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        電子束輻射接枝法制備納米TiO2-3,4-二氧乙烯基噻吩復合薄膜及其電化學性能

        2021-12-31 07:32:02宋曉芳楊金玉趙媛王亞洋劉東亮饒璐李月生
        輻射研究與輻射工藝學報 2021年6期
        關鍵詞:基片導帶噻吩

        宋曉芳 楊金玉 趙媛 王亞洋 劉東亮 饒璐 李月生

        1(武漢科技大學化學與化工學院 武漢 430074)

        2(湖北科技學院輻射化學與功能材料湖北省重點實驗室 咸寧 437000)

        3(湖北科技學院藥學院 咸寧 437000)

        4(咸寧市高新水凝膠敷料產(chǎn)業(yè)技術研究院 咸寧 437000)

        導電材料因具有較好的應用前景而受到了廣泛關注[1-3]。進入21世紀后,各種精密儀器的發(fā)明與制造,對材料的導電能力方面也有了新的要求。與傳統(tǒng)的金屬等導電材料相比,導電高分子材料具有易成型、質量輕、耐腐蝕性強、電導率較高和可逆氧化還原性等特點[4-6]。常用的導電高分子材料有乙炔類、吡咯類、苯胺類、噻吩類等[7-8]。與其他類導電聚合物相比,噻吩類導電聚合物導電率更高,且在氧化狀態(tài)和120 ℃高溫條件下能夠保持1 000 h基本穩(wěn)定不變[9-10];同時,在氧化狀態(tài)下,聚3,4-乙烯基二氧噻吩(PEDOT)薄層幾乎透明,是其在電子器件方面得到廣泛應用的重要因素之一[11]。

        納米TiO2作為一種常用的納米材料,當TiO2受到能量大于或等于其帶隙的能量激發(fā)時,處于價帶上的電子受激發(fā)躍遷到導帶,產(chǎn)生自由電子和空穴對,從而具有一定的導電能力。但由于TiO2半導體的禁帶(即價帶VB與導帶CB的距離)能級較寬(Eg=3.2 eV)[12-14],導帶與價帶為-0.29~2.91 eV。為了增強其導電能力,我們尋找了另外一種導電物質對其進行改性。EDOT 的導帶到價帶:1.8 eV~3.0 eV,禁帶寬度為1.2 eV[15-16]。接枝EDOT 后預期能形成一個電子的傳遞從PEDOT 的價帶先傳導到TiO2價帶,然后傳導到PEDOT 的導帶,再傳送到TiO2導帶的復合薄膜,使電子傳遞變得更加簡單,從而提升復合物的導電性能。本工作采用電子束輻射接枝法,成功制備了ITOTiO2-PEDOT 導電復合膜,以期實現(xiàn)導電能力的大幅提升。

        1 材料與方法

        1.1 原料與試劑

        鈦酸四丁酯,分析純,上??曝S化學試劑有限公司;三乙醇胺,分析純,國藥集團化學試劑有限公司;氯化鉀,分析純,國藥集團化學試劑有限公司;鹽酸,分析純,天津市科密歐化學試劑有限公司;瓊脂粉,生物試劑,天津科密歐化學試劑有限公司;3,4-乙烯二氧噻吩,分析純,Aladdin Industrial Corporation。

        1.2 帶負電基片的制備

        首先對ITO導電玻璃基片進行修飾,使其帶負電[17-18]。將基片在濃鹽酸中浸漬12 h,再將基片在60 ℃的混合溶液(VH2O2∶VH2SO4=3∶7) 中浸漬30 min,用超聲波處理基片10 min,使其極化,在50 ℃下真空干燥1 h。

        1.3 復合膜的制備

        1.3.1 二氧化鈦的制備

        用乙醇稀釋鈦酸四丁酯,再逐滴加入三乙醇胺,攪拌10 min,靜置24 h,得TiO2凝膠。其中,鈦酸四丁酯、乙醇、三乙醇胺的體積比為10∶35∶5。將凝膠用馬弗爐400 ℃煅燒2 h,即得TiO2粉末。

        1.3.2 ITO-TiO2復合膜的制備

        稱量2.5 g TiO2粉末分散于250 mL 去離子水中,超聲振蕩20 min,靜置20 min。將ITO導電玻璃基片在TiO2分散液中浸漬30 min,接著連續(xù)浸漬提拉20 次,50 ℃真空干燥24 h,得ITO-TiO2復合膜。

        1.3.3 ITO-PEDOT復合膜的制備

        參考文獻[19]的預輻射接枝方法制備,將ITO導電玻璃基片放在干冰(保存輻照產(chǎn)生的自由基)上,在吸收劑量為20 kGy、劑量率為4 kGy/s條件下進行輻照,輻照后立即將ITO導電玻璃基片在50 ℃和N2條件下,于0.1 mol/L的EDOT單體水溶液中進行接枝反應1 h,50 ℃真空干燥24 h,即得ITO-PEDOT復合薄膜。

        1.3.4 ITO-TiO2-PEDOT復合薄膜的制備

        通過預輻射接枝的方法制備,將1.3.2 節(jié)中制備好的ITO-TiO2復合薄膜放在干冰上,在吸收劑量為20 kGy、劑量率為4 kGy/s 條件下進行輻照,輻照后立即將在干冰上的ITO-TiO2復合薄膜在50 ℃和N2條件下0.1 mol/L的EDOT 單體水溶液中進行接枝反應1 h,50 ℃真空干燥24 h,即得ITOTiO2-PEDOT復合薄膜。

        1.3.5 ITO-PEDOT-TiO2復合薄膜的制備

        通過預輻射接枝的方法制備,將1.3.3 節(jié)中制備好的ITO-PEDOT 復合膜放在干冰上,在吸收劑量為20 kGy、劑量率為4 kGy/s 條件下輻照,輻照后立即將在干冰上的ITO-PEDOT 復合膜在TiO2分散液中浸漬30 min,接著連續(xù)浸漬提拉20 次,50 ℃真空干燥24 h,即得ITO-PEDOT-TiO2復合膜。

        1.3.6 電化學性能的測定

        將1 g 瓊脂和10 g KCl 溶解在30 mL 去離子水中,攪拌均勻,加熱溶解。在50 ℃水浴中加熱瓊脂溶液,將魯金毛細管插入瓊脂溶液中,用洗耳球將瓊脂溶液吸入到玻璃管中,冷卻玻璃管,瓊脂凝固,使溶于瓊脂中的KCl析出,玻璃管中出現(xiàn)白色的斑點。

        2 結果與討論

        2.1 接觸角分析

        在復合薄膜上取25 個點,測其接觸角大小,計算每個復合膜接觸角的平均值。4種復合膜ITOTiO2、 ITO-PEDOT、 ITO-TiO2-PEDOT 和 ITOPEDOT-TiO2的接觸角分別為72.5°、53.5°、62.1°和72.1°。ITO 上涂層單體時,ITO-TiO2的接觸角為72.5°,ITO-PEDOT 的接觸角為53.5°,說明涂層PEDOT時,復合膜的接觸角較小,PEDOT親水性較強;ITO 上涂層二元材料時,ITO-TiO2-PEDOT復合膜的接觸角為62.1°,ITO-PEDOT-TiO2復合膜的接觸角為72.1°,說明當以PEDOT為表面時,復合膜的接觸角較小,親水性能較好。

        2.2 傅里葉變換紅外光譜(FTIR)分析

        將復合膜樣品進行紅外光譜掃描,如圖1 所示,ITO-PEDOT-TiO2復合膜和ITO-TiO2-PEDOT復合膜的紅外光譜出現(xiàn)了PEDOT 在698 cm-1處C-S鍵的伸縮振動峰,1 170 cm-1處C-O 的伸縮振動峰,1 700 cm-1處C=C 的彎曲振動峰;在658 cm-1處出現(xiàn)了TiO2的Ti-O 吸收振動峰[20-21]。而2 070 cm-1處的峰則是由于PEDOT發(fā)生了過氧化而形成的S=O 峰。以上復合薄膜中同時出現(xiàn)了PEDOT 和TiO2的特征峰,說明通過輻射接枝方法將兩者成功接枝到ITO表面。

        圖1 復合薄膜的紅外光譜Fig.1 FTIR spectra for composite films

        2.3 X射線衍射(XRD)表征

        對復合薄膜進行XRD 表征,如圖2 所示,通過對復合薄膜與PEDOT和TiO2的XRD譜圖進行對比分析:ITO-TiO2-PEDOT 復合薄膜2θ值在25.2°、38.6°、53.9°、55.1°處出現(xiàn)了TiO2的特征峰;而2θ值在14.5°、22.5°、33.8°處出現(xiàn)了PEDOT 的特征峰。這表明復合薄膜通過輻射接枝方法成功接上了PEDOT和TiO2[22]。

        圖2 復合薄膜的XRD分析Fig.2 XRD analysis for composite films

        2.4 掃描電鏡(SEM)圖像

        通過SEM 對復合薄膜截面和表面形貌進行觀察和分析。圖3(a)是ITO-TiO2-PEDOT復合薄膜的剖面圖,圖3(b)是ITO-PEDOT-TiO2復合薄膜的剖面圖,根據(jù)剖面圖所示,在ITO導電玻璃片上有兩層薄膜,表明在ITO-TiO2和ITO-PEDOT 復合膜上成功接枝上PEDOT 和TiO2。圖3(c)~(f)分別是ITO-TiO2、ITO-PEDOT、ITO-TiO2-PEDOT和ITO-PEDOT-TiO2復合薄膜的表面形貌圖。圖3(c)是TiO2珠鏈狀結構,且鏈與鏈間交叉相連;圖3(e)膜的結構和形貌表現(xiàn)出顆粒分布均勻且膜表面致密性較好,說明在ITO-TiO2復合膜上接枝的PEDOT較為均勻;圖3(d)和(f)膜的結構和形貌發(fā)生了很大的變化,表面粗糙,顆粒分布不均勻,膜的強度不高,在ITO-PEDOT 復合膜上接枝的TiO2分布不均勻,發(fā)生了堆積沉積的現(xiàn)象。綜上所述,說明用在ITO-TiO2上接枝PEDOT 的方法較成功。

        圖3 復合薄膜SEM圖:ITO-TiO2-PEDOT(a)和ITO-PEDOT-TiO2(b)的剖面圖;ITO-TiO2(c)、ITO-PEDOT(d)、ITO-TiO2-PEDOT(e)和ITO-PEDOT-TiO2(f)的正面圖Fig.3 SEM images of composite films:cross-section images of ITO-TiO2-PEDOT(a)and ITO-PEDOT-TiO2(b);surface images of ITO-TiO2(c),ITO-PEDOT(d),ITO-TiO2-PEDOT(e),and ITO-PEDOT-TiO2(f)

        2.5 循環(huán)伏安(CV)譜圖分析

        在0.5 mol/L的H2SO4溶液中測得4種復合薄膜ITO-TiO2、ITO-PEDOT、ITO-TiO2-PEDOT 和ITOPEDOT-TiO2的循環(huán)伏安曲線峰值分別為1.0×10-5A、6.5×10-5A、6.6×10-5A、 6.4×10-5A。ITOTiO2復合膜幾乎沒有氧化還原峰,說明其電化學活性較差;而在有PEDOT 摻雜的復合材料ITOPEDOT、ITO-TiO2-PEDOT 和ITO-PEDOT-TiO2復合薄膜中在0.2 V時均出現(xiàn)了氧化峰,說明PEDOT的摻雜有利于電化學氧化。

        2.6 復合薄膜電導率的測量

        采用萬用電表測量復合薄膜的電阻,再利用公式,σ=L/R×S,求其面方向的電導率。4 種復合薄膜ITO-TiO2、ITO-PEDOT、ITO-TiO2-PEDOT 和ITO-PEDOT-TiO2的電導率分別為1.08×10-3S/cm、2.5×10-2S/cm、4.0×10-1S/cm、3.0×10-2S/cm。與ITO-TiO2相比,摻雜PEDOT 的3 個復合薄膜的電導率有一定的增強,復合膜ITO-TiO2-PEDOT電導率最高為4×10-1S/cm。這主要歸因于PEDOT 聚合物的分子鏈因噻吩環(huán)上Cα-Cβ被阻斷,在結構上較為有序,利于載流子傳遞,PEDOT 導電性提高。通過電子束輻射接枝法在ITO-TiO2表面接枝一層導電聚合物PEDOT 有利于電子傳遞,具有良好導電性。

        2.7 機理

        目前,對TiO2表面進行接枝的機制尚無定論,但是普遍認為可能的機理:(1)TiO2表面含有大量羥基[23],對TiO2進行電子束預輻照,有可能在TiO2表面生成大量的氧負離子(TiO2-O-);(2)當EDOT單體水溶液遇到預輻射ITO-TiO2復合薄膜產(chǎn)生的自由基時,可能生成大量的自由基陽離子(PEDOT+),PEDOT+也可以聚合成PEDOT 聚合物;(3)TiO2-O-可以與PEDOT+反應,從而形成接枝的復合物(TiO2-O-PEDOT)??赡艿姆磻^程如式(1)~(3)所示[24-26]。

        3 結論

        通過靜電自組裝、溶膠-凝膠、浸漬提拉法以及電子束輻射接枝法,以EDOT為單體,在ITO導電玻璃片表面成功制備了ITO-TiO2-PEDOT導電復合膜。利用FTIR、SEM 和接觸角測試儀等表征手段,對所制備的復合薄膜進行了表征。所制ITOTiO2-PEDOT導電復合膜接觸角為62.1°,具有較好的親水性,為后期的導電性能奠定了基礎。當吸收劑量率為4 kGy/s、吸收劑量為20 kGy 時,電流為6.6×10-5A,電導率達到了4×10-1S/cm,也表明該復合膜具有較好的電化學性能,為輻射技術開發(fā)復合導電材料提供了理論借鑒。

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