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        線切割多晶硅硅泥制備鋰離子電池負(fù)極材料*

        2021-09-13 13:08:00富世伯楊紹斌李希萌夏英凱
        功能材料 2021年8期
        關(guān)鍵詞:庫倫負(fù)極原料

        富世伯,楊紹斌,董 偉,李希萌,夏英凱

        (1. 遼寧工程技術(shù)大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,遼寧 阜新 123000;2. 遼寧工程技術(shù)大學(xué) 環(huán)境科學(xué)與工程學(xué)院,遼寧 阜新 123000)

        0 引言

        鋰離子電池被公認(rèn)為最具發(fā)展?jié)摿Φ碾姵?,石墨作為目前商業(yè)化鋰離子電池中最常用的負(fù)極材料,理論容量僅為372 mAh·g-1,不能滿足移動電器對容量日益增長的需求。所以,尋找一種既具備石墨負(fù)極來源豐富、價格低廉的優(yōu)點,同時又具備更大理論容量的負(fù)極材料成為了科學(xué)家們研究的重點[1]。硅的理論容量高達(dá)4 200 mAh·g-1,但充放電時320%的體積變化導(dǎo)致顆粒在循環(huán)過程中容易破碎,脫離導(dǎo)電劑,甚至脫離極片,而且生成的SEI膜不均勻、不致密,在充放電循環(huán)過程中反復(fù)產(chǎn)生[2],不斷的消耗電池中的鋰離子,降低庫倫效率,使循環(huán)性能變差,限制了硅作為電極材料的發(fā)展。

        目前,改進(jìn)硅材料的方法主要有硅的納米化、硅的多孔化、制備硅的氧化物以及硅碳復(fù)合材料。硅納米材料主要有硅納米顆粒[3]、硅納米管[4]、硅納米線[5],納米化可以降低硅膨脹收縮時的應(yīng)力,抵抗顆粒粉化能力大幅度增加;硅的多孔化[6-8]通過降低材料的內(nèi)部應(yīng)力,可以緩解體積效應(yīng)帶來的物理破壞;制備硅的氧化物[9-11]可以使材料的體積變化降低至160%;硅碳復(fù)合[12-19]可以增加材料的導(dǎo)電性,并抑制硅的體積變化,同時形成更加致密均勻的SEI膜,這些方法都能顯著改善硅材料的循環(huán)性能。

        多晶硅和單晶硅是太陽能電池常用原料,在制備太陽能電池時,首先要使用線切割制備太陽能電池板,在這個過程中產(chǎn)生硅泥廢料。硅泥廢料純度高,容易提純,具有獨特的納米片層結(jié)構(gòu),是潛在的鋰離子電池硅基材料的廉價原料。本文使用硅泥為原料,采用球磨和碳包覆的方法制備鋰離子電池負(fù)極材料,對硅泥的高附加值利用有借鑒價值。

        1 實驗

        1.1 試劑與儀器

        原料為線切割的多晶硅硅泥(東海晶澳太陽能科技有限公司),酚醛樹脂(濟(jì)寧華凱樹脂有限公司)。XRD-6100型X射線衍射儀(日本島津公司)、JSM-7500F型場發(fā)射掃描電子顯微鏡(日本電子株式會社)、BST-5V/2.2 A型電池測試系統(tǒng)(深圳市新威電子有限公司)、CH1660E電化學(xué)工作站(上海辰華儀器有限公司)。

        1.2 實驗過程

        1.2.1 多晶硅硅泥的球磨處理

        稱量5 g廢棄硅泥放入不銹鋼球磨罐中(球/料質(zhì)量比20∶1),將球料混合均勻,向內(nèi)加入15 mL無水乙醇做分散劑,在行星式高能球磨機(jī)上以500 r·min-1的轉(zhuǎn)速球磨20 h。

        1.2.2 酚醛樹脂炭包覆多晶硅泥負(fù)極材料的制備

        分別稱量0.1 、0.2 、0.3 、0.4、0.5 g的酚醛樹脂于5個燒杯中,分別加入20 mL無水乙醇將酚醛樹脂溶解。再分別加入1 g的原料硅泥raw Si超聲4 h,在80 ℃的恒溫數(shù)顯水浴鍋攪拌蒸發(fā)無水乙醇,待無水乙醇蒸發(fā)干凈后,將燒杯放入120 ℃鼓風(fēng)干燥箱中固化處理14 h。將固化處理后的前驅(qū)體放入管式爐中,設(shè)定升溫速率為5 ℃·min-1,在氮氣氣氛條件下升溫至800 ℃燒結(jié),保溫2 h,自然降至室溫,將燒結(jié)后的活性物質(zhì)用瑪瑙研缽磨碎后,在300目篩網(wǎng)過篩,制得酚醛樹脂炭包覆多晶硅硅泥負(fù)極材料。經(jīng)過上述實驗后,可獲得最佳的碳包覆量,制備出性能較優(yōu)的酚醛樹脂炭包覆多晶硅硅泥負(fù)極材料。

        1.2.3 電池組裝及電化學(xué)測試

        將所制得的樣品、炭黑導(dǎo)電劑(Super-P)、粘結(jié)劑聚偏氟乙烯(PVDF)按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)8∶1∶1的比例進(jìn)行混料,加入N-甲基吡咯烷酮(NMP)作為溶劑,在磁力攪拌器上混合2 h。所得漿料以15 μm的涂膜厚度均勻的涂覆在銅箔上,在105 ℃真空烘箱干燥4 h,之后用電池切片機(jī)切出直徑為16 mm的電極片,再用壓片機(jī)以2 MP的力將其壓實,繼續(xù)在真空烘箱105 ℃干燥8 h。在水氧值均低于0.1 ppm的超級凈化手套箱內(nèi),以該電極片為工作電極,鋰片為對電極組裝半電池,隔膜選用聚乙烯和聚丙烯復(fù)合材質(zhì),電解液選用1 mol/L的六氟磷酸鋰/乙烯碳酸酯+碳酸二甲酯+碳酸二乙酯(LiPF6/EC+DMC+DEC)混合溶液,組裝成CR2025型紐扣電池。使用電池測試系統(tǒng)對制備的電池進(jìn)行充放電測試,測試環(huán)境溫度保持在25 ℃,充放電電壓范圍為0.01 ~2 V,將電池放置12 h后開始測試,電流密度為200 mA·g-1。循環(huán)伏安與交流阻抗均使用電化學(xué)工作站測試,測試環(huán)境溫度保持在25 ℃,循環(huán)伏安電壓為0.01 ~2.0 V,掃描速率為0.2 mV·s-1;交流阻抗測試頻率范圍是0.01 Hz~100 kHz,交流振幅為0.005 V。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 碳包覆前后的晶相與形貌分析

        圖1 不同時間球磨硅、硅碳復(fù)合材料的XRD圖片

        表1 raw Si的晶粒尺寸計算

        表2 Si20的晶粒尺寸計算

        樣品放大50 000倍的SEM分析見圖2,樣品的粒度分析見圖3。由圖2、圖3可知,原料硅泥raw Si在經(jīng)過20 h球磨后,中位徑由1.531 μm下降到0.237 μm,粒徑明顯變??;原料硅泥碳包覆后C-raw Si的粒徑變化不明顯,而原料硅泥球磨20 h后碳包覆的C-Si20粒徑明顯增加。

        圖2 不同時間球磨硅、硅碳復(fù)合材料的SEM照片

        圖3 硅的粒度檢測報告

        樣品的TEM分析見圖4。可以觀察到原料硅泥球磨20 h后的Si20被較好的包覆在酚醛樹脂熱解形成的無定型炭層中。

        圖4 C-Si20的TEM照片

        2.2 電化學(xué)性能測試

        圖5所示為原料、球磨料及其各自碳包覆材料的充放電曲線。圖5(a)是將原料硅泥raw Si作為負(fù)極,在200 mA·g-1的電流密度下,材料首次充電比容量為949.1 mAh·g-1,首次庫倫效率為30.53%,第5次的充電比容量已經(jīng)降至37.3 mAh·g-1,raw Si在經(jīng)過短短4次充放電后,容量就已經(jīng)衰減到了十位數(shù),這可能是因為非常嚴(yán)重的體積效應(yīng)。圖5(c)是將原料硅泥碳包覆的C-raw Si作為負(fù)極,材料首次充電比容量達(dá)到2 894.7 mAh·g-1,首次庫倫效率為57.23%,比未包覆前明顯提高,但第5次充電比容量只有343.2 mAh·g-1,這可能是由于raw Si粒徑太大,碳包覆不能完全抑制硅的體積效應(yīng)。

        圖5(b)是將球磨20 h的原料硅泥Si20作為負(fù)極,在200 mA·g-1的電流密度下,材料首次充電比容量為264.8 mAh·g-1,首次庫倫效率為29.96%,相較于raw Si有所降低。圖5(d)是原料硅泥球磨20 h后碳包覆的C-Si20電極材料,它的首次充電比容量為1 784.2 mAh·g-1,在電壓范圍1.6 ~1.7 V時出現(xiàn)了穩(wěn)定的電壓平臺,首次庫倫效率為45.53%,相較于raw Si提升明顯,第2次的庫倫效率為90.81%。隨后庫倫效率逐漸增長,循環(huán)11次后完全穩(wěn)定在95%以上。在首次充放電形成SEI膜后,SEI膜基本不再消耗鋰離子增長,這可能是由于碳的加入使得形成的SEI膜整體更加致密均勻。

        圖5 原料、球磨料及其各自碳包覆材料的充放電曲線

        圖6所示為原料硅泥球磨20 h后碳包覆的C-Si20的循環(huán)曲線。C-Si20電極循環(huán)75次后充電比容量為640 mAh·g-1,庫倫效率保持在98%以上。遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于原料硅泥碳包覆后C-raw Si,這說明經(jīng)過球磨之后,碳包覆效果更好,有效的抑制了硅的體積效應(yīng),故而改善了循環(huán)性能。

        圖6 C-Si20的循環(huán)曲線

        圖7所示為球磨20 h的原料硅泥Si20與原料硅泥球磨20 h后碳包覆的C-Si20的循環(huán)伏安、交流阻抗曲線。圖7(a)通過循環(huán)伏安法(CV)進(jìn)行了3個循環(huán)測試,Si20在初始鋰化過程中,可以在0.68 V處觀察到較寬的還原峰;從第二個周期電極表面上形成SEI膜后,還原峰近乎于消失,表現(xiàn)出氧化峰的電壓從0.53 V向0.33 V偏移,Si20的電化學(xué)活性基本維持穩(wěn)定。如圖7(b)所示, C-Si20在初始鋰化過程中,可以在0.77 V處觀察到較寬的還原峰;從第二個周期開始,由于在電極表面上形成SEI膜,還原峰變小并向低電壓區(qū)偏移,掃描電壓0.33和0.53 V的氧化峰的出現(xiàn)主要歸因于從LixSi到Si的脫鋰作用,同時,由于活性材料和鋰之間的連續(xù)反應(yīng),每循環(huán)一個周期,特征峰的強(qiáng)度均有所增加。

        如圖7(c)所示,通過交流阻抗法(EIS)分別對未經(jīng)循環(huán)過、循環(huán)10圈的Si20電極進(jìn)行測試。由圖中高頻區(qū)半圓的可以看出,未經(jīng)循環(huán)過與循環(huán)10圈的Si20電極的歐姆阻抗(Rs)接近于0,固體電解質(zhì)界面阻抗和電荷轉(zhuǎn)移阻抗之和(Rf+Rct)相近,且大于圖7(d)中的未經(jīng)循環(huán)過與循環(huán)10圈的C-Si20電極,經(jīng)粉末電阻率測試儀測試,Si20電極的電阻率為1.98 kΩ/m2,C-Si20電極的電阻率為4.85 Ω/m2,說明Si20電極的導(dǎo)電性不如C-Si20電極;通過比較二者在低頻區(qū)的直線,循環(huán)10圈的Si20電極表現(xiàn)出典型的warbug阻抗。如圖7(d)所示,對未經(jīng)循環(huán)過、循環(huán)10圈、循環(huán)75圈的C-Si20電極進(jìn)行測試。未經(jīng)循環(huán)過的C-Si20電極Rs值較大,但在循環(huán)一定圈數(shù)后,電極的導(dǎo)電能力能夠改善,這可能與碳包覆后硅材料未充分浸潤電解液有關(guān);未經(jīng)循環(huán)過與循環(huán)10圈的C-Si20電極有相近的Rf+Rct,與循環(huán)75圈的C-Si20相比表現(xiàn)出更快的電荷傳輸能力,這有助于電極發(fā)生更快的氧化還原反應(yīng);循環(huán)10圈的C-Si20電極表現(xiàn)出典型的warbug阻抗。綜上所述,循環(huán)10圈的C-Si20電極表現(xiàn)出最佳的導(dǎo)電能力,最快的電荷傳遞能力。

        圖7 Si20與C-Si20的循環(huán)伏安、交流阻抗曲線

        圖8(a)為循環(huán)10圈的C-Si20電極在0.01 ~2 V電壓范圍內(nèi)的恒電流間歇滴定(GITT)曲線。圖8(b)為脫鋰過程中t=690 min時循環(huán)10圈的C-Si20電極的單次滴定曲線。

        圖8 循環(huán)10圈的C-Si20電極的GITT曲線

        3 結(jié)論

        采用球磨+碳包覆的方法,使線切割多晶硅硅泥的電化學(xué)性能得到大幅度改善,研究結(jié)果表明:

        (1)原料硅泥在球磨20 h之后,Si20的粒徑變小,結(jié)晶度降低。碳包覆會使硅的結(jié)晶度增大,酚醛樹脂炭以無定形狀態(tài)存在,原料硅泥球磨20 h后碳包覆的C-Si20的無定形程度較大。

        (2)原料硅泥碳包覆后的C-raw Si,材料的形貌未發(fā)生顯著變化,但粒度有所增加。

        (3)C-Si20在電流密度為200 mA·g-1時,材料首次充電比容量為1 784.2 mAh·g-1,循環(huán)75次后充電比容量為640 mAh·g-1,庫倫效率保持在98%以上。這可能是由于大的比表面積為鋰離子的遷移提供了快速通道,并且材料表面無定形炭膜的包覆增強(qiáng)了材料的導(dǎo)電性,并與電解液形成穩(wěn)定的SEI膜。

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