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        石墨對(duì)β-SiAlON-SiC材料抗熔堿侵蝕性能的影響

        2021-12-17 06:11:30曹會(huì)彥張新華黃一飛王文武吳吉光許海洋
        耐火材料 2021年6期
        關(guān)鍵詞:質(zhì)量

        曹會(huì)彥 張新華 黃一飛 王文武 吳吉光 許海洋

        中鋼集團(tuán)洛陽(yáng)耐火材料研究院有限公司 先進(jìn)耐火材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 河南洛陽(yáng) 471039

        現(xiàn)代大型高爐爐身下部、爐腰、爐腹以及風(fēng)口區(qū)普遍采用SiC耐火材料。美國(guó)、歐洲及印度主要采用SiAlON-SiC材料,日本主要采用自結(jié)合SiC材料;中國(guó)Si3N4-SiC材料和SiAlON-SiC材料同時(shí)存在,以Si3N4-SiC材料為主,且最近SiAlON-SiC材料有逐漸增多的趨勢(shì)[1-3]。相比于Si3N4-SiC材料,SiAlONSiC材料最主要的優(yōu)點(diǎn)是抗熔堿侵蝕性能優(yōu)異[4]。Si3N4-SiC材料熔堿侵蝕后形成硅酸鉀,外觀熔損,質(zhì)量損失大;SiAlON-SiC材料由于在Si3N4晶格中固溶了Al2O3,抗氧化性提高,侵蝕后產(chǎn)物轉(zhuǎn)變?yōu)殁浵际?,外觀光滑,質(zhì)量損失小,但由于熔堿的滲透會(huì)導(dǎo)致高溫抗折強(qiáng)度降低。典型SiAlON-SiC材料的設(shè)計(jì)方案為爐身中下部冷卻板之間采用石墨磚和β-SiAlONSiC磚交替砌筑[5]。β-SiAlON-SiC磚的熱面直接與高爐內(nèi)的物料和熱氣流接觸,經(jīng)受物料和氣流的沖刷與磨損、熔鐵和熔渣的侵蝕以及爐內(nèi)溫度的熱沖擊,工作環(huán)境十分惡劣,要求β-SiAlON-SiC磚具有良好的抗渣鐵侵蝕性,以及承受熱沖擊的能力。石墨線膨脹系數(shù)低,彈性模量低,熱導(dǎo)率高,且不為熔渣和鐵水所潤(rùn)濕,具備優(yōu)良的抗侵蝕性和抗熱震性;但石墨材料存在高溫易氧化的缺點(diǎn)。β-SiAlON-SiC材料相比于石墨材料具有優(yōu)異的抗氧化性能,而抗熱震性和抗侵蝕性相對(duì)不足。將石墨添加到β-SiAlON-SiC中,以期得到一種具有良好抗熱震性、抗侵蝕性和抗氧化性的β-SiAlON-SiC材料。

        由焦炭、鐵礦石和石灰石等原料帶進(jìn)的堿(主要是K2CO3)在高爐內(nèi)富集,造成爐墻破壞及焦炭性能惡化等,導(dǎo)致?tīng)t況不順,對(duì)高爐生產(chǎn)和長(zhǎng)壽不利,使得堿侵蝕成為左右內(nèi)襯材料服役壽命的關(guān)鍵。石墨引入β-SiAlON-SiC體系后,其常規(guī)性能、物相組成、顯微結(jié)構(gòu)、抗渣侵蝕性和抗氧化性能的演變規(guī)律已有相關(guān)研究[6-8]。本工作中,重點(diǎn)研究了石墨對(duì)β-SiAlONSiC材料抗熔堿侵蝕性能的影響。

        1 試驗(yàn)

        試驗(yàn)用主要原料為:w(SiC)≥98%的工業(yè)SiC,粒度為3~0.5、≤0.5和≤0.044 mm;w(Si)≥98%的Si粉,粒度為≤0.044 mm;w(AlN)≥99%的AlN粉,粒度為0.07~0.15 mm;w(Al2O3)≥99%的α-Al2O3微粉,d50為2.611μm;w(C)≥99%的鱗片石墨,粒度為45和300μm。

        固定合成賽隆所需各原料之間的配比不變(即Si、AlN、Al2O3的質(zhì)量比為56.8∶9.1∶34.1),用鱗片石墨取代SiC細(xì)粉,取代量分別為3.0%、5.5%、7.5%、10.0%(w),其配方見(jiàn)表1,引入45μm的鱗片石墨的試樣稱為X系列,引入300μm的鱗片石墨的試樣稱為C系列。按表1稱料混練均勻,困料24 h后,在200 MPa的壓力下壓制成25 mm×25 mm×125 mm的長(zhǎng)方體試樣,經(jīng)120℃保溫24 h烘干后,于硅鉬棒立式氮化爐中1 550℃保溫10 h燒成。

        表1 試樣配比Table 1 Formulations of specimens

        根據(jù)GB/T 14983—2008檢測(cè)抗熔堿侵蝕性:將稱重后的25 mm×25 mm×125 mm試樣裝在不銹鋼盒內(nèi),用無(wú)水碳酸鉀粉末掩埋,加蓋后放入另一較大的碳化硅匣缽內(nèi),并用碳粉將其掩埋,再加蓋后,置于硅碳棒電爐中以180℃·h-1的速度升溫至930℃保溫3 h。冷卻后再重復(fù)上述操作1次。堿侵蝕后的試樣經(jīng)水洗烘干,測(cè)量堿侵蝕前后試樣的質(zhì)量、常溫抗折強(qiáng)度(GB/T 3001—2017)、1 400℃保溫0.5 h的高溫抗折強(qiáng)度(GB/T 3002—2017),計(jì)算熔堿侵蝕后的質(zhì)量變化率和抗折強(qiáng)度保持率(堿侵蝕后抗折強(qiáng)度÷堿侵蝕前抗折強(qiáng)度×100%),并結(jié)合XRD、SEM、EDAX來(lái)衡量試樣的抗熔堿侵蝕性能。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 熔堿侵蝕后試樣的質(zhì)量變化率

        圖1示出了熔堿侵蝕后試樣質(zhì)量變化率與石墨添加量的關(guān)系??梢钥闯觯?)與未添加石墨的0#試樣相比,添加3.0%(w)石墨的試樣的質(zhì)量變化率比0#試樣的大,添加5.5%~10.0%(w)石墨試樣的質(zhì)量變化率比0#試樣的??;2)隨石墨添加量(3%~10.0%,w)的增加,質(zhì)量變化率先減小后增大,在添加量為7.5%(w)處最??;3)石墨添加量為5.5%~10.0%(w)時(shí),C系列試樣的質(zhì)量變化率均小于X系列的。

        圖1 堿侵蝕后試樣的質(zhì)量變化率與石墨添加量的關(guān)系Fig.1 Mass change rate vs graphite addition after molten alkali resistance

        2.2 熔堿侵蝕后試樣的抗折強(qiáng)度保持率

        圖2為堿侵蝕后試樣抗折強(qiáng)度保持率與石墨添加量的關(guān)系。可以看出:1)與未添加石墨的0#試樣相比,堿侵蝕后試樣強(qiáng)度保持率皆增加。2)隨石墨添加量(3%~10.0%,w)增加,堿侵蝕后試樣的常溫抗折強(qiáng)度保持率均先增后降。石墨的引入會(huì)降低材料的結(jié)合強(qiáng)度,但會(huì)增大熔堿和界面的潤(rùn)濕角,對(duì)阻擋熔堿滲透和減弱β-SiAlON和熔堿的氧化侵蝕反應(yīng)有利。3)當(dāng)石墨添加量為5.5%~10.0%(w)時(shí),C系列試樣的高溫抗折強(qiáng)度保持率大于X系列的。

        圖2 堿侵蝕后抗折強(qiáng)度保持率與石墨添加量的關(guān)系Fig.2 CMOR and HMOR retention ratios vs graphite addition after molten alkali resistance

        綜合堿侵蝕后質(zhì)量變化率和強(qiáng)度保持率的結(jié)果,初步認(rèn)定石墨添加量為7.5%(w)(試樣X(jué)3、C3)時(shí),抗堿侵蝕性能較好。

        2.3 熔堿侵蝕后試樣的物相組成和顯微結(jié)構(gòu)

        為了進(jìn)一步證實(shí)抗熔堿侵蝕結(jié)果,對(duì)試樣0#、X3、C3進(jìn)行XRD和SEM分析。圖3為試樣0#、X3、C3熔堿侵蝕前后表層的XRD圖譜??梢钥闯?,試樣的主晶相還是SiC,次晶相為β-SiAlON,但堿侵蝕后試樣中均發(fā)現(xiàn)了熔堿侵蝕產(chǎn)物鉀霞石(KAlSiO4)。熔堿侵蝕前后試樣C3的石墨峰的強(qiáng)度都明顯高于試樣X(jué)3的,說(shuō)明粒度為300μm石墨對(duì)改善β-SiAlON-SiC材料的抗熔堿侵蝕性能更有利。

        圖3 試樣0#、X3、C3熔堿侵蝕前后表層的XRD圖譜Fig.3 XRD patterns for the surface of sample 0#,X3 and C3 after molten alkali resistance

        試樣0#熔堿侵蝕后距表面不同距離處的斷口形貌見(jiàn)圖4。可以看出,試樣0#在表面處生成了板片狀鉀霞石晶體,見(jiàn)圖4(a),高熔點(diǎn)產(chǎn)物鉀霞石(熔點(diǎn)為1 800℃)的形成阻擋了堿的進(jìn)一步入侵。距表面2 mm處已經(jīng)看不到板片狀鉀霞石,見(jiàn)圖4(b)。距表面8 mm處,可以看到絮狀(見(jiàn)圖4(c))和棒狀(見(jiàn)圖4(d))的SiAlON相。

        圖4 試樣0#熔堿侵蝕后距表面不同距離處的斷口形貌Fig.4 Cross section structure of sample 0#after molten alkali resistance

        試樣X(jué)3熔堿侵蝕后距表面不同距離處的斷口形貌見(jiàn)圖5??梢钥闯觯诒砻嫣幰灿兄鶢钼浵际男纬?,見(jiàn)圖5(a)。在距表面<1 mm處,從圖5(b)可以看到,部分熔堿滲透到SiC顆粒的縫隙內(nèi),形成低熔點(diǎn)沉積物,堵塞了材料的氣孔,使常溫強(qiáng)度有一定程度的提高。但低熔點(diǎn)物相的存在使材料的高溫強(qiáng)度降低。距表面1 mm處,可以看到纖維狀β-SiC晶體和絮狀β-SiAlON晶體,見(jiàn)圖5(c);距表面7 mm處,能看到保留完整的鱗片石墨,見(jiàn)圖5(d)。

        圖5 試樣X(jué)3熔堿侵蝕后距表面不同距離處的斷口形貌Fig.5 Cross section structure of sample X3 after molten alkali resistance

        由于試樣全部浸漬在K2CO3熔池里,所以主要還是受熔融K2CO3的侵蝕。試樣C3熔堿侵蝕后距表面不同距離處的斷口形貌見(jiàn)圖6。試樣C3在表面處,檢測(cè)不到N元素存在,生成了圓柱狀堿侵蝕產(chǎn)物鉀霞石,見(jiàn)圖6(a);距表面1 mm處,可以看到少量纖維狀SiC晶體(見(jiàn)圖6(b))和面條狀SiAlON晶體(見(jiàn)圖6(c)),該深度只發(fā)生了少量堿的滲透,而沒(méi)有侵蝕反應(yīng)發(fā)生。距表面7 mm處,能看到保留完整的鱗片石墨(見(jiàn)圖6(d))。

        圖6 試樣C3熔堿侵蝕后距表面不同距離處的斷口形貌Fig.6 Cross section structure of sample C3 after molten alkali resistance

        圖7示出了試樣0#、X3、C3熔堿侵蝕后距表面不同距離K元素的含量??梢钥闯觯篕元素含量隨著擴(kuò)散和滲透距離的增加,在距表面2 mm內(nèi)降低較為迅速,2~5 mm內(nèi)下降速度減慢。粒度為300μm石墨試樣C3中K元素含量下降速度最快,在相同位置K元素含量最低,對(duì)熔堿的滲透阻擋效果最佳。

        圖7 熔堿侵蝕后距表面不同距離K元素的含量Fig.7 Amount of K element at different distances from surface after molten alkali resistance

        3 結(jié)論

        (1)隨石墨添加量增加,堿侵蝕后質(zhì)量變化率先降低后升高。石墨添加量為5.5%~10.0%(w)時(shí),堿侵蝕后試樣的質(zhì)量變化率低于空白樣,并且當(dāng)石墨添加量為7.5%(w)時(shí),試樣質(zhì)量變化率最低。添加300μm石墨試樣質(zhì)量變化率小于添加45μm石墨的。

        (2)添加石墨試樣強(qiáng)度保持率均大于空白樣的。當(dāng)石墨添加量為5.5%~10.0%(w)時(shí),添加300μm石墨試樣的高溫抗折強(qiáng)度保持率大于添加45μm石墨試樣的。

        (3)石墨使得堿侵蝕和滲透發(fā)生在表層,材料內(nèi)部結(jié)合相β-SiAlON保留更加完整。添加7.5%(w)的300μm石墨試樣抗堿侵蝕性能最好,添加7.5%(w)的45μm石墨試樣次之,空白樣最差。

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