常赫楠 張博欣 朱泓銘 程瑩春 于龍成 趙曉煜
沈陽(yáng)理工大學(xué) 遼寧 沈陽(yáng)110159
半導(dǎo)體火工品是當(dāng)前火工品生產(chǎn)制造中應(yīng)用的重要生產(chǎn)技術(shù),對(duì)于工業(yè)生產(chǎn)而言起到了非常重要的作用,一定程度上也關(guān)系到工業(yè)生產(chǎn)的發(fā)展。半導(dǎo)體火工品具有使用安全性能高、發(fā)火能量低以及抗輻射能量高的主要特點(diǎn),是對(duì)傳統(tǒng)的火工產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)提升。而在半導(dǎo)體火工橋產(chǎn)品工業(yè)生產(chǎn)過程中,其工藝主要包括薄膜制備工藝以及擴(kuò)磷工藝等,通過工藝的合理實(shí)施,對(duì)于半導(dǎo)體火工品生產(chǎn)控制起到了非常關(guān)鍵的作用。
半導(dǎo)體火工品是一種基于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的火工產(chǎn)品,其在具體的生產(chǎn)過程中,主要利用半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝進(jìn)行實(shí)際的生產(chǎn)工藝控制,并且在實(shí)際的生產(chǎn)工藝研究過程中,是將半導(dǎo)體薄膜制備成發(fā)火元件,最終利用微電子技術(shù)完成發(fā)火,并控制實(shí)際的半導(dǎo)體工藝節(jié)能性,對(duì)于半導(dǎo)體工藝設(shè)計(jì)研究而言也起到了非常關(guān)鍵的作用。同時(shí)也是火工產(chǎn)品的發(fā)展。在半導(dǎo)體火工橋生產(chǎn)中主要包括摻雜多晶硅、橋體、襯底等結(jié)構(gòu),從而實(shí)現(xiàn)了實(shí)際的半導(dǎo)體火工橋生產(chǎn)。半導(dǎo)體火工橋作為一種新式火工產(chǎn)品,其具有發(fā)火能量低、安全性能高的特點(diǎn),一經(jīng)研發(fā)就受到了火工產(chǎn)品的青睞,對(duì)于火工品的發(fā)展而言起到了關(guān)鍵的作用。
2.1 多晶硅薄膜制備 半導(dǎo)體火工橋產(chǎn)品工藝生產(chǎn)過程中,其火工橋薄膜制備生產(chǎn)工藝研究非常重要,一定程度上關(guān)系到半導(dǎo)體火工橋生產(chǎn)質(zhì)量,在實(shí)際的工業(yè)生產(chǎn)過程中,其火工橋薄膜制備主要是針對(duì)多晶硅薄膜進(jìn)行制備。硅元素以及半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)應(yīng)用過程中的重要材料,對(duì)于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝而言起到了非常關(guān)鍵的作用,一定程度上也關(guān)系到生產(chǎn)的發(fā)展效果,對(duì)于工業(yè)生產(chǎn)而言也起到了一定的作用。在當(dāng)前半導(dǎo)體火工橋薄膜生產(chǎn)工藝生產(chǎn)中,其工藝生產(chǎn)的方法包括很多中,其中低壓化學(xué)氣相沉積方法、等離子體增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)氣相沉積方法是主要的生產(chǎn)方法,對(duì)于化學(xué)生產(chǎn)研究也有非常重要的作用,一定程度上關(guān)系到生產(chǎn)效果管控。
低壓化學(xué)氣相沉積多晶硅薄膜制備生產(chǎn)工藝實(shí)施過程中,主要利用多晶硅進(jìn)行直接沉積效果來完成多晶硅制備,在實(shí)際的多晶硅制備生產(chǎn)過程中,其多晶硅薄膜生產(chǎn)工藝使用非常關(guān)鍵,利用低壓化學(xué)氣相沉積方法其硅烷壓力控制在13.2 -26.2 Pa之間、玻璃溫度控制在500℃-600℃之間,從而確保薄膜生成。
2.2 半導(dǎo)體火工橋光刻工藝 半導(dǎo)體火工橋光刻工藝應(yīng)用研究也非常關(guān)鍵,對(duì)于半導(dǎo)體火工品生產(chǎn)制造而言也起到了非常重要的作用,實(shí)際的工藝生產(chǎn)展開過程中,其光刻工藝實(shí)施主要包括氣相成底膜、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)和曝光、曝光后烘焙、顯影、堅(jiān)膜烘焙、顯影檢查等多個(gè)工作工藝環(huán)節(jié),對(duì)于火工橋工藝生產(chǎn)工藝而言有非常重要的作用。在其具體的工藝實(shí)施過程中,還應(yīng)該注重?cái)U(kuò)磷多晶硅、沉積二氧化硅、涂膠、掩膜曝光等工藝實(shí)施研究,對(duì)于實(shí)際的工藝生產(chǎn)而言起到了非常關(guān)鍵的作用,一定程度上關(guān)系到生產(chǎn)的發(fā)展。在實(shí)際的工藝實(shí)施過程中,通過合理的工藝控制,提升工藝控制效果,確保工藝實(shí)施展開更加合理有效。
3.1 半導(dǎo)體火工橋擴(kuò)磷作用 半導(dǎo)體火工橋生產(chǎn)過程中,針對(duì)火工橋生產(chǎn)工藝有非常重要的作用,一定程度上關(guān)系到工藝生產(chǎn)效果,對(duì)于工藝生產(chǎn)而言有非常重要的作用。在半導(dǎo)體火工橋工藝生產(chǎn)中,擴(kuò)磷工藝的主要作用是通過磷元素?fù)诫s,提升半導(dǎo)體火工橋的生產(chǎn)質(zhì)量,同時(shí)通過擴(kuò)磷工藝的合理實(shí)施是為后續(xù)的光刻和封裝等工序打好基礎(chǔ),通過擴(kuò)磷工藝實(shí)施,能夠最大程度上提升多晶硅薄膜的表征性能分析,對(duì)于工藝生產(chǎn)而言起到了非常關(guān)鍵的作用。
3.2 半導(dǎo)體火工橋擴(kuò)磷工藝 半導(dǎo)體火工橋擴(kuò)磷工藝實(shí)際的生產(chǎn)應(yīng)用過程中,應(yīng)該注重對(duì)擴(kuò)磷工藝實(shí)施進(jìn)行合理的控制,確保擴(kuò)磷工藝實(shí)施更加有效,最大程度上提升半導(dǎo)體火工橋擴(kuò)磷生產(chǎn)。
半導(dǎo)體擴(kuò)磷工藝實(shí)施過程中,其主要使用化學(xué)氣相沉積使用方法進(jìn)行擴(kuò)磷工藝控制,確保擴(kuò)磷工藝實(shí)施更加有效,也能夠最大程度上提升擴(kuò)磷工藝效果。在起工藝實(shí)施過程中,應(yīng)該確保實(shí)際的雜質(zhì)擴(kuò)散溫度在800-1200℃之內(nèi),利用管式高溫高真空爐進(jìn)行CVD 擴(kuò)磷工藝控制,確保實(shí)施的擴(kuò)磷工藝實(shí)施更加有效,也能夠最大程度上提升擴(kuò)磷工藝效果,在實(shí)際擴(kuò)磷工藝實(shí)施過程中,利用高溫高真空爐進(jìn)行擴(kuò)磷,具有良好的擴(kuò)磷工藝效果,確保實(shí)際的擴(kuò)磷工藝實(shí)施更加有效,也能夠最大程度上提升工藝實(shí)施質(zhì)量。
本文針對(duì)半導(dǎo)體火工橋生產(chǎn)工藝進(jìn)行了實(shí)際的分析研究,文章中主要針對(duì)擴(kuò)磷、薄膜制備等生產(chǎn)工藝進(jìn)行了研究,提出了各工藝實(shí)施的要點(diǎn)內(nèi)容,希望能夠?qū)Ξ?dāng)前半導(dǎo)體火工橋生產(chǎn)工藝實(shí)施進(jìn)行合理的控制,提升半導(dǎo)體工藝實(shí)施效果。半導(dǎo)體火工橋是新一代火工產(chǎn)品,對(duì)于現(xiàn)代火工品的實(shí)際生產(chǎn)發(fā)展也有非常重要的作用。