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        顆粒級配對碳化硅陶瓷膜性能的影響

        2021-05-06 01:20:48關(guān)夢珂王樹林伍夢宇徐榮琪于傳義
        建材世界 2021年2期
        關(guān)鍵詞:陶瓷膜粉料碳化硅

        關(guān)夢珂,徐 慢,2,王樹林,2,伍夢宇,徐榮琪,于傳義

        (1.武漢工程大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,武漢 430205;2.武漢工程大學(xué)湖北省環(huán)境材料與膜技術(shù)工程技術(shù)研究中心,武漢 430074)

        膜技術(shù)在化工、制藥、食品等眾多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用[1-3],與人們的日常生活也密切相關(guān)。但是現(xiàn)有的膜材料不能在苛刻環(huán)境中使用,例如酸、堿、油水、高溫等[4]。并且膜材料還存在膜污染嚴(yán)重、使用壽命短等問題[5],這會限制使其的應(yīng)用和發(fā)展。為了克服以上難題,具有化學(xué)穩(wěn)定性好、耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿、親水性好等性能的碳化硅材料[6]成為新一代陶瓷膜開發(fā)的首選。梁宇恒[7]對SiC原料的顆粒級配及燒結(jié)溫度對碳化硅陶瓷的重結(jié)晶燒結(jié)的影響進(jìn)行了研究;方仁德[8]等通過不同的顆粒級配及不同的燒成制度制備碳化硅陶瓷,探討其對燒結(jié)性能的影響。然而,上述研究的研究對象主要集中于微米級的碳化硅顆粒之間的級配,亞微米級碳化硅顆粒級配對碳化硅陶瓷膜的性能影響機(jī)理尚不明確。

        由于SiC陶瓷的燒結(jié)特性,其孔徑結(jié)構(gòu)主要取決于陶瓷坯體的SiC顆粒堆積方式,因此可以通過進(jìn)行顆粒級配達(dá)到碳化硅顆粒緊密堆積的效果從而制備孔徑分布窄、微觀結(jié)構(gòu)好的SiC陶瓷膜。由于傳統(tǒng)的膜過濾采用直流過濾方式,渾濁濾液會直接沖擊濾膜,膜孔的表面和膜濾孔會很快被覆蓋和堵塞,導(dǎo)致膜的使用周期短;而非對稱陶瓷膜采用的是錯流過濾,混合液流動方向與膜面相切,所以膜面上暫時性的覆蓋物會被不斷流入的液體所帶走,這樣膜濾孔就會恢復(fù)其過濾功能,對膜的使用周期有大大的改善。所以該文選用的是非對稱多孔陶瓷膜,結(jié)構(gòu)上分為支撐體與分離層兩部分,此次試驗(yàn)主要研究SiC級配對分離層孔徑大小及其分布的影響。該文通過浸漬提拉法進(jìn)行涂覆,利用高溫重結(jié)晶燒結(jié)方法制備出了性能優(yōu)異的SiC陶瓷膜。研究了顆粒級配對SiC陶瓷膜孔徑分布、微觀形貌及對油水分離性能的影響。

        1 實(shí) 驗(yàn)

        1.1 原料

        選用兩種不同粒徑的SiC微粉作為原料(細(xì)顆粒粉料D50=0.58 μm,粗顆粒粉料的D50=2.04 μm,純度≥99%,生產(chǎn)地為河南亞坤集團(tuán)航瑞公司);SiC陶瓷支撐體為湖北迪潔膜科技有限公司生產(chǎn),孔徑分布在1~5 μm之間;分散劑為四甲基氫氧化銨(TMAH,分析純),購于上海化學(xué)試劑廠;濃度為200 mg/L的乳化油。

        1.2 過程

        分別按照細(xì)顆粒比粗顆粒為1∶9、2∶8、3∶7、4∶6、5∶5的質(zhì)量比均勻混合制成粉料備用,將混合均勻的粉料放入球磨罐中,加入分散劑四甲基氫氧化銨,利用球磨機(jī)進(jìn)行球磨,轉(zhuǎn)速160 r/min,球磨3 h,制得碳化硅陶瓷涂膜液。通過浸漬提拉法將涂膜液均勻涂覆在支撐體表面,為了防止在干燥過程中升溫過快導(dǎo)致膜層開裂或者脫落,先自然干燥6 h,再將樣品放入鼓風(fēng)干燥箱中60 ℃干燥5 h。

        將涂膜干燥完成的樣品放入NT/KGPS-160-1S碳化硅真空氣氛燒結(jié)爐中燒結(jié),燒結(jié)氣氛為Ar,升溫至1 900 ℃,保溫1 h后隨爐冷卻得到SiC陶瓷膜。

        1.3 表征與測試

        采用英國產(chǎn)的Mastersizer3000激光粒度分析儀對原料及樣品進(jìn)行粒徑分布測試;日本生產(chǎn)的JSM-5510LV型掃描電鏡分析儀對樣品微觀形貌進(jìn)行分析;德國產(chǎn)的POROLUXTM500型毛細(xì)流孔徑分析儀對樣品進(jìn)行孔徑和孔隙率的測試;采用自制設(shè)備(CN205262925U)進(jìn)行碳化硅陶瓷膜的油水分離測試。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 燒結(jié)溫度對SiC陶瓷膜的影響

        圖1是當(dāng)SiC粗細(xì)顆粒級配比為4∶6時,碳化硅陶瓷膜生坯以及經(jīng)不同溫度燒結(jié)樣品的SEM圖。圖1(a)為生坯的SEM形貌圖,由圖可以看出原料粉體中粗顆粒形狀較為規(guī)則,細(xì)顆粒棱角多,形狀不規(guī)則。形成以粗顆粒為骨架,細(xì)顆粒包圍四周,填充其間隙的結(jié)構(gòu)。圖1(b)是1 200 ℃燒結(jié)后SiC陶瓷膜的顯微形貌,與生坯形貌圖相比變化不大,顆粒間以點(diǎn)接觸為主。圖1(c)是1 700 ℃燒結(jié)后SiC陶瓷膜的顯微形貌,細(xì)顆粒的形貌發(fā)生變化,由不規(guī)則棱角狀變圓潤,趨近于球狀,并且顆粒間開始形成燒結(jié)頸,但大部分顆粒仍以獨(dú)立形態(tài)存在。圖1(d)是1 900 ℃燒結(jié)后SiC陶瓷膜的顯微形貌,在此溫度下,細(xì)顆粒已基本觀察不到,只存在直徑約1 μm左右及其以上粒徑的顆粒。這些顆粒間形成了燒結(jié)頸,并且在大顆粒周圍表層有許多被大顆粒吞噬不同程度的小顆粒,粗顆粒間的大孔隙被小顆粒填充形成小的孔隙。

        圖2為細(xì)粗顆粒級配比為4∶6時制備的SiC陶瓷膜經(jīng)不同溫度燒結(jié)后所得的顆粒粒徑分布圖。從圖2可看出,經(jīng)1 200 ℃燒結(jié)后,粒徑集中分布在0.5~1.0 μm及2.0~2.5 μm區(qū)間,與原料粒徑分布情況一致;經(jīng)1 700 ℃燒結(jié)后,粒徑集中分布在1.0~1.5 μm及2.0~2.5 μm區(qū)間內(nèi),與原料的粒徑分布相比,細(xì)顆粒開始消失,粒徑增大;經(jīng)1 900 ℃燒結(jié)后,粒徑集中分布在2.0~4.5 μm之間,與原料粒徑相比,細(xì)顆粒消失,晶粒長大。SiC陶瓷由于較低的自擴(kuò)散系數(shù),顆粒長大難以通過晶界擴(kuò)散或者體積擴(kuò)散完成,其唯一的可能性就是顆粒大小有差異,并在顆粒間形成燒結(jié)頸之后、燒結(jié)頸部晶界直徑大于小顆粒直徑時,晶界兩邊原子因能量差異躍遷過界面造成晶界遷移,通過這種晶界遷移的方式掃過小顆粒而使大顆粒將小顆粒兼并。

        2.2 膜微觀形貌測試

        圖3是經(jīng)1 900 ℃燒結(jié)后不同級配比例制備的SiC陶瓷膜的斷面SEM圖。從圖3中可以看出,5種不同級配比例的粉料中均包含有亞微米級顆粒,但經(jīng)1 900 ℃燒結(jié)后,這些顆粒已基本觀察不到,顆粒粒徑大于1 μm,呈球狀。當(dāng)細(xì)顆粒的含量為10%與20%時,細(xì)顆粒粘附在粗顆粒表面沉積粗化,粗細(xì)顆粒之間形成了燒結(jié)頸,但粗顆粒與粗顆粒之間的燒結(jié)頸發(fā)育程度低,部分粗顆粒間沒有通過燒結(jié)頸緊密連接,使得顆粒間孔隙較大,致密化程度較低。當(dāng)細(xì)顆粒含量進(jìn)一步增加至30%與40%,粗細(xì)顆粒之間的燒結(jié)頸數(shù)量增加,增強(qiáng)了粗顆粒之間燒結(jié)頸的發(fā)育程度,使得顆粒間的間隙減少,致密化程度增加。當(dāng)細(xì)顆粒含量增加到50%時,可以看到細(xì)顆粒未能充分填充在粗顆粒燒結(jié)頸部位,使得孔隙增加,致密度降低。由此可見,在高溫下,亞微米級顆粒蒸發(fā)并在粗顆粒表面進(jìn)行沉積粗化后,粘附在粗顆粒表面形成圓球狀顆粒,粗細(xì)顆粒之間形成燒結(jié)頸。隨著亞微米級顆粒的含量增多,這種在粗細(xì)顆粒之間形成的燒結(jié)頸增多,逐漸填充了粗顆粒與粗顆粒之間的間隙,促進(jìn)了粗顆粒之間燒結(jié)頸的發(fā)育,使得粗顆粒堆積形成的陶瓷膜骨架更加密實(shí);但當(dāng)亞微米級顆粒含量增加過多時,部分細(xì)顆粒不能很好地起到填充粗顆粒之間的孔隙,反而粘附在粗顆粒表面,形成孔隙,使整個堆積體空隙率增大。

        2.3 顆粒級配對膜孔徑的影響

        圖4是經(jīng)1 900 ℃燒結(jié)后的不同級配比制得的SiC陶瓷膜的孔徑分布圖。從圖4可看出,級配比例由1∶9增加到4∶6時,SiC陶瓷膜的孔徑逐漸減小,集中分布孔徑由1.0 μm減小到0.7 μm,當(dāng)級配比例增加到5∶5時,陶瓷膜的孔徑反而增大,孔徑分布集中在0.8 μm,當(dāng)級配比在4∶6時,陶瓷膜的孔徑最小,為0.699 μm。由于碳化硅原料為不規(guī)則形狀的粉體,在固體表面的凸起處的表面自由能比凹陷處大,當(dāng)級配比例增加時,膜層表面積增大,其表面能和表面張力增加,促進(jìn)了燒結(jié)致密化過程,膜層致密度增高,孔徑減小;同時由SEM圖可知,細(xì)顆粒填充了粗顆粒形成的孔隙,當(dāng)發(fā)生重結(jié)晶燒結(jié)時,細(xì)顆粒通過蒸發(fā)-凝聚和燒結(jié)頸吞并的方式遷移到粗顆粒燒結(jié)頸部處,使得孔徑減小。但細(xì)顆粒的含量增加過多時,部分細(xì)顆粒不能很好地進(jìn)入大顆粒形成的空隙中,不能起到填充顆粒的作用,不能形成緊密堆積,導(dǎo)致陶瓷膜的孔徑增大。

        2.4 SiC陶瓷膜對乳化油油水的處理

        觀察經(jīng)過SiC陶瓷膜過濾前后的乳化油油水對比圖。油滴乳化分散在水中后呈乳白色,光束照射時可以明顯觀察到丁達(dá)爾現(xiàn)象。經(jīng)過油水分離處理后的液體已經(jīng)澄清透明,肉眼觀察不到油滴。因此,實(shí)驗(yàn)證明實(shí)驗(yàn)制備的SiC陶瓷膜能夠通過篩分機(jī)制有效地分離乳化油油水。

        3 結(jié) 論

        以粗細(xì)級配的SiC粉體(粒徑為0.58 μm和2.04 μm)為主要原料,研究顆粒級配對SiC陶瓷膜的影響:

        a.隨著溫度升高,顆粒形貌由不規(guī)則變?yōu)榍蛐?,粒徑集中分布?.5~1.0 μm和2.0~2.5 μm區(qū)間變?yōu)?.0~4.5 μm區(qū)間,與原料粒徑相比,細(xì)顆粒消失,晶粒長大。

        b.在細(xì)顆粒含量≤40%時,隨著細(xì)顆粒的含量增多,在粗細(xì)顆粒之間形成的燒結(jié)頸增多,逐漸填充了粗顆粒與粗顆粒之間的間隙,促進(jìn)了粗顆粒與粗顆粒之間燒結(jié)頸的發(fā)育,使得粗顆粒堆積形成的陶瓷膜骨架更加密實(shí)。

        c.經(jīng)1 900 ℃燒結(jié)后,隨著細(xì)粗顆粒級配比例的增加,膜層的孔徑呈現(xiàn)先減小后增大趨勢,細(xì)顆粒和粗顆粒級配比為4∶6時,SiC陶瓷膜平均孔徑最小,集中分布在0.6~1.0 μm之間,能有效分離乳化油油水。

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