,藍色代表空穴分布,電子躍遷可以認為是從空穴區(qū)域躍遷到電子區(qū)域。

        結合表2和圖4可知,AA的D指數(shù)較大的是基態(tài)到S4,S13和S14的3個激發(fā)態(tài),空穴-電子分布圖表明,基態(tài)到S4,S13和S14的電子和空穴分布于不同區(qū)域,空穴和電子分離明顯,因此指認為電荷轉移激發(fā);基態(tài)到S1和S2的空穴-電子分布范圍在環(huán)上有交叉,空穴和電子分離不明顯,因此,將基態(tài)到S1和S2指認為局域激發(fā)。Chole-Cele分布圖表明基態(tài)到S4,S13和S14藍色和綠色等值面的中心(分別對應空穴和電子的質心位置)離得比較遠,而其他激發(fā)態(tài)的藍色和綠色等值面中心距離都很近,只能是局域激發(fā)。

        圖4 AA的空穴-電子、Chole-Cele示意圖第一列和第三列:空穴-電子圖,第二列和第四列:Chole-Cele圖Fig.4 Electron-hole,Chole-Cele distributions of AAThe first and third columns:hole-electron distributions; The second and fourth columns:Chole-Cele distributions

        Sr指數(shù)表明,激發(fā)態(tài)1,2,3和18的Sr指數(shù)相對較大,由空穴-電子圖可知,主要因為這4種激發(fā)在環(huán)狀結構上的高度局域的π→π*激發(fā)所致。雖然S0→S14的激發(fā)區(qū)域主要發(fā)生在環(huán)狀結構上,但由于空穴-電子等值面中心距離較遠,表現(xiàn)出n→σ*電荷轉移激發(fā)特征,因此Sr較小。

        結合H指數(shù)和空穴-電子圖可知:S4和S13激發(fā)態(tài)的電子躍遷涉及的原子和基團較集中,使得激發(fā)態(tài)的電子云往中心聚集得更緊密,因此H指數(shù)較小。t指數(shù)表明,激發(fā)態(tài)S4,S13和S14的t指數(shù)為正值,表明空穴和電子分離較為明顯,因此把激發(fā)態(tài)S4,S13和S14指認為電荷轉移激發(fā);其他t為負值對應的激發(fā)態(tài),說明電子與空穴分離程度很低。

        對AA吸收峰起主要作用的7個激發(fā)態(tài)的特征進行指認如下:激發(fā)態(tài)S1,S2和S3:π→π*,n→π*局域激發(fā);激發(fā)態(tài)S4和S13:n→π*電荷轉移激發(fā);激發(fā)態(tài)S14:n→σ*電荷轉移激發(fā);激發(fā)態(tài)S18:n→π*局域激發(fā),伴隨微弱的n→σ*局域激發(fā)。

        同理結合表2和圖5,DHA的激發(fā)態(tài)S6,S9,S17和S20的D指數(shù)都較大,且Chole-Cele圖上藍色等值面(空穴的質心)和綠色等值面(電子的質心)的中心分離較明顯,可以指認為電荷轉移激發(fā),而其他激發(fā)態(tài)的藍色和綠色等值面中心距離都很近,因此指認為局域激發(fā)。

        圖5 DHA的空穴-電子、Chole-Cele示意圖第一列和第三列:空穴-電子圖;第二列和第四列:Chole-Cele圖Fig.5 Electron-hole,Chole-Cele distributions of DHAThe first and third columns:hole-electron distributions; The second and fourth columns:Chole-Cele distributions

        Sr指數(shù)表明,激發(fā)態(tài)S12和S13的Sr指數(shù)相對較大,結合空穴-電子圖可知,這是由于S12和S13激發(fā)在環(huán)狀結構上高度局域的n→π*激發(fā)所致。S19的Sr指數(shù)偏小,這是因為S19的電子-空穴分布高度局域在環(huán)狀結構上,因此Sr指數(shù)重疊的區(qū)域也主要集中在環(huán)狀結構上,激發(fā)主要體現(xiàn)的是n→σ*局域激發(fā)特征。

        結合H指數(shù)與空穴-電子圖表明:激發(fā)態(tài)S6,S9和S17激發(fā)態(tài)的空穴-電子在原子和基團上的覆蓋率不高,導致這3個激發(fā)態(tài)的H值相對較??;而其他激發(fā)態(tài)的空穴-電子分布覆蓋的原子或基團更廣,從而H值較高。t指數(shù)表明,激發(fā)態(tài)S6,S9,S17和S20的t指數(shù)為正值,表明空穴和電子分離較為明顯,因此指認為電荷轉移激發(fā)。

        對DHA吸收峰起主要作用的9個激發(fā)態(tài)的特征進行指認如下:激發(fā)態(tài)S6,S9,S17:n→π*電荷轉移激發(fā);激發(fā)態(tài)S12,S13,S15和S16:n→π*局域激發(fā);激發(fā)態(tài)S19:n→σ*局域激發(fā),并伴隨微弱的n→π*局域激發(fā);激發(fā)態(tài)S20:n→σ*電荷轉移激發(fā)。

        3 結 論

        在液相環(huán)境(水)中,分別使用pbepbe/6-311++g(2d,2p)方法和B3LYP/6-311++g(2d,2p)方法,優(yōu)化了維生素C的AA和DHA分子結構,并對其紫外光譜和電子激發(fā)特征進行系統(tǒng)的分析,結果表明:

        (1)pbepbe/6-311++g(2d,2p)是計算維生素C的AA紫外吸收光譜更精確的方法;

        (2)二面角參數(shù)表明DHA比AA的環(huán)狀結構發(fā)生了顯著的平面扭曲;

        (3)基態(tài)躍遷到S1,S2,S3,S4,S14和S18激發(fā)態(tài)為AA產生紫外光譜的主要原因。對AA位于200.171 5 nm處的吸收峰起主要作用的是25% S0→S13、15%的S0→S14和33%的S0→S18的躍遷,該吸收峰包含n→π*,n→σ*電子躍遷,266.924 8 nm處的吸收峰對應38%的S0→S1、42%的S0→S2、14%的S0→S3和5%的S0→S4的躍遷,該吸收峰屬于n→π*和π→π*的電子躍遷;

        (4)基態(tài)躍遷到S6,S9,S12,S13,S15,S16,S17,S19和S20激發(fā)態(tài)為DHA產生紫外光譜的主要原因。DHA的最強吸收峰位于181.024 8 nm處,主要包含5%的S0→S12、7%的S0→S13、19%的S0→S15、23%的S0→S16、16%的S0→S17、11%的S0→S19和11%的S0→S20的躍遷,該吸收峰具有n→σ*和n→π*的電子躍遷特征,231.346 39 nm處微弱的吸收峰主要對應83%的S0→S9的躍遷,歸屬于n→π*電子躍遷,282.466 8 nm處的吸收峰主要對應87%的S0→S6躍遷,歸屬于n→π*電子躍遷;

        (5)通過空穴-電子分布及其衍生量的分析,將AA紫外光譜起主要貢獻的S4,S13,S14激發(fā)態(tài)與DHA紫外光譜起主要貢獻的S6,S9,S17和S20指認為電荷轉移激發(fā),而其他激發(fā)態(tài)的電子與空穴分離程度很低,指認為局域激發(fā)。

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