一種選擇性檢測(cè)分子的硅基反射干涉?zhèn)鞲衅骷捌渲苽浞椒?/h1>
2021-03-27 18:37:27
傳感器世界 2021年10期
申請(qǐng)?zhí)? 202110491003.X
【公開(kāi)號(hào)】CN113049542A
【公開(kāi)日】2021.06.29
【分類(lèi)號(hào)】G01N21/45
【申請(qǐng)日】2021.05.06
【申請(qǐng)人】蘇州大學(xué)
【發(fā)明人】吳紹龍;王杰;李劉晶;秦琳玲;張程;李孝峰
【摘 要】本發(fā)明公開(kāi)了一種基于反射干涉光譜技術(shù)的硅基光學(xué)傳感器及制備方法，屬光學(xué)傳感技術(shù)領(lǐng)域。沿著復(fù)合光入射方向依次包括有序硅納米線陣列層、無(wú)序多孔硅層、平面硅基底，每根納米線內(nèi)部設(shè)置有隨機(jī)分布的納米孔，無(wú)序多孔硅層處于有序硅納米線陣列層下方，該層設(shè)有呈樹(shù)枝狀隨機(jī)分布的納米孔。用于反射干涉?zhèn)鞲袦y(cè)試時(shí)，小分子可以滲透到無(wú)序多孔硅層，而目標(biāo)小分子和干擾大分子可同時(shí)滲入有序硅納米線陣列層。與雙層無(wú)序多孔硅結(jié)構(gòu)相比，本方案不僅明顯增強(qiáng)了待測(cè)液的流通性和傳感器靈敏度，還降低了響應(yīng)時(shí)間；與單層有序硅納米線陣列結(jié)構(gòu)或單層無(wú)序多孔硅結(jié)構(gòu)相比，具有同時(shí)檢測(cè)目標(biāo)小分子和干擾大分子的優(yōu)勢(shì)。
申請(qǐng)?zhí)? 202110491003.X
【公開(kāi)號(hào)】CN113049542A
【公開(kāi)日】2021.06.29
【分類(lèi)號(hào)】G01N21/45
【申請(qǐng)日】2021.05.06
【申請(qǐng)人】蘇州大學(xué)
【發(fā)明人】吳紹龍;王杰;李劉晶;秦琳玲;張程;李孝峰
【摘 要】本發(fā)明公開(kāi)了一種基于反射干涉光譜技術(shù)的硅基光學(xué)傳感器及制備方法，屬光學(xué)傳感技術(shù)領(lǐng)域。沿著復(fù)合光入射方向依次包括有序硅納米線陣列層、無(wú)序多孔硅層、平面硅基底，每根納米線內(nèi)部設(shè)置有隨機(jī)分布的納米孔，無(wú)序多孔硅層處于有序硅納米線陣列層下方，該層設(shè)有呈樹(shù)枝狀隨機(jī)分布的納米孔。用于反射干涉?zhèn)鞲袦y(cè)試時(shí)，小分子可以滲透到無(wú)序多孔硅層，而目標(biāo)小分子和干擾大分子可同時(shí)滲入有序硅納米線陣列層。與雙層無(wú)序多孔硅結(jié)構(gòu)相比，本方案不僅明顯增強(qiáng)了待測(cè)液的流通性和傳感器靈敏度，還降低了響應(yīng)時(shí)間；與單層有序硅納米線陣列結(jié)構(gòu)或單層無(wú)序多孔硅結(jié)構(gòu)相比，具有同時(shí)檢測(cè)目標(biāo)小分子和干擾大分子的優(yōu)勢(shì)。
