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        Q/V頻段波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)電磁損耗研究 ①

        2021-04-09 09:35:40
        空間電子技術(shù) 2021年1期
        關(guān)鍵詞:波導(dǎo)鍍層導(dǎo)體

        郭 洪 英

        (中國空間技術(shù)研究院西安分院,西安 710000)

        0 引言

        通信衛(wèi)星特別是高通量通信衛(wèi)星(HTS)的發(fā)展,推動(dòng)了毫米波頻段的衛(wèi)星有效載荷工程應(yīng)用日趨成熟。特別是Q/V頻段的應(yīng)用,為雙跳結(jié)構(gòu)的通信衛(wèi)星系統(tǒng)提供了豐富的頻率資源,使得系統(tǒng)關(guān)口站數(shù)量銳減,是有效降低成本的重要措施。然而Q/V頻段通信衛(wèi)星有效載荷也面臨著諸多技術(shù)難題,譬如波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)的損耗成為影響載荷系統(tǒng)噪聲系數(shù)、接收G/T和發(fā)射EIRP的重要因素。與Ku、Ka頻段相比較,Q/V頻段的連接波導(dǎo)已經(jīng)遠(yuǎn)超過部分單機(jī)如濾波器、開關(guān)的損耗,制約著有效載荷接收端與發(fā)射端的電特性。受制于Q/V頻段電纜損耗大的特性,載荷發(fā)射端與接收端之間的設(shè)備,導(dǎo)波系統(tǒng)連接也多摒棄了電纜,而使用波導(dǎo)傳輸。導(dǎo)波設(shè)計(jì)可以降低后端損耗對(duì)載荷系統(tǒng)噪聲溫度的影響,有效降低噪聲功率,提高衛(wèi)星有效輸出功率,因此開展Q/V頻段波導(dǎo)損耗研究具有現(xiàn)實(shí)的工程意義。

        近些年波導(dǎo)電磁損耗漸研究趨向于結(jié)合工程實(shí)際,比如常用的折中電導(dǎo)率法和半經(jīng)驗(yàn)公式法。折中電導(dǎo)率法是根據(jù)波導(dǎo)表面材料的理想電導(dǎo)率計(jì)算導(dǎo)體理想損耗,以理想損耗與特定系數(shù)的乘積模擬波導(dǎo)實(shí)際損耗,是一種假設(shè)了理想?yún)?shù)模型后結(jié)合工程數(shù)據(jù)的近似數(shù)值處理方法[1,2],估算結(jié)果偏差很大。工作頻率較低時(shí),比如Ku及Ku以下頻段,半經(jīng)驗(yàn)公式法[3,4]相對(duì)更加精確,但在Q/V或更高的頻段,表面粗糙度對(duì)電磁波的散射、折射影響不容忽略,半經(jīng)驗(yàn)公式也存在偏差。本文在研究電磁波傳輸邊界效應(yīng)基礎(chǔ)上,提出趨膚深度與金屬鍍層相關(guān)聯(lián)的理論,依據(jù)該理論總結(jié)出通信衛(wèi)星常用波導(dǎo)金屬鍍層的典型厚度數(shù)據(jù),用于指導(dǎo)工程制造。再通過衰減系數(shù)與表面粗糙度的等效公式,探討了表面粗糙度對(duì)電磁損耗的影響,提出基于Huray模型模擬金屬表面微觀形貌仿真Q/V頻段波導(dǎo)損耗。采用Huray模型法仿真分析的波導(dǎo)損耗數(shù)據(jù)與實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì),獲得了良好的一致性。

        1 波導(dǎo)傳輸線損耗分析

        波導(dǎo)中的損耗一般由回波損耗、介質(zhì)損耗和導(dǎo)體損耗組成,回波損耗通常由廣義散射參數(shù)中的反射系數(shù)表征,表示對(duì)入射電磁波的反射功率,一般在0.1%以下。介質(zhì)損耗由導(dǎo)體中填充的介質(zhì)材料決定,衛(wèi)星使用的波導(dǎo)系統(tǒng)介質(zhì)為空氣,介質(zhì)損耗可以忽略不計(jì)。導(dǎo)體損耗受傳輸電磁波的頻率、波導(dǎo)表面材料、波導(dǎo)表面粗糙度等影響,是波導(dǎo)損耗中的主要損耗來源。

        假設(shè)波導(dǎo)中填充的是理想介質(zhì),此時(shí)電磁波功率損耗可以用表面電流Js來計(jì)算,功率損耗 采用公式(1)進(jìn)行計(jì)算。

        (1)

        其中Js表示表面電流,Rs表示表面電阻,S表示傳輸波導(dǎo)的表面積。表面電流與輸入功率、傳輸模式相關(guān)(波導(dǎo)邊界條件決定);而表面電阻是與導(dǎo)電率、趨膚深度成反比的電磁特性參數(shù)。

        (2)

        式中f表示波導(dǎo)中傳輸?shù)念l率,μ表示磁導(dǎo)率,σ表示電導(dǎo)率,δ表示趨膚深度。電磁波在良導(dǎo)體中的衰減很快,進(jìn)入導(dǎo)體極短的距離幾乎衰竭殆盡,所以近似認(rèn)為良導(dǎo)體中電磁波只存在于導(dǎo)體表面,通常用趨膚深度來表征這一物理現(xiàn)象,用符號(hào)δ表示。

        (3)

        由公式(2)顯示電導(dǎo)率增加,表面電阻減小,波導(dǎo)損耗減小。因此工程中常在導(dǎo)體表面涂覆電導(dǎo)率高的金屬材料提高電導(dǎo)率,達(dá)到降低導(dǎo)體損耗的目的。

        金和銀兩種材料電導(dǎo)率很高,工業(yè)界業(yè)內(nèi)多選擇金或者銀做為鍍層提高波導(dǎo)導(dǎo)電率,一般厚度選擇3μm 或者7μm。理論上鍍層厚度設(shè)計(jì)為一個(gè)趨膚深度,即可保證電磁波在高電導(dǎo)率的鍍層中傳輸,趨膚深度與頻率相關(guān),因此鍍層厚度的選擇應(yīng)該考慮頻率的因素是比較客觀的。根據(jù)工程經(jīng)驗(yàn),一方面電鍍會(huì)對(duì)金屬表面的粗糙度造成影響,鍍層達(dá)到一定厚度時(shí),鍍層厚度會(huì)影響粗糙度,粗糙度實(shí)際上對(duì)電磁損耗影響很大;另一方面,電鍍過程中鍍層的致密度對(duì)電磁損耗也有影響,因此建議選取2~3個(gè)趨膚深度的厚度做為鍍層厚度的參考。

        2 粗糙度對(duì)電磁損耗影響

        衰減系數(shù)是另一種表征電磁波衰減的物理量,衰減系數(shù)一般表示成如下關(guān)系:

        α=αc+αd

        (4)

        ac是導(dǎo)體損耗引入的衰減常數(shù),ad為介質(zhì)損耗引入的衰減常數(shù),一般情況下傳輸系統(tǒng)中填充空氣,損耗可以忽略不計(jì)。衛(wèi)星通信載荷中常用的波導(dǎo)為矩形波導(dǎo),比如V頻段常用的波導(dǎo)一般選取BJ500波導(dǎo)型號(hào),矩形波導(dǎo)中傳輸?shù)闹髂J綖門E10模,該模式的衰減系數(shù)ac可以用公式(5)表示:

        (5)

        上述公式中,μ為磁導(dǎo)率,ε為介電常數(shù),a表示波導(dǎo)長邊,b表示波導(dǎo)短邊,λ表示波導(dǎo)波長,Rs表示表面電阻。公式(5)計(jì)算的損耗是波導(dǎo)表面為光滑的理想狀態(tài),工程中使用的波導(dǎo)系統(tǒng)表面微觀上會(huì)產(chǎn)生間距較小的高低不平的幾何形狀,定義這種微觀幾何形狀特征為表面粗糙度。粗糙度的存在會(huì)干擾表面電流的流動(dòng)方向,形成微觀上的電磁散射或漫射,映射到微波特性上相當(dāng)于金屬導(dǎo)體表面電阻率增加。

        很多學(xué)者嘗試通過數(shù)學(xué)建模來仿真金屬表面粗糙度對(duì)導(dǎo)體損耗的影響,譬如基于方波或三角波的周期函數(shù)模型[5],基于正弦函數(shù)與高斯分布的隨機(jī)概率模型[6,7],基于分形理論的幾何模型[8-11]等等,這些建模方法對(duì)粗糙度的處理相對(duì)簡單,并不能反映導(dǎo)體表面具體微觀形貌對(duì)電磁波的作用。

        顯微鏡觀測(cè)到的導(dǎo)體表面微觀形貌如圖1所示,結(jié)合微觀形貌,建立相對(duì)精確、便于計(jì)算的幾何模型,對(duì)計(jì)算粗糙度引起的電磁損耗非常關(guān)鍵。Huray模型即是結(jié)合顯微鏡的觀測(cè)結(jié)果,將金屬導(dǎo)體的表面微觀形貌描述成具有典型直徑的半球微粒表面,模型如圖2所示。

        圖1 顯微鏡觀測(cè)的導(dǎo)體微觀形貌

        圖2 粗糙度的半球微粒模型

        Huray模型認(rèn)為金屬表面的各種微觀形狀可以等效成具有典型直徑的半球形微粒,通過圖1和圖2的比對(duì)觀察,二者在一定程度上能夠達(dá)到很好的契合性。假設(shè)波導(dǎo)中面積為A的單元表面,N是單位面積內(nèi)的半球總數(shù)量,d是典型半球的半徑,Huray模型表征粗糙度時(shí)導(dǎo)體衰減系數(shù)等效公式為:

        (6)

        定義式中Sr為比例系數(shù),d表示半球直徑。

        對(duì)一段1m長的V頻段BJ500波導(dǎo)進(jìn)行損耗計(jì)算,分別采用理想模型,均方根粗糙度模型和Huray粗糙度模型描述,與實(shí)際測(cè)試的損耗曲線進(jìn)行對(duì)比(見圖3)。從圖中可以看出均方根模型計(jì)算結(jié)果與實(shí)際測(cè)試結(jié)果存在約0.2dB誤差, Huray模型計(jì)算結(jié)果與實(shí)測(cè)結(jié)果誤差在0.05dB范圍內(nèi),由此可見Huray模型表征粗糙度仿真波導(dǎo)損耗時(shí),更加接近于實(shí)際測(cè)試曲線。

        圖3 損耗仿真與實(shí)測(cè)結(jié)果的對(duì)比

        3 低損耗波導(dǎo)設(shè)計(jì)

        從圖3中也可以看出,BJ500波導(dǎo)的理想損耗在47.5~52.5GHz頻率范圍時(shí)約為1dB/m左右,實(shí)際測(cè)試結(jié)果約為1.45dB/m左右,即工程實(shí)際引入的損耗約為0.5dB/m左右。通過公式(5)可以看出,增大波導(dǎo)b邊,可以降低衰減常數(shù)ac,而波導(dǎo)TE10模式的有效帶寬保持不變。增加波導(dǎo)a邊,也可以有效降低衰減常數(shù)ac,但TE10模式有效帶寬會(huì)會(huì)縮短。在Q/V頻段使用的波導(dǎo),可以適當(dāng)增加波導(dǎo)a、b邊,降低傳輸系統(tǒng)的損耗。圖4所示為一段增加了a、b邊的200mm波導(dǎo)損耗仿真結(jié)果,其損耗與BJ500標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)相比降低了約20%。

        圖4 V頻段低損耗波導(dǎo)特性仿真曲線

        4 結(jié)論

        論文基于波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)的經(jīng)典電磁損耗理論基礎(chǔ),對(duì)回波損耗、介質(zhì)損耗、導(dǎo)體損耗等進(jìn)行了簡要探討。同時(shí)結(jié)合工程實(shí)際,對(duì)金屬鍍層的選取經(jīng)驗(yàn)、粗糙度對(duì)電磁損耗的影響與計(jì)算均進(jìn)行了詳盡的分析與論述。通過對(duì)幾種等效計(jì)算方法與數(shù)學(xué)建模方法的對(duì)比,選擇Huray模型仿真粗糙度更加接近工程實(shí)際。同時(shí)基于高通量通信衛(wèi)星的發(fā)展趨勢(shì),在實(shí)際BJ500波導(dǎo)應(yīng)用基礎(chǔ)上,提出了Q/V波段低損耗波導(dǎo)的設(shè)計(jì)方向,為衛(wèi)星載荷系統(tǒng)應(yīng)用Q/V頻段傳輸?shù)於藢?dǎo)波傳輸技術(shù)基礎(chǔ)。文中的方法不僅適合于對(duì)波導(dǎo)系統(tǒng)的電磁損耗仿真計(jì)算,對(duì)微波濾波器、功分器、多工器等無源微波器件也有借鑒意義。

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