呂佩

摘 要：在發(fā)明實質(zhì)審查過程中，申請人對申請文件的修改是否超范圍，或者分案申請的內(nèi)容是否超范圍，其判斷過程比較復(fù)雜，特別是在申請文件中增加公知常識的內(nèi)容，或者刪除申請文件中的某些技術(shù)特征，都難于判斷是否超范圍。文章通過兩個案例對上述情況進行分析。

關(guān)鍵詞：超范圍;增加;刪除

中圖分類號：D923.4 文獻標識碼：A 文章編號：1674-1064（2021）11-119-03

DOI：10.12310/j.issn.1674-1064.2021.11.040

《中華人民共和國專利法》第三十三條規(guī)定，申請人可以對其專利申請文件進行修改，但是，對發(fā)明和實用新型專利申請文件的修改不得超出原說明書和權(quán)利要求書記載的范圍[1]。《中華人民共和國專利法實施細則》第四十三條規(guī)定，分案申請的內(nèi)容不得超出原申請記載的范圍[1]。修改的基礎(chǔ)為原申請記載的范圍，而原申請記載的范圍包括原母案申請的說明書和權(quán)利要求書記載的范圍[2]。由此可見，判斷是否超范圍的標準與《中華人民共和國專利法》第三十三條中判斷超范圍的標準本質(zhì)上相同，也是確定是否超出原說明書和權(quán)利要求書文字記載的內(nèi)容以及說明書附圖直接地、毫無疑義確定的內(nèi)容。對于申請文件的修改或者分案申請的確定，主要包括技術(shù)特征的增加、刪除和改變，其中，技術(shù)特征的增加或刪除最為常見，而特征增加中涉及到公知常識的增加、特征刪除中涉及疊加關(guān)系是審查過程中的難點。

1 公知常識的增加

《專利審查指南（2010）》沒有對“直接地、毫無疑義地確定”的標準作出具體說明，是否可以增加從原申請文件直接地、毫無疑義地推斷出的公知常識，存在較大爭議。一般來說，對于公知常識的增加，主要包括兩點：增加的內(nèi)容僅涉及背景技術(shù)的增加，還是涉及發(fā)明本身;增加的內(nèi)容屬于公知常識，是否影響權(quán)利要求的保護范圍。如果增加的內(nèi)容屬于公知常識，但是該內(nèi)容寫進說明書，在解讀權(quán)利要求會優(yōu)先考慮說明書記載的內(nèi)容。也就是說，將公知常識增加到說明書中，無論是增加到背景技術(shù)部分還是技術(shù)方案部分，只要涉及權(quán)利要求保護的技術(shù)方案，將與記載在申請文件之外的公知常識具有不同的作用，那么原申請文件中增加的公知常識屬于超范圍。如果增加公知常識后的技術(shù)方案沒有發(fā)生改變，那么原申請文件中增加的公知常識不超范圍。

2 案例一

某案涉及一種像素電路，在復(fù)審階段，申請人將原權(quán)利要求書和說明書中驅(qū)動晶體管的“源極”統(tǒng)一修改為驅(qū)動晶體管的“漏極”、驅(qū)動晶體管的“漏極”統(tǒng)一修改為驅(qū)動晶體管的“源極”，并將說明書中“第二電平信號端Ref2通過驅(qū)動晶體管DTFT的源極對驅(qū)動晶體管DTFT的漏極充電，直至驅(qū)動晶體管的漏極電位為Vref2-Vth為止”、“根據(jù)電容電量守恒原理，驅(qū)動晶體管DTFT的漏極電位對應(yīng)跳變?yōu)閂ref2-Vth+Vdata-V0”，修改為“第二電平信號端Ref2通過驅(qū)動晶體管DTFT的漏極對驅(qū)動晶體管DTFT的源極充電，直至驅(qū)動晶體管的源極的電位為V0-Vth為止”、“根據(jù)電容電量守恒原理，驅(qū)動晶體管DTFT的源極的電位對應(yīng)跳變?yōu)閂0-Vth+a（Vdata-V0）。其中，，COLED為發(fā)光器件D1自身電容，C為電容C的電容”。

申請人認為，技術(shù)人員公知的驅(qū)動晶體管的源極和漏極通常通過電流的流向確定，且驅(qū)動晶體管在不同階段中電流的流向是可以發(fā)生變化的，使得驅(qū)動晶體管的源極與漏極在不同階段可以互換，技術(shù)人員對驅(qū)動晶體管的源極與漏極的描述方式僅為了描述清楚驅(qū)動晶體管的具體連接關(guān)系，并不用于具體限定驅(qū)動晶體管中哪個為源極、哪個為漏極。

在本申請原說明書中包括驅(qū)動晶體管為N型晶體管時，由于其驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的工作電流是由第一電平信號端流向發(fā)光器件陽極，技術(shù)人員可以直接地、毫無疑義地確定N型驅(qū)動晶體管的源極與發(fā)光器件的陽極連接。OLED具有自身電容是公知常識，雖然在原始申請文件的說明書中未明確給出發(fā)光器件自身電容的描述，但由于發(fā)光器件的自身電容是固有屬性，是隱含公開的特征。當(dāng)電容一端跳變且另一端處于浮接狀態(tài)時，該電容另一端也會相應(yīng)跳變，并受到與該電容的另一端連接的電容的影響。根據(jù)電容電量守恒原理以及上述公知常識，可以直接地、毫無疑義地確定電容C的另一端的電位在對應(yīng)跳變時，至少會有發(fā)光器件Dl的自身電容對其的耦合影響，因此，電容C另一端的電位會跳變?yōu)閂0-Vth+a（Vdata-V0），其中。

在復(fù)審程序中，合議組認為，由于本申請的技術(shù)方案中具體記載了電流流向、源漏極的連接關(guān)系，電流從驅(qū)動晶體管的漏極流向發(fā)光器件的陽極，且結(jié)合記載“驅(qū)動發(fā)光器件D1發(fā)光的驅(qū)動晶體管DTFT可以為N型晶體管或P型晶體管，在此不做限定”，技術(shù)人員可以根據(jù)電流的流向及連接關(guān)系確定，本申請實施方式中的驅(qū)動晶體管為P型晶體管。

但上述修改改變了晶體管源極和漏極的連接關(guān)系，將該驅(qū)動晶體管變?yōu)镹型晶體管，從而實際上改變了本申請的技術(shù)方案，上述修改超出原始記載范圍。雖然發(fā)光器件具有電容屬性是公知常識，但并不意味著可以在本申請方案中任意加入上述公知常識，是否允許增加內(nèi)容的前提是該增加內(nèi)容是否可由原始申請的記載確定，而本申請原始記載的方案中均未提及發(fā)光器件的電容性，增加與電容性相關(guān)的系數(shù)和計算公式均超出原始記載范圍。

技術(shù)人員了解到，充電電壓的數(shù)值可根據(jù)具體電路及時序控制的需要、要解決的問題進行設(shè)置，技術(shù)人員雖然可以確定原始記載的“Vref2-Vth”是錯誤的，但根據(jù)原始申請文件的記載，無法確定本申請的方案中必然是充電電壓為“V0-Vth”。

此外，上述修改中增加了系數(shù)a及a的計算公式，但原申請文件中均未提及發(fā)光器件自身的電容屬性，也未體現(xiàn)在技術(shù)方案中考慮了發(fā)光器件的電容屬性帶來的影響。因此，上述增加的系數(shù)a及a的計算公式也給本申請的技術(shù)方案加入了原始申請中未記載的內(nèi)容，根據(jù)原始申請文件記載的內(nèi)容，無法確定這些內(nèi)容，導(dǎo)致該技術(shù)方案發(fā)生了變化。

該案例可以看出，如果所屬領(lǐng)域公知常識性技術(shù)手段并非是依據(jù)原申請文件明確記載的信息直接地、毫無疑義地確定的內(nèi)容，僅是該領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)中一種可能的選擇，則并不意味著可以將該公知常識性內(nèi)容通過修改補入申請文件。

3 案例二

某案例涉及一種實現(xiàn)縮放的方法，復(fù)審請求人修改了權(quán)利要求1，將特征“根據(jù)與所述輸入關(guān)聯(lián)的壓力量的變化來改變與所述顯示設(shè)備關(guān)聯(lián)的縮放”，修改為“根據(jù)與所述輸入關(guān)聯(lián)的壓力量的變化來改變與所述輸入關(guān)聯(lián)的對象的縮放”。修改后的權(quán)利要求為：“在顯示設(shè)備上顯示多個對象;接收在所述顯示設(shè)備的顯示表面上的輸入;確定與所述輸入關(guān)聯(lián)的壓力量;根據(jù)與所述輸入關(guān)聯(lián)的壓力量的變化來改變與所述輸入關(guān)聯(lián)的對象的縮放。”原審查部門認為，前置審查意見書中僅公開了在像素上施壓時對屏幕進行縮放以顯示更多細節(jié)，沒有公開具體縮放范圍，而修改后的“與輸入關(guān)聯(lián)的對象”本身涵蓋范圍較寬，不能從原說明書和權(quán)利要求書記載的內(nèi)容直接地、毫無疑義地確定修改后的內(nèi)容，上述修改是超范圍的。

復(fù)審決定認為，根據(jù)原申請文件說明書第14頁最后一段至第15頁第1段的記載內(nèi)容可知，本申請可通過壓力信息增強其他形式的選擇，基于壓力的選擇允許選擇縮放。由上述記載可知，本申請可以根據(jù)像素上壓力量的變化，改變屏幕的縮放，并允許顯示更多細節(jié)，用戶可以在選擇鄰近像素的同時實現(xiàn)更高的精確性。

根據(jù)原說明書第13頁第3段至第14頁第4段及圖12～15記載的實施例可知，其涉及的被用戶選擇輸入的對象包括繪圖程序中的繪圖圖像、文件和文件夾、文件和文件夾的集合、可選擇項目的集合如字符、繪圖對象、文件圖標等，這些被用戶輸入選擇的對象可根據(jù)其上的壓力量大小的改變而改變被選中對象的數(shù)量，本申請的實施例涉及多種與輸入關(guān)聯(lián)的對象。

該案例涉及與像素相關(guān)的實現(xiàn)方法，用戶可根據(jù)像素上壓力量的變化來改變像素的縮放，本申請用戶選擇輸入的對象還可以是像素，用戶可以根據(jù)選擇輸入對象上壓力量的變化來改變該對象的縮放，其中的“像素”只是所述對象中示例性的一種，還包括前述的字符、繪圖對象、文件圖標等。根據(jù)該權(quán)利要求，輸入對象來自顯示設(shè)備的顯示表面，壓力量與所述輸入關(guān)聯(lián)。

本申請涉及與輸入關(guān)聯(lián)的對象相關(guān)的計算機實現(xiàn)方法，壓力量是與所述輸入關(guān)聯(lián)的，與輸入關(guān)聯(lián)的壓力量的變化改變的是與輸入關(guān)聯(lián)的對象，且可以是該對象的縮放。上述修改后的內(nèi)容可以從原申請文件中直接地、毫無疑義地確定，復(fù)審請求人對權(quán)利要求1的修改未超出原申請文件記載的范圍，符合《中華人民共和國專利法》第三十三條的規(guī)定。

由此可以看出，在全面理解原始申請文件的基礎(chǔ)上，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員運用其領(lǐng)域的普通技術(shù)常識，能夠認定解讀出的信息與修改后的信息一致，則修改符合《中華人民共和國專利法》第三十三條的規(guī)定。

對于申請人采用刪除部分技術(shù)特征的方式修改申請文件，或者刪除部分技術(shù)特征，重新撰寫分案申請，由于刪除某些特征后的方案仍然在原說明書和權(quán)利要求書中得到文字記載，導(dǎo)致超范圍的判斷變得困難。如果根據(jù)原申請的記載，該特征是發(fā)明的必要技術(shù)特征，那么刪除該特征的修改或重新撰寫的分案超出了原申請記載的范圍。

4 案例三

某分案申請涉及一種面包原料盒，權(quán)利要求1中記載：一種面包原料盒，包括一硬質(zhì)側(cè)壁，在側(cè)壁的兩端各自設(shè)置有第一壁和第二壁，其特征在于，所述側(cè)壁自其頂面至底面具有逐漸擴大的斜面或分段擴大的斜面。

該內(nèi)容在原母案申請文件中得到文字記載，但是原母案申請中，保護的是一種用于某種特定結(jié)構(gòu)的面包自動制作機的面包原料盒，該面包原料盒需要與母案申請中保護的特定的面包自動制作機配合使用，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的面包原料的配制問題。原母案的說明書針對面包原料盒的細節(jié)進行了說明：“面包原料盒有一個硬質(zhì)的主體，該主體它包括一硬質(zhì)側(cè)壁，在側(cè)壁的兩端各自設(shè)置有第一壁和第二壁，共同構(gòu)成容納空間和其下方的開口;第一壁形態(tài)為易于刺破的薄膜，配合固定于該開口上，與掛架上的鋸齒條配合使用，使用上蓋下壓第二壁，使鋸齒條刺破第一壁?！?/p>

根據(jù)上述記載及原母案的所有實施例能夠確定，面包自動制作機上的鋸齒條相互配合，直接刺穿面包原料盒上的薄膜，導(dǎo)出其內(nèi)的面包原料，加水?dāng)嚢韬蠛姹?。因此，原母案中的面包原料盒是一種專門運用于某種面包自動制作機上的特定面包原料盒，該面包原料盒的設(shè)計與面包自動制作機之間配合，縮短了面包原料的配制時間，簡化了整個面包烘焙操作步驟。在本分案申請中，從權(quán)利要求1中的記載可知，其保護的僅是一種普通面包原料盒，由于沒有對面包機的結(jié)構(gòu)及相應(yīng)特征進行限定，該面包原料盒可以理解為能夠運用于多種面包機上，而非僅運用于該申請中特定的面包自動制作機上，自然不能解決原母案申請?zhí)岢龅募夹g(shù)問題，該權(quán)利要求中保護的技術(shù)方案沒有在原始母案中得到記載，超出了原母案申請文件記載的范圍。

5 案例四

某分案涉及一種多功能豆?jié){機，其權(quán)利要求1中對豆?jié){機具有的制作豆?jié){的功能模塊進行了詳細限定，該些功能模塊均在原母案申請中具有文字記載。

然而，原母案的技術(shù)方案中，請求保護的一種多功能豆?jié){機，其針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種體積小、模仿石磨且用于榨果汁的豆?jié){機。為實現(xiàn)這些功能，該豆?jié){機還包括以下功能模塊：研磨杯內(nèi)下磨盤的上端可拆卸，設(shè)有一個用以與下磨盤配合磨豆?jié){的上磨盤，上磨盤上端連接一個進料杯;研磨杯內(nèi)下磨盤上端可拆卸，設(shè)有一個用以與下磨盤配置榨果汁的上磨盤;研磨杯上端可拆卸，連接一個進料槽。

對于原母案申請的技術(shù)方案而言，本分案的權(quán)利要求1中，申請人刪除了關(guān)于榨汁用的上磨盤、與研磨杯中上磨盤配合的下磨盤的相關(guān)特征，還刪除了進料槽相關(guān)結(jié)構(gòu)的特征，這些特征是解決本發(fā)明的豆?jié){機實現(xiàn)榨汁功能的必要技術(shù)特征，這種刪除是不被允許的。因此，該權(quán)利要求中保護的技術(shù)方案沒有在原始母案中得到記載，超出了原母案申請文件記載的范圍。

6 結(jié)語

對增加技術(shù)特征進行判斷時，若涉及增加的技術(shù)特征為公知常識，無論該內(nèi)容屬于權(quán)利要求書的增加還是說明書的增加，都影響權(quán)利要求的保護范圍。如果產(chǎn)生影響，則認定修改的申請超范圍。

對刪除技術(shù)特征進行判斷時，如果涉及刪除的技術(shù)特征與其他技術(shù)特征是疊加關(guān)系，要考慮刪除的技術(shù)特征是否為必要技術(shù)特征。如果是必要技術(shù)特征，則修改的申請或分案申請超范圍。

參考文獻

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[2] 尹新天.中國專利法詳解（縮編版）[M].北京：知識產(chǎn)權(quán)出版社，2012.