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        基于SDXC卡陣列的高速大容量存儲器設計

        2021-07-16 14:04:48潘明海張艷睛
        電子器件 2021年3期
        關鍵詞:信號線大容量存儲器

        胥 偉,潘明海,張艷睛

        (南京航空航天大學電子信息工程學院,江蘇 南京 211100)

        由于雷達偵測場景的復雜和不確定性,為了更好地對雷達回波信號進行特征識別與分選,擬從時域、頻域和變換域提取目標數據的多維度特征,為目標與干擾認知辨識、參數估計提供特征支持[1-3]。

        對于實時性要求較高的場景,DRFM 系統(tǒng)對雷達回波信號進行采集,并由FPGA 進行低維度的快速計算,完成粗略的特征提??;對于實時性要求不高的場景,通過DRFM 系統(tǒng)對回波信號進行大量數據的采集并存儲在高速大容量的存儲器中,待需要時通過CPCI 接口上傳至計算機處理,此時更注重時域、頻域和變換域等細微特征提取。根據場景實際需求,完成兩種方式下參數特征的提取[4],二者互補。

        非實時性處理時對存儲器的容量、速度等方面都有較高的要求,由于DRFM 系統(tǒng)平臺上采用的存儲介質是一片4GB 存儲容量的DDR3,存儲容量難以滿足現實的需求,且存儲的數據具有掉電易失性,不便于進行大容量數據的長期存儲分析[5]。相比于DDR3,SDXC 卡存儲介質的容量大、體積小、功耗低、速度快、接口簡單且具有非易失性,本文結合SDXC 卡的優(yōu)勢并針對非實時性數據處理時DRFM對存儲器性能的要求,設計了一款基于SDXC 陣列的高速大容量的存儲器[6]。

        1 系統(tǒng)硬件結構設計

        1.1 高速大容量電路整體設計

        高速大容量的存儲電路主要是在PC 機的控制下,在某型號工業(yè)控制計算機內實現與DRFM 硬件平臺進行數據交換。根據DRFM 系統(tǒng)內數據運算與存儲的要求,存儲器的設計需要滿足:(1)存儲容量不小于1TB;(2)讀取速率不低于200 MB/s;(3)CPCI 6U 標準板卡尺寸233.5 mm×80 mm。系統(tǒng)結構組成的總體框圖如圖1 所示,控制器采用的是一片型號為XC6SLX100 的Spartan-6 Family FPGA 芯片,它擁有10 萬個邏輯單元、180 個DSP、600 kB 的RAM資源、326 個可編程IO 管腳、工作頻率500 MHz,足以滿足本設計的需要。通過FPGA 實現對10 個通道的SD 卡進行讀寫操作和數據處理,并且實現與DRFM系統(tǒng)中的Virtex-5 和Virtex-7 FPGA 分別通過32 位LVDS 線和8 位LVDS 線進行數據交換。

        圖1 高速大容量存儲器系統(tǒng)結構框圖

        1.2 SD 卡接口設計

        SD 卡通訊協議分為SD 模式和SPI 模式。SPI模式是傳統(tǒng)四線模式,只有一根數據線,讀寫速率較慢[7],不能滿足本系統(tǒng)高速的設計要求。所以本設計采用4 根并行數據傳輸線的SD 模式,此模式下能實現更快的讀寫速率,并且通過六根信號線與主控器通信,包括一根時鐘線(CLK)、一根命令線(CMD)、四條數據線(D3~D0)[8]。SD 模式下,除時鐘線外,其余信號線都為雙向傳輸,因此必須嚴格控制其傳輸方向的時序。

        1.3 PCB 層疊與阻抗設計

        存儲器在高速環(huán)境下工作時,對信號線阻抗要求很高,阻抗設計不合理會很大程度上影響電路的性能,嚴重時甚至會導致電路失效。而合理的層疊設計在簡化布局布線的同時,能夠更好地控制信號線特性阻抗。層疊設計時,電源層和地層盡可能完整,使得信號層能有很好的回流路徑;信號層盡可能與接地層相鄰,電源層盡可能與接地層配對,使得信號層產生的輻射能一定程度上屏蔽;信號層相鄰有參考平面,從而得到更好的信號完整性[9]。阻抗設計時,高速信號線需要阻抗匹配以減少信號反射,提高信號線的質量。

        本設計在綜合考慮PCB 設計原則和阻抗要求后,最終采用8 層的層疊設計,其中5 層為信號層,1 層為電源層,2 層為地層,信號線阻抗設計為單端50 Ω、差分100 Ω,并由專業(yè)阻抗計算軟件Polar Si9000 計算,具體層疊結構和信號線阻抗如表1 所示。

        表1 PCB 層疊結構與阻抗

        2 SD 總線接口的FPGA 實現

        主控器FPGA 通過SD 總線與SD 卡進行數據交換,如圖2 所示,包括命令交互和數據交互。命令交互時主要包括命令的發(fā)送、響應以及命令的CRC7 校驗,數據交換主要包括數據的讀、寫以及數據的CRC16 校驗。

        圖2 SD 總線接口

        2.1 CRC 校驗

        CRC(Cyclic Redundancy Check,循環(huán)冗余校驗)是檢測信息傳輸是否有誤,m位校驗碼是由信息碼除以m+1 位的生成多項式得到的余數,并將其緊跟信息碼發(fā)送。接收端將接收數據同樣除以m+1 位生成多項式,若余數為0,則無誤碼,否則中斷信息傳輸。

        SD 卡的命令交互采用7 位的CRC 校驗碼,即CRC7,其生成多項式如式(1)。

        CRC7 校驗方式如圖3,寄存器初始值為0,將CRC[6]與輸入數據異或,并將異或值分別賦值給CRC[0]、同時與CRC[2]異或。最后1 位輸入數據操作完成后,7 位寄存器中的數值即為CRC7 校驗碼[10]。

        圖3 CRC7 校驗方式

        數據交互采用的是16 位的CRC 校驗碼,即CRC16,其生成多項式如式(2)。其校驗原理與CRC7 相同。

        2.2 命令與數據交互

        SD 總線的命令交互過程是FPGA 將共48 位的起始標識位、傳輸方向標識、命令索引、命令參數、CRC7 校驗碼和結束標識位通過CMD 線串行發(fā)送給SD 卡,SD 卡接收到命令后會對命令進行校驗,校驗無誤會再通過CMD 線反饋響應信號給FPGA,如果有誤,則中斷操作。FPGA 接收到響應后,根據響應信號中SD 卡的狀態(tài)進行下一步操作。

        SD 總線的數據交互以數據塊為單位進行數據傳輸,每個數據塊默認固定為512 字節(jié),支持單數據塊或多數據塊的讀寫。當FPGA 發(fā)出單數據塊或者多數據塊讀寫命令,在得到SD 卡正確的響應信號后,FPGA 通過使用四條數據線進行數據傳輸,每條數據線都會進行單獨的CRC16 校驗,若校驗碼錯誤,則中斷操作,此次讀寫失敗[11]。

        3 SD 卡讀寫

        3.1 SD 卡工作流程

        SD 卡的上電以后主要進行初始化、寫操作或讀操作這三個步驟。初始化階段和讀寫階段是在不同時鐘頻率下完成的,其頻率是100 MHz 的晶振經過時鐘管理模塊分頻得來,讀寫時鐘直接影響SD 卡讀寫速度,但是在不同的讀寫模式下,讀寫頻率會有理論值上限。

        SD 卡上電以后需要初始化以完成SD 卡內部的初始化寄存器設置工作,主要流程如圖4,主要包括卡的復位、工作電壓驗證、獲取SD 卡的RCA 地址、CID 值等。SD 卡初始化時鐘在100 kHz~400 kHz 之間,時鐘頻率太快可能導致初始化的失敗[12]。

        圖4 SD 卡初始化

        SD 卡初始化完成以后進入數據傳輸狀態(tài),如圖5,在此狀態(tài)下可以先進行數據位寬轉換,使其工作在4 bit SD 模式下,提高讀寫速率,再通過帶有讀寫地址的命令CMD18、CMD25 進行多數據塊的讀寫,或者CMD17、CMD24 進行單數據塊的讀寫,單數據塊讀寫是多數據塊讀寫的一個特例,本文不予討論。當數據讀寫完成以后發(fā)送CMD12 命令結束讀寫操作[13]。并重新回到數據傳輸狀態(tài)。

        圖5 SD 卡數據傳輸

        3.2 SD 卡多數據塊讀寫

        多數據塊讀操作如圖6 所示,SD 卡接收到包含32 bit 的讀數據目標地址的命令CMD18,并將數據從內存搬移至內部緩沖區(qū),搬移完成后發(fā)送給FPGA。FPGA 檢測到數據起始位后開始接收數據并進行CRC 校驗,若檢驗出錯,則中斷讀過程,否則重復讀取直到完成所有數據塊的讀取,并以CMD12命令結束讀操作。

        圖6 SD 卡多數據塊讀操作

        多數據塊寫操作如圖7 所示,SD 卡接收到包含32 bit 的寫數據目標地址的命令CMD25,并發(fā)送正確的響應給FPGA 后,SD 卡開始接收FPGA 發(fā)出的起始位、數據流、CRC16 校驗碼以及結束位,并對512 字節(jié)數據流進行CRC 校驗,若校驗不成功則中斷,否則SD 卡會將數據搬移至內存做存儲。重復操作直到完成所有數據的寫入,并以CMD12 命令結束寫操作。

        圖7 SD 卡多數據塊寫操作

        4 SDXC 陣列讀寫數據同步

        本系統(tǒng)高速大容量的設計指標,無法采用單片SD 實現,故采用多片SD 卡并聯,組成SD 卡陣列,用面積換得更大的讀取速度和存儲容量。本系統(tǒng)并聯的SD 卡陣列為了充分發(fā)揮并聯的優(yōu)勢,每一片SD 卡采用單獨的SD 總線與FPGA 主控器連接,而不是使用同一個SD 總線,SD 總線拓撲如圖1。

        在SD 卡陣列中,多片SD 卡數據同步是一個關鍵問題。數據存儲時,將AD 采樣的數據最終轉換為6 路4 位的數據塊,如圖8,并將其在發(fā)送給準備好寫數據的SD 卡陣列,需要FPGA 采用fifo 實現數據的緩存以及格式的轉換,并嚴格控制數據的分流,充分發(fā)揮存儲器的速度和容量。

        圖8 存儲數據轉換

        數據讀取時,數據不同步會使數據格式轉換產生錯位,造成亂碼出現。理想情況下,在同一工作時鐘下的SD 卡讀取數據應該完全同步,但是實際設計時,每片SD 卡的傳輸線長度以及SD 卡制造工藝的細小差異,導致在高速讀取時,SD 卡陣列讀取數據無法同步。讀取數據不同步可使用異步fifo 進行跨時鐘域的轉換,解決讀取數據同步問題。

        5 實驗測試結果

        本存儲電路在綜合考慮了存儲容量、讀取速度以及電路尺寸限制等綜合因素,最終在電路上設計了10 個SD 卡座,最多可以實現10 片SD 卡并聯,硬件設計平臺如圖9 所示。進行系統(tǒng)性能測試時同時使用了6 片容量為256 GB 的SDXC 卡。

        圖9 高速大容量存儲器硬件設計平臺

        5.1 存儲器讀寫誤碼率測試

        存儲器在進行讀取數據誤碼率測試時并沒有使用ADC 采樣的數據,而是由FPGA 內部ROM 里面預先存放的數據作為數據源,這樣可方便將存儲器讀取的數據與數據源做對比,分析誤碼率等情況。實測時,在ROM 里面存儲了12 288 字節(jié)的偽隨機碼數據[14],由于外圍電路的限制,使用80 MHz 的時鐘讀取寫入SD 卡陣列中的數據,并通過chipscope抓取,如圖10 所示。將讀出數據與寫入數據進行對比發(fā)現,本存儲器數據傳輸可靠且無誤碼。但是由于每一片SDXC 卡數據傳輸線長度以及制造性能細小差異的緣故,導致SDXC 卡陣列讀出的數據出現了不同步的情況。

        圖10 多路不同步數據讀取

        將讀出數據先經過異步fifo 緩存256 字節(jié)的數據,再用同一個控制信號在同一個時鐘下將數據從fifo 讀出,如圖11 所示,經過緩存后的數據已經同步。

        圖11 多路同步數據讀取

        5.2 大容量存儲器硬件系統(tǒng)性能測試

        存儲器硬件性能測試時采用信號源輸出100 MHz 的點頻作為測試信號,測試系統(tǒng)平臺如圖12所示。

        圖12 系統(tǒng)測試平臺

        DRFM 系統(tǒng)在PC 機的控制下觸發(fā)信號采集命令后ADC 器件開始采集輸入信號數據。ADC 完成12 288 字節(jié)數據采集以后通過32 位LVDS 差分線存入高速大容量的存儲器,等待PC 機再次下發(fā)信號重構命令后,讀取采集的數據并發(fā)送給FPGA Virtex-5,FPGA 再通過CPCI 總線將數據回傳給計算機處理,并進行頻譜分析如圖13,從頻域可輕松提取輸入信號的頻率、雜散等信息。

        圖13 計算機目標信號參數分析

        6 結論

        經過實際測試可得,本文設計基于SDXC 卡陣列的高速大容量存儲器系統(tǒng)穩(wěn)定可靠,存儲容量可達1.5 TB,并且讀取速率可達234.43 MB/s,完全滿足DRFM 系統(tǒng)對存儲容量和速度的要求。此外,本設計最多可擴容10 片SDXC 卡陣列,實現更大的存儲容量和讀取速度。同時,本設計預留了64 位的IO 接口,因此具有很強的移植性。鑒于SDXC 卡是一種大容量、低成本的高速便捷式存儲設備,接口數據量少,可廣泛應用于工業(yè)、消費類電子產品等,移植性很強,故本設計具有切實的工程應用價值。

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