劉欣蔚,陳美華,吳 改,路思明,白 瑩
1.江西應(yīng)用技術(shù)職業(yè)學(xué)院資源環(huán)境與珠寶學(xué)院,江西 贛州 341000 2.中國地質(zhì)大學(xué)(武漢)珠寶學(xué)院,湖北 武漢 430074 3.武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院,湖北 武漢 430072 4.滇西應(yīng)用技術(shù)大學(xué)珠寶學(xué)院,云南 騰沖 679100
鉆石在材料科學(xué)與寶石學(xué)領(lǐng)域有不可替代的地位,主流人工合成鉆石方法有高溫高壓法和化學(xué)氣相沉淀法(chemical vapor deposition,CVD),其中CVD法在合成大單晶鉆石方面具有優(yōu)勢,受到生長工藝的制約[1],CVD法合成大塊單晶鉆石常有褐色調(diào),為了達到寶石級審美要求,通常需要將合成出來的CVD鉆石進行后期處理提高色級和透明度,常用的CVD鉆石處理工藝有高溫高壓法(high pressure high temperature,HPHT)和低壓高溫法(low pressure high temperature,LPHT)[2]。
近幾年CVD鉆石在寶石市場漸熱,有些混雜在群鑲小鉆珠寶飾品作為天然鉆石替代品進行交易,有些被賦予品牌價值作為培育鉆石進行批發(fā)和零售。目前CVD鉆石生長工藝及其后期處理工藝參數(shù)屬于商業(yè)機密,較少被公開,并且不同實驗室設(shè)備存在差異以及生長參數(shù)差別較大,從而增加了CVD鉆石的鑒定難度。另外,經(jīng)過后期處理的CVD鉆石部分鑒別特征會發(fā)生改變,使得CVD鉆石的鑒別難上加難。
本文從褐色CVD鉆石入手,選出前期經(jīng)過HPHT處理實驗改善效果明顯的樣品,對比分析處理前后多項譜學(xué)特征,并總結(jié)樣品在結(jié)晶質(zhì)量、晶格缺陷、色心等方面變化規(guī)律。旨在探究HPHT處理對褐色CVD鉆石的影響,探討CVD鉆石褐色調(diào)的致色機理,豐富CVD鉆石及HPHT處理CVD鉆石的譜學(xué)特征,并為其鑒定提供依據(jù)。該研究在寶石鑒定、完善培育鉆石工藝及后期處理工藝等方面有重要意義。另外,HPHT處理用于改善CVD鉆石光學(xué)透過性及結(jié)晶質(zhì)量效果明顯,可以提高合成鉆石在工業(yè)中的運用價值。
研究樣品共20顆CVD單晶鉆石(購自浙江某公司),尺寸3 mm×3 mm×1 mm和尺寸4 mm×4 mm×1 mm的樣品分別10顆,均帶有不同程度的褐色調(diào)。按顏色深淺分為褐色和深褐色。
采用高溫高壓法去除CVD鉆石褐色調(diào),提高透明度和色級。通過設(shè)置不同實驗參數(shù),得到不同程度褐色調(diào)褪色的參數(shù)。選取褪色效果明顯的三顆樣品進行分析,樣品基本信息見表1,樣品尺寸均為3 mm×3 mm×1 mm,處理壓強5~6 GPa,處理溫度范圍1 500~1 700 ℃,升溫時長為200 s,降溫時長為400 s,其他樣品分析不在本文贅述。
表1 樣品基本信息Table 1 Basic information of samples
紫外-可見吸收光譜測試使用美國公司的PerkinElmer Lambda 650S型紫外-可見分光光度計。采用透射法測試,測試光譜范圍為250~800 nm,光譜分辨率為1 nm。
紅外光譜測試使用德國Bruker Vertex 80型傅里葉變換紅外光譜儀。測試條件:近紅外波段測試采用CaF2分束器,測試光譜范圍為4 000~9 000 cm-1,光闌大小為1 mm,掃描速率為20 kHz;中紅外波段采用KBr分束器,測試光譜范圍400~4 000 cm-1,光闌大小為5 mm,掃描速度為10 kHz。均采用透射法測試,分辨率為2 cm-1,樣品掃描次數(shù)為64次,背景掃描次數(shù)為32次。
光致發(fā)光光譜測試使用的日本HORIBA公司的LabRAM HR Evolution型激光拉曼光譜儀,KIMMON激光器。使用632.8和532 nm波長激光作為激發(fā)光源。測試條件:632.8 nm激光能量17 mW,測試波長范圍為635~900 nm,532 nm激光能量100 mW,測試波長范圍為550~800 nm,曝光時間均為20 s,光譜分辨0.65 cm-1(1 800線光柵),重復(fù)性<±0.1 cm-1,累計測試次數(shù)為3次。
三維熒光光譜測試使用的是日本JASCO的FP-8500型熒光光譜儀。光源為150 W氙燈,激發(fā)光譜和發(fā)射光譜范圍均為200~750 nm,可以在該范圍呈連續(xù)光譜。處理前測試激發(fā)光譜范圍200~720 nm,發(fā)射光譜220~750 nm;處理后測試激發(fā)光譜范圍220~720 nm,發(fā)射光譜范圍240~750 nm。數(shù)據(jù)間隔5 nm,激發(fā)帶寬10 nm,發(fā)射帶寬5 nm,反應(yīng)時間0.5 s,掃描速度1 000 nm·min-1。
激光拉曼光譜測試采用德國Bruker公司SENTERRA型激光拉曼光譜儀。測試條件:激光光源波長為532 nm,激光能量10 mW,1 200線光柵,掃描波數(shù)范圍為280~1 740 cm-1,光譜分辨率為3~5 cm-1,掃描3次,每次掃描時間為6 s,光闌大小為50 μm,CCD冷卻溫度為-64 ℃。
X射線搖擺曲線測試使用荷蘭帕納科(Panalytical)生產(chǎn)的X’pert MRD型高分辨率衍射儀。X射線源為CuKα1,采用四晶單色器進行單色化處理,正比計數(shù)器采集數(shù)據(jù),管壓40 kV,管流30 mA。
將HPHT處理前后的樣品分別進行紫外-可見吸收光譜測試,處理前后樣品光譜變化趨勢基本一致,以CN-2為例進行分析,如圖1所示。褐色CVD鉆石均表現(xiàn)出從紫外區(qū)到紅光區(qū)遞減的連續(xù)性吸收,處理前吸收變化幅度大于處理后變化幅度。樣品處理前在597 nm處存在弱吸收峰,經(jīng)HPHT處理后該吸收峰消失,而該峰成因目前尚不明確。經(jīng)過以上條件處理后樣品吸收系數(shù)明顯減小,說明該溫度壓力條件下,樣品透明度提高,CVD鉆石褐色變淺。
圖1 樣品CN-2處理前后紫外-可見吸收光譜Fig.1 UV-Vis absorption spectra of CN-2 before and after HPHT-processing
對褐色樣品CN-1和深褐色樣品CN-2和CN-3經(jīng)HPHT處理前后分別進行中紅外、近紅外光譜測試。
2.2.1 中紅外光譜
褐色樣品CN-1和深褐色樣品CN-2和CN-3處理前后中紅外波段測試結(jié)果如圖2(a,b)所示。樣品在1 332 cm-1處的吸收峰與N+中心有關(guān),該中心是褐色CVD鉆石的常見特征[3]。樣品處理前后均有3 124 cm-1吸收峰,該峰與NVH0缺陷中心有關(guān)[4-5],是CVD鉆石和HPHT處理鉆石常見吸收峰[3]。處理后在2 851和2 920 cm-1處吸收峰不明顯,在2 871,2 900,2 948和3 031 cm-1等處出現(xiàn)一些強度較低的吸收峰。在2 700~3 200 cm-1范圍所產(chǎn)生的吸收峰與H相關(guān)缺陷的振動有關(guān)[6],而在2 800~2 900 cm-1范圍出現(xiàn)的吸收峰與sp3結(jié)構(gòu)C—H鍵伸縮振動有關(guān),在2 900~3 100 cm-1之間的峰與sp2結(jié)構(gòu)C—H鍵伸縮振動有關(guān)。
圖2 樣品處理前(a)、后(b)中紅外吸收光譜Fig.2 MIR absorption spectra of samples before (a)and after (b)HPHT-processing
2.2.2 近紅外光譜
近紅外光譜范圍內(nèi),測試的主要是含氫基團(X—H)、羥基、金屬離子的結(jié)合和某些官能團的倍頻和合頻吸收峰的振動特征[7]。這些基團振動頻率受周圍環(huán)境影響較小、具強特征性、明顯的差異性且光譜特征比較穩(wěn)定。CVD鉆石中常見含H基團,處理后光譜變化明顯,測試結(jié)果如圖3(a,b)所示。實驗結(jié)果表明,處理后的樣品在4 337,4 673,6 352,6 425,6 668,6 828,7 354,7 540,7 804和8 535 cm-1等位置出現(xiàn)一組吸收峰如圖3(b)所示,該組吸收峰與含H基團有關(guān)。而該組吸收峰在5~6 GPa經(jīng)較高溫度處理后才會出現(xiàn),在低于1 500 ℃條件下處理后吸收峰位無此變化。說明高溫對于含H基團的影響較大,據(jù)該組近紅外波段峰位變化可以推斷CVD鉆石是否經(jīng)過較高溫度處理。針對CVD鉆石及HPHT處理的CVD鉆石在近紅外波段的研究論述較少,本研究可以為鑒定CVD鉆石及其經(jīng)高溫高壓處理提供依據(jù)。
圖3 樣品處理前(a)、后(b)近紅外吸收光譜Fig.3 NIR absorption spectra of samples before (a)and after (b)HPHT-processing
光致發(fā)光光譜(PL)相比吸收光譜測試,是一種對缺陷更加敏感的分析手段。分別使用激發(fā)波長532和633 nm進行PL光譜測試。三個樣品處理前后變化趨勢基本類似,以樣品CN-2為例進行對比分析。
532 nm激發(fā)波長下測得的PL峰以573 nm處鉆石拉曼峰強度為標(biāo)準(zhǔn)進行歸一化,處理前后的譜峰強度對比如圖4(a)所示。該激發(fā)波長下測得的譜峰可能會出現(xiàn)不同峰位中心的熒光包,如660 nm為中心的熒光包,該處熒光譜峰與鉆石中NV-中心的零聲子邊帶有關(guān)。處理后,以660和683 nm為中心的熒光峰強度明顯減弱,樣品在575 nm處譜峰強度增加,該譜峰與NV0中心有關(guān),在637 nm處譜峰強度減弱,該譜峰與NV-中心有關(guān)[8]。譜峰強度在一定程度上可以反映缺陷比例,說明經(jīng)高溫高壓處理后CVD鉆石中NV-缺陷比例減小。
將633 nm激發(fā)波長下測得的PL譜以691 nm處鉆石拉曼峰強度為標(biāo)準(zhǔn)進行歸一化,處理前后的譜峰強度對比如圖4(b)所示。處理后在737 nm處譜峰明顯增強,該譜峰與SiV-中心有關(guān),說明處理后SiV-中心缺陷比例增加。
圖4 樣品CN-2處理前后光致發(fā)光光譜(a):532 nm激發(fā)波長;(b):633 nm激發(fā)波長Fig.4 PL patterns of CN-2 before and after HPHT-processing(a):532 nm light excitation;(b):633 nm light excitation
熒光光譜可以反映CVD鉆石處理前后缺陷熒光變化。經(jīng)過不同條件處理,樣品處理前后的熒光光譜變化規(guī)律類似,以樣品CN-2為例進行說明,將處理前后三維熒光光譜的等高線顯示級別設(shè)置為相同值,分別如圖5(a—d)所示。
熒光光譜比PL光譜激發(fā)能量低,但能夠反映熒光強度隨激發(fā)波長和發(fā)射波長變化。等角三維投影圖坐標(biāo)系中X,Y,Z軸分別表示發(fā)射波長、激發(fā)波長和熒光強度,如圖5(a,c)所示,主要觀察熒光峰的高度。等高線圖以平面坐標(biāo)系的橫軸X表示發(fā)射波長,縱軸Y表示激發(fā)波長,平面上的等高線表示熒光強度,如圖5(b,d)所示,主要觀察熒光峰的位置[9]。
圖5 樣品CN-2處理前后三維熒光光譜處理前:(a)等角三維投影圖;(b)等高線圖;處理后:(c)等角三維投影圖;(d)等高線圖Fig.5 Three-dimensional fluorescence spectra of CN-2 before and after HPHT-processingBefore heated:(a)Isometric three-dimensional projection;(b)Contour spectrum After heated:(c)Isometric three-dimensional projection;(d)Contour spectrum
根據(jù)三維熒光光譜結(jié)果發(fā)現(xiàn),處理前特征熒光峰位范圍在:λex410~430 nm/λem490~510 nm和λex360~390 nm/λem405~425 nm,分別位于綠光區(qū)和紫光區(qū)。處理后,樣品熒光強度均減弱,在λex/λem=500 nm/575 nm處熒光峰增強,在λex/λem=490 nm/550 nm處熒光峰消失。特征熒光峰從λex/λem=420 nm/500 nm紅移至λex/λem=475 nm/520 nm,熒光強度大幅減小。
三維熒光光譜在λex/λex=470~510 nm/570~580 nm范圍熒光峰變化特征與PL光譜測試中使用532 nm激發(fā)光源激發(fā)下575 nm處譜峰變化特征基本一致,實驗結(jié)果顯示,樣品經(jīng)1 200~1 300 ℃處理后,該范圍譜峰變化不明顯,在溫度高于1 500 ℃處理后,該范圍譜峰強度增加,該譜峰與NV0中心有關(guān),推測NV0中心在處理溫度高于1 500 ℃條件下比例增加。從某種意義上講,在λex/λex=470~510 nm/570~580 nm范圍熒光峰變化情況可以一定程度上反映處理溫度的高低。
通過對比樣品處理前后拉曼光譜和XRD搖擺曲線的結(jié)果,分析CVD鉆石中雜質(zhì)含量和結(jié)晶質(zhì)量的變化。鉆石的本征峰位于1 332 cm-1處[10],處理后樣品位于1 061 cm-1處的拉曼譜峰消失,分別如圖6(a—d)所示。拉曼光譜對無定型碳和石墨的檢測靈敏度較高,本次實驗樣品未檢測到明顯的與微晶石墨、無定形碳有關(guān)的D-band(位于1 350 cm-1附近)和與石墨有關(guān)的G-band(位于1 580 cm-1附近)[11],說明樣品含微晶石墨、無定形碳和石墨等雜質(zhì)較少。
拉曼光譜和XRD搖擺曲線的半高寬可以表征CVD鉆石結(jié)晶質(zhì)量的好壞。處理前后拉曼光譜和XRD搖擺曲線半高寬相對大小的變化趨勢基本類似,分別如圖7(a,b)所示。處理后樣品拉曼光譜半高寬和XRD搖擺曲線半高寬均減小,且XRD搖擺曲線對稱性較好,說明經(jīng)過高溫高壓處理的CVD褐色鉆石結(jié)晶質(zhì)量有所優(yōu)化。
圖7 樣品處理前后激光拉曼光譜半高寬和XRD搖擺曲線半高寬(a):激光拉曼光譜半高寬;(b):XRD搖擺曲線半高寬Fig.7 Raman spectra and XRD rocking curve FWHM of samples before and after HPHT-processing(a):Raman spectra FWHM of samples;(b):XRD rocking curve FWHM of samples
將褪色明顯的三顆樣品經(jīng)過以上測試,經(jīng)過譜學(xué)對比,得出以下結(jié)論:
(1)褐色和深褐色樣品在壓力5~6 GPa溫度1 500~1 700 ℃條件下褪色效果較好,透明度也明顯提高。處理后樣品紫外-可見吸收光譜吸收系數(shù)明顯減小,說明該溫壓條件下樣品透明度提高,CVD鉆石褐色調(diào)變淺。
(2)處理前后中紅外與近紅外光譜表明,CVD鉆石存在與NVH0缺陷中心有關(guān)吸收峰,處理后樣品在1 332 cm-1處的吸收峰與N+中心有關(guān),該中心是褐色CVD鉆石的常見特征。HPHT處理對CVD鉆石C—H鍵伸縮振動有影響,處理后在2 700~3 200 cm-1范圍出現(xiàn)一些低強度吸收峰。高溫對于含H基團的影響較大,在近紅外波段4 673,6 352,7 540,7 804和8 535 cm-1等處出現(xiàn)的吸收峰,可以推斷CVD鉆石經(jīng)過較高溫度處理(高于1 500 ℃)。
(3)綜合光致發(fā)光光譜和三維熒光光譜分析,處理后PL譜顯示CVD鉆石中NV-缺陷比例減小,SiV-中心缺陷比例增加。三維熒光光譜顯示經(jīng)HPHT處理的CVD鉆石整體熒光強度減弱,特征熒光峰紅移,在λex/λem=500 nm/575 nm處熒光峰增強,從某種意義上該處譜峰強度增加可以指示樣品經(jīng)過較高溫度處理(高于1 500 ℃)。
(4)物相分析結(jié)果顯示,處理后樣品拉曼光譜半高寬和XRD搖擺曲線半高寬均較處理前變窄,且XRD搖擺曲線對稱性較好,HPHT處理可以提高褐色CVD鉆石的結(jié)晶質(zhì)量。