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        頻率超過部分DDR5,有用嗎? 金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存實戰(zhàn)體驗

        2021-10-29 19:52:18
        微型計算機(jī) 2021年17期
        關(guān)鍵詞:叛逆者金士頓內(nèi)存

        不知大家是否還記得DDR4內(nèi)存剛進(jìn)入市場時的頻率是多少?對,就是與DDR3超頻版內(nèi)存相當(dāng)?shù)腄DR4 2133、DDR42400。相信當(dāng)時不少玩家都有些略感失望,畢竟頻率沒有比DDR3高多少,而廠商也隨即向消費(fèi)者保證在未來會推出頻率達(dá)到甚至超過DDR4 4000的產(chǎn)品。隨著技術(shù)的發(fā)展,從現(xiàn)在市場上的產(chǎn)品來看,廠商當(dāng)年的諾言顯然早已實現(xiàn),眾多DDR44000、DDR4 4266內(nèi)存出現(xiàn)在市場上。

        更讓人驚喜的是,在DDR4內(nèi)存進(jìn)入“生命”末期,DDR5內(nèi)存即將登臺亮相(注:預(yù)計在今年第四季度隨英特爾第12代酷睿處理器Alder Lake一起發(fā)布)的今天,有內(nèi)存廠商推出了頻率甚至超過部分DDR5內(nèi)存的DDR4內(nèi)存,這就是來自金士頓的FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存。要知道主流DDR5內(nèi)存的頻率也就在DDR5 4800左右,那么在現(xiàn)有處理器上使用頻率如此高的內(nèi)存能為用戶帶來怎樣的體驗?金士頓是如何讓DDR4內(nèi)存工作在這么高的頻率呢?

        SK海力士DJR顆粒+高電壓設(shè)置 金士頓FURY叛逆者DDR4 5333解析

        自金士頓將旗下HyperX高端品牌出售給惠普后,金士頓就馬上打造了新的金士頓FURY品牌來彌補(bǔ)在高端市場上的缺失。其實FURY對金士頓的用戶來說并不陌生,長期以來,已有多款型號中含有“FURY”的金士頓內(nèi)存上市,只是這些產(chǎn)品僅使用金士頓這一品牌名,而這也預(yù)示著金士頓FURY品牌旗下將主要由存儲產(chǎn)品組成。首批上市的金士頓FURY內(nèi)存由叛逆者(Renegade)、野獸(Beast)、風(fēng)暴(Impact)三大系列的產(chǎn)品組成。其中叛逆者(Renegade)內(nèi)存的定位最高端,采用大型散熱器,具有高頻、低延遲的性能特性,用戶既能使用XMP一鍵超頻,也可以手動超頻榨干內(nèi)存的潛力;野獸(Beast)的定位偏主流一些,采用輕薄型散熱器,支持XMP一鍵超頻技術(shù);風(fēng)暴(Impact)則是采用SO- DIMM板型的筆記本內(nèi)存,但也支持XMP超頻技術(shù),具有即插即用、自動超頻、節(jié)能高效的特點,主要瞄準(zhǔn)高端游戲本市場。

        本次我們就將對金士頓FURY叛逆者中的旗艦:DDR45333 16GB套裝(8GB×2)進(jìn)行測試。從內(nèi)存外觀可以看到,其實金士頓FURY叛逆者與之前的駭客神條Predator非常相似。它配備了由鋁合金材質(zhì)打造,外形加入雙向魚骨造型的黑色散熱片。同時散熱片的高度大幅縮減,從金手指到散熱片頂部的高度只有約42mm,有效提升了內(nèi)存與大型風(fēng)冷散熱器的兼容性。與當(dāng)今內(nèi)存相比,該內(nèi)存唯一缺失的就是沒有配備RGB LED,所以沒有RGB燈效,畢竟這款內(nèi)存的主要賣點是以性能為主。

        這款16GB套裝產(chǎn)品由兩條單根容量為8GB的內(nèi)存組成,每根內(nèi)存采用單面8顆粒設(shè)計。從理論上來看,要想讓其工作在DDR4 5333頻率下也非常簡單,用戶只要在支持英特爾XMP或AMD D.O.C.P技術(shù)的主板BIOS里開啟內(nèi)存一鍵超頻功能,即可一鍵將內(nèi)存超頻到DDR4 5333下使用。當(dāng)然要想工作在DDR45333下還需要主板具備支持高頻內(nèi)存的能力,一些主流主板即便支持內(nèi)存超頻技術(shù),但由于做工或設(shè)計不到位,也很可能無法支持頻率超過DDR4 4533的內(nèi)存。所以用戶在購買高頻內(nèi)存前,最好先查閱主板規(guī)格,了解所用主板能支持的最高內(nèi)存頻率。

        如主板能支持DDR4 5333這樣的高頻率,那么在打開內(nèi)存XMP一鍵超頻技術(shù)后,內(nèi)存的頻率就會自動提升到DDR45333,延遲設(shè)置為20-30-30- 52@1T,內(nèi)存電壓則提升至1.6V。

        這也是金士頓FURY叛逆者能工作在DDR4 5333下的第一個“秘訣”:較高的工作電壓。一般DDR4 3000頻率以內(nèi)的主流DDR4內(nèi)存的工作電壓只有1.2V,DDR4 5000以內(nèi)的高頻DDR4內(nèi)存的工作電壓一般在1.35V~1.5V。而這款內(nèi)存的工作電壓則達(dá)到了更高的數(shù)值。原因也很簡單,就是像處理器超頻一樣,通過使用高電壓令內(nèi)存能穩(wěn)定工作在更高的頻率。

        同樣與處理器超頻類似,如果自身“體質(zhì)”不行,那么無論使用多高的電壓,也難以達(dá)到更高的頻率。金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)部則采用了在超頻玩家中口碑不錯的SK海力士DJR顆粒,并且這些顆粒還是通過人工挑選,優(yōu)中選優(yōu)的顆粒。DJR顆粒由海力士的1Ynm新制程打造,其特性非常類似三星已停產(chǎn)的B- DIE顆粒,具有高頻率、“吃”電壓(注:在安全范圍內(nèi),電壓越高越容易達(dá)到高頻率)的特性。在高電壓、高延遲設(shè)置下,能比較容易地超頻到DDR4 4600以上的頻率。所以更高的工作電壓,優(yōu)質(zhì)特挑的SK海力士DJR顆粒就是金士頓FURY能推出叛逆者DDR4 5333內(nèi)存的兩大“功臣”。

        此外,為了讓內(nèi)存在無法支持DDR4 5333頻率的主板上也能提供較高的性能,金士頓FURY叛逆者DDR4 5333還提供了一套DDR4 4000的頻率配置,打開XMP功能后,可選擇該配置將內(nèi)存一鍵超頻到DDR4 4000。在DDR4 4000下,內(nèi)存的延遲設(shè)置為19-23-23- 42,工作電壓則為常見的1.35V。

        高頻內(nèi)存目前面臨兩大桎梏!

        不過隨著處理器架構(gòu)的改變,目前無論是英特爾還是AMD處理器都很難“享受”到100%的高頻內(nèi)存性能,特別是頻率超過DDR4 4000的內(nèi)存,原因就在于處理器內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化。首先在第十一代酷睿處理器上,由于換用了新架構(gòu),其處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制器工作模式也有所變化,提供了GEAR 1、GEAR 2兩種模式。其中在GEAR 1模式下,內(nèi)存控制器與內(nèi)存頻率相同,即1:1,意味著內(nèi)存與內(nèi)存控制器能完美地同步工作。不過由于內(nèi)存控制器能達(dá)到的頻率有限(注:根據(jù)《微型計算機(jī)》評測室的測試來看,在普通散熱環(huán)境、GEAR 1模式下,內(nèi)存控制器與內(nèi)存的最高同步工作頻率在DDR4 3733左右),遠(yuǎn)低于內(nèi)存能達(dá)到的頻率,所以英特爾在第十一代酷睿上又推出了GEAR 2模式。在該模式下內(nèi)存控制器的頻率只有內(nèi)存頻率的一半,如果你想將內(nèi)存頻率超頻到DDR4 5333,那么內(nèi)存控制器只需要設(shè)置在2666MHz下就可以了。GEAR 2模式的出現(xiàn)大幅提高了十一代酷睿處理器對高頻內(nèi)存的支持能力,但增加了延遲。原因很簡單:內(nèi)存控制器的速度比內(nèi)存慢,所以內(nèi)存必須等待內(nèi)存控制器完成數(shù)據(jù)傳輸后,才能進(jìn)行下一次傳輸。

        AMD平臺也有類似的問題,在AMD處理器內(nèi)部,IF(InfinityFabric)總線負(fù)責(zé)將內(nèi)存數(shù)據(jù)傳送給計算核心,IF的總線時鐘頻率與內(nèi)存時鐘頻率以1∶1的方式捆綁在一起。簡單來說,工作在1800MHz下的IF總線的等效數(shù)據(jù)傳輸帶寬與DDR4 3600內(nèi)存相同,但如果用戶使用頻率更高的內(nèi)存,如DDR4 4000,而IF總線頻率仍保持為1800MHz的話,那么內(nèi)存就必須等待速度慢的IF總線將數(shù)據(jù)傳輸完畢后,才能進(jìn)行下一次傳輸,帶來額外的延遲。根據(jù)《微型計算機(jī)》評測室的測試來看,在普通散熱環(huán)境下,IF總線所能達(dá)到的最高頻率在2000MHz左右,也就是說AMD銳龍?zhí)幚砥饕话阒荒芘c頻率最高為DDR4 4000的內(nèi)存“無縫銜接”,超過DDR4 4000的內(nèi)存在傳輸數(shù)據(jù)時就必須“等待”IF總線完成工作后再進(jìn)行下一次傳輸。

        我們?nèi)绾螠y試

        那么像金士頓FURY叛逆者DDR4 5333這樣的超高頻內(nèi)存在實戰(zhàn)測試中,能否為用戶帶來更好的體驗?zāi)??接下來我們特地采用基于英特爾第十一代酷睿處理器旗艦:酷睿i9-11900K的測試平臺在GEAR 2模式下對它進(jìn)行了測試。測試中我們不僅采用AIDA64、SiSoftware Sandra測試了它的內(nèi)存性能,還使用PerformanceTest 10.1、GeekBench 5.4.1等基準(zhǔn)軟件測試了內(nèi)存對處理器性能的影響。同時我們還通過實際渲染測試、轉(zhuǎn)碼測試,加密與解密測試,以及游戲性能測試,測試了內(nèi)存性能對實際應(yīng)用、游戲體驗的影響。

        為了更直觀地體現(xiàn)內(nèi)存性能對電腦的意義,我們還采用了以GEAR 1模式運(yùn)行的DDR4 2133@15-15-15- 36@2T、DDR43733@15- 15- 15- 36@2T內(nèi)存,以及以GEAR 2模式運(yùn)行的DDR4 4533@19-23-23- 42@1T內(nèi)存與金士頓FURY叛逆者DDR4 5333進(jìn)行了全面對比測試。

        測試點評:首先從內(nèi)存性能測試來看,頻率占優(yōu)的金士頓FURY叛逆者DDR4 5333在內(nèi)存帶寬上占有壓倒性的優(yōu)勢,其在AIDA64的內(nèi)存讀寫帶寬分別可達(dá)73775MB/s、75109MB/s,而采用GEAR 1模式運(yùn)行的DDR4 3733內(nèi)存在這兩項測試中的成績只有它的76.6%、72.4%。同樣,以GEAR 2模式運(yùn)行的DDR4 4533內(nèi)存雖然在帶寬性能測試上位居第二,但與金士頓FURY叛逆者DDR4 5333相比也有明顯的差距。原因也很簡單,內(nèi)存帶寬的計算公式=內(nèi)存工作頻率×內(nèi)存總線位寬/8,在內(nèi)存總線位寬相同的情況下,內(nèi)存工作頻率的高低就是內(nèi)存帶寬大小的決定因素。

        而從內(nèi)存延遲測試來看,頻率較高,參數(shù)延遲設(shè)置最低且與內(nèi)存控制器同步工作的DDR4 3733內(nèi)存擁有最低的整體訪問延遲,金士頓FURY叛逆者DDR4 5333雖然各參數(shù)延遲的設(shè)置較高,且內(nèi)存與內(nèi)存控制器異步工作,但憑借極高的內(nèi)存工作頻率,其整體訪問延遲也不算高,在所有內(nèi)存中位居第二。這是因為決定內(nèi)存整體訪問延遲的因素較為復(fù)雜,由內(nèi)存各參數(shù)延遲設(shè)置,處理器內(nèi)部架構(gòu)、緩存大小、內(nèi)存工作頻率、內(nèi)存控制器頻率或相關(guān)總線頻率等多個因素決定。所以盡管DDR4 5333的各參數(shù)延遲設(shè)置在參測內(nèi)存中是最高的,但借助高得多的內(nèi)存工作頻率,它的整體訪問延遲僅略高于DDR4 3733。而頻率最低,各參數(shù)延遲設(shè)置并不高的DDR4 2133內(nèi)存不僅整體訪問延遲最高,帶寬也最低。

        各有勝負(fù) 處理器性能測試

        測試點評:我們知道,內(nèi)存的作用是暫時存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù),當(dāng)工作開始后,操作系統(tǒng)就會把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)從內(nèi)存調(diào)到CPU中進(jìn)行運(yùn)算。因此內(nèi)存?zhèn)鬏敂?shù)據(jù)到處理器中的速度越快(即內(nèi)存的延遲)、數(shù)量(即內(nèi)存的帶寬)越多,處理器的運(yùn)算效率就會更高。當(dāng)然處理器的運(yùn)算能力是有一定限度的,在數(shù)據(jù)傳輸量達(dá)到或接近處理器的計算能力極限時,單純提升內(nèi)存性能不會帶來太大的改變。而從處理器性能測試來看,DDR4 2133內(nèi)存顯然無法與酷睿i9-11900K的計算能力匹配,在這一頻率下,不論是在PerformanceTest 10.1、GeekBench 5.4.1還是《魯大師》測試中,與使用其他高頻內(nèi)存的平臺都有巨大的差距。如DDR42133內(nèi)存平臺的PerformanceTest 10.1處理器性能只有使用金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存平臺的65.2%。不過與另外兩個使用高頻內(nèi)存的測試平臺對比,三款高頻內(nèi)存在處理器性能上的差異就比較小了,互有勝負(fù)。原因就是如前面所說,在內(nèi)存性能達(dá)到一定的高度,接近處理器計算能力極限時,內(nèi)存性能的不同不會帶來太大的差異。

        差異也不大 應(yīng)用性能測試

        測試點評:在軟件應(yīng)用上的測試也如處理器性能測試一般,DDR4 2133內(nèi)存顯然無法滿足酷睿i9-11900K的需求,因此無論是它的渲染時間還是轉(zhuǎn)碼時間都是最長的。其在Corona 1.3渲染測試中的消耗時間比使用金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存的平臺多了39%;在HandBrake H.264 4K視頻轉(zhuǎn)H.265 4K視頻測試中,其耗時則多了達(dá)47%。不過三款高頻內(nèi)存之間的差距則不大,互有勝負(fù),差異很小。就原因來說是因為有些應(yīng)用更依賴內(nèi)存帶寬,因此DDR4 5333、DDR4 4533在TrueCrypt AES加密解密性能測試中的表現(xiàn)要稍好一些,同時金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存還在CINEBENCH R20處理器多核心渲染性能測試中取得了第一。而在Corona 1.3、V- RAY渲染測試與WinRAR壓縮性能測試中,這三個測試不僅需要內(nèi)存帶寬,更依賴內(nèi)存的響應(yīng)速度,所以DDR4 3733內(nèi)存位居前列。

        DDR4 5333獲得小幅領(lǐng)先 游戲性能表現(xiàn)較好

        測試點評:游戲性能測試令人驚喜,雖然高頻內(nèi)存彼此間的差距仍然不大,但可以看出這三款游戲?qū)?nèi)存帶寬還是非?!翱是蟆钡模虼私鹗款DFURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存最終在這三款游戲中都獲得了小幅領(lǐng)先,幀數(shù)小幅領(lǐng)先于其他兩個高頻內(nèi)存平臺。而DDR4 2133內(nèi)存平臺則因為內(nèi)存性能過差,無法充分發(fā)揮出處理器的性能,導(dǎo)致在使用GeForce RTX 3090顯卡的情況下,其在《全面戰(zhàn)爭:特洛伊》游戲中的平均運(yùn)行幀數(shù)也不到金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存平臺的三分之一,因此高頻內(nèi)存對游戲PC也是十分重要的。

        可在DDR4 5333下通過20分鐘AIDA64烤機(jī)測試

        測試點評:接下來我們通過AIDA64內(nèi)存烤機(jī)測試,測試了另一個大家非常關(guān)注的問題—在如此高的頻率下,內(nèi)存能否穩(wěn)定工作?在如此高的電壓設(shè)置下,內(nèi)存發(fā)熱量會不會很大?而結(jié)果讓人有些意外,金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存的1.6V默認(rèn)工作電壓無法保證內(nèi)存在DDR4 5333下通過烤機(jī)測試,一般測試1~2分鐘就會出錯。因此我們將內(nèi)存工作電壓提升到了1.65V后,接下來的結(jié)果讓人滿意。在1.65V電壓、DDR4 5333工作頻率下,金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存通過了時長20分鐘的烤機(jī)測試。這也意味著除了少量的內(nèi)存密集型應(yīng)用,可以保證內(nèi)存在絕大部分應(yīng)用中都不會出錯,用戶能夠在DDR4 5333這一高頻率下放心使用內(nèi)存。

        同時得益于高品質(zhì)的散熱器,在1.65V電壓、DDR4 5333工作頻率下長時間高負(fù)荷工作后,內(nèi)存的工作溫度也沒有上升到太驚人的數(shù)值,其散熱片表面最高溫度在60.8℃左右,發(fā)熱量并不算特別大。

        內(nèi)存性能優(yōu)于普通高頻內(nèi)存,但僅限重度發(fā)燒友選購

        綜合以上測試,我們認(rèn)為如果單純地從內(nèi)存性能上來看,金士頓FURY叛逆者DDR4 5333的表現(xiàn)的確非常突出,其在AIDA64內(nèi)存性能測試中最高75109MB/s的傳輸帶寬遠(yuǎn)優(yōu)于普通雙通道內(nèi)存,可以和低頻四通道內(nèi)存系統(tǒng)匹敵。同時它能通過一定時間的高負(fù)載烤機(jī)測試,也顯示像DDR4 5333這樣的超高頻DDR4內(nèi)存具備實用性,不出意外,它的性能甚至?xí)燃磳l(fā)布的部分DDR5內(nèi)存還要好。因為不少定位主流的DDR5內(nèi)存起步頻率也就DDR5 4800,但參數(shù)延遲設(shè)置在40- 40- 40-77左右,遠(yuǎn)比DDR4內(nèi)存高。

        總之從產(chǎn)品自身角度來看,金士頓FURY叛逆者D DR45333的表現(xiàn)優(yōu)秀,但它面對著一些難以解決的外部問題。首先就是如測試中所示,由于處理器計算性能有限,再加上內(nèi)存控制器無法與超高頻內(nèi)存同步工作,所以即便酷睿i9-11900K這類旗艦處理器采用DDR4 5333內(nèi)存也不會在處理器、應(yīng)用與游戲性能上帶來太大的變化。而最后一個更大的問題就是,這類DDR4超高頻內(nèi)存的售價非常高,因為這類內(nèi)存除了要選用技術(shù)工藝先進(jìn)的內(nèi)存顆粒外,還需要人工測試挑選出其中能在高頻下穩(wěn)定工作的顆粒,工作量非常大,最終導(dǎo)致這款16GB內(nèi)存套裝的售價就高達(dá)8599元。顯然這絕不是大部分人所能承受的,這個價格已經(jīng)與一臺配備RTX光追顯卡、高性能處理器的游戲本相當(dāng)。

        因此我們認(rèn)為,金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存其實更像是金士頓FURY新品牌的一個實力展示,顯示叛逆者內(nèi)存的確具備當(dāng)今無出其右的內(nèi)存性能。所以它更適合那些不計成本,力求沖擊各項世界紀(jì)錄、成績的超頻玩家、重度發(fā)燒友。對于這些專業(yè)人士而言,金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存將是奪得勝利的保障。

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