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        基于雙面陣探頭的厚壁奧氏體不銹鋼對(duì)接焊縫的相控陣超聲檢測(cè)

        2021-03-01 00:41:10張子健柴軍輝沈建民吳家喜
        無(wú)損檢測(cè) 2021年2期
        關(guān)鍵詞:厚壁晶片相控陣

        張子健,許 波,柴軍輝,,沈建民,吳家喜,胡 健

        (1.寧波市勞動(dòng)安全技術(shù)服務(wù)有限公司,寧波 315048;2.寧波市特種設(shè)備檢驗(yàn)研究院,寧波 315048)

        加氫裂化裝置中的反應(yīng)器是石油煉化企業(yè)的核心設(shè)備之一,其進(jìn)出口壓力管道的材料通常為奧氏體不銹鋼,厚度通常為4060 mm。針對(duì)這一類(lèi)規(guī)格的管道,標(biāo)準(zhǔn)NB/T 47013.3-2015給出了相應(yīng)的檢測(cè)方法,探頭一般采用雙晶縱波斜探頭、聚焦縱波斜探頭或窄脈沖縱波單晶斜探頭,頻率一般選取為1 MHz~5 MHz,探頭角度為45°。這種常規(guī)的超聲檢測(cè)方法在實(shí)際應(yīng)用時(shí)存在一定的局限性,例如信噪比低,缺陷識(shí)別率低、定量定位不準(zhǔn)確等[1]。此外,對(duì)厚壁結(jié)構(gòu)還需進(jìn)行分層掃查,不僅檢測(cè)效率低,且為了提高信噪比需要降低檢測(cè)頻率,進(jìn)而導(dǎo)致分辨力下降。筆者采用基于DMA(雙面陣)探頭的相控陣超聲檢測(cè)方法,通過(guò)對(duì)比試塊和模擬試塊進(jìn)行檢測(cè)驗(yàn)證,證明了基于DMA探頭的相控陣超聲檢測(cè)方法在奧氏體不銹鋼厚壁對(duì)接焊縫檢測(cè)中具有較高的可行性,可為這一類(lèi)厚壁承壓設(shè)備的無(wú)損檢測(cè)提供有力的技術(shù)支撐,為后續(xù)缺陷的定量定級(jí)提供有力的保障。

        1 厚壁奧氏體不銹鋼對(duì)接焊縫的檢測(cè)難點(diǎn)

        奧氏體不銹鋼對(duì)接焊縫的組織結(jié)構(gòu)與普通碳鋼的具有明顯差別,其焊縫在凝固過(guò)程中不產(chǎn)生相變,冷卻至常溫后仍為奧氏體組織。奧氏體不銹鋼焊縫具有熱膨脹系數(shù)小、散熱效果差、晶粒易長(zhǎng)大等特點(diǎn),這些特點(diǎn)決定了其具有粗大的柱狀晶組織[2]。此外,對(duì)厚壁結(jié)構(gòu)采用多層多道的焊接工藝時(shí),會(huì)產(chǎn)生晶界的不連續(xù),其次奧氏體不銹鋼晶粒具有彈性各向異性的特點(diǎn),厚壁結(jié)構(gòu)會(huì)加強(qiáng)彈性各向異性的特征,使得超聲波在傳播過(guò)程中產(chǎn)生嚴(yán)重散射、波型轉(zhuǎn)換、衰減增大、波束偏移等現(xiàn)象,使常規(guī)超聲檢測(cè)在奧氏體不銹鋼厚壁結(jié)構(gòu)中的應(yīng)用存在較大困難。射線檢測(cè)對(duì)危害性較大的裂紋、未熔合等面積型缺陷不敏感,且隨著壁厚的增加,透照厚度過(guò)大,會(huì)增大缺陷的漏檢率,給設(shè)備的安全運(yùn)行帶來(lái)隱患[3-4]。

        針對(duì)粗晶材料的相控陣超聲檢測(cè),TRL(雙晶縱波)相控陣檢測(cè)技術(shù)具有一定的優(yōu)勢(shì),已廣泛地應(yīng)用于核電工業(yè)領(lǐng)域。其中DMA探頭是屬于TRL系列中的二維矩陣相控陣探頭,其將兩個(gè)低頻探頭安裝在用隔聲層隔開(kāi)的檢測(cè)楔塊上,可避免楔塊之間產(chǎn)生聲場(chǎng)串?dāng)_,大幅改善聲束的穿透能力和信噪比,該探頭的主要特點(diǎn)有:采用低頻縱波、一發(fā)一收模式;覆蓋范圍大、成像效果好、信噪比高[5]。

        2 對(duì)比試塊驗(yàn)證

        2.1 檢測(cè)對(duì)象

        檢測(cè)對(duì)象為NB/T 47013.3-2015附錄I中的3號(hào)對(duì)比試塊,該試塊材料為奧氏體不銹鋼,厚度為80 mm,設(shè)置有2組長(zhǎng)橫孔缺陷,分別為焊縫中心橫孔和熔合區(qū)橫孔,共8個(gè),試塊尺寸如圖1所示。

        2.2 檢測(cè)工藝

        采用以色列ISONIC 2009型相控陣檢測(cè)儀器,探頭為Sonotron NDT 2003098型雙面陣相控陣縱波探頭,該探頭的主要參數(shù)有:檢測(cè)頻率為2.0 MHz;折射中心角度為55°;晶片數(shù)量為4×8×2 個(gè),單個(gè)晶片尺寸為3.8 mm×4 mm(長(zhǎng)×寬),探頭結(jié)構(gòu)如圖2所示。

        圖1 奧氏體不銹鋼試塊尺寸示意

        圖2 DMA探頭結(jié)構(gòu)示意

        掃查方式為沿線掃查與扇形掃查結(jié)合;記錄模式為編碼器模式,編碼器步進(jìn)為0.5 mm;扇掃范圍為28°~86°,角度步進(jìn)為1°;聚焦深度為60 mm;聲速為5 790 m·s-1;評(píng)定線靈敏度為φ2 mm×40 mm(直徑×長(zhǎng)度,下同)-8 dB,掃查靈敏度為φ2 mm×40 mm-14 dB;檢測(cè)面為單面雙側(cè),掃查速度不大于30 mm·s-1,耦合補(bǔ)償為3 dB。

        2.3 結(jié)果分析

        采用上述檢測(cè)工藝分別進(jìn)行B掃、C掃和三維成像(見(jiàn)圖3),并對(duì)成像結(jié)果進(jìn)行分析。缺陷參數(shù)的測(cè)量結(jié)果與實(shí)際值如表1所示。

        表1 缺陷參數(shù)的測(cè)量結(jié)果與實(shí)際值 mm

        圖3 B掃、C掃和三維成像結(jié)果(對(duì)比試塊)

        從圖3可以看出,采用DMA縱波探頭檢測(cè)的圖像具有較高的信噪比,缺陷信號(hào)清晰可見(jiàn),雜波信號(hào)較少,值得注意的是,由于扇掃角度為28°~86°,且采用單面雙側(cè)的掃查工藝,所以上表面存在一定的盲區(qū),焊縫中心1#和熔合線1#缺陷的測(cè)量不準(zhǔn)確,需要采用雙面雙側(cè)掃查進(jìn)行全覆蓋檢測(cè)?;谙嗫仃嚨纳葤邫z測(cè)原理,預(yù)埋深度越大的缺陷,檢測(cè)結(jié)果的深度誤差會(huì)越大,但對(duì)缺陷長(zhǎng)度測(cè)量的影響不大。

        3 模擬試塊驗(yàn)證

        3.1 檢測(cè)對(duì)象

        檢測(cè)對(duì)象為40 mm厚奧氏體不銹鋼對(duì)接焊縫模擬試塊,尺寸為400 mm×300 mm×40 mm(長(zhǎng)×寬×高),焊縫坡口為X型,焊接方法為氬弧焊+手工電弧焊,預(yù)制有夾渣、未熔合、縱向裂紋等缺陷。

        3.2 檢測(cè)參數(shù)

        分別采用上述DMA探頭和常規(guī)16晶片線陣探頭進(jìn)行掃查。16晶片線陣探頭頻率為4 MHz;晶片尺寸為10 mm×0.4 mm(長(zhǎng)×寬); 檢測(cè)模式為橫波自發(fā)自收;折射中心角度為36°;扇掃范圍為36°~75°。

        3.3 結(jié)果分析

        3.3.1 DMA探頭檢測(cè)結(jié)果

        掃查面為雙面雙側(cè),采用拉線式編碼器進(jìn)行記錄,對(duì)缺陷的長(zhǎng)度、深度和高度進(jìn)行測(cè)量,并與射線檢測(cè)(RT)的結(jié)果進(jìn)行比對(duì)分析,驗(yàn)證DMA縱波探頭檢測(cè)結(jié)果的可靠性。DMA探頭與射線檢測(cè)對(duì)缺陷參數(shù)的測(cè)量結(jié)果如表2所示(表中長(zhǎng)度與缺陷埋深為DMA探頭的測(cè)量結(jié)果)。DMA檢測(cè)模擬試塊不同缺陷的成像結(jié)果如圖4所示。

        從圖4可以看出,采用DMA相控陣探頭檢測(cè)得到的圖譜具有高信噪比,除了缺陷成像外,沒(méi)有其

        表2 DMA探頭與射線檢測(cè)對(duì)缺陷參數(shù)的

        圖4 DMA檢測(cè)模擬試塊不同缺陷的成像結(jié)果

        他奧氏體晶粒的雜波信號(hào),3個(gè)缺陷清晰可見(jiàn),不會(huì)出現(xiàn)漏檢或誤判的情況,對(duì)現(xiàn)場(chǎng)奧氏體不銹鋼厚壁承壓設(shè)備的檢測(cè)具有較高的可行性。從表2可以看出,采用DMA相控陣探頭檢測(cè)得到的缺陷長(zhǎng)度具有較高的準(zhǔn)確性,與射線檢測(cè)結(jié)果較一致,對(duì)于深度與高度的測(cè)量,由于具有較高信噪比,所以測(cè)量結(jié)果也較為準(zhǔn)確,可為后續(xù)的缺陷評(píng)價(jià)提供數(shù)據(jù)支撐,具有較高的可靠性。

        3.3.2 16晶片線陣探頭檢測(cè)結(jié)果

        16晶片線陣探頭檢測(cè)模擬試塊不同缺陷的成像結(jié)果如5所示,其與射線檢測(cè)對(duì)缺陷參數(shù)的測(cè)量結(jié)果如表3所示(其中長(zhǎng)度與缺陷埋深為16晶片線陣探頭的測(cè)量結(jié)果)。

        圖5 16晶片線陣探頭檢測(cè)模擬試塊不同缺陷的成像結(jié)果

        表3 16晶片線陣探頭與射線檢測(cè)對(duì)缺陷參數(shù)的測(cè)量結(jié)果 mm

        從圖5和表3可以看出,16晶片線陣探頭檢測(cè)厚壁奧氏體不銹鋼對(duì)接焊縫得到的圖像信噪比較低,雜波較多,且存在危害性缺陷(未熔合)漏檢的情況,與雙面陣探頭相比具有明顯的差距,且在缺陷定量方面,精確度也沒(méi)有雙面陣探頭的高。

        4 結(jié)語(yǔ)

        針對(duì)常規(guī)超聲和射線檢測(cè)對(duì)厚壁奧氏體不銹鋼承壓設(shè)備對(duì)接焊縫檢測(cè)存在的難點(diǎn),采用基于DMA探頭的相控陣超聲檢測(cè)技術(shù),分別對(duì)80 mm厚奧氏體不銹鋼對(duì)比試塊和40 mm厚模擬試塊進(jìn)行了檢測(cè),結(jié)果表明,基于DMA探頭的相控陣超聲檢測(cè)技術(shù)可獲得較高信噪比的圖像和較低的缺陷檢出率,能在一定程度上解決厚壁奧氏體不銹鋼對(duì)接焊縫檢測(cè)的難題,具有較高的工程應(yīng)用價(jià)值。

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