鄒玉澤

新思科技近日宣布推出行業(yè)首個(gè)完整的HBM3 IP解決方案，包括用于2.5D多裸晶芯片封裝系統(tǒng)的控制器、PHY和驗(yàn)證IP。HBM3技術(shù)可幫助開(kāi)發(fā)者滿足高性能計(jì)算、AI和圖形應(yīng)用的片上系統(tǒng)（SoC）設(shè)計(jì)對(duì)高帶寬和低功耗內(nèi)存的要求。新思科技的DesignWare HBM3控制器和PHY IP以經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證的HBM2E IP為基礎(chǔ)，充分利用新思科技的中介層專業(yè)知識(shí)，能夠提供低風(fēng)險(xiǎn)解決方案，從而實(shí)現(xiàn)高達(dá)921 GB/s的內(nèi)存帶寬。

新思科技驗(yàn)證解決方案包括具有內(nèi)置覆蓋率和驗(yàn)證計(jì)劃的驗(yàn)證IP、用于ZeBu仿真的現(xiàn)成HBM3內(nèi)存模型以及HAPS原型驗(yàn)證系統(tǒng)，可加快從HBM3 IP到SoC的驗(yàn)證速度。為加速HBM3系統(tǒng)設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)，新思科技3DIC Compiler多裸晶芯片設(shè)計(jì)平臺(tái)提供了一個(gè)完全集成的架構(gòu)探索、實(shí)施和系統(tǒng)級(jí)分析解決方案。

DesignWare HBM3 PHY IP采用5納米工藝，可提供預(yù)硬化或客戶可配置的PHY，每引腳的運(yùn)行速度高達(dá)7 200 Mbps，顯著提升了功耗效率，并支持多達(dá)4個(gè)有效工作狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)頻率調(diào)節(jié)。DesignWare HBM3 PHY利用優(yōu)化的micro bump陣列以盡可能減少占位面積?；谄鋵?duì)中介層繞線長(zhǎng)度的支持，開(kāi)發(fā)者可以更加靈活地安排PHY，而不會(huì)影響性能。

新思科技面向HBM3的驗(yàn)證IP使用新一代原生型SystemVerilog Universal Verification Methodology（UVM）架構(gòu)，簡(jiǎn)化現(xiàn)有驗(yàn)證環(huán)境的整合難度，支持更多測(cè)試運(yùn)行，從而縮短首次測(cè)試需要的時(shí)間。用于ZeBu仿真和HAPS原型驗(yàn)證系統(tǒng)的現(xiàn)成HBM3內(nèi)存模型可實(shí)現(xiàn)RTL和軟件驗(yàn)證，從而實(shí)現(xiàn)更高水平的性能。

新思科技營(yíng)銷和戰(zhàn)略高級(jí)副總裁John Koeter表示：“新思科技不斷滿足數(shù)據(jù)密集型SoC的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證要求，為HBM3、DDR5和LPDDR5等領(lǐng)先協(xié)議提供高質(zhì)量的內(nèi)存接口IP和驗(yàn)證解決方案。完整的HBM3 IP和驗(yàn)證解決方案讓開(kāi)發(fā)者依賴同一家供應(yīng)商，可以滿足日益增長(zhǎng)的帶寬、延遲和功耗要求，同時(shí)加速驗(yàn)證收斂。”

新思科技廣泛的DesignWare IP組合包括邏輯庫(kù)、嵌入式存儲(chǔ)器、PVT傳感器、嵌入式測(cè)試、模擬IP、接口IP、安全I(xiàn)P、嵌入式處理器以及子系統(tǒng)。為了加速原型設(shè)計(jì)、軟件開(kāi)發(fā)以及將IP核整合進(jìn)芯片，新思科技IP Accelerated計(jì)劃提供IP核原型設(shè)計(jì)套件、IP核軟件開(kāi)發(fā)套件和IP核子系統(tǒng)，在IP質(zhì)量和全面技術(shù)支持方面進(jìn)行了大量投資，以協(xié)助開(kāi)發(fā)者降低集成風(fēng)險(xiǎn)，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。

美光公司（Micron）高性能存儲(chǔ)器和網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)副總裁兼總經(jīng)理Mark Montierth表示：“Micron致力于為世界最先進(jìn)的計(jì)算系統(tǒng)提供業(yè)界性能最佳的解決方案。HBM3所提供的內(nèi)存帶寬對(duì)實(shí)現(xiàn)下一代高性能計(jì)算、人工智能和百萬(wàn)兆級(jí)系統(tǒng)至關(guān)重要。我們與新思科技的合作將加速HBM3產(chǎn)品生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展，以實(shí)現(xiàn)前所未有的超高帶寬、功耗和性能?！?/p>

三星電子內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)劃高級(jí)副總裁Kwangil Park表示：“在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的計(jì)算時(shí)代，人工智能、高性能計(jì)算、圖形和其他應(yīng)用程序的發(fā)展極大提高了對(duì)內(nèi)存帶寬的需求。作為世界領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，三星一直致力于支持生態(tài)系統(tǒng)的形成，并開(kāi)發(fā)HBM以滿足不斷增長(zhǎng)的帶寬需求。新思科技是HBM行業(yè)的生態(tài)系統(tǒng)先驅(qū)，也是三星的重要合作伙伴，我們期待與新思攜手繼續(xù)為客戶提供更好的HBM性能?！?/p>

海士力（SK hynix）公司副總裁、HBM產(chǎn)品負(fù)責(zé)人兼DRAM設(shè)計(jì)主管Cheol Kyu Park Hyun表示：“作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，海士力不斷投資開(kāi)發(fā)包括HBM3 DRAM在內(nèi)的下一代內(nèi)存技術(shù)，以滿足AI和圖形應(yīng)用工作負(fù)載的指數(shù)式增長(zhǎng)所帶來(lái)的需求。與新思科技建立長(zhǎng)期合作關(guān)系，有助于我們?yōu)楣餐蛻籼峁┙?jīng)過(guò)全面測(cè)試和可互操作的HBM3解決方案，以提高內(nèi)存性能、容量和吞吐量?！?/p>

Socionext數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部門(mén)副總裁Yutaka Hayashi表示：“Socionext與新思科技攜手合作，為我們?cè)趶V泛市場(chǎng)的共同客戶提供全面解決方案。基于新思科技在5納米制程方面的HBM2E IP和集成式全系統(tǒng)多裸晶芯片設(shè)計(jì)平臺(tái)，我們與新思科技的合作將得以擴(kuò)展，包括最新的DesignWare HBM3 IP和驗(yàn)證解決方案，協(xié)助我們的客戶在HBM3規(guī)范的SoC方面實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存性能和容量?！?/p>