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        電磁純鐵DT4C 材料真空退火工藝研究

        2021-01-04 03:21:00王治標(biāo)張斯博侯漫路
        中國(guó)金屬通報(bào) 2020年21期
        關(guān)鍵詞:純鐵矯頑力磁性

        王治標(biāo),張斯博,侯漫路,徐 晶

        (沈陽(yáng)航天新光集團(tuán)有限公司,遼寧 沈陽(yáng) 110044)

        電磁純鐵是一種低碳含量的鐵基性能合金[1]。與Ni-Fe 合金相比,其具有磁感應(yīng)強(qiáng)度高、導(dǎo)磁率高、導(dǎo)磁率高、矯頑力低、加工性能優(yōu)異、磁性能穩(wěn)定等特點(diǎn)。在船舶、電氣工程、航空航天領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用的材料。航天工業(yè)中通常將奧氏體不銹鋼與軟磁合金焊接成型作為電磁閥組件,為實(shí)現(xiàn)磁性合金功能特性,避免冷加工損傷磁性能,電磁閥組件在最終工序熱處理,采用真空熱處理方式,溫度精準(zhǔn),有效控制產(chǎn)品變形。

        我公司多種研制型號(hào)生產(chǎn)產(chǎn)品中關(guān)鍵零件均是閥體組件,閥體組件通常由電磁純鐵(DT4C) 與不銹鋼(1Cr18Ni9Ti) 真空釬焊而成,真空退火后,同爐熱處理的DT4C 環(huán)形試樣進(jìn)行磁性能的測(cè)定,要求磁性能數(shù)據(jù)應(yīng)滿足GB6983-2008 標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的各項(xiàng)磁性能指標(biāo)。由于釬焊制件焊接部位熔點(diǎn)較低,所以選擇合適的電磁純鐵退火溫度是滿足GB6983-2008 標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定各項(xiàng)磁性能指標(biāo)的關(guān)鍵。由于退火溫度不能超過(guò)950℃,按照GB6983-2008 給定的工藝制度進(jìn)行真空退火,出現(xiàn)多次矯頑力不合格的情況,為徹底改變這種狀況,進(jìn)行一系列工藝試驗(yàn),通過(guò)退火工藝參數(shù)優(yōu)化調(diào)整,使得產(chǎn)品矯頑力滿足技術(shù)要求。

        1 實(shí)驗(yàn)

        電磁純鐵通過(guò)磁性退火消除加工應(yīng)力,退火溫度超過(guò)再結(jié)晶溫度,使晶粒充分長(zhǎng)大以獲得高的電磁性能。金相組織是等軸的、大的晶粒且均勻的鐵素體組織具有高電磁性能[2]。直接影響矯頑力的因素為晶粒大小和均勻,而保溫溫度和升溫及降溫速度直接影響晶粒度的大小與均勻。因此熱處理工藝對(duì)降低電磁純鐵矯頑力也至關(guān)重要。

        加熱速度及冷卻速度不同直接影響材料再結(jié)晶磁性退火的晶粒大小,也就是影響晶粒度的織構(gòu),從而影響產(chǎn)品的矯頑力。找出升降溫速率與電磁純鐵矯頑力之間的規(guī)律,尋求生產(chǎn)過(guò)程中最佳的工藝制度。本試驗(yàn)電磁純鐵采用DT4C 材料(見(jiàn)表1),外形尺寸為φ25mm×φ20mm×5 熱處理環(huán)形試樣。按國(guó)標(biāo)GB6983-2008 磁性合金退火工藝為:(900±10)℃保溫4h,升溫和降溫分別采用參數(shù)見(jiàn)表2。退火處理是在真空爐中進(jìn)行,真空度≤5.0×10-3Pa。在退火后的電磁純鐵試驗(yàn)件進(jìn)行矯頑力、矯頑力時(shí)效增值、最大磁導(dǎo)率、磁感應(yīng)強(qiáng)度等檢測(cè)。

        表1 試驗(yàn)用DT4C 磁性材料化學(xué)成分( 質(zhì)量分?jǐn)?shù)/%)

        表2 試驗(yàn)采用的升降溫工藝參數(shù)

        2 結(jié)果與分析

        為了說(shuō)明升溫速度與降溫速度對(duì)電磁純鐵DT4C 材料各項(xiàng)磁性能的影響,同樣取φ25mm×φ20mm×5 熱處理試樣,分別進(jìn)行上述三種真空退火工藝方法(工藝參數(shù)圖表見(jiàn)圖1 至圖3),然后對(duì)三種試樣按照GB/T6983-2008 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)要求檢測(cè)各項(xiàng)磁性能指標(biāo):矯頑力Hc ≤32.0A/m ;矯頑力時(shí)效增值ΔHc ≤4.0A/m ;最大磁導(dǎo)率μm ≥0.0151H/m,磁感應(yīng)強(qiáng)度B200 ≥1.20B/T ;B300 ≥1.30B/T ;B500 ≥1.40B/T ;B1000 ≥1.50B/T ;B2500 ≥1.62B/T ;B5000 ≥1.71B/T ;B10000 ≥1.80B/T。分 別采用三種工藝方法進(jìn)行真空退火后試樣磁性能檢測(cè)結(jié)果見(jiàn)表3。

        圖1 工藝方法1 真空退火工藝曲線

        圖2 工藝方法2 真空退火工藝曲線

        表3 磁性能測(cè)試結(jié)果

        圖3 工藝方法3 真空退火工藝曲線

        電磁純鐵DT4C 的磁性熱處理溫度對(duì)矯頑力及其他技術(shù)參數(shù)的影響較大,根據(jù)文獻(xiàn)所述電磁純鐵DT4C 材料的熱處理溫度總體變化趨勢(shì)是:隨著磁性退火溫度的升高,產(chǎn)品的矯頑力越低。750℃~850℃變化明顯。當(dāng)加熱溫度過(guò)低時(shí),影響晶粒長(zhǎng)大。當(dāng)熱處理溫度達(dá)到900℃以上時(shí),雖然隨著溫度的升高,矯頑力還會(huì)越來(lái)越小,但變化趨于平緩。這是因?yàn)殡S著磁性退火溫度的升高,保溫4h 后晶粒充分長(zhǎng)大并逐漸穩(wěn)定,因而矯頑力變化不明顯。當(dāng)磁性退火溫度超過(guò)950℃時(shí),雖然矯頑力較小,但材料容易發(fā)生粘結(jié)現(xiàn)象。因此,退火溫度為850 至900℃最能充分發(fā)揮材料潛在磁性能[3]。

        圖4 工藝方法1 顯微組織圖片

        2.1 升溫速度對(duì)DT4C 磁性能的影響

        控制升溫速度目的是防止材料脫碳和得到大小均勻晶粒。由于本次試驗(yàn)原材料碳含量已經(jīng)很低,為0.025%,單從脫碳角度來(lái)看,可以不控制升溫速率。但在800℃以上加熱速度過(guò)快時(shí),晶粒來(lái)不及并吞,往往會(huì)形成晶粒大小不一,從而影響矯頑力[4]。矯頑力的定義是使磁化至技術(shù)飽和的永磁體的磁感應(yīng)強(qiáng)度降低至零件所需要的反向磁場(chǎng)強(qiáng)度[5]。矯頑力的大小受晶界、位錯(cuò)的多少影響,晶粒隨溫度的升高迅速長(zhǎng)大[6],在體積一定的情況下,晶粒越大,晶界被擠壓,面積會(huì)縮小,位錯(cuò)就減少,內(nèi)應(yīng)力就減小,妨礙金屬的磁化和去磁過(guò)程作用就減小[7],因此矯頑力明顯下降。從表3 可以看出,不控制升溫速度的工藝與正常在800℃以上控制升溫速率的磁性熱處理工藝相比,不控制升溫速度對(duì)矯頑力的影響差別為5A/m 至6A/m 左右。由于矯頑力的影響使得磁感應(yīng)強(qiáng)度也隨之降低,但下降幅度不是很大都大于技術(shù)要求標(biāo)準(zhǔn)值。從圖1 可以看出,由于升溫速率較快,由許多細(xì)小的晶粒還沒(méi)有來(lái)得及被并吞,造成材料的晶粒均勻度較差, 這樣就導(dǎo)致晶界面積較大,位錯(cuò)增大,使得材料內(nèi)部應(yīng)力增大從而阻礙了金屬的磁化作用;而圖2 為采用800℃以上緩慢加熱的工藝方法,則其晶粒的均勻度要明顯優(yōu)于沒(méi)有控制升溫速率的工藝方法,其內(nèi)部的內(nèi)應(yīng)力會(huì)降低許多,最終導(dǎo)致材料的磁性能有了一定的差異。因此,控制升溫速度對(duì)電磁純鐵DT4C 材料磁性能有一定的影響。

        2.2 降溫速度對(duì)DT4C 磁性能的影響

        降溫速度在900℃~700℃之間控制在≤50℃/h,是為了防止因冷卻速度太快而產(chǎn)生的熱應(yīng)力影響磁性能。工藝方法1 由于沒(méi)有控制降溫速度,會(huì)導(dǎo)致存在一定的熱應(yīng)力妨礙材料的磁化作用,對(duì)其磁性能指標(biāo)會(huì)造成一定影響。在生產(chǎn)過(guò)程中,在700℃以下冷卻時(shí),由于真空熱處理的裝爐量通常不會(huì)過(guò)于飽滿,冷卻速度也較快,故在700℃~500℃之間控制冷卻速度能夠更好的確保材料的熱應(yīng)力可完全被消除,從表3 的矯頑力和磁感應(yīng)強(qiáng)度等數(shù)據(jù)可以看出工藝方法2 和3 的差別不明顯,故在700℃以上的降溫速度對(duì)材料的磁性能有一定的影響,在700℃以下的降溫速度對(duì)材料的磁性能則影響較小。

        3 結(jié)論

        (1)在電磁純鐵DT4C 真空熱處理加熱過(guò)程中,800℃以上加熱速度過(guò)快時(shí),由于晶粒來(lái)不及并吞,會(huì)形成晶粒大小不一,晶界面積較大,位錯(cuò)較多,內(nèi)應(yīng)力較大,導(dǎo)致妨礙材料的磁化作用,使得DT4C 材料的磁性能受到一定的影響。

        (2)降溫速度在900℃~700℃之間控制在≤50℃/h,可以防止因冷卻速度太快而產(chǎn)生的熱應(yīng)力影響DT4C 材料的磁性能,在700℃以下的降溫速度對(duì)材料的磁性能則影響較小。

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