近日，廣東省科學院半導體研究所新型顯示團隊開發(fā)出高性能環(huán)境友好型銅銦硒納米材料并成功應用于薄膜電子器件。相關(guān)研究以封面文章的形式發(fā)表于《材料化學》。

作為一種新興的半導體材料，膠體納米晶體因優(yōu)異的光電特性和低成本的制備工藝，在薄膜電子器件中具有廣泛的應用前景。然而迄今為止，由于毒性重金屬元素的存在，大多數(shù)高性能含鎘和鉛的硫族化合物半導體納米材料的應用被嚴重限制。

該研究圍繞新型高性能環(huán)境友好型Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半導體納米材料體系，利用一種簡單高效的液相膠體合成和配體交換方法，制備出了高性能無重金屬元素的銅銦硒納米材料。

研究人員通過將銅銦硒納米晶體的長鏈表面配體替換為金屬—硫化物無機短鏈配體，減少了帶隙內(nèi)陷阱態(tài)產(chǎn)生，避免了材料本征載流子濃度的降低。利用簡單的旋涂和低溫退火工藝將其應用于薄膜場效應晶體管和集成電路，得到了優(yōu)異的電學性能。

該研究為設計及制造低成本、高性能、大面積、環(huán)境友好型納米薄膜電子器件提供了一種新穎的研究策略與方法。

（來源：中國科學報）