艾俊迪 余 超 董 博 丁 軍 祝洪喜 鄧承繼 張春曉
1)武漢科技大學(xué) 省部共建耐火材料與冶金國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 湖北武漢430081
2)軍事科學(xué)院國防工程研究院工程防護(hù)研究所 河南洛陽471023
碳化硅材料被廣泛應(yīng)用于蜂窩陶瓷、半導(dǎo)體、熱交換器、壓敏電阻和大規(guī)模集成電路底板等領(lǐng)域[1-4],制備方法主要有無壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、化學(xué)氣相沉積和反應(yīng)燒結(jié)等[5-7]。其中,反應(yīng)燒結(jié)碳化硅具有合成溫度低、反應(yīng)時(shí)間短、近終尺寸成型等優(yōu)點(diǎn)[5,8-9]。但是,反應(yīng)燒結(jié)碳化硅材料中會(huì)殘余一定量的游離硅,影響材料的高溫使用性能。
現(xiàn)有技術(shù)主要采用優(yōu)化合成工藝[10-11]或添加燒結(jié)助劑[12-14]來解決該問題。Mizrahi等[12]在反應(yīng)燒結(jié)碳化硅中加入B4C和Fe,高溫下B4C和Fe形成液相促進(jìn)材料燒結(jié),同時(shí)與游離硅反應(yīng)生成B12(C,Si,B)3和FeSi2降低殘留硅含量。Jung等[13]在反應(yīng)燒結(jié)碳化硅中引入TiC,使部分游離硅轉(zhuǎn)化為熔點(diǎn)更高的TiSi2。葉飛等[14]研究Fe2O3對(duì)反應(yīng)燒結(jié)Si3N4/SiC的影響時(shí)發(fā)現(xiàn),F(xiàn)e2O3與游離硅反應(yīng)生成化學(xué)穩(wěn)定性更高的Fe3Si,顯著提高材料的密度和強(qiáng)度。
金屬Al是耐火材料中常見添加劑之一。本工作中,在制備反應(yīng)燒結(jié)碳化硅材料的配料中引入Al粉,通過XRD、SEM、TEM和HR-TEM等手段研究引入Al粉對(duì)反應(yīng)燒結(jié)碳化硅材料性能、物相組成和顯微結(jié)構(gòu)的影響。
試驗(yàn)原料有:粒度3~1 mm 的碳化硅顆粒,w(SiC)≥98%;粒度1~0.088 mm的碳化硅顆粒,w(SiC)≥98%;粒度≤0.088 mm 的 碳化硅粉,w(SiC)≥99%;工業(yè)炭黑,d50=0.015 mm,w(C)≥99%;粒度0.074~0.15 mm 的Al粉,w(Al)≥99.9%;固含量40%(w)的熱固性酚醛樹脂;粒度≤4 mm的單質(zhì)硅顆粒;純度99.7%(w)的無水乙醇。
將無水乙醇和酚醛樹脂按1∶1的質(zhì)量比配制成結(jié)合劑。按表1所示的配比配料,依次將骨料、結(jié)合劑、細(xì)粉加入攪拌機(jī)中進(jìn)行攪拌。攪拌均勻后,以20 MPa壓力制成φ20 mm×20 mm的素坯,經(jīng)180℃保溫24 h固化,再在氮?dú)獗Wo(hù)氣氛中以2℃·min-1升溫速率升溫至800℃保溫2 h炭化。
表1 試樣配比
將素坯置于φ180 mm×100 mm的石墨坩堝中,用3倍于素坯質(zhì)量的單質(zhì)硅顆粒將素坯整體掩埋,置于真空燒結(jié)爐中,在殘余壓力小于1 kPa的真空度下,先以5℃·min-1升溫速率升溫至1 500℃保溫2 h,再以5℃·min-1升溫速率分別升溫至1 550、1 600、1 650和1 700℃保溫2 h,最后隨爐冷卻至室溫。
按GB/T 5988—2007檢測試樣的燒后線變化率;采用X’Pert MPD PRO型X射線衍射儀分析試樣的物相,并采用HighScore Plus軟件進(jìn)行半定量分析;采用Phoenixv/tome/xs型CT對(duì)試樣進(jìn)行斷層掃描;采用Nova 400 Nano型掃描電子顯微鏡和JEM-2100UHR型透射電子顯微鏡觀察試樣的顯微結(jié)構(gòu)。
不同溫度燒成后試樣RS和RSA的XRD圖譜見圖1。由圖1可知:不同溫度燒成后試樣RS和RSA的主要物相均為α-SiC、β-SiC、單質(zhì)Si和少量由殘留炭黑轉(zhuǎn)化來的石墨。由半定量分析結(jié)果(見表2)可知,1 650℃燒成后試樣RS中游離Si含量最低,1 600℃燒成后試樣RSA中游離Si含量最低。
圖1 不同溫度燒成后試樣的XRD圖譜
表2 不同溫度燒成試樣的XRD半定量分析結(jié)果
不同溫度燒成后試樣RS斷口的SEM 照片見圖2。可以看出:經(jīng)1 600℃燒成后試樣中基質(zhì)(淺色區(qū)域)占比較大,碳化硅骨料與基質(zhì)結(jié)合緊密;1 650℃燒成后試樣中基質(zhì)占比最小,碳化硅骨料與基質(zhì)結(jié)合更加緊密。1 700℃燒成后試樣中,碳化硅骨料與基質(zhì)的結(jié)合程度變差。結(jié)合XRD半定量分析認(rèn)為,是殘余Si含量的變化導(dǎo)致其基質(zhì)占比的變化。
圖2 不同溫度燒成試樣RS的SEM照片
不同溫度燒成后試樣RSA斷口的SEM照片見圖3,圖中各微區(qū)的EDS分析結(jié)果見表3。從圖3可知:1 600℃燒成后試樣中基質(zhì)(淺色區(qū)域)占比較小,結(jié)構(gòu)較致密。1 650℃和1 700℃燒成后試樣中基質(zhì)占比明顯增大,結(jié)構(gòu)變得較疏松。從表3可知:試樣中存在含Si、C、Al的新物相,推測其為Al4SiC4[15]。
將1 650℃燒成后試樣從中部切開,并對(duì)切面進(jìn)行拋光處理,再使用質(zhì)量比為7∶1的氫氟酸-鹽酸溶液對(duì)切面進(jìn)行酸洗,酸洗后試樣的SEM照片見圖4??梢钥闯觯涸嚇覴SA的孔隙比試樣RS的少而小。分析認(rèn)為:試樣RSA中引入的Al粉具有較大的可塑性,在壓制成型試樣坯體時(shí)Al粉容易變形,有利于提高坯體的成型致密度;在同樣條件下固化、炭化后,其致密度必然比試樣RS的高。燒成過程中,液態(tài)Si從試樣表面沿孔隙往里滲入,與C接觸后反應(yīng)生成β-SiC,多余的Si則殘留在燒成試樣中。由于殘余Si所占空間是試樣原始?xì)饪椎囊徊糠?,因此酸洗后試樣RSA中的孔隙比試樣RS中的少而小。
圖3 不同溫度燒成后試樣RSA的SEM照片
表3 圖3中各微區(qū)的EDS分析結(jié)果
圖4 1 650℃燒成并經(jīng)酸洗后試樣RS和RSA的SEM照片
為了進(jìn)一步研究反應(yīng)生成的第二相,將1 700℃燒成后試樣RSA研磨成粉末,在無水乙醇中超聲分散后,滴加到覆蓋有多孔碳膜的銅網(wǎng)上進(jìn)行TEM觀察和EDS分析,結(jié)果見圖5。
圖5 1 700℃燒成后試樣RSA的TEM照片和HR-TEM照片
圖5(a)顯示,碳化硅晶粒與含鋁的第二相晶粒結(jié)合緊密。圖5(b)顯示,含鋁物相晶粒對(duì)應(yīng)的晶面間距為0.338 nm;結(jié)合其Al、Si和C的EDS數(shù)據(jù),進(jìn)一步驗(yàn)證試樣RSA中原位生成了Al4SiC4。
不同溫度燒成后試樣RS和RSA的線變化率見圖6。1 550℃燒成后,試樣RS與RSA均發(fā)生膨脹,線膨脹率均接近2%。1 600℃燒成后,試樣RS與RSA的線變化率均減小,分別呈現(xiàn)約0.5%的線膨脹和約0.5%的線收縮。1 650℃燒成后,試樣RS的線變化率繼續(xù)減小,呈現(xiàn)約2%的線收縮;而試樣RSA的線變化率直至1 700℃仍基本上保持不變。1 700℃燒成后,試樣RS的線變化率大幅增大,呈現(xiàn)約4.4%的線膨脹??傮w來說,試樣RSA的線變化率比試樣RS的小,隨燒成溫度的變化也比試樣RS的小。隨著燒成溫度的升高,試樣的燒結(jié)程度逐漸增加,線變化率減小;當(dāng)燒成溫度過高時(shí),由于晶粒過度生長,試樣的線變化增大。但Al的引入抑制了碳化硅晶粒的過度生長,試樣RSA的線變化率并未隨著燒成溫度的提高而發(fā)生明顯變化。
圖6 不同溫度燒成試樣RS和RSA的線變化率
材料的氣孔缺陷是一種典型的常見缺陷,CT技術(shù)是一種有效的無損檢測手段,為材料內(nèi)部氣孔的檢測和顯示提供了有效途徑[15]。采用CT對(duì)1 650℃燒成后試樣RSA的三個(gè)互相垂直的斷層進(jìn)行掃描,結(jié)果見圖7,標(biāo)尺的灰度代表材料中孔隙(孔體積)大小,灰度越大表示孔隙(孔體積)越大。從圖7(a)中看出,孔隙分布較為均勻;從圖7(b)和(c)中看出,中心部位的孔隙較多且較大。單質(zhì)Al具有較大可塑性,可增大試樣坯體的成型致密度,減小氣孔孔徑,從而增大單質(zhì)Si向試樣內(nèi)部滲入的阻力,導(dǎo)致試樣中心部位的孔隙較多且較大。
圖7 1 650℃燒成試樣RSA的CT掃描照片
(1)未添加和添加4%(w)Al粉的試樣經(jīng)1 550~1 700℃燒成后,它們的主要物相均為α-SiC、β-SiC和游離Si。
(2)添加4%(w)Al粉試樣的燒后線變化率更小,經(jīng)1 600℃燒后殘余Si量最低,SiC含量最高,綜合性能最優(yōu)。
(3)添加4%(w)Al粉試樣的成型致密度更高,在反應(yīng)燒結(jié)過程中液態(tài)Si滲入量更少,最終殘余量也更少,試樣的高溫強(qiáng)度更高;經(jīng)1 700℃燒成后生成了Al4SiC4,增強(qiáng)了物料顆粒之間的結(jié)合。