陳杭 駱奕揚(yáng)

中芯國際的發(fā)展歷程可分為四個(gè)階段，分別是從創(chuàng)立到上市（2000-2004年）、走向盈利（2004-2012年）、開拓創(chuàng)新（2012-2019年）、加速追趕（2019-2025年）。中芯國際在逆境中創(chuàng)立，持續(xù)追趕世界領(lǐng)先的技術(shù)水平，用20年的時(shí)間，將中國大陸與世界一流的半導(dǎo)體技術(shù)差距從20年以上縮短至5年以內(nèi)。

中芯國際創(chuàng)立前的全球半導(dǎo)體發(fā)展格局

19世紀(jì)至20世紀(jì)以來，半導(dǎo)體領(lǐng)域經(jīng)歷了從電子管、晶體管、集成電路到超大規(guī)模集成電路的發(fā)展歷程。1966年，自美國開始，貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出第一塊大規(guī)模集成電路，此后60余年，依次發(fā)展至日本、韓國和中國臺(tái)灣。

上世紀(jì)60年代，日本從美國引進(jìn)技術(shù)，開始發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，眾多公司如日本電氣（NEC）、三菱、京都電氣、東芝、日立公司、富士通都加入這一行列，隨后日本迅速成為世界第二大半導(dǎo)體生產(chǎn)國。到80年代，由于在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器方面取得技術(shù)領(lǐng)先加上開展規(guī)模經(jīng)濟(jì)的市場戰(zhàn)略，日本取代美國成為半導(dǎo)體記憶體輸出大國。1989年，日本芯片在全球的市場占有率達(dá)53%，而美國僅37%。

圖1：世界十大半導(dǎo)體公司銷售額（單位：十億美元）

1966年，美國通用儀器進(jìn)入中國臺(tái)灣市場，拉開了臺(tái)灣電子代工業(yè)序幕。1977年，臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院的3英寸晶圓試生產(chǎn)線早于韓國1年建成。1989年，臺(tái)灣第一家專業(yè)DRAM生產(chǎn)廠成立，而后臺(tái)灣企業(yè)發(fā)現(xiàn)在DRAM技術(shù)上無法與韓國三星、NEC競爭，便轉(zhuǎn)型為代工廠。隨著代工業(yè)的發(fā)展，以臺(tái)積電純晶圓代工廠的成立為標(biāo)志，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的格局發(fā)生了IDM（垂直整合制造）向晶圓代工模式的轉(zhuǎn)變。晶圓代工模式后來也成為促進(jìn)內(nèi)地半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的新模式。

90年代以來，國際半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者地位從日本轉(zhuǎn)換到美國和韓國（圖1）。1990年，全球前十大半導(dǎo)體公司中，日本占6家，NEC、東芝及日立高居前三，英特爾僅居第四，三星尚未進(jìn)入。而2000年開始，英特爾躍居成為全球第一，三星上榜升至第四位，而日本三大之一的日立下滑較為嚴(yán)重。至2018年，前十半導(dǎo)體企業(yè)中多數(shù)為美國與韓國企業(yè)，日本唯有東芝居于第八。

通訊技術(shù)發(fā)展，使90年代后期美國經(jīng)濟(jì)呈現(xiàn)“兩高”（高經(jīng)濟(jì)增長率、高生產(chǎn)增長率）和“兩低”（低通貨膨脹率、低失業(yè)率）的良好格局。各國由此均提出了加快信息化的舉措，扶持網(wǎng)絡(luò)經(jīng)濟(jì)發(fā)展。集成電路作為移動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)通信和數(shù)據(jù)傳輸?shù)阮I(lǐng)域的底層產(chǎn)業(yè)，迎來發(fā)展機(jī)遇。

但1996年簽訂的《瓦森納協(xié)定》，在半導(dǎo)體技術(shù)轉(zhuǎn)移上將中國排除在外。這阻礙了中國從芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)等多個(gè)領(lǐng)域獲取國外的最新科學(xué)技術(shù)。

中國的集成電路產(chǎn)業(yè)在2000年以前的發(fā)展，可以分為三個(gè)階段：創(chuàng)業(yè)期（1965-1978年）、探索前進(jìn)期（1978-1989年）、重點(diǎn)建設(shè)期（1990-2000年）。1965年，中國的第一塊硅基數(shù)字集成電路研制成功。1980年，中國第一條3英寸線在878廠投入運(yùn)行。1990年，國務(wù)院實(shí)施908工程，1995年展開909工程，我國第一條8英寸生產(chǎn)線開始建設(shè)。在908及909工程中，先后建立了華晶、華虹兩家核心國有企業(yè)。

90年代，國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)規(guī)模仍處于發(fā)展初期，與國際領(lǐng)先水平相差超過20年。由于美國對(duì)中國的技術(shù)限制，國內(nèi)既沒有成型的專業(yè)半導(dǎo)體制造設(shè)備，也缺乏必要的先進(jìn)制造業(yè)人才，同時(shí)資金匱乏。

面對(duì)發(fā)展的壓力，1999年，全國集成電路“十五”戰(zhàn)略規(guī)劃研討會(huì)提出行業(yè)扶持規(guī)劃，計(jì)劃花5年投資200億元，以打造兩條8英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)線；同時(shí)尋找海外伙伴投資，設(shè)法突破技術(shù)封鎖。

中芯國際以及張汝京，開始進(jìn)軍中國半導(dǎo)體行業(yè)。

2000-2004：逆境中創(chuàng)立，突破封鎖

張汝京作為半導(dǎo)體行業(yè)的華人領(lǐng)軍人物，先后有美國、中國臺(tái)灣的工作經(jīng)歷。2000年4月，張汝京在開曼群島設(shè)立了中芯國際，以此為平臺(tái)募集資金，再以外商投資的身份在上海設(shè)廠。

圖2：中芯國際IPO前的股權(quán)結(jié)構(gòu)

圖3：中芯國際IPO前的控股子公司

中芯國際創(chuàng)立前，大陸芯片企業(yè)大部分是IDM模式，與大型芯片制造商相比，規(guī)模小、工藝相對(duì)落后、運(yùn)營效率較低。因此，中芯國際選擇給大型IDM企業(yè)代工的模式，得以在市場中立足。

專業(yè)人才和設(shè)備是半導(dǎo)體制造發(fā)展的關(guān)鍵要素，為籌建中芯國際，張汝京從中國臺(tái)灣帶來了舊部，以及他掌握的先進(jìn)集成電路制造設(shè)備和主流工藝技術(shù)。

由于受到《瓦森納協(xié)定》的限制，中國芯片行業(yè)的技術(shù)升級(jí)困難重重。2000年最先進(jìn)的是0.35-0.25um（微米）技術(shù)，0.13um技術(shù)剛開始量產(chǎn)，中芯國際開始著手0.18um設(shè)備的采購。

為解決資金匱乏的問題，除了中國政府背景的投資，中芯國際還引入外商投資，首期募資約10億美元。募資完成后，中芯國際共計(jì)有16名股東，股權(quán)較為分散（圖2、3）。

2004-2012：困境中前行，堅(jiān)持技術(shù)升級(jí)

中芯國際發(fā)展中迎來的一大挑戰(zhàn)，是2003年底開始的與臺(tái)積電的訴訟。

圖4： 中芯國際與臺(tái)積電的訴訟歷程

國際訴訟、行業(yè)不景、股權(quán)博弈、管理層動(dòng)蕩

由于大陸半導(dǎo)體企業(yè)受技術(shù)封鎖，臺(tái)積電把控潛在可觀的內(nèi)地市場。而中芯國際在大陸的設(shè)立發(fā)展以及上市對(duì)臺(tái)積電造成競爭威脅，于是臺(tái)積電發(fā)起訴訟，以制約中芯在大陸的發(fā)展（圖4）。

張汝京創(chuàng)辦中芯國際之初帶走了一批原屬于臺(tái)積電的班底，且沿用了臺(tái)積電的工廠運(yùn)營模式，為訴訟的爭端埋下了隱患。臺(tái)積電多次借此起訴中芯國際侵犯其專利權(quán)及商業(yè)秘密，中芯國際因此承受財(cái)務(wù)損失及技術(shù)限制。

表1：中芯國際相關(guān)財(cái)務(wù)報(bào)表摘要及訴訟相關(guān)支出占比分析（百萬美元）

圖5：2003-2007年中芯國際季度利潤與折舊

圖6：中芯國際管理層變動(dòng)

首次訴訟和解后，中芯國際與臺(tái)積電達(dá)成互相授予對(duì)方專利權(quán)的協(xié)議，中芯國際需分6年支付1.75億美元。自2005年起，前5年每年支付的3000萬美元賠償支出均占中芯國際研發(fā)支出的30%以上，削弱了公司的研發(fā)投入能力，降低了經(jīng)營收入和凈利潤。而2009年第二次訴訟和解所引起的經(jīng)濟(jì)損失達(dá)到2億美元及相當(dāng)于8%的股權(quán)流出，占當(dāng)年經(jīng)營收入和利潤的大約30%，是當(dāng)年研發(fā)支出投入的約 2倍。同時(shí)，和解條款限制了中芯國際對(duì)于先進(jìn)技術(shù)資料的使用，拖慢了公司發(fā)展的進(jìn)程（表1）。

與此同時(shí)，半導(dǎo)體行業(yè)的景氣度在2005年開始下降，使中芯國際虧損擴(kuò)大。全球半導(dǎo)體銷售額在2004年同比增速最高達(dá)到40%，但隨后受庫存修正和產(chǎn)能消化的影響出現(xiàn)頹勢，2005年下半年至2008年上半年同比增速僅為個(gè)位數(shù)，2008下半年全球經(jīng)濟(jì)衰退時(shí)，更進(jìn)入負(fù)增長區(qū)間，最高跌幅超過30%。

受全球半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)能過剩及金融危機(jī)影響，中芯國際2004年后難以維持盈利。中芯國際在2006年第二季度曾經(jīng)短暫盈利，但由于行業(yè)景氣度下行態(tài)勢持續(xù)，伴隨著產(chǎn)能利用率的下降，第三季度又重現(xiàn)虧損。隨后自2008年開始，受行業(yè)下行需求銳減的影響，中芯國際的產(chǎn)能利用率大幅下滑，在2018年下半年達(dá)到最低點(diǎn)，產(chǎn)能利用率不超過40%。

受銷售額下降及資產(chǎn)減值影響，其2008及2009年度毛利均為負(fù)值，且經(jīng)營虧損達(dá)到3.8億和9.6億美元（圖5）。

此外，在訴訟紛爭以及公司股東分散、財(cái)務(wù)目標(biāo)不一致的壓力下，中芯國際股權(quán)博弈激烈，管理層動(dòng)蕩，接連替換了三位CEO（圖6）。

堅(jiān)持產(chǎn)業(yè)升級(jí)

不過，中芯國際連續(xù)三任CEO仍能牢牢把握技術(shù)升級(jí)、管理與產(chǎn)能利用率提升的發(fā)展方向，為后來的扭虧為盈提供了基礎(chǔ)。

第一任CEO張汝京作為中國臺(tái)灣半導(dǎo)體專家，采用代工模式定位中芯國際的發(fā)展方向，在公司設(shè)立之后解決了設(shè)備、人才、技術(shù)進(jìn)口、資金匱乏等問題，使中芯國際4年內(nèi)成功上市并穩(wěn)定發(fā)展，但半導(dǎo)體專利的訴訟問題以及平衡股東利益、帶領(lǐng)公司盈利，仍然是中芯國際需要面對(duì)的艱難問題。

第二任CEO王寧國與首席運(yùn)營官（COO）楊士寧、首席商務(wù)官（CBO）季克非建立了“鐵三角”的管理模式。王寧國實(shí)施了組織精簡、人員裁撤、資產(chǎn)壓縮等舉措，并且處理了張汝京時(shí)代投資的太陽能業(yè)務(wù)。再加上楊士寧在技術(shù)層面的提升，以及季克非在半導(dǎo)體行業(yè)全球性大復(fù)蘇背景下獲得大量訂單，中芯國際2010年獲得了歷史性的全年盈利，銷售收入也達(dá)到歷史最高水平15億美元。

后期受內(nèi)部勢力博弈的影響，王寧國和楊士寧先后離職，邱慈云作為早期參與中芯國際創(chuàng)立的高管成為第三任CEO。邱慈云采取減慢對(duì)最先進(jìn)制程的追求、注重成熟工藝應(yīng)用的戰(zhàn)略，減少盲目擴(kuò)張，保持已有的高產(chǎn)能利用率，同時(shí)更專注本土市場。對(duì)成熟工藝的深入發(fā)展以及對(duì)成本折舊的控制，使中芯國際隨后從2012年開始持續(xù)盈利。

2004年到2008年以來，中芯國際大力在北京、上海、深圳各地建設(shè)8英寸及12英寸晶圓廠，上市4年間迅速擁有10座晶圓廠（含在建），以及協(xié)助政府管理運(yùn)營成都、武漢兩座晶圓廠；同時(shí)初步開拓下游領(lǐng)域，成立芯載濾色鏡和微鏡合營公司及測試封裝合資公司（圖7）。前期對(duì)市場的開拓，成為后期充分發(fā)展利用產(chǎn)能、拓展客戶、擴(kuò)展?fàn)I收的保障。