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        堿式硫酸鎂晶須的可控制備及不同離子的影響機制

        2021-06-30 01:28:00張少博方莉高雪燾程文婷
        化工學(xué)報 2021年6期
        關(guān)鍵詞:晶核晶須分散性

        張少博,方莉,高雪燾,程文婷

        (1山西大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院,山西太原030006;2山西大學(xué)資源與環(huán)境工程研究所,山西太原030006)

        引 言

        無機鹽晶須作為一種新型的纖維材料,由于其優(yōu)異的耐高溫、耐腐蝕性能以及良好的機械強度等,近年來被廣泛用于高分子復(fù)合材料的增強增韌補強劑,可顯著提高基底材料的拉伸強度、抗彎曲強度和抗沖擊強度[1-3]。相較于其他無機鹽晶須,鎂鹽晶須如氫氧化鎂[4]、堿式硫酸鎂[5]、硼酸鎂[6]以及碳酸鎂等[7],具有長徑比高(50~200)、密度小、彈性模量和熱分解溫度高等優(yōu)點,不僅可改善高分子材料的力學(xué)性能,還具有優(yōu)異的阻燃性能[8-9]。特別是堿式硫酸鎂晶須(magnesium hydroxide sulfate hydrate whisker,MHSH),由于具有更寬的熱分解溫度區(qū)間(260~1150℃),阻燃性能更好[10]。

        堿式硫酸鎂晶須的化學(xué)式為xMg(OH)2·yMgSO4·zH2O,通常用MHSH-xyz表示,如MHSH-512[11]和MHSH-513[12]等,制備方法主要有水熱法、微波法和熱回流法。其中,微波法制備的晶須長徑比小(10~20)[13],熱回流法制備的晶須長徑比為40~200,但均一性較差,且反應(yīng)時間過長(約30 h)[14],而水熱法制備的晶須不僅純度高、長徑比大,而且反應(yīng)條件易控制。因此,目前一般采用水熱法制備MHSH晶須。而MHSH晶須的性能和微觀形貌不僅與原料來源及配比、水熱反應(yīng)條件(如溫度、時間)等有關(guān),還可能受到雜質(zhì)離子的影響。Tang等[15]以Mg(OH)2和MgSO4為原料,直接在160℃下水熱反應(yīng)10 h制備了長徑比大于100的MHSH-513晶須,但是其原料中MgSO4需大量過量[MgSO4與Mg(OH)2的摩爾比高達7∶3],原子經(jīng)濟性差。高傳慧等[16]在以MgSO4和NH3·H2O為原料制備MHSH-512晶須時發(fā)現(xiàn),溫度低于170℃時無法為晶須成核提供足夠的能量,其水熱產(chǎn)物為晶須和Mg(OH)2的混合物。岳濤等[17]以MgSO4和NaOH為原料在160℃下水熱制備了MHSH-512晶須,研究表明反應(yīng)時間超過24 h后會導(dǎo)致晶須團聚。Xiang等[18]以MgSO4和NaOH為原料先制備Mg(OH)2·MgSO4前驅(qū)物,然后在200℃下水熱反應(yīng)4 h,得到了長徑比為20~100的MHSH-513晶須,并發(fā)現(xiàn)當(dāng)前驅(qū)物活性較高時,晶須形貌更加規(guī)整。Li等[19]以過量的MgSO4和NaOH為原料先制得Mg(OH)2前驅(qū)物和MgSO4的混合物,然后于200℃下水熱反應(yīng)制備了長徑比為80~100的MHSH-513晶須。研究表明,乙二胺四乙酸可與Mg2+絡(luò)合,提高前驅(qū)物Mg(OH)2的活性。Yan等[20]以MgSO4和MgCl2為混合鎂源,NH3·H2O為沉淀劑,在150℃下水熱反應(yīng)38 h合成了MHSH-512晶須。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)c(Mg2+)/c(SO2-4)(摩爾濃度)為1.6~2.5時可得到長徑比為 150~200的MHSH-512一維扇形晶須,且扇形晶須的團聚端為未生長完全的Mg(OH)2,但是未考慮Cl-對水熱產(chǎn)物的影響。Gao等[21]以鹵水、NH3·H2O和MgSO4為原料,于190℃下水熱反應(yīng)4 h得到了長徑比為50~200的MHSH-512晶須,并推斷鹵水中的K+、Cl-和Li+等離子的存在對晶核的形成可能有影響,但沒有進一步驗證和分析其影響機制。

        到目前為止,關(guān)于不同離子濃度以及雜質(zhì)離子等對MHSH晶須的生長及形貌影響尚未見系統(tǒng)的研究報道。此外,烏志明[22]發(fā)現(xiàn)MHSH-513與MHSH-512晶體結(jié)構(gòu)相似,僅多出一個極不穩(wěn)定的沸石水,加熱到100℃時就會失去而轉(zhuǎn)變?yōu)楦臃€(wěn)定的MHSH-512[23-24]。由于聚合物材料的加工溫度一般為150~300℃[25],摻雜MHSH-513晶須可能會因加工過程中脫去沸石水而產(chǎn)生氣泡,影響材料的加工性能和力學(xué)性能。因此,MHSH-512晶須更適合用作高分子材料的阻燃劑。鑒于此,本文以MgCl2、NaOH和MgSO4為原料,采用溶膠-凝膠-水熱法,在高壓反應(yīng)釜中制備了MHSH-512晶須,系統(tǒng)研究了前驅(qū)物Mg(OH)2、Mg2+和SO2-4的濃度和雜質(zhì)離子Cl-對MHSH-512晶須的生長機制和微觀形貌的影響,提出了雜質(zhì)離子存在時MHSH-512晶須的生長機制。所制備的MHSH-512晶須為一維結(jié)構(gòu),且表面光滑、長徑比高,易于實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn),為青海鹽湖鎂資源的高值化利用提供了一條有效途徑和技術(shù)支撐。

        1 實驗部分

        1.1 實驗試劑

        六水氯化鎂(MgCl2·6H2O,AR)、硫酸鎂(MgSO4·7H2O,AR)購自國藥集團化學(xué)試劑有限公司,氫氧化鎂[Mg(OH)2,AR]、氫氧化鈉(NaOH,AR)購自上海麥克林生化有限公司。

        1.2 MHSH-512晶須的制備

        (1)溶膠-凝膠法制備前驅(qū)物Mg(OH)2溶膠:在500 ml的三口燒瓶中加入150 ml濃度為1 mol/L的MgCl2溶液,升溫至60℃后,攪拌下緩慢滴加150 ml濃度為2 mol/L的NaOH溶液,恒溫反應(yīng)2 h后得到前驅(qū)物Mg(OH)2溶膠[記作MH(gel)]。

        (2)水熱法制備MHSH-512晶須:將得到的MH(gel)轉(zhuǎn)移至1 L的高壓反應(yīng)釜中,加入300 ml濃度為0.1~2 mol/L的MgSO4溶液后,升溫至150~210℃進行水熱反應(yīng);冷卻至室溫后將水熱產(chǎn)物過濾分離,并用蒸餾水和乙醇交替洗滌3次,在80℃下真空干燥6 h,得到MHSH-512晶須。

        1.3 MHSH-512晶須的表征

        產(chǎn)物的物相結(jié)構(gòu)采用D8-ADVANCE型X射線衍射儀(XRD,德國Bruker公司)進行表征,掃描速率為2(°)/min,掃描范圍10°~70°;產(chǎn)物的形貌在JSMIT500HR型掃描電鏡顯微鏡(SEM,日本JEOL公司)上進行觀察,掃描電壓5 kV,放大倍數(shù)50~3000;前驅(qū)物的Zeta電位和電導(dǎo)率在Nano Zs90型Zeta電位儀(英國馬爾文儀器有限公司)上進行測試。

        2 實驗結(jié)果與討論

        2.1 前驅(qū)物氫氧化鎂的活性和分散性對MHSH-512晶須形貌的影響

        為了探討前驅(qū)物Mg(OH)2的活性和分散性對MHSH-512晶須形貌的影響,分別以新制備的MH(gel)和購買的沉淀Mg(OH)2[簡寫為MH(d)]為前驅(qū)物,按照Mg2+和SO2-4濃度比為3投料,在190℃下水熱反應(yīng)10 h得到MHSH-512晶須,并進行XRD和SEM表征,結(jié)果如圖1和圖2所示。

        圖1 不同MH前驅(qū)物合成的MHSH-512晶須的XRD譜圖[c(Mg2+)/c(SO42-)=3,190℃,10 h]Fig.1 XRDpatternsof MHSH-512 whiskers synthesized with different MH precursors

        從圖1中看出,以MH(gel)為前驅(qū)物制備的水熱產(chǎn)物在12.94°、17.32°、22.86°、34.48°、45.62°和54.9°出現(xiàn)了MHSH-512晶須的特征衍射峰,與標(biāo)準(zhǔn)卡片JCPDSNo.86-1322相一致,可分別歸屬于(201)、(202)、(203)、(601)、(513)和(008)晶面,且沒有其他雜峰,說明產(chǎn)物的結(jié)晶度和純度非常高[17]。同時,在與之對應(yīng)的SEM圖[圖2(a)、(b)]中可看到長徑比為150~200、表面光滑的MHSH-512晶須。相比較而言,以MH(d)為前驅(qū)物時得到的產(chǎn)物雖然也出現(xiàn)了MHSH-512晶須衍射峰,但在18.58°、37.96°、51.06°和58.56°處仍有明顯的MH特征峰,且在圖2(c)、(d)中可觀察到大量的顆粒狀物質(zhì),進一步證實了產(chǎn)物中殘余大量未反應(yīng)的MH(d)[26],這一結(jié)果與MH前驅(qū)物的活性和分散性有極大的關(guān)系。如圖3(a)所示,新制備的MH(gel)在放置24 h后仍然保持穩(wěn)定的膠體分散狀態(tài),其電導(dǎo)率和Zeta電位分別為68.45 mS/cm和24.0 mV,說明MH粒子高度分散、反應(yīng)活性高,在水熱過程中易發(fā)生溶解再結(jié)晶反應(yīng),形成結(jié)晶度高、長徑比大、表面光滑的MHSH-512晶須[18]。而市售沉淀MH(d)的結(jié)晶度高、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,在水中攪拌分散后靜置0.5 h就全部沉淀[圖3(b)],靜置24 h后的電導(dǎo)率和Zeta電位僅為1.07 mS/cm和1.45 mV,說明其分散性差、反應(yīng)活性低,因此在水熱過程中不易解離為Mg2+和OH-,阻礙MHSH-512晶核形成,導(dǎo)致MH(d)反應(yīng)不完全。

        圖2 不同MH前驅(qū)物合成的MHSH-512晶須的SEM圖[c(Mg2+)/c(SO24-)=3,190℃,10 h]Fig.2 SEM images of MHSH-512 whiskers synthesized with different MH precursors

        圖3 氫氧化鎂前驅(qū)物靜置24 h后的分散狀態(tài)Fig.3 Dispersion states of different precursors after 24 h standing

        2.2 不同硫酸根離子濃度下MHSH-512晶須的形成和生長機制

        作為反應(yīng)物之一的SO2-4,其濃度直接影響MHSH-512晶須的形成和生長[19]。圖4、圖5是不同原料濃度比[c(Mg2+)/c(SO2-4)]時得到的水熱產(chǎn)物的XRD譜圖和SEM圖。

        當(dāng)c(Mg2+)/c(SO2-4)為6,即按照計量比投料時,其水熱產(chǎn)物的XRD譜圖中主要是MH的特征衍射峰,而MHSH的特征峰極其微弱,說明此時沒有形成晶須。從圖5中對應(yīng)的SEM圖也可以證實,水熱產(chǎn)物的微觀形貌僅為片狀MH,沒有晶須出現(xiàn)。但是,當(dāng)c(Mg2+)/c(SO2-4)為4.3時,MHSH-512晶須的特征峰急劇增強,而MH晶體的衍射峰幾乎完全消失,且直到濃度比變?yōu)?.6時,晶須的特征峰也沒有明顯變化(圖4)。然而從SEM圖發(fā)現(xiàn),當(dāng)c(Mg2+)/c(SO2-4)為4.3時,晶須表面仍然可看到少量顆粒狀物質(zhì),可歸屬于未反應(yīng)完全的MH顆粒;當(dāng)c(Mg2+)/c(SO2-4)為3.5~2.6時,MHSH-512晶須的直徑為2~3μm,長徑比高達150~200,且表面光滑、分散性好。

        圖4 不同c(Mg2+)/c(SO24-)時合成的水熱產(chǎn)物的XRD譜圖(190℃,10 h)Fig.4 XRDpatterns of hydrothermal products synthesized with different c(Mg2+)/c(SO24-)ratios

        圖5 不同c(Mg2+)/c(SO24-)時水熱產(chǎn)物的SEM圖(190℃,10 h)Fig.5 SEMimages of hydrothermal products prepared with different c(Mg2+)/c(SO24-)ratios

        當(dāng)c(Mg2+)/c(SO2-4)減小至2.2~2時,雖然在XRD譜圖上沒有出現(xiàn)新的衍射峰,但是MHSH-512晶須的(202)、(203)和(008)晶面衍射峰卻明顯增強,同時伴隨著(201)、(601)和(513)晶面特征峰的急劇減弱。從SEM圖也可以看到,晶須尺寸明顯增大,分散性變差,且表面重新出現(xiàn)了一些顆粒狀物質(zhì)。繼續(xù)減小c(Mg2+)/c(SO2-4)至1.5時,MHSH-512晶須的特征峰全部消失,取而代之的是在26.68°、27.65°、34.1°處出現(xiàn)了新的衍射峰,可歸屬于一種無水堿式硫酸鎂[Mg(OH)2·2MgSO4],與標(biāo)準(zhǔn)卡片79-1189相一致[27]。與之對應(yīng)的SEM圖中,水熱產(chǎn)物呈現(xiàn)出團球狀微觀形貌,進一步證實了XRD結(jié)果。

        在水熱反應(yīng)條件下,MHSH晶須的形成需經(jīng)歷MH固體的溶解和再結(jié)晶過程[28],即MH固體顆粒在溶液中解離成Mg2+和OH-,先形成游離的六配位八面體結(jié)構(gòu)單元[Mg(OH)6]4-[29],然后這些結(jié)構(gòu)單元之間以Mg-O-Mg鍵相互連接,同時與SO2-4形成Mg-O-S鍵相連接,形成MHSH晶核。晶核之間再通過氫鍵彼此結(jié)合,以b軸為主軸不斷生長為一維結(jié)構(gòu)的MHSH-512晶須[20,30]。根據(jù)上述表征結(jié)果,推測了不同SO2-4離子濃度對MHSH-512晶須形成和生長的影響機制。

        當(dāng)c(Mg2+)/c(SO2-4)為6時,按計量比理論上可形成MHSH-512晶體,但是由于溶液中SO2-4濃度較低,且S-O鍵比Mg-O鍵的鍵能略小,導(dǎo)致[Mg(OH)6]4-結(jié)構(gòu)單元難以與SO2-4形成Mg-O-S鍵,只能進一步通過氫鍵相結(jié)合生長為MH晶核[30],最終生成MH片狀晶體。當(dāng)c(Mg2+)/c(SO2-4)減小至4.3時,SO2-4離子的濃度按照計量比增大了1.5倍,[Mg(OH)6]4-容易與SO2-4通過Mg-O-S鍵相連形成晶核,進而生長為MHSH-512晶須。但是,由于SO2-4濃度過量不夠多,仍然有部分[Mg(OH)6]4-未能與SO2-4之間形成Mg-O-S鍵,導(dǎo)致MH反應(yīng)不全,晶須收率較低(59%)。當(dāng)SO2-4過量2~3倍,即c(Mg2+)/c(SO2-4)為3.5、3和2.6時,[Mg(OH)6]4-與大量的SO2-4通過Mg-O-Mg鍵和Mg-O-S鍵形成穩(wěn)定的MHSH晶核,并以b軸為主軸不斷生長,形成結(jié)晶度高、長徑比大、表面光滑且分散性好的一維晶須,其收率分別為77%、80%和79%。考慮到原料經(jīng)濟性,確定最佳的離子濃度比為3。

        當(dāng)c(Mg2+)/c(SO2-4)為2.2~2,即SO2-4過量4~5倍時,[Mg(OH)6]4-更容易與SO2-4成鍵,導(dǎo)致MHSH晶核數(shù)量急劇增加而發(fā)生堆積,形成尺寸過大、分散性較差的扇形晶須。此外,過剩的SO2-4包裹在[Mg(OH)6]4-表面,阻礙了Mg-O-Mg鍵的形成,導(dǎo)致這些結(jié)構(gòu)單元表面主要以Mg-O-S鍵為主,形成Mg(OH)2·2MgSO4晶體。而繼續(xù)減小c(Mg2+)/c(SO2-4)至1.5,即SO2-4過量10倍時,[Mg(OH)6]4-結(jié)構(gòu)單元的表面幾乎全部被SO2-4包覆,生成的水熱產(chǎn)物全部為Mg(OH)2·2MgSO4。

        2.3 氯離子對MHSH-512晶須形成和生長的影響機制

        為了探討Cl–對MHSH-512晶須形成和生長的影響機制,將溶膠-凝膠法得到的MH(gel)通過反復(fù)洗滌、離心分離后得到純MH(gel)前驅(qū)物,然后在c(Mg2+)/c(SO2-4)為3,190℃的條件下進行水熱反應(yīng)。圖6、圖7分別為Cl–去除前、后不同反應(yīng)時間得到的水熱產(chǎn)物的XRD和SEM圖。

        從圖6(b)所示除去Cl–后制得水熱產(chǎn)物的XRD譜圖看出,反應(yīng)2 h就出現(xiàn)了微弱的MHSH特征峰,但由于生成的晶體量太少,且結(jié)晶度低,因此在相應(yīng)的SEM圖(圖7)中看不到晶須;至3 h時,MH特征峰急劇減弱,MHSH-512晶須的特征峰顯著增強,同時其微觀形貌為表面覆蓋了大量MH顆粒的粗糙晶須;反應(yīng)至4 h時,MH的特征峰完全消失,但相應(yīng)的SEM圖中晶須表面仍然有少量的顆粒狀物質(zhì),且晶須的分散性較差;反應(yīng)至8~10 h,MHSH-512晶須的特征峰強度達到最高,說明晶須的純度和結(jié)晶度高,且相應(yīng)的微觀形貌呈長徑比大(150~200)、表面光滑、分散性好的晶須。繼續(xù)反應(yīng)至12 h,雖然其XRD譜圖沒有明顯變化,但是從微觀形貌看有重新團聚的趨勢。

        相比較而言,當(dāng)有Cl–存在時,MHSH-512晶須的形成和生長的速度明顯降低[圖6(a)]。水熱反應(yīng)3 h后出現(xiàn)了微弱的MHSH特征衍射峰,且在其相應(yīng)的SEM圖(圖7)中只有極少量表面粗糙的晶須,主要以塊狀物和顆粒狀物質(zhì)為主;反應(yīng)4 h時,MHSH-512晶須的特征峰明顯增強,但MH的特征峰仍占主導(dǎo),其SEM圖中的晶須表面粗糙、分散性差,且有大量未反應(yīng)的MH顆粒。反應(yīng)至6~8 h時,雖然MH特征峰幾乎完全消失,但是從SEM圖看到,水熱反應(yīng)8 h后還有一些顆粒狀物質(zhì)覆蓋于晶須表面,直到反應(yīng)10~12 h,才呈現(xiàn)出表面光滑、分散性好的MHSH晶須。由此可知,Cl–的存在明顯阻礙了MHSH-512晶須的形成和生長。

        圖6 去除Cl-前、后合成的MHSH-512晶須的XRD譜圖[c(Mg2+)/c(SO24-)=3,190℃]Fig.6 XRDpatterns of MHSH-512 whiskerssynthesized before and after removal of Cl-

        圖7 不同水熱時間去除Cl-前、后合成的MHSH-512晶須的SEM圖[c(Mg2+)/c(SO24-)=3,190℃]Fig.7 SEMimages of MHSH-512 whiskers synthesized before and after removal of Cl–with different hydrothermal treatment time

        圖8為去除Cl-前后MHSH-512晶須的形成與生長機理示意圖。去除Cl–后,溶液中只有MgSO4和MH(gel),在溶解再結(jié)晶過程中沒有Cl-的干擾,Mg2+與OH–之間易形成[Mg(OH)6]4-,并進一步與SO2-4通過Mg-O-S鍵形成MHSH晶核,從而生長為MHSH-512晶須。而未除去Cl–時,溶液中除了MgSO4之外,還含大量Cl-和Na+,離子強度高,靜電作用力大,導(dǎo)致Mg2+和OH-的活度因子減小、活度降低,促進MH(gel)在水熱過程中的溶解平衡向解離方向移動[31]。但是,Cl-又可通過靜電引力在Mg2+周圍形成離子氛,阻礙OH-與Mg2+之間相互作用,延緩結(jié)構(gòu)單元[Mg(OH)6]4-的形成。此外,大量存在的Cl–還可能與SO2-4發(fā)生競爭吸附,使結(jié)構(gòu)單元[Mg(OH)6]4-表面的SO2-4數(shù)量減少,導(dǎo)致MHSH-512晶須的形成和生長滯后。

        圖8 去除Cl–前、后MHSH-512晶須的形成與生長機理示意圖Fig.8 A schematic diagramof the formation and growth mechanisms of MHSH-512 whiskers before and after removal of Cl–

        綜上所述,去除Cl-后,生成結(jié)晶度高、長徑比大、表面光滑且分散性好的MHSH-512晶須的水熱反應(yīng)時間為8 h,而有Cl–存在時則需要10 h,但是Cl-對MHSH-512晶須的最終形貌和分散性并沒有明顯的影響。此外,由于工業(yè)化生產(chǎn)過程中,前驅(qū)物MH(gel)的洗滌、分離等工序所需的人力、物力和能耗與延長2 h的反應(yīng)時間相比要高得多,且流程更復(fù)雜,因此在實際生產(chǎn)中沒有必要去除Cl–。

        2.4 水熱反應(yīng)溫度對MHSH-512晶須形成和生長的影響

        不同溫度下水熱產(chǎn)物的XRD和SEM表征如圖9和圖10所示。150℃時,XRD譜圖中只有MH晶體的特征峰,相應(yīng)的SEM圖中呈現(xiàn)的也是MH片狀晶體團聚物,說明水熱過低時,MH(gel)溶解緩慢,不利于MHSH晶須的形成[16,32]。當(dāng)溫度升至160℃時,XRD譜圖中仍然以MH晶體的特征峰為主,只有微弱的MHSH特征峰,且其微觀形貌主要呈顆粒狀,僅能看到極少量的晶須。170℃時,出現(xiàn)了明顯的MHSH-512晶須特征峰,同時MH晶體的特征峰幾乎完全消失,但其微觀形貌為分散性差的扇形晶須,且表面可觀察到大量MH顆粒狀物質(zhì)。隨著溫度升高至180、190℃時,MHSH-512晶須衍射峰逐漸增強,峰型由寬變窄,說明結(jié)晶度增大;從對應(yīng)的SEM圖中也看出,180℃時,晶須的分散性有所提高,但表面光滑度較差;而到190℃時,扇形晶須顯著減少,且形成的晶須長徑比達150~200、表面光滑、分散性好。但是,當(dāng)溫度繼續(xù)升高至200~210℃時,晶須特征峰強度減弱,峰型變寬,從微觀形貌也可看出,晶須發(fā)生團聚而形成尺寸急劇增大、分散性差的扇形晶須,這可能是因為溫度過高時,晶須成核速率過快,導(dǎo)致晶核堆積、生長過快,易發(fā)生團聚。因此,最適宜的水熱反應(yīng)溫度為190℃。

        圖9 不同水熱溫度下合成產(chǎn)物的XRD譜圖[c(Mg2+)/c(SO24-)=3,10 h]Fig.9 XRDpatterns of the hydrothermal products synthesized at different temperatures

        圖10 不同水熱溫度下合成產(chǎn)物的SEM圖[c(Mg2+)/c(SO24-)=3,10 h]Fig.10 SEM imagesof the hydrothermal products synthesized at different temperatures

        3 結(jié) 論

        通過研究溶膠-凝膠-水熱法制備MHSH-512晶須過程中反應(yīng)物離子濃度、水熱條件和雜質(zhì)離子對晶須生長機制的影響,得到以下主要結(jié)論。

        (1)溶膠-凝膠法得到的前驅(qū)物MH(gel)分散性好、反應(yīng)活性高,在后續(xù)水熱條件下的溶解再結(jié)晶過程中易形成結(jié)構(gòu)單元[Mg(OH)6]4-。

        (2)適當(dāng)過量的SO2-4對MHSH-512晶須形成和生長具有重要作用,當(dāng)c(Mg2+)/c(SO2-4)為3.5~2.6時(SO2-4過量2~3倍),幾乎全部的[Mg(OH)6]4-可與SO2-4之間形成MHSH晶核,并以b軸為主軸生長成一維MHSH-512晶須,而當(dāng)SO2-4過量10倍時,水熱產(chǎn)物轉(zhuǎn)變?yōu)镸g(OH)2·2MgSO4團球狀晶體。

        (3)Cl–的存在可能阻礙OH-與Mg2+之間相互作用,延緩結(jié)構(gòu)單元[Mg(OH)6]4-的形成,同時可能與SO2-4在[Mg(OH)6]4-表面發(fā)生競爭吸附,導(dǎo)致晶須生長滯后,但對MHSH-512晶須的最終形貌和分散性并沒有明顯的影響。

        (4)所制備的MHSH-512晶須結(jié)晶度高、長徑比大(150~200)、表面光滑、分散性好,易于實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn),為青海鹽湖鎂資源的高值化利用提供了一條有效途徑。

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