楊學(xué)兵 胡曉娜 孫 旭
(江西省科學(xué)院應(yīng)用物理研究所,南昌 330096)
電動自行車、電動摩托車和電動汽車?yán)m(xù)航里程的提升要求動力電池具有更高的比能量,采用高比容量的電極材料是提高動力電池比能量的有效途徑。鋰硫電池以硫作為正極活性物質(zhì),硫的理論放電比容量是1 675 mAh·g-1,鋰硫電池的理論比能量是2 600 Wh·kg-1[1]。此外,硫的價(jià)格低廉且其對環(huán)境友好[2],這使得鋰硫電池在高比能量動力電池領(lǐng)域具有較好的應(yīng)用前景[3]。
鋰硫電池也存在一些問題。首先,硫的導(dǎo)電性差,是電子和離子絕緣體,在25℃的電導(dǎo)率是5×10-30S·cm-1。沒有與導(dǎo)電物質(zhì)接觸的硫很難進(jìn)行電化學(xué)反應(yīng),這導(dǎo)致硫的利用率不高[4]。其次,硫電極中間放電產(chǎn)物多硫化鋰易溶于電解液,這造成硫電極反應(yīng)物質(zhì)的損失[5]。再次,電解液中的多硫化鋰穿過隔膜擴(kuò)散至鋰電極附近,而多硫化鋰與鋰電極反應(yīng)造成電池的自放電及活性物質(zhì)的損失[6]。為了改善鋰硫電池的性能,科研人員利用物理吸附作用、化學(xué)吸附作用及電催化作用將活性物質(zhì)限制在硫電極中,所使用的材料包括多孔碳[7]、氧化物[8]和硫化物[9]。
我們采用一種低成本的方法改善鋰硫電池的性能,在硫電極表面制備乙炔黑涂層,利用乙炔黑涂層阻礙多硫化鋰溶解于電解液,減少活性物質(zhì)的損失量,提升電池的電化學(xué)性能。
采用球磨法制備硫-乙炔黑復(fù)合材料。以質(zhì)量比7:3稱取硫和乙炔黑并在研缽中研磨混合均勻,然后將混合物倒入球磨罐中,采用濕法球磨混合8 h后制得硫-乙炔黑復(fù)合材料,球料比為20∶1。
稱取一定量的聚偏氟乙烯,將其溶解在N-甲基吡咯烷酮中,再加入硫-乙炔黑復(fù)合材料和導(dǎo)電炭黑(硫-乙炔黑復(fù)合材料、導(dǎo)電炭黑及聚偏氟乙烯的質(zhì)量比為8∶1∶1),接著向該混合物中加入適量N-甲基吡咯烷酮,調(diào)制成漿料后,使用涂覆機(jī)將漿料涂覆在鋁箔表面。在90℃真空干燥12 h后,制得硫電極,硫的面密度為1.4 mg·cm-2。
稱取一定量的聚偏氟乙烯并將其溶解在N-甲基吡咯烷酮中,接著加入乙炔黑(乙炔黑與聚偏氟乙烯的質(zhì)量比為6∶1)和適量N-甲基吡咯烷酮將混合物調(diào)制成漿料,然后使用涂覆機(jī)將漿料涂覆在制備的硫電極表面,在80℃真空干燥10 h后,制得乙炔黑涂層-硫電極。
使用切片機(jī)將大片硫電極和乙炔黑涂層-硫電極切成直徑為12 mm的圓片,金屬鋰片為對電極,隔膜為聚丙烯微孔隔膜(Celgard 2400),電解液為含質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 2% LiNO3的 1 mol·L-1LiTFSI(雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰)的DOL(1,3-二氧五環(huán))+DME(乙二醇二甲醚)(1∶1,V/V)溶液。在真空手套箱(Lab 2000)中組裝成CR2032扣式電池。
采用掃描電子顯微鏡(SEM,GeminSEM 500)測試材料表面形貌,工作電壓為10 kV。使用透射電子顯微鏡(TEM,JEOL2100F)進(jìn)行材料微觀結(jié)構(gòu)的表征。通過X射線衍射儀(XRD,Smartlab)分析材料的晶體結(jié)構(gòu),輻射源為Cu Kα,波長為0.154 18 nm,工作電壓為40 kV,工作電流為40 mA,衍射角度為10°~80°,掃描速率為10(°)·min-1。使用電池測試系統(tǒng)(BT2016A)測試扣式電池的充放電容量及循環(huán)充放電穩(wěn)定性,充放電倍率為0.1C(1C=1 675 mA·g-1),循環(huán)充放電150次后,拆解扣式電池,取出硫電極。經(jīng)有機(jī)溶劑清洗后,測試硫電極表面形貌。利用電化學(xué)工作站(CHI760E)測試扣式電池的循環(huán)伏安曲線測試電壓區(qū)間為1.5~3 V,掃描速率為0.1 mV·s-1。
乙炔黑和硫-乙炔黑復(fù)合材料的表面形貌如圖1所示。由圖1a可知,乙炔黑顆粒的直徑約為100 nm。納米乙炔黑顆粒具有大比表面積,能為硫提供大的附著面積,有利于硫的均勻分散和導(dǎo)電性的提升。從圖1b中可以看出,硫-乙炔黑復(fù)合材料由小顆粒組成,沒有出現(xiàn)大塊硫,顆粒形貌與乙炔黑顆粒相似,說明硫可能附著在乙炔黑顆粒表面,可通過TEM測試確定硫的分布狀態(tài)。
圖1 乙炔黑(a)及硫-乙炔黑復(fù)合材料(b)的SEM圖Fig.1 SEM images of acetylene black(a)and sulfur-acetylene black composite(b)
圖2為硫-乙炔黑復(fù)合材料的TEM圖。由圖可知,在乙炔黑顆粒表面有一層物質(zhì)附著(圖2a),乙炔黑顆粒與表面附著層之間有清晰的界面(圖2b),這說明表面附著層對應(yīng)的物質(zhì)不同于乙炔黑。硫-乙炔黑復(fù)合材料中只含有乙炔黑和硫,因此可知表面附著層為硫。TEM圖中可觀察到表面附著層的晶格,這說明硫附著層具有較高的結(jié)晶度。
硫、乙炔黑和硫-乙炔黑復(fù)合材料的XRD圖如圖3所示。單質(zhì)硫的衍射峰很尖銳,說明硫的結(jié)晶度很高。乙炔黑的衍射峰相對較寬,表明乙炔黑的結(jié)晶度較低。硫-乙炔黑復(fù)合材料的衍射峰與硫相似且乙炔黑的衍射峰不明顯,說明硫分散在乙炔黑顆粒表面后仍保持較高的結(jié)晶度,這與圖2得出的結(jié)果一致。
圖2 硫-乙炔黑復(fù)合材料的TEM圖Fig.2 TEM images of sulfur-acetylene black composite
圖3 硫、乙炔黑及硫-乙炔黑復(fù)合材料的XRD圖Fig.3 XRD patterns of sulfur,acetylene black and sulfur-acetylene black composite
硫電極和乙炔黑涂層-硫電極的表面及截面形貌如圖4所示。在圖4a中,硫電極表面存在大孔隙,硫電極中間放電產(chǎn)物多硫化鋰容易通過大孔隙擴(kuò)散至電解液中,導(dǎo)致活性物質(zhì)的損失。在硫電極表面制備乙炔黑涂層后,如圖4c所示,電極表面大孔隙消失,這有利于阻礙多硫化鋰向電解液擴(kuò)散,減少活性物質(zhì)的損失量。硫電極的總厚度約為70 μm,鋁箔的厚度約為20 μm,活性物質(zhì)層的厚度約為50 μm(圖4b)。在硫電極表面制備乙炔黑涂層后,如圖4d所示,乙炔黑涂層-硫電極的總厚度約為85 μm,大于硫電極,這是由于電極表面的乙炔黑涂層增加了電極厚度,乙炔黑涂層的厚度約為15 μm。在乙炔黑涂層-硫電極中,乙炔黑涂層與硫電極之間沒有明顯界面。
圖4 硫電極(a、b)和乙炔黑涂層-硫電極(c、d)表面及截面SEM圖Fig.4 SEM images of surface and cross section for sulfur electrode(a,b)and sulfur electrode with acetylene black coating(c,d)
圖5為硫電極和乙炔黑涂層-硫電極的循環(huán)伏安曲線。由圖5a可知,硫電極在2.28和1.97 V處出現(xiàn)了2個(gè)還原峰,分別對應(yīng)硫還原為多硫化鋰的反應(yīng)及多硫化鋰還原為二硫化鋰和硫化鋰的反應(yīng)[10]。硫電極在2.45 V處出現(xiàn)了氧化峰,對應(yīng)二硫化鋰和硫化鋰氧化為多硫化鋰及硫[11]。當(dāng)循環(huán)次數(shù)增加時(shí),硫電極氧化峰電位沒有明顯變化。由圖5b可知,乙炔黑涂層-硫電極在2.29和1.99 V處出現(xiàn)還原峰,在2.41 V處出現(xiàn)氧化峰,氧化峰電位低于硫電極,這表明乙炔黑涂層-硫電極中的氧化反應(yīng)更容易進(jìn)行。當(dāng)循環(huán)次數(shù)增加時(shí),乙炔黑涂層-硫電極的氧化峰電位減小,這說明二硫化鋰和硫化鋰更容易氧化為多硫化鋰和硫。由此可知,乙炔黑涂層有助于硫電極氧化反應(yīng)的進(jìn)行。
圖5 硫電極(a)和乙炔黑涂層-硫電極(b)的循環(huán)伏安曲線Fig.5 Cyclic voltammetry curves of sulfur electrode(a)and sulfur electrode with acetylene black coating(b)
硫電極和乙炔黑涂層-硫電極的充放電曲線如圖6所示。硫電極的放電曲線分別在2.3和2.1 V左右出現(xiàn)放電平臺(圖6a),分別對應(yīng)硫還原為多硫化鋰的還原反應(yīng)及多硫化鋰還原為二硫化鋰和硫化鋰的反應(yīng),這2個(gè)放電分別對應(yīng)圖5a中的2個(gè)還原峰。在充電初始階段,充電電壓先增大后減小,這與硫電極表面絕緣放電產(chǎn)物有關(guān)。硫電極的中間放電產(chǎn)物多硫化鋰易溶解于電解液,放電結(jié)束時(shí)的產(chǎn)物是二硫化鋰和硫化鋰,其不溶于電解液且絕緣并沉積在硫電極表面,造成表面導(dǎo)電性降低,氧化電位高于平衡電位。隨著氧化反應(yīng)的進(jìn)行,絕緣放電產(chǎn)物被氧化為多硫化物,多硫化物溶解于電解液,這使得硫電極表面導(dǎo)電性上升,氧化電位降至平衡電位。當(dāng)反應(yīng)次數(shù)增加時(shí),放電和充電比容量減小。如圖6b所示,乙炔黑涂層-硫電極在充電初始階段沒有出現(xiàn)電壓先增大后減小的現(xiàn)象,這是由于硫電極表面的乙炔黑涂層阻礙了多硫化鋰溶解于電解液,減少了絕緣放電產(chǎn)物在硫電極表面的覆蓋量,使得硫電極表面保持較高的導(dǎo)電性,放電產(chǎn)物的氧化反應(yīng)能順利進(jìn)行,這說明乙炔黑涂層有助于硫電極氧化反應(yīng)的進(jìn)行,與圖5的結(jié)論一致。
圖6 硫電極(a)和乙炔黑涂層-硫電極(b)的充放電曲線Fig.6 Charge and discharge curves of sulfur electrode(a)and sulfur electrode with acetylene black coating(b)
圖7為硫電極和乙炔黑涂層-硫電極的循環(huán)放電曲線和庫侖效率。由圖7a可知,硫電極的庫侖效率保持在98%左右,乙炔黑涂層-硫電極的循環(huán)庫侖效率與硫電極相近。如圖7b所示,硫電極的初始放電比容量為1 097 mAh·g-1,當(dāng)循環(huán)次數(shù)增加時(shí),放電比容量減小較快,在150次循環(huán)充放電后的放電比容量為358 mAh·g-1。硫電極循環(huán)放電穩(wěn)定性較低,這與活性物質(zhì)的溶解有關(guān)。硫電極中間放電產(chǎn)物多硫化鋰易溶于電解液,造成活性物質(zhì)的損失。此外,放電結(jié)束時(shí)的產(chǎn)物是二硫化鋰和硫化鋰,在放電結(jié)束時(shí),它們沉積在硫電極表面,且在后續(xù)充電過程中,由于與導(dǎo)電劑脫離,只能被部分氧化。隨著循環(huán)次數(shù)的增加,越來越多的二硫化鋰和硫化鋰脫離導(dǎo)電劑,不能參與電化學(xué)反應(yīng),導(dǎo)致放電比容量降低。乙炔黑涂層-硫電極的初始放電比容量為1 105 mAh·g-1,在150次循環(huán)充放電后的放電比容量為894 mAh·g-1,放電比容量和循環(huán)放電穩(wěn)定性高于硫電極。乙炔黑涂層阻礙中間放電產(chǎn)物多硫化鋰溶解于電解液,減小了活性物質(zhì)的損失量,提高了活性物質(zhì)的利用率,增大了放電比容量。此外,多硫化鋰的溶解量降低,使得絕緣放電產(chǎn)物的沉積量減少,在循環(huán)充放電過程中,活性物質(zhì)的聚集程度降低,利用率較高,乙炔黑涂層-硫電極的循環(huán)放電穩(wěn)定性上升。
圖7 硫電極和乙炔黑涂層-硫電極的循環(huán)庫侖效率(a)及循環(huán)放電曲線(b)Fig.7 Coulombic efficiency(a)and cyclic discharge curves(b)of sulfur electrode and sulfur electrode with acetylene black coating
硫電極和乙炔黑涂層-硫電極在150次循環(huán)后的表面形貌如圖8所示。由圖8a可知,硫電極表面出現(xiàn)大塊團(tuán)聚物(硫及硫鋰化合物)。在硫電極放電過程中,中間產(chǎn)物易溶于電解液而結(jié)束產(chǎn)物不溶,放電結(jié)束產(chǎn)物沉積在硫電極表面。在循環(huán)充放電過程中,活性物質(zhì)的重復(fù)溶解和沉積使其聚集,由圖8b可知,乙炔黑涂層-硫電極表面沒有出現(xiàn)大塊團(tuán)聚物,乙炔黑顆粒分布較均勻。硫電極表面的乙炔黑涂層通過阻擋作用降低活性物質(zhì)的溶解量和沉積量,減小活性物質(zhì)的聚集程度。
圖8 硫電極(a)和乙炔黑涂層-硫電極(b)在150次循環(huán)后的SEM圖Fig.8 SEM images of sulfur electrode(a)and sulfur electrode with acetylene black coating(b)after 150 cycles
我們制備了硫-乙炔黑復(fù)合材料及乙炔黑涂層-硫電極,比較了硫電極與乙炔黑涂層-硫電極的結(jié)構(gòu)及電化學(xué)性能。結(jié)果表明,硫附著在乙炔黑顆粒的表面,乙炔黑涂層-硫電極表面乙炔黑涂層的厚度約為15 μm。乙炔黑涂層-硫電極的氧化反應(yīng)電位低于硫電極,說明乙炔黑涂層有助于硫電極氧化反應(yīng)的進(jìn)行。與硫電極相比,乙炔黑涂層-硫電極具有更高的放電比容量和循環(huán)放電穩(wěn)定性。在循環(huán)充放電150次后,乙炔黑涂層-硫電極的放電比容量為894 mAh·g-1,其活性物質(zhì)聚集程度低于硫電極。
無機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào)2021年12期