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        對特辛基苯酚在Cu-MOF/MWCNTs 復合材料修飾電極上的電化學行為

        2021-03-24 13:27:06黃小洲黃迪惠
        江漢大學學報(自然科學版) 2021年2期
        關(guān)鍵詞:緩沖溶液伏安電位

        林 謙,黃小洲,黃迪惠

        (1. 福建師范大學福清分校 海洋與生化工程學院,福建 福清 350300;2. 食品軟塑包裝技術(shù)福建省高校工程研究中心,福建 福清 350300)

        對特辛基苯酚(p?(Tert?octyl)phenol,POP)是一種重要的制造表面活性劑、酚醛樹脂、塑料增塑劑、橡膠助劑等化工用品的中間體[1],也是一種酚類環(huán)境雌性激素,被歐盟列為優(yōu)先危害物質(zhì)[2?3]。長期使用含有POP 的制品存在其在生物體內(nèi)積累的隱患,因此,建立一種快速、可靠的POP 檢測方法尤為重要。目前,POP 的分析檢測方法有:高效液相色譜法[4]、液相色譜串聯(lián)質(zhì)譜法[5]、氣相色譜?質(zhì)譜法[6]、膠束電動色譜法[7]等,這些方法具有高準確度、靈敏度等優(yōu)點,但樣品前處理的方式方法較為繁雜,所需儀器設(shè)備價格昂貴,檢測耗時較長。與這些方法相比,電化學分析法具有儀器操作簡便、靈敏度高、成本低等優(yōu)點[8?9]。

        金屬有機框架(metal?organic frameworks,MOF)化合物是由金屬離子或簇與有機配合物構(gòu)成的一種三維框架結(jié)構(gòu)的多孔材料。大部分MOF 材料導電性差,但由于其具有多孔性和較多的催化位點,可將其用于提高導電材料的電催化性能[10]。多壁碳納米管(multi?walled carbon nanotubes,MWCNTs)具有較大的比表面積和較好的靜電堆積性能[11],可作為電化學傳感器的基體材料之一。本文利用MOF 的多孔結(jié)構(gòu)將銅金屬有機框架(Cu?MOF)包裹多壁碳納米管制備出Cu?MOF/MWCNTs 的復合材料,將該復合材料修飾玻碳電極(GCE),研究POP 在修飾電極上的電化學行為。

        1 實驗部分

        1.1 儀器與試劑

        CHI660E 電化學工作站、玻碳電極、飽和甘汞電極、鉑絲電極,均出自上海辰華儀器有限公司。

        多壁碳納米管(MWCNTs)、POP、雙酚A(BPA)、Nafion,均購自阿拉丁試劑公司;N,N?二甲基甲酰胺(DMF)、氯化鎂、碳酸氫鈉、硫酸鉀、氯化銨、無水乙醇、磷酸二氫鈉、磷酸氫二鈉、檸檬酸、氯化鉀、均苯三酸,AR,均購自國藥集團化學試劑有限公司;鐵氰化鉀,購自北京化工廠。

        1.2 Cu-MOF/MWCNTs 復合材料的制備

        羧基化的MWCNTs(MWCNTs?COOH)按照Xing 等[12]的方法合成,將MWCNT 置于濃HNO3中,90 ℃下回流3 h ;將混合物抽濾、洗滌至中性;冷凍干燥制得MWCNTs?COOH 樣品。

        Cu?MOF 采用溶劑熱制備法[13],稱取58.33 mg Cu(NO3)2·3H2O,加入8 mL N,N?二甲基甲酰胺;再稱取28.00 mg 均苯三酸,加入8 mL 乙醇;將兩種液體混合均勻后,放入25 mL 高壓反應(yīng)釜中,120 ℃加熱12 h。

        將MWCNTs?COOH 與Cu?MOF 按一定的質(zhì)量體積比配置于超聲清洗器中超聲混合,即為Cu?MOF/MWCNTs 復合材料。

        1.3 Cu-MOF/MWCNTs 復合材料修飾電極的制備

        在電極修飾前,玻碳電極依次用0.3 和0.05 μm 粒徑的Al2O3粉末漿打磨拋光處理,再用超純水清洗,晾干后將處理好的電極放置于5 mmol/L 的鐵氰化鉀溶液中,用循環(huán)伏安法(CV)掃描檢測至合格峰電位以內(nèi),得到預處理的玻碳電極。移取8 μL Cu?MOF/MWCNTs 復合材料懸浮液均勻地滴涂于處理好的玻碳電極上,55 ℃的烘箱中烘至干燥,制成Cu?MOF/MWCNTs/GCE。

        1.4 POP 樣品的制備

        從超市售賣的聚苯乙烯塑料餐盒隨機采樣,制備POP 的樣品溶液。操作方法:先將餐盒粉碎后混合均勻,用超純水清洗,室溫烘干;取樣品1 g 置于帶塞錐形瓶中,加入20 mL 的甲醇,超聲2 h;超聲結(jié)束后加入20 mL 的超純水,移至70 ℃的恒溫水浴鍋中加熱12 h,經(jīng)微孔濾膜過濾,收集濾液。

        1.5 電化學性能測試

        采用CV 測試三電極體系(工作電極:玻碳電極;參比電極:甘汞電極;輔助電極:鉑絲電極)中的峰電流和峰電位。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 不同修飾電極的電化學行為

        采用不同修飾電極分別測試5 mmol/L K3[Fe(CN)6]的0.1 mol/L KCl 溶液中的循環(huán)伏安曲線,結(jié)果如圖1 所示。由圖1 可知,MWCNTs/GCE、Cu?MOF/MWCNTs/GCE 的氧化峰電流明顯大于GCE,相同實驗條件下Cu?MOF/MWCNTs/GCE 的氧化峰電流最大。對于可逆的電極反應(yīng),單掃描極譜的擴散電流方程為

        式中,Ip表示峰電流值,n表示電子轉(zhuǎn)移數(shù),D表示擴散系數(shù),v表示掃描速率,c表示K3[Fe(CN)6]溶液濃度,A表示電極有效表面積。通過計算得到GCE 的有效面積為0.005 2 cm2,MWCNTs/GCE 的有效面積為0.008 5 cm2,Cu?MOF/MWCNTs/GCE 的有效面積為0.010 6 cm2。結(jié)果表明,Cu?MOF/MWCNTs/GCE 修飾電極活性面積最大,說明Cu?MOF/MWCNTs 復合材料催化性能較好。

        圖1 不同修飾電極對K3[Fe(CN)6]溶液的循環(huán)伏安曲線Fig.1 Cyclic voltammograms of different modified electrodes in K3[Fe(CN)6] solution

        2.2 POP 在不同修飾電極上的電化學行為

        考察1.0 × 10?5mol/L POP 的PBS 溶液(pH = 7.0)中選用GCE、MWCNTs/GCE、Cu?MOF/MWCNTs/GCE 電極測試的循環(huán)伏安響應(yīng),結(jié)果見圖2。由圖2 可得,POP 在3 種電極上的響應(yīng)是不可逆的氧化?還原反應(yīng)過程,分別對應(yīng)在0.537、0.528、0.524 V 出現(xiàn)一個氧化峰,其氧化電位依次降低,說明Cu?MOF/MWCNTs 復合材料能夠有效降低POP 的氧化電位;其氧化峰電流分別為ΔIa=?2.347 × 10?6A、ΔIb=?9.395 × 10?6A、ΔIc=?2.546× 10?5A,POP 氧化峰電流依次增強,說明3 種電極中Cu?MOF/MWCNTs 復合材料的導電性和電催化性能最好。

        圖2 不同修飾電極在1×10-5 mol/L POP 溶液中的循環(huán)伏安曲線Fig.2 Cyclic voltammograms of different modified electrodes in 1×10-5 mol/L POP solution

        2.3 實驗條件的優(yōu)化

        2.3.1 涂布層次的確定以8 μL Cu?MOF/MWCNTs 復合材料滴涂并烘干為一層,探究了1 ~6層的涂布層次對1.0 × 10?5mol/L POP 的PBS 溶液(pH = 7.0)的影響。由圖3 可知,隨著涂布層次的增加,峰電流不斷增大,涂布至第三層時,增長速率達到最大;第四層時,峰電流增長趨于平緩;第五層、六層時,相較于第四層峰電流有所下降,可能是因為當涂布層次不斷增加以后,過多過厚的Cu?MOF/MWCNTs 復合材料會阻礙電子的傳遞,另外一個原因是Cu?MOF/MW?CNTs 復合材料的層數(shù)過多時,會導致少量的Cu?MOF/MWCNTs 復合材料從電極表面脫落,使得電極穩(wěn)定性變差。因此,本實驗選用三層修飾物作為涂布層次的最佳層數(shù)。

        圖3 涂布層次對POP 氧化峰電流的影響Fig.3 Dependence of oxidation peak current for POP on the number of layers of Cu-MOF/MWCNTs composite

        2.3.2 pH 值的影響考察不同的緩沖溶液對修飾電極的影響,分別使用pH = 7.0 的磷酸緩沖溶液、磷酸?檸檬酸緩沖溶液、Britton?Robinson 緩沖溶液對POP 進行循環(huán)伏安法測定。測定結(jié)果表明:當磷酸緩沖溶液作為支持電解質(zhì)時,氧化峰電流值最大,峰形較好,因此采用磷酸緩沖溶液作為本實驗的支持電解質(zhì)。

        在0.1 V/s 的掃描速率下,考察了1 × 10?5mol/L 的POP 在pH 值為5.5 ~8.5 的PBS 溶液中的循環(huán)伏安響應(yīng),結(jié)果見圖4。由圖4(a)可得:pH <7.0 時,POP 的氧化峰電流值隨著pH 值的增加而增大;pH = 7.0 時,峰電流達到最大值;pH >7.0 時,峰電流開始下降。因此,選擇pH = 7.0 為本實驗的最優(yōu)pH 值。

        由圖4(b)可知,氧化峰電位與pH 值具有良好的線性關(guān)系,其線性方程為:Ep= 0.898 7?0.052 29pH(R2= 0.994 8)。POP 在Cu?MOF/MWCNTs/GCE 上的氧化過程有質(zhì)子參與。對于有質(zhì)子參與的反應(yīng),由Nernst 方程:Ep=K?0.059(m/n)pH 計算出m/n約等于1(式中,m表示參與反應(yīng)的質(zhì)子數(shù),n表示參與反應(yīng)的電子數(shù),K表示Ep隨pH 變化直線的斜率)。實驗結(jié)果表明,POP 在Cu?MOF/MWCNTs/GCE 電極上是一個等電子等質(zhì)子轉(zhuǎn)移的過程。

        圖4 氧化峰電流(a)及氧化峰電位(b)與pH 值的關(guān)系Fig.4 The relationship between different pH values with oxidation peak current (a) andoxidation peak potential (b)

        2.3.3 掃描速率的影響在Cu?MOF/MWCNTs/GCE 上,用循環(huán)伏安法考察了不同掃描速率對1 × 10?5mol/L POP 電化學行為的影響,結(jié)果見圖5。由圖5(a)可知,在0.02 ~0.20 V/s 的掃描速率區(qū)間內(nèi),隨著掃描速率的增加,POP 的氧化峰電流也不斷增大,且掃描速率與峰電流之間有良好的線性關(guān)系,其線性方程為:ΔI= 4.353 15 + 0.165 88v(R2= 0.990 4),該方程說明了POP 在Cu?MOF/MWCNTs/GCE 上是一個吸附控制的電極過程。由圖5(b)可知,隨著掃描速率的增大,POP 的氧化峰電位也增加,且其氧化峰電位與掃描速率對數(shù)之間有著線性關(guān)系,其線性方程為:Ep= 0.596 26 + 0.027 45lnv(R2= 0.997 3)。

        對于完全不可逆的吸附控制過程,由Laviron 方程[14]:Epa=E0+(RT/αnF)ln(RTk/αnF)+(RT/αnF)lnv計算得出電子轉(zhuǎn)移數(shù)n約為2(式中,E0表示標準電位,n表示參與反應(yīng)電子的轉(zhuǎn)移數(shù)量,α表示電子轉(zhuǎn)移系數(shù)(α= 0.5),k表示標準電子轉(zhuǎn)移速率常數(shù),R表示氣體常數(shù),T表示溫度,F(xiàn)表示法拉第常數(shù))。結(jié)合2.3.2 的結(jié)果,參與反應(yīng)的質(zhì)子數(shù)為2。綜上所述,POP 在Cu?MOF/MWCNTs/GCE 電極上的氧化過程是一個二電子二質(zhì)子轉(zhuǎn)移的過程。符合文獻中關(guān)于酚類物質(zhì)氧化過程的分析[15?16]。

        圖5 氧化峰電流(a)及氧化峰電位(b)與掃描速率的關(guān)系Fig.5 The relationship between different scan rates with oxidation peak current (a) and oxidation peak potential (b)

        2.3.4 累積電位和累積時間的影響因為POP 在Cu?MOF/MWCNTs/GCE 電極上是一個吸附控制的過程,因此,可以通過調(diào)整累積時間和累積電位來進一步提高POP 的檢測靈敏度。由圖6(a)可知,累積電位在0 ~0.5 V 區(qū)間內(nèi),累積電位<0.3 V 時,POP 氧化峰電流隨著累積電位的增加而增大;累積電位= 0.3 V 時,氧化峰電流的值達到了最大;累積電位>0.3 V 時,氧化峰電流隨累積電位增加而減小,所以最佳的累積電位為0.3 V。

        累積電位設(shè)定為0.3 V,探究0 ~200 s 范圍內(nèi)POP 的氧化峰電流變化。如圖6(b)所示,累積時間0 ~100 s 時,POP 的氧化峰電流有明顯的增加;累積時間大于100 s 時,氧化峰電流基本保持不變,表明POP 在Cu?MOF/MWCNTs/GCE 上的累積已經(jīng)達到了飽和。因此,采用累積時間為100 s 為最佳的累積時間參數(shù)。

        圖6 累積電位(a)及累積時間(b)與氧化峰電流的關(guān)系Fig.6 Dependence of oxidation peak current on deposition potential (a) and deposition time (b)

        2.4 線性范圍及檢出限

        在涂布層次為三層、pH 為7.0、掃描速率為0.1 V/s、累積電位為0.3 V、累積時間為100 s 的最優(yōu)條件下,采用循環(huán)伏安法測定了POP 體系的工作曲線,結(jié)果見圖7,a→i 分別是濃度為1、3、5、7、10、20、30、40、50 μmol/L POP 對應(yīng)的氧化峰電流強度。氧化峰電流與濃度呈線性關(guān)系,其線性方程為:ΔI= ?7.965 82 ?0.898 21C(R2= 0.997 1)。方法檢出限(S/N= 3)為9.51 ×10?7mol/L。

        圖7 氧化峰電流與POP 濃度的關(guān)系Fig.7 The relationship between the oxidation peak current and the concentration of POP

        2.5 重現(xiàn)性和穩(wěn)定性

        平行制備8 組Cu?MOF/MWCNTs/GCE 修飾電極分別檢測1 × 10?5mol/L 的POP,實驗測得的氧化峰電流基本保持穩(wěn)定,且相對標準偏差(relative standard deviation,RSD)為3.19%,表明Cu?MOF/MWCNTs/GCE 對POP 測定體系的重現(xiàn)性良好。

        將平行制備好的Cu?MOF/MWCNTs/GCE 修飾電極分別放置干燥密閉處1、12、24、36、48、60、72 h 后,分別取出用于檢測1 × 10?5mol/L POP 峰電流,RSD為2.56%,表明了Cu?MOF/MWCNTs/GCE 具有較好的穩(wěn)定性。

        2.6 抗干擾性

        選擇一些常見的干擾物質(zhì)進行抗干擾性測試,結(jié)果如表1 所示。當RSD<±5%時,2 000 倍濃度的Na+、HCO3?離子及1 000 倍濃度K+、SO42?、Mg2+、Cl?、NH4+離子共存時對1 × 10?5mol/L POP 的測定幾乎沒有影響。加入相似物進行抗干擾性測定時,2 倍濃度的雙酚A 共存時對1 ×10?5mol/L POP 的測定沒有影響,當進一步加大雙酚A 的濃度時,對測定結(jié)果影響較大,主要原因與雙酚A 具有類似的酚羥基結(jié)構(gòu)有關(guān)。

        表1 共存干擾物質(zhì)對1×10-5 mol/L POP 的最高容許濃度Tab.1 The maximum tolerable concentration of coexisting substances for 1×10-5 mol/L POP

        2.7 實際樣品檢測

        采用該分析方法測定實際樣品聚苯乙烯餐盒中POP 含量的回收率,結(jié)果如表2 所示。POP加標平均回收率為98.9% ~100.4%,測定值的相對標準偏差(n= 6)為3.02% ~4.00%。

        表2 樣品中POP 的檢測Tab.2 Determination of POP in samples

        3 結(jié)語

        Cu?MOF/MWCNTs 復合材料容易制備,Cu?MOF/MWCNTs/GCE 與GCE、MWCNTs/GCE 相比,對POP 有明顯的電催化活性。在涂布層次為三層、pH 為7.0、掃描速率為0.1 V/s、累積電位為0.3 V、累積時間為100 s 的最優(yōu)實驗條件下,1 ~50 μmol/L POP 的濃度范圍內(nèi),其峰電流與濃度呈現(xiàn)良好的線性關(guān)系,ΔI= ?7.965 82 ?0.898 21C(R2= 0.997 1),獲得最低檢出限為9.51 × 10?7mol/L。Cu?MOF/MWCNTs 修飾電極具有穩(wěn)定性好、重復性好、抗干擾性優(yōu)的特點,用這種分析方法檢測聚苯乙烯塑料餐盒中的POP,加標平均回收率為98.9% ~100.4%,測定值的相對標準偏差(n= 6)為3.02% ~4.00%,對POP 檢測技術(shù)的研究具有重要意義。

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