■文/鄭思聰（中國科學(xué)技術(shù)信息研究所）

2021年5月，韓國政府發(fā)布《K—半導(dǎo)體戰(zhàn)略》，以“打造世界最強的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈”為愿景，提出到2030年將半導(dǎo)體年出口額增加到2000億美元，并將相關(guān)就業(yè)崗位增至27萬個。為此，《戰(zhàn)略》圍繞構(gòu)建“K—半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶”、加大半導(dǎo)體基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、夯實半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展基礎(chǔ)、提升半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)危機應(yīng)對能力四大方面制定了16項推進課題。

2021年5月13日，韓國科學(xué)技術(shù)信息通信部發(fā)布《K—半導(dǎo)體戰(zhàn)略》（以下簡稱《戰(zhàn)略》）。據(jù)此，韓國政府將攜手相關(guān)企業(yè)，至2030年在韓國構(gòu)建起全球最大規(guī)模的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈——“K—半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶”，建立起集半導(dǎo)體生產(chǎn)、材料、零部件、設(shè)備和尖端設(shè)備、設(shè)計等為一體的高效產(chǎn)業(yè)集群。作為此次戰(zhàn)略規(guī)劃的核心，該產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈西部北起依次有板橋、器興、華城、平澤、溫陽等城市縱向相連，東部覆蓋利川、龍仁、清州，呈“K”字形，《戰(zhàn)略》名稱由此得來。對此，韓國總統(tǒng)文在寅表示，將鞏固韓國存儲半導(dǎo)體世界第一的地位，并爭取系統(tǒng)半導(dǎo)體也成為世界第一，實現(xiàn)2030年半導(dǎo)體綜合強國的目標。

戰(zhàn)略一：構(gòu)建“K—半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶”

課題1：“K—半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶”之制造

一是增加尖端存儲半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，同時提升既有生產(chǎn)設(shè)備性能，鞏固韓國在存儲半導(dǎo)體領(lǐng)域的世界領(lǐng)先地位。

二是增建8英寸晶圓代工廠，提升7納米及以下工藝產(chǎn)能，并于2021年下半年起，推進5納米工藝量產(chǎn)。

課題2：“K—半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶”之材料、零部件和設(shè)備

聚集大型半導(dǎo)體晶圓廠與材料、零部件和設(shè)備企業(yè)，構(gòu)建專業(yè)化產(chǎn)業(yè)園區(qū)，推進需求企業(yè)和供給企業(yè)合作研發(fā)核心材料、零部件和設(shè)備，縮短研發(fā)周期，以確保材料、零部件和設(shè)備的供給安全。同時，在園區(qū)內(nèi)構(gòu)建測試平臺，推動研發(fā)成果快速商業(yè)化。

課題3：“K—半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶”之尖端設(shè)備

構(gòu)建“尖端設(shè)備聯(lián)合基地”，吸引EUV光刻機、尖端蝕刻機相關(guān)外資企業(yè)，推進與其開展戰(zhàn)略合作，彌補韓國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈短板。

課題4：“K—半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶”之封裝

投資開發(fā)倒裝芯片（Flip chip）、晶圓級封裝（WLP）、面板級封裝（PLP）、系統(tǒng)級封裝（SIP）和3D封裝等五大尖端封裝技術(shù)；培養(yǎng)封裝技術(shù)專業(yè)人才。

課題5：“K—半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶”之芯片設(shè)計廠商

設(shè)立系統(tǒng)半導(dǎo)體設(shè)計支持中心、人工智能半導(dǎo)體創(chuàng)新設(shè)計中心和新一代半導(dǎo)體融合型園區(qū)，構(gòu)建韓版“芯片設(shè)計廠商集群（Fabless Valley）”，對芯片設(shè)計廠商提供從創(chuàng)業(yè)到發(fā)展的一攬子支持，并特別加強人工智能半導(dǎo)體設(shè)計能力。

戰(zhàn)略二：加大半導(dǎo)體基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)

課題6：加大稅收優(yōu)惠力度，促進半導(dǎo)體研發(fā)和設(shè)備投資

現(xiàn)行稅收優(yōu)惠制度下，僅有兩種分類標準，即“一般技術(shù)”和“新興和原創(chuàng)技術(shù)”。韓國政府計劃在此基礎(chǔ)上，新設(shè)“核心戰(zhàn)略技術(shù)”類別，并將半導(dǎo)體領(lǐng)域納入其中，以對半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)和設(shè)備投資活動提供更大的稅收優(yōu)惠（見表1、表2）。

表1 研發(fā)費用稅收減免比例：%

表2 設(shè)備投資費用稅收減免比例：%

課題7：加大金融支持力度，增加半導(dǎo)體設(shè)備投資

一是新設(shè)1萬億韓元（約合57億元人民幣）規(guī)模的“半導(dǎo)體設(shè)備投資特別資金”，以低息向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)的設(shè)計、材料、零部件、制造等行業(yè)相關(guān)企業(yè)提供貸款，支持其對所需設(shè)備進行投資。

二是通過企業(yè)并購基金、金融支持項目等多種途徑，支持有需求的大企業(yè)與中小制造企業(yè)進行“需求導(dǎo)向型”投資，推動基于碳化硅材料的新一代車用功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)制造。

課題8：放寬相關(guān)限制，推進快速引入半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備

為了能夠及時響應(yīng)市場需求，適時供應(yīng)半導(dǎo)體，韓國政府將放寬針對半導(dǎo)體制造設(shè)備的各項限制措施。具體措施包括：構(gòu)建快速通道，簡化新增半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備審批流程，縮短審批時間；若新增設(shè)備采用有助于溫室氣體減排的最佳可用技術(shù)，則給予100%的碳排放配額。

課題9：支持半導(dǎo)體生產(chǎn)制造基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)

在用水方面，系統(tǒng)分析半導(dǎo)體園區(qū)的所需用水量，確保水資源足量供給。在用電方面，支持半導(dǎo)體園區(qū)進行電力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，給予最高達50%的資金支持。在廢水處理方面，支持超純水廢水處理研發(fā)活動，提高工業(yè)廢水再利用率，實現(xiàn)超純水廢水處理技術(shù)國產(chǎn)化。

戰(zhàn)略三：夯實半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展基礎(chǔ)

課題10：培養(yǎng)半導(dǎo)體人才，提高核心人才社會地位

一是未來十年將加大半導(dǎo)體人才培養(yǎng)。包括：設(shè)立系統(tǒng)半導(dǎo)體專業(yè)，培養(yǎng)14,400名學(xué)士人才；通過開展產(chǎn)學(xué)共同研發(fā)項目和“企業(yè)參與型”課程，培養(yǎng)7000名半導(dǎo)體碩博士人才；培養(yǎng)13,400名實操型人才，向企業(yè)在職員工和準就業(yè)人員提供半導(dǎo)體材料、零部件和設(shè)備領(lǐng)域的實操培訓(xùn)。

二是向在半導(dǎo)體領(lǐng)域作出杰出貢獻的產(chǎn)學(xué)研各界人才提供獎勵，提高核心人才的經(jīng)濟和社會地位；支持企業(yè)退休人員開展再就業(yè)和創(chuàng)業(yè)活動，最大限度地利用優(yōu)秀人力資源。

課題11：加強半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)部合作

一是在由系統(tǒng)半導(dǎo)體供給企業(yè)與需求企業(yè)構(gòu)成的半導(dǎo)體“前方產(chǎn)業(yè)”領(lǐng)域內(nèi)，構(gòu)建以需求為中心的半導(dǎo)體合作聯(lián)盟，目前已完成了“未來汽車——半導(dǎo)體合作聯(lián)盟”的構(gòu)建，韓國政府計劃以此為起點，繼續(xù)推進物聯(lián)網(wǎng)家電、機器人、生物、能源等產(chǎn)業(yè)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)構(gòu)建合作聯(lián)盟，并計劃在聯(lián)盟構(gòu)建完成后，定期舉行產(chǎn)業(yè)間技術(shù)交流會，支持人工智能半導(dǎo)體等系統(tǒng)半導(dǎo)體的“需求導(dǎo)向型”研發(fā)。

二是在由材料、零部件和設(shè)備中小企業(yè)與元器件大企業(yè)構(gòu)成的半導(dǎo)體“后方產(chǎn)業(yè)”領(lǐng)域內(nèi)，開放大企業(yè)量產(chǎn)生產(chǎn)線，向材料、零部件和設(shè)備中小企業(yè)提供量產(chǎn)性能評估機會；成立“半導(dǎo)體合作委員會”，由產(chǎn)業(yè)通商資源部主管，半導(dǎo)體全價值鏈內(nèi)的主要企業(yè)共同參與商討半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)的合作課題。

課題12：加強半導(dǎo)體核心技術(shù)開發(fā)

一是在新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，推動材料、模塊和系統(tǒng)領(lǐng)域的相關(guān)企業(yè)開展“鏈條式”研發(fā)；開發(fā)基于碳化硅、氮化鎵和氧化鎵材料的高性能功率半導(dǎo)體。

二是開發(fā)移動端、服務(wù)器用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器（NPU）和新一代人工智能半導(dǎo)體（第三代神經(jīng)形態(tài)芯片），并將其應(yīng)用到各類“數(shù)據(jù)中心”和“數(shù)字新政”相關(guān)項目中，促進成果轉(zhuǎn)化。

三是推進開發(fā)在汽車、生物等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體傳感器，制作試制品，構(gòu)建性能驗證體系。

四是利用國內(nèi)高校和研究機構(gòu)掌握的納米技術(shù)，推動材料、零部件和設(shè)備的開發(fā)和商業(yè)化；與美國、中國臺灣企業(yè)開展共同研發(fā)活動，提升供應(yīng)鏈安全性。

戰(zhàn)略四：提升半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)危機應(yīng)對能力

課題13：商議制定《半導(dǎo)體特別法》

綜合分析全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、主要國家半導(dǎo)體立法動向、半導(dǎo)體領(lǐng)域國際規(guī)范等，由國會及相關(guān)部門就是否制定《半導(dǎo)體特別法》及立法方向進行協(xié)商，立法方向包括但不限于：人才培養(yǎng)、基礎(chǔ)設(shè)施支持、投資支持、研發(fā)加速化方案等。

課題14：強化車用半導(dǎo)體供應(yīng)鏈

短期計劃包括：對車用半導(dǎo)體提供快速通關(guān)支持；優(yōu)先對車用半導(dǎo)體零部件廠商提供量產(chǎn)性能評估支持。中長期計劃包括：構(gòu)建“未來汽車——半導(dǎo)體合作聯(lián)盟”，持續(xù)發(fā)掘并推進實施這兩大產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的合作課題；構(gòu)建性能安全評估、可信性認證相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施，以將國內(nèi)公司設(shè)計、制造出的半導(dǎo)體應(yīng)用至汽車產(chǎn)業(yè)。

課題15：加強制度建設(shè)，防止半導(dǎo)體核心技術(shù)流向海外

一是加強政府跨部門合作，共享國家核心技術(shù)相關(guān)專利分析結(jié)果，共同開發(fā)技術(shù)泄露監(jiān)測預(yù)警系統(tǒng)；制定“第四次產(chǎn)業(yè)技術(shù)保護綜合計劃（2022—2024）”，加強對企業(yè)、高校和公共研究機構(gòu)的技術(shù)保護力度，嚴防技術(shù)泄露。

二是加強對掌握國家核心技術(shù)人才的管理，如進行出國管理、簽訂競業(yè)禁止協(xié)議等。

課題16：打造“綠色”半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

一是大力投資溫室氣體減排設(shè)備，推進半導(dǎo)體制造領(lǐng)域環(huán)保技術(shù)和溫室氣體控制技術(shù)的研發(fā)。