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        單-雙晶片壓電換能器發(fā)電能力仿真分析與實驗研究*

        2021-09-15 05:39:00侯躍謙朱金志田曉超孫禹澤王海剛王志聰
        機械研究與應(yīng)用 2021年4期
        關(guān)鍵詞:晶片換能器單晶

        侯躍謙,朱金志,田曉超,孫禹澤,王海剛,王志聰,王 虎

        (長春大學(xué) 機械與車輛工程學(xué)院,吉林 長春 130022)

        0 引 言

        壓電材料具有節(jié)能環(huán)保、壽命長、體積小、不受磁干擾等優(yōu)點[1],被國內(nèi)外學(xué)者廣泛關(guān)注。特別是作為節(jié)能環(huán)保能源將機械能轉(zhuǎn)化為電能發(fā)電技術(shù)成為研究的熱點[2]。例如美國、日本等國家大量開展了對壓電發(fā)電與能量存儲技術(shù)進行相關(guān)的研究[3-7]。發(fā)電技術(shù)最為代表性的就是壓電懸臂梁式發(fā)電,學(xué)者對其進行了大量的分析與研究,主要表現(xiàn)在:①對懸臂梁壓電換能器進行理論分析和實驗測試來研究其發(fā)電性能[8-9];②為提高換能器發(fā)電效率對壓電方程進行理論推導(dǎo),得出影響換能器發(fā)電效率的表達式及影響因素[10];③壓電懸臂梁結(jié)構(gòu)尺寸、配置位置以及不同質(zhì)量對發(fā)電能力的影響以及不同金屬基板材料對能量傳遞的影響[11-13]。

        筆者主要針對單晶片換能器和雙晶片換能器發(fā)電能力進行實驗對比研究,為壓電材料發(fā)電提供設(shè)計理論與技術(shù)參考。

        1 結(jié)構(gòu)設(shè)計與工作原理

        單晶片和雙晶片壓電換能器結(jié)構(gòu)示意圖如圖1和圖2所示。主要由固定支撐部分、壓電換能器(金屬基板和壓電陶瓷材料粘接而成)以及質(zhì)量塊組成。雙晶片壓電換能器采用雙面晶片陶瓷貼置,單晶片壓電換能器采用單面晶片陶瓷貼置。由于壓電材料具有正壓電效應(yīng),當(dāng)壓電換能器受到外部作用力時,壓電換能器發(fā)生彎曲變形,在質(zhì)量塊慣性作用下,壓電換能器彎曲變形進一步變大,壓電陶瓷材料在外部應(yīng)力的作用下產(chǎn)生電荷,進而起到發(fā)電的作用。

        圖1 雙晶片壓電換能器發(fā)電模型

        圖2 單晶片壓電換能器發(fā)電模型

        1.2 仿真分析

        利用仿真軟件對單-雙壓電換能器進行仿真分析,仿真結(jié)果如圖3、4所示。

        圖3 單晶片壓電換能器仿真圖

        圖4 雙晶片壓電換能器仿真圖

        從以上仿真可以看出,單晶片換能器第二階模態(tài)符合振動形態(tài),在換能器的中部發(fā)電量最大,最佳頻率為38.9 Hz;雙晶片換能器第一階模態(tài)符合振動形態(tài),發(fā)電量最好,最佳頻率為43.1 Hz。

        2 實驗測試

        單-雙懸臂梁壓電換能器發(fā)電能力測試系統(tǒng)圖如圖5所示,換能器材料及尺寸參數(shù)如表1所列。配重塊的質(zhì)量為6.2 g,由信號發(fā)生器提供所需的外部激勵,此激勵信號通過導(dǎo)線傳遞給激振器,用于控制激振器為壓電換能器提供激勵振動。激光測微儀測試壓電換能器振動幅值,壓電換能器在激勵的作用下產(chǎn)生振動,產(chǎn)生電能。用數(shù)據(jù)線連接示波器和微型計算機,由此獲得實驗的測試數(shù)據(jù)。

        表1 壓電換能器材料及尺寸參數(shù)

        圖5 測試裝置系統(tǒng)圖

        2.1 發(fā)電量與驅(qū)動頻率影響關(guān)系

        單-雙晶片壓電換能器隨驅(qū)動頻率發(fā)電量影響關(guān)系曲線如圖6所示。

        圖6 發(fā)電量與驅(qū)動頻率影響關(guān)系曲線圖

        從圖中可以看出,單-雙晶片壓電換能器發(fā)電量隨驅(qū)動頻率先增大后減小,且都有一個輸出最大值,單晶片壓電換能器在驅(qū)動頻率為38.4 Hz時輸出電壓最大,最大幅值電壓為13.5 V。雙晶片壓電換能器在驅(qū)動頻率為42.2 Hz時輸出電壓最大,最大幅值電壓為15.4 V。略小于理論分析值,主要是因為換能器裝配精度的影響以及理論模型參數(shù)過于理想造成的誤差。雙晶片壓電換能器發(fā)電量要高于單晶片壓電換能器發(fā)電量。

        2.2 發(fā)電量與激勵振幅影響關(guān)系

        單-雙晶片壓電換能器發(fā)電量隨激勵振幅影響關(guān)系曲線如圖7所示。

        圖7 發(fā)電量與激勵振幅影響關(guān)系曲線圖

        在外部激勵頻率為40 Hz時,單-雙晶片壓電換能器發(fā)電量與外部激勵振幅成正比。主要是由于在一定的激勵頻率內(nèi),激勵振幅越大,壓電換能器產(chǎn)生的變形就越大,相應(yīng)產(chǎn)生彎曲應(yīng)力也就越大,電荷量隨之變大。當(dāng)激勵振幅小于1.2 mm時,單晶片壓電換能器的發(fā)電能力要優(yōu)于雙晶片壓電換能器,當(dāng)激勵振幅大于1.2 mm時,雙晶片換能器的發(fā)電能力要優(yōu)于單晶片換能器。如果外界提供的激勵振幅較小時,應(yīng)當(dāng)盡量優(yōu)先選用單晶片壓電換能器,否則,將選用雙晶片壓電換能器。

        3 結(jié) 語

        設(shè)計了單-雙晶片壓電換能器發(fā)電模型,并對兩種懸臂梁壓電換能器進行了仿真分析與實驗測試,分別測試驅(qū)動頻率與激勵振幅對換能器發(fā)電量的影響對比實驗。單-雙晶片壓電換能器在共振頻率狀態(tài)下發(fā)電量最大,隨激勵振幅的增大產(chǎn)生的電能也隨之變大。結(jié)果表明,雙晶片壓電換能器發(fā)電量要優(yōu)于單晶片壓電換能器,為壓電材料發(fā)電提供理論依據(jù)與技術(shù)參考。

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