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        LDI曝光機分辨率對制作細(xì)線路的影響

        2021-01-11 05:27:40陳華麗謝丹偉
        印制電路信息 2020年11期
        關(guān)鍵詞:線寬間距圖形

        陳華麗 謝丹偉 林 輝

        (汕頭超聲印制板公司,廣東 汕頭 515065)

        0 前言

        LDI(Laser Director Imaging)是利用激光直接將印制電路板(PCB)的圖像掃描到感光干膜上。由于不需要照相底片,避免了使用底片漲縮引起的尺寸偏差,曝光時光線不平行帶來的偏差,同時還能提供高度靈活性和高精確性,包括可滿足用于批量生產(chǎn)任何成像、復(fù)雜圖像、高產(chǎn)出、自動控制和可溯性,現(xiàn)在已逐步成為主流技術(shù),大量應(yīng)用于HDI板、IC載板等。

        面對來自HDI的挑戰(zhàn),如要求線路越來越細(xì),孔環(huán)越來越小,LDI有著獨到的優(yōu)勢,可以高精度、高產(chǎn)出、在大塊拼板上實現(xiàn)精細(xì)成像和孔環(huán)對位。但面對細(xì)線路制作,我們需要哪些等級的LDI曝光機?在此,通過試驗對曝光機對細(xì)線路制作的影響做深入探討。

        1 LDI成像原理

        CAM設(shè)計的資料是矢量格式的,即圖形文件描述了每一個圖形位置、寬度等屬性的文件,這樣的格式不能用到LDI或是光繪機,而LDI作為數(shù)字掃描成像設(shè)備,必須使用標(biāo)量格式的圖形文件,就是將圖形分成以pixel為單位的圖形(就是曝光機的最小解析度),每一個pixel只有0或1屬性的文件。不同的線寬和線距在轉(zhuǎn)換過程中,就有可能在兩種格式存在不完全相等的可能性。

        例如,一臺曝光機的解析度為3.175 μm,即最小pixel,如果設(shè)計的線寬線距是30 μm/30 μm,9個pixel即3.175×9=28.575 μm,10個pixel即3.175×10=31.75 μm,如此是不能整除解析度單位,但曝光機的原理是要首先保證設(shè)計的線寬屬性,即最終出來的是線寬是31.75 μm,線距是28.575 μm,但31.75+28.575=60.325 μm>60 μm,則造成尺寸變大。所以唯一的辦法就是每隔一段距離(誤差積累到1個pixel),減少1個pixel的間距(線寬屬性是必須保證的是首要原則,所以只能減少間距);間距的減少,會導(dǎo)致蝕刻時,容易出現(xiàn)蝕不凈短路,如圖1所示。

        圖1 LDI的圖形

        如果LDI曝光機的解析度越高,最小pixel越小,那么圖像轉(zhuǎn)換在矢量格式和標(biāo)量格式之間轉(zhuǎn)換丟失的東西就會越少。如果曝光機的解析度為2 μm,對于線寬/線距30 μm/30 μm而言,兩者格式的轉(zhuǎn)換是不存在間距突然變寬或變窄的現(xiàn)象。對于35 μm/35 μm而言,17個pixel為:2×17=34 μm,出來的線寬為34 μm,而線距為34 μm,即便不能整除解析度單位,但34+34=68 μm<70 μm,造成尺寸變小會在累積到一個像素后,疊加到線距中,線距變成18個pixel,間距的突然增大,是不會影響線路蝕刻的。

        所以,從LDI圖像轉(zhuǎn)換原理看,LDI曝光機的解析度越小越有助于細(xì)線路制作;特別是曝光機的解析度是整數(shù)的更有利細(xì)線路制作。我們可以看到:當(dāng)曝光機解析度不夠時,會增加局部蝕不凈的情況發(fā)生,從而影響線路的蝕刻。但曝光機的解析度均為整數(shù)(解析度分別為2 μm與1 μm),且相差為1 μm時對線路成品率上到底有多大的影響?以下將從實驗上進行初步驗證。

        2 試驗驗證

        (1)論證解析度1 μm和2 μm的LDI曝光機在制作40 μm/40 μm細(xì)線路的成品率差別,通過相鄰間距差距對比和分析(即在40 μm范圍內(nèi)波動的情況),看最終蝕刻后線路的情況;

        (2)40 μm/40 μm的線路,補償8 μm(整體),補償完后為48 μm/32 μm;

        (3)線路分4個不同方向:水平、垂直、斜45度、斜135度。

        2.1 實驗圖形

        試驗板圖如圖2所示。

        圖2 實驗板圖

        2.2 實驗流程

        雙面板→內(nèi)層線路制作→棕化→層壓(9 μm銅箔)→激光鉆孔→電鍍填孔(水平線)→貼膜前處理→LDI曝光(25 μm干膜)→顯影→(真空+二流體)蝕刻

        3 試驗結(jié)果

        實驗采用真空蝕刻機進行蝕刻,蝕刻后用金相顯微鏡進行線寬測量,兩種曝光機對比結(jié)果如下。取樣說明:每組實驗取3塊實驗板,每塊板讀取3個位置(進板板邊、板中、出板板邊),每個位置讀取4個不同方向的線寬,每種方向的線寬連續(xù)測量4組線寬、間距,共計1152個數(shù)據(jù)。

        圖3和表1是板邊水平線、垂直線部分線寬/線距的測試情況。整合測量到的1152個數(shù)據(jù),得到表2比較結(jié)果。

        圖3 測試圖形(A)水平線(B)垂直線

        表1 水平線、垂直線的線寬/線距

        表2 不同相鄰間距的比例

        從對比看,相鄰間距差距3 μm以上占比,試驗2(曝光機解析度為2 μm)比試驗1(曝光機解析度為1 μm)高出17.39%;這意味著曝光機分辨率由1 μm下降到2 μm,相鄰線距超過3 μm的差異有17%左右。隨著相鄰間距差值的擴大,會增加線路制作的難度,也會降低線路制作的成品率。

        4 試驗結(jié)論

        從LDI圖形成像原理看,曝光機的解析度越小越利于細(xì)線路制作;從實驗結(jié)果看,曝光機解析度越小,蝕刻后無論是線寬還是線距,差距會越小。對于線寬/線距為40 μm/40 μm線路而言,當(dāng)LDI曝光機解析度相差1 μm時(解析度分別為2 μm與1 μm),蝕刻后相鄰線距差4 μm(即線寬公差有10.87%)有10%的差別,而相鄰線距差3 μm的(線寬公差有7.5%)有6.52%的差別。隨著相鄰間距差值的擴大,會增加線路制作的難度,從而降低線路制作的成品率。

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