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        半導體激光的能量密度對脫毛治療有效性、安全性影響的研究

        2021-11-09 01:44:42陳婷婷
        皖西學院學報 2021年5期
        關鍵詞:療效

        陳 潔,陳婷婷

        (1.皖西衛(wèi)生職業(yè)學院,安徽 六安 237005;2.安徽醫(yī)科大學 基礎醫(yī)學院,安徽 合肥 230032)

        隨著現(xiàn)代社會經(jīng)濟及科技的飛速發(fā)展,人們對美的追求在不斷地提升,過多的毛發(fā)嚴重影響外貌美觀及心理健康,目前,對于安全且有效地脫去多余毛發(fā)的需求則變得極為迫切[1]。脫毛的方法主要分為暫時性脫毛和永久性脫毛[2]。暫時性脫毛法有剃刮、拔除法、蠟療及脫毛膏等,且只能暫時去除毛發(fā),毛發(fā)易重新生長[3]。永久性脫毛法包括電灼以及半導體激光。電灼法費時,易產(chǎn)生癱痕。半導體激光脫毛采用選擇性的光熱作用,激光選擇性被毛囊吸收,使毛母質發(fā)生退化,從而使毛發(fā)退化,以達到脫毛的目的[4]。隨著半導體激光技術在臨床應用的發(fā)展,半導體激光以其操作簡便、療效好、安全性高等優(yōu)點已成為臨床上應用最為廣泛的一種脫毛方法[5]。然而,對于不同半導體激光的能量密度在脫毛中的療效及安全性,尚缺乏系統(tǒng)的研究[6]。本研究分析了2017—2020年間,皖西衛(wèi)生職業(yè)學院附屬醫(yī)院皮膚科收治的189例脫毛治療的患者,通過隨機數(shù)字表法將其分別納入低能量組、中能量組、高能量組。各觀察組采取了不同能量密度的半導體激光治療,分析各組記錄的治療效果以及并發(fā)癥發(fā)生情況,探究不同半導體激光的能量密度在脫毛中的療效及安全性,為半導體激光在醫(yī)學美容的臨床應用提供參考依據(jù)。

        1 資料與方法

        1.1 研究對象

        選取2017—2020年間189例脫毛治療的患者的臨床資料進行研究,年齡為14~60歲,將這189例患者通過隨機數(shù)字表法將其分別納入低能量組、中能量組、高能量組。兩組患者除了在年齡上無顯著差異,在脫毛部位的毛發(fā)分布、毛發(fā)的濃密度及毛發(fā)覆蓋范圍等方面相比較,其差異均無統(tǒng)計學意義。

        本研究經(jīng)院倫理委員會審核批準,入組人群同意本研究,均簽署知情同意書。

        1.2 研究方法

        1.2.1 激光治療

        采用Lightsheer Duet月光真空脫毛儀(科醫(yī)人醫(yī)療激光設備),波長800 nm,具備2種治療頭,HS(快速真空脫毛)手具用于肢體和軀干部位的脫毛,光斑面積22 mm×35 mm,脈寬可達400 ms;ET(經(jīng)典脫毛)手具用于面部或精細部位脫毛光斑面積9 mm×9 mm,激光頭前端配有Chilltip接觸式冷卻治療頭,能量密度20~40 J/cm2。首先,清潔治療部位皮膚,剃除該部位體毛,醫(yī)患雙方均佩戴護目鏡。根據(jù)分組的不同選擇能量密度,低能量組能量密度為15~20 J/cm2,中能量組能量密度為20~30 J/cm2,高能量組能量密度為30~40 J/cm2,其余參數(shù)一致。從該組最低能量密度進行試驗性治療,治療時手具緊壓皮膚,光斑移動時要離開皮膚。移動速度以患者有能耐受的針刺樣痛感為準,治療數(shù)分鐘后以毛囊口出現(xiàn)丘疹或風團、皮膚無明顯反應且微微發(fā)紅為治療終點。術后無須冷敷處理。48 h內避免熱水浴及強光照射。治療間隔為4周,5~6次為一個療程。治療前后拍照留存。

        1.2.2 療效判定

        參加療效評估的兩名美容科主治醫(yī)師于研究前3個月接受系統(tǒng)的培訓,于研究開始時進行一致性評價(Kappa值=0.89),一致性較好。由這兩名主治醫(yī)師治療部位的療效進行評判。治療前記錄治療部位的毛發(fā)密度(根/cm2)、粗細及顏色。根據(jù)2次、4次、6次治療結束后2個月對治療情況進行評定,同時記錄不良反應。治愈為毛發(fā)減少>80%,新生毛發(fā)變細,顏色變淡;顯效為毛發(fā)減少>40%,新生毛發(fā)變細,顏色變淡;好轉為毛發(fā)減少>20%,新生毛發(fā)變細,顏色變淡;無效為毛發(fā)減少<20%,新生出來的毛發(fā)仍較粗、較黑;有效率以治愈率加顯效率計。數(shù)據(jù)取兩位醫(yī)師評分的平均分。

        1.2.3 安全性判定

        評估的醫(yī)師在操作結束后觀察受試者皮膚的即刻反應,如有明顯的灼熱感或皮膚明顯發(fā)紅、水腫給予冷噴或冰敷,治療結束1月內對治療部位進行隨訪,同時記錄是否有水皰、色素改變、瘢痕及感染等不良反應的發(fā)生。

        1.3 統(tǒng)計學處理

        2 結果

        2.1 半導體激光不同能量密度療效的比較

        各觀察組在1~2次、3~4次及5~6次治療治愈率差異有統(tǒng)計學意義(P<0.05);高能量組在1~2次治療治愈率高于另外兩組,低能量組1~2次治療治愈率最低;中能量組在3~4次治療治愈率高于另外兩組,低能量組3~4次治療治愈率最低;低能量組在5~6次治療治愈率低于另外兩組,高能量組5~6次治療治愈率最高;各觀察組在總有效率中的差異有統(tǒng)計學意義(P<0.05),其中低能量組有5位患者出現(xiàn)無效的結果,2位患者的療效評價為好轉,同時中、高能量組有效率均為100%。具體見表1。

        表1 半導體激光不同能量密度療效的比較

        2.2 半導體激光不同能量密度安全性的比較

        另外各觀察組在色素沉著、瘢痕、水皰、感染、色素減退及并發(fā)癥發(fā)生率的差異有統(tǒng)計學意義(P<0.05)。高能量組各并發(fā)癥發(fā)生率除感染外均高于其他兩組;各觀察組均發(fā)生色素沉著,但低能量組發(fā)病率較低;高能量組總并發(fā)癥發(fā)生率顯著高于其他兩組,低能量組總并發(fā)癥發(fā)生率最低;三組均未出現(xiàn)感染發(fā)生的情況;不同治療次數(shù)對患者的安全性無明顯影響。具體見表2。

        表2 半導體激光不同能量密度安全性的比較

        3 討論

        “選擇性光熱作用”是半導體激光脫毛的理論基礎[7]。毛囊和毛干中豐富的黑色素在毛球基質細胞之間分布,以黑色素為靶標,選擇性地吸收激光能量后,其溫度急劇升高,從而破壞周圍的毛囊組織,以達到將毛發(fā)祛除的目的[8]。半導體激光脫毛的療效是通過累積效應的,其能量密度越高,治療次數(shù)越多,則最終的療效會越好[9]。

        足夠的能量密度才能充分地破壞毛囊組織,以達到永久性脫毛的目的。研究表明,能量密度的增高與激光治療后的有效率呈正相關[10]。然而并不是能量密度越高越好,因為同時,增高的能量密度會導致更多的并發(fā)癥。本研究結果表明:各觀察組在1~2次、3~4次及5~6次治療治愈率差異有統(tǒng)計學意義(P<0.05);高能量組在第1~2次治療治愈率高于另外兩組,低能量組第1~2次治療治愈率最低;高能量組在較少次數(shù)的治療時能夠達到較高的治愈率,而低能量組則只有較低的治愈率。此外,中能量組在第3~4次治療治愈率高于另外兩組,低能量組第3~4次治療治愈率最低;低能量組在第5~6次治療治愈率高于另外兩組,高能量組第5~6次治療治愈率最低。該結果提示,中能量組及低能量組可通過能量積累效應,分別在3~4次治療及5~6次治療中治愈率最高,這并不表明高能量組的治療效果低,恰恰證明高能量組可通過較少的次數(shù)即可達到治療目的。各觀察組在總有效率中的差異有統(tǒng)計學意義(P<0.05),其中低能量組有5位患者出現(xiàn)無效的結果,2位患者的療效評價為好轉,同時中、高能量組有效率均為100%。該結果表明通過能量累計效應,中等能量組可達到與高能量組相同的治療效果,而低能量組即使經(jīng)歷多次治療,仍存在無效的情況。這與Li等研究的結果相一致[11]。

        各觀察組在色素沉著、瘢痕、水皰、感染、色素減退及并發(fā)癥發(fā)生率的差異有統(tǒng)計學意義(P<0.05),高能量組各并發(fā)癥發(fā)生率除感染外均高于其他兩組;各觀察組均發(fā)生色素沉著,但低能量組發(fā)病率較低;高能量組總并發(fā)癥發(fā)生率顯著高于其他兩組,低能量組總并發(fā)癥發(fā)生率最低;這結果表明一次性過高的能量密度會提高患者并發(fā)癥的發(fā)生率,而能量積累效應在并發(fā)癥的發(fā)生上也有體現(xiàn),但不如治療效果帶來的明顯,楊珊等研究曾證明該點[12]。另有,色素沉著是半導體激光治療的主要并發(fā)癥,在三組能量密度中均有發(fā)生,但隨著能量密度的增高,發(fā)病率增高。

        綜上所述,本研究通過分析半導體激光的能量密度與脫毛治療患者臨床資料的相關性,發(fā)現(xiàn)針對脫發(fā)治療,一次性較高的能量密度能提高治療效率,縮短療程,但同時會帶來較高的并發(fā)癥發(fā)生率。而較低的能量密度療效稍微欠缺且療程較長,不值得在臨床推廣。中等密度在具有較高的能量密度的治療效果的同時,能夠顯著降低并發(fā)癥的發(fā)生率。中能能量密度值得為臨床半導體激光的能量密度首選區(qū)間。

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